JPH05100168A - ニアフイールド光学顕微鏡用光導入装置 - Google Patents

ニアフイールド光学顕微鏡用光導入装置

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JPH05100168A
JPH05100168A JP3262235A JP26223591A JPH05100168A JP H05100168 A JPH05100168 A JP H05100168A JP 3262235 A JP3262235 A JP 3262235A JP 26223591 A JP26223591 A JP 26223591A JP H05100168 A JPH05100168 A JP H05100168A
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optical waveguide
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field optical
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ニアフィールド光学顕微鏡において安定にエバ
ネッセント光を試料に照射する光導入装置を提供する。 【構成】シリコン基板１０１にはこれを貫通する開口部
１０２が形成されている。シリコン基板１０１の一方の
面には絶縁膜１０６が形成されていて、これにより開口
部１０２の一方の開口が閉塞されている。この閉塞面に
は反射防止膜１１１が形成されている。この開口部１０
２には光ファイバー１０３が挿入され固定されている。
開口部１０２の反対側の絶縁膜１０６の上には円錐形状
の光導波層１０８が形成されている。光導波層１０８は
先端を除いて金属膜１０９で覆われていて、これにより
先端には光を透過する微小な開口１１０が形成されてい
る。金属膜１０９は、開口１１０を試料の近傍に配置す
るために利用するトンネル電流を取り出すための電極１
０７に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非常に高い分解能を有
するニアフィールド顕微鏡において、試料に光を照射す
るための光導入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、サブミクロンの形状観察は、通常
の光学顕微鏡では光の回折により限界がありλ／２程度
以下の位置分解能は不可能とされてきた。ところが近
年、微小なピンホールから放射されるエバネッセント光
を利用し、試料表面に数ｎｍ程度の近傍から試料に光を
照射し、その透過光あるいは反射光を光電子増倍管で検
出するニアフィールド顕微鏡が提案され、０．１μｍ程
度の微細パターンの形状観察が可能であることが示され
た。
【０００３】デューリッヒらの論文に掲載された走査型
ニアフィールド顕微鏡を図９に示す。試料はバイモルフ
で駆動されるｘｙ走査系に配置され、試料の近傍には光
を試料に照射する探針が配置されている。探針は光を通
す開口を先端に有し、この開口からエバネッセント光が
照射される。開口からの距離に対するエバネッセント光
の光対数強度を図１０に示す。このグラフでは横軸は、
開口からの距離ｚを開口径ａで割った規格化距離ζで示
してある。規格化距離ζに対する光強度の関係は、３つ
の領域（第３図のＰＲＯＸ，ＮＥＡＲ，ＦＡＲに対応す
る）に分けることができ、ζ＝０．３〜１（実際の距離
にして２〜５ｎｍに相当する）ではエバネッセント光の
強度はほぼ一定である。図９に示したニアフィールド顕
微鏡では、試料と探針の間の距離をＰＲＯＸ領域に設定
している。このため、試料は導電性とし、導電性試料と
探針との間に流れるトンネル電流が一定になるように探
針のｚ方向の位置を制御している。
【０００４】探針の先端から試料に入射したエバネッセ
ント光は対物レンズで集光され光電子増倍管で増幅され
る。このようにして、試料表面の光学的情報を含んだ光
が対物レンズで集められる。探針と試料の間の距離をＰ
ＲＯＸ領域に維持しつつ試料をｘｙ走査することにより
ニアフィールドの光学像を得ることができる。ニアフィ
ールド光学顕微鏡の位置分解能は探針先端の開口の大き
さや検出器の感度などによって決まり、実際には２０ｎ
ｍ程度の解像度が得られるものと期待されている。
【０００５】サブミクロンオーダーでの形状観察はＳＥ
ＭやＴＥＭ等の電子線を使った方法に限られ、真空を必
要とする上に得られる情報は電気的情報である。最近で
はＳＴＭ，ＡＦＭ等のトンネル電流や原子間力を利用し
た方法も実用化されつつあるが、光を使ってのサブミク
ロン観察は、空気中で行なえる上に、生体や細胞等の観
察が困難な材料をも観察対象にできるため、その応用範
囲は広い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ニアフィールド顕微鏡
では、ｘｙ方向の走査系や探針のｚ方向の位置決めはＳ
ＴＭ等で用いているピエゾ素子やバイモルフを利用でき
るが、エバネッセント光を放射する探針の製作が問題で
ある。
【０００７】その一例を図１１に示す。まず、同図
（ａ）に示すように機械加工等で先端を鋭利にした石英
チップの表面にアルミニウム膜を蒸着で被着形成する。
その後、同図（ｂ）に示すようにこれを試料に押し付け
てアルミニウム膜の先端をつぶすことによって、先端部
に開口を有する探針が得られる。この方法で作製した探
針は、先端の開口の大きさが不明確である上に、使用中
に開口の径が増大する（アルミニウムの内部ストレスが
原因と推定される）ため、その寿命が数時間しかないと
いう不都合がある。
【０００８】本発明は、安定にエバネッセント光を試料
に照射する、ニアフィールド光学顕微鏡の光導入装置の
提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光導入装置は、
半導体基板と、半導体基板の表面に形成した絶縁膜と、
表面の反対側から開けた半導体基板を貫通する開口部
と、開口部に装着した光ファイバーと、開口部の反対側
に位置する絶縁膜上に形成した円錐形状の光導波層と、
光導波層の表面を除いて光導波層の表面を覆う金属膜と
を備えている。
【００１０】別の光導入装置は、半導体基板と、一方の
開口の寸法が光の波長同等以下である半導体基板を貫通
する開口部と、他方の開口から開口部に装着される光フ
ァイバーとを備えている。
【００１１】さらに別の光導入装置は、基板と、基板上
に形成した光導波路とを備えており、光導波路は、入射
端と射出端とを有し、射出端近傍では側面が金属膜で覆
われ、射出端の寸法が光の波長同等以下であることを特
徴とする。
【００１２】また、さらに別の光導入装置は、周期構造
を持つ導波路型分布反射器を有し、光を射出する射出端
の寸法が光の波長同等以下である半導体レーザーで構成
されている。
【００１３】他の光導入装置は、発光面を有する面発光
レーザーと、発光面を覆う金属電極と、金属電極に設け
た光の波長同等以下の径のピンホールとを有している。
【００１４】さらに他の光導入装置は、基板と、基板上
に形成した光導波路と、光導波路を覆う金属膜と、光の
波長同等以下の径を有し、金属膜を貫通して光導波路に
達するピンホールとを備えている。
【００１５】
【作用】ニアフィールド顕微鏡において、試料を照明す
る光は試料の近傍に配置された微小開口からの放射光で
あれば良い。開口の大きさは信号強度や解像度を決める
上に重要であり、その形状制御・寸法制御の高精度化が
求められている。この要求を満たすためにホトリソグラ
フィーやシリコン異方性エッチングなどを用いたマイク
ロマシーニングを応用した三次元微細加工を利用する。
ホトリソグラフィーを利用すれば、試料を照明する光の
波長程度の開口を形状制御性・寸法制御性よく形成する
ことができる。
【００１６】
【実施例】本発明によるニアフィールド光学顕微鏡用光
導入装置の第１実施例を図１に示す。同図（ａ）は本実
施例の装置の斜視図で、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図
である。本実施例の光導入装置はシリコン基板１０１を
有し、シリコン基板１０１にはこれを貫通する開口部１
０２が形成されている。シリコン基板１０１の一方の面
には絶縁膜１０６が形成されていて、これにより開口部
１０２の一方の開口が閉塞されている。開口部１０２の
底面すなわち絶縁膜１０６で閉塞された面には反射防止
膜１１１が形成されている。この開口部１０２には、コ
ア１０４とクラッド１０５を有する光ファイバー１０３
が挿入され固定されている。開口部１０２の反対側の絶
縁膜１０６の上には円錐形状の光導波層１０８が形成さ
れている。光導波層１０８は先端を除いて金属膜１０９
で覆われ、これにより光を透過する開口１１０が先端に
設けられている。この結果、光ファイバー１０３から光
導波層１０８に導入された光は、その先端の開口１１０
からエバネッセント光として放射される。光導波層１０
８を覆う金属膜１０９は、開口１１０を試料の近傍に配
置するために利用するトンネル電流を取り出すための電
極１０７に接続されている。
【００１７】次に図１に示した光導入装置の製造方法に
ついて図２を参照しながら説明しよう。まず（ａ）に示
すように、ｎ型あるいはｐ型の結晶面（１００）を有す
るシリコン基板２０１の表面に熱酸化膜２０３とシリコ
ン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）２０４を形成する。シリコン窒化
膜の屈折率は通常２程度なので、熱酸化膜（屈折率ｎ＝
１．４６）の膜厚を１００ｎｍ程度に選ぶと、波長λ＝
０．６３μｍの光に対して反射防止膜として機能する。
また、シリコン基板２０１の裏面には次に行なう異方性
エッチングのマスクとなる材料の膜２０２たとえば熱酸
化膜やＡｕ／Ｃｒ膜などを設け、この膜２０２に正方形
に開口２０６を形成する。
【００１８】次に（ｂ）に示すように、ＫＯＨやエチレ
ンジアミン／ピロカテコール／水混合液などの異方性エ
ッチング液を用いてシリコン基板２０１をエッチングす
る。このとき、シリコン窒化膜２０４はエッチング液に
溶解しないので、シリコン基板２０１は膜２０２をマス
クとして裏面からエッチングされ、四角錘台の開口部２
０５が形成される。このとき、シリコン基板２０１の厚
さｔに対して、膜２０２に形成する開口２０６の一辺の
長さＬをＬ＞２1/2ｔに設定しておく。これにより開口
部２０５はシリコン窒化膜２０４まで達する。シリコン
窒化膜２０４は１ＧＰａ程度の残留引張り応力を有して
いるので、シリコン窒化膜の開口された部分２０７は平
坦のままに保たれる。
【００１９】続いて（ｃ）に示すように、シリコン窒化
膜２０４の上にホトリソグラフィーで電極２０８を形成
する。
【００２０】その後（ｄ）に示すように、開口部２０５
の底面２１０よりも広い円形の穴２１１を有するマスク
２０９をシリコン基板２０１の表側に距離ｄだけ離して
配置する。
【００２１】そして（ｅ）に示すように、電子ビーム蒸
着あるいはスパッタ等の方法でマスク２０９を介してシ
リコン窒化膜２０４の上にガラスを堆積させる。この
間、マスク２０９の穴２１１の側面２１２にもガラスが
堆積するため、穴２１１の直径は徐々に小さくなり、穴
２１１がガラスで密閉された時点で鋭く尖った円錐形状
の光導波層２１３がシリコン窒化膜２０４上に形成され
る。
【００２２】続いて（ｆ）に示すように、光導波層２１
３の底部よりも大きい径の円形の穴を有するマスク２１
４を穴の内側に光導波層２１３が位置するように配置
し、これをマスクとして金属を蒸着して、光導波層２１
３と電極２０８の一部を覆う金属膜２１５を形成する。
【００２３】その後（ｇ）に示すように、金属膜２１５
の先端をイオンミリング等の物理的方法を用いて、その
膜厚に相当する分だけエッチングして光導波層２１３の
先端を露出させ開口２１６を形成する。エッチングの
際、必要であれば先端付近にのみマスクをかけてもよ
い。
【００２４】最後に（ｈ）に示すように、シリコン基板
２０１に開けた開口部２０５に、コア２１８とクラッド
２１９を有する光ファイバー２２０を挿入し、接着剤で
固定して、図１に示した光導入装置が作られる。
【００２５】なお、上述の説明では電極２０８を先に形
成しておき、後に金属膜２１５を形成したが、電極２０
８と金属膜２１５は光導波層２１３の表面に金属を蒸着
する際に電極パターンも含めたマスクを用いることによ
り一回の蒸着で同時に形成してもよい。
【００２６】次に本発明の第２実施例である別の光導入
装置の製造方法について図３を参照しながら説明する。
本実施例は、光導波層の表面を覆う金属膜とシリコン基
板とを電気的に接続し、シリコン基板を介してトンネル
電流を取り出す点が第１実施例と異なる。
【００２７】まず（ａ）に示すように、ｎ型あるいはｐ
型のシリコン基板３０１の表面に厚さ約０．１μｍの熱
酸化膜３０４とシリコン窒化膜３０５を形成する。本実
施例ではシリコン基板３０１には不純物濃度が１０17ｃ
ｍ-3程度以上の高濃度基板を用いる。シリコン基板３０
１の裏面には容易にオーミック接触のとれる金属膜３０
２たとえばＡｕ／Ｃｒ膜を設け、この金属膜３０２に正
方形の開口３０３を形成する。
【００２８】次に（ｂ）に示すように、金属膜３０２お
よびシリコン窒化膜３０５をマスクとしてシリコン基板
３０１を異方性エッチングし、四角錘台形状の開口部３
０６を形成する。
【００２９】続いて（ｃ）に示すように、ホトリソグラ
フィーによりシリコン基板３０１の表側に形成した絶縁
膜３０４と３０５に開口３０７を形成してシリコン基板
３０１の一部を露出させる。
【００３０】その後（ｄ）と（ｅ）に示すように、円形
の開口を有するマスク３０８をシリコン基板３０１の表
側に配置し、電子ビーム蒸着あるいはスパッタ等の方法
でマスク２０８を介してシリコン窒化膜３０５の上にガ
ラスを堆積させ、円錐形状の光導波層３０９を形成す
る。
【００３１】続いて（ｆ）に示すように、マスク３１０
をマスクとして金属を蒸着し、光導波路３０９と開口３
０７を覆う金属膜３１１を形成する。このとき金属膜３
１１の材料には、シリコン基板３０１と容易にオーミッ
ク接触のとれるものを選ぶ。
【００３２】そして（ｇ）に示すように、マスク３１２
を用いてイオンミリング等のドライエッチングで光導波
層３０９の先端部の金属膜３１１だけ膜厚相当分エッチ
ングし、光導波層３０９の先端を露出させ開口３１３を
形成する。
【００３３】最後に（ｈ）に示すように、シリコン基板
３０１に形成した開口部３０６にコア３１５とクラッド
３１６からなる光ファイバー３１７を挿入し、接着剤で
固定する。
【００３４】本発明の第３実施例である光導入装置の製
造方法を図４に示す。本実施例は、異方性エッチングと
側壁保護膜が堆積する反応性イオンエッチングを併用し
てシリコン基板に貫通孔を形成し、開口の広い側を光フ
ァイバーからの光入力側とし、反対側を微小な光射出側
とする。
【００３５】まず（ａ）に示すように、ｎ型あるいはｐ
型で結晶面（１００）面を有するシリコン基板４０１の
表裏面に熱酸化膜４０２と４０３を形成し、シリコン基
板４０１の表面に形成した熱酸化膜４０２に正方形の開
口４０３を形成する。このとき開口４０３の一辺の長さ
Ｌは、シリコン基板４０１の厚さｔに対して、Ｌ＜２
1/2ｔとなるように選ぶ。
【００３６】次に（ｂ）に示すように、熱酸化膜４０２
をマスクとしてシリコン基板４０１に対して異方性エッ
チングを行ない、（１１１）面で囲まれる四角錘形状の
孔４０４を形成する。この孔４０４の先端は、開口４０
３の一辺の長さＬをＬ＜２1/ 2ｔに設定しているため、
シリコン基板４０１内側で止まる。例えば４００μｍ厚
のシリコン基板に対して一辺が５５２μｍの開口を用い
て異方性エッチングすれば裏面から１０μｍの深さの位
置に孔の先端が止まることになる。
【００３７】続いて（ｃ）およびその円内を拡大した
（ｄ）に示すように、シリコン基板４０１に設けた孔４
０４に対して側壁保護膜４０５が堆積する条件で反応性
イオンエッチングを行ない、シリコン基板４０１に貫通
孔４０６を形成する。側壁保護膜４０５が堆積する反応
性イオンエッチングでは、イオン衝撃のある孔４０４の
先端部のみ選択的にエッチングが進行するため、原理的
にサブミクロンのピンホールを貫通孔４０６の先端に形
成することができる。
【００３８】最後に（ｅ）に示すように、貫通孔４０６
の内側の側壁保護膜４０５と熱酸化膜４０２を除去し、
貫通孔４０６に光ファイバー４０７を挿入し固定する。
これにより貫通孔４０６の先端には微小な開口４０９が
形成され、光ファイバー４０７から導入された光がこの
開口４０９からエバネッセント光として放射される。
【００３９】本発明による光導入装置の第４実施例を図
５に示す。図において（ａ）は外観図、（ｂ）は線Ａ−
Ａに沿って切った断面図である。基板５０１の上には、
バッファー層５０２と第１クラッド層５０３とコア層５
０４と第２クラッド層５０５と金属膜５０６とが積層さ
れている。この積層構造体の一端面には金属膜あるいは
光吸収膜５１０が形成されている。そして、金属膜５０
６と第２クラッド層５０５には、コア層５０４に達する
ピンホール５０７が形成されている。このピンホール５
０７は、ホトリソグラフィーにより使用する光の波長程
度の径に形成されている。この装置では、コア層５０４
に導入された光がピンホール５０７からエバネセント光
として放射される。本実施例によれば、光伝搬媒体に平
面型の光導波路を用いているので、ホトリソグラフィー
により波長程度以下のピンホールを寸法制御性よく開け
ることができ、従って最適なＳ／Ｎと解像度を得ること
ができる。
【００４０】本発明による光導入装置の第５実施例を図
６に示す。図において、（ａ）は外観図、（ｂ）は先端
付近の拡大図、（ｃ）は線Ａ−Ａに沿って切った断面
図、（ｄ）は線Ｂ−Ｂに沿って切った断面図、（ｅ）は
線Ｃ−Ｃに沿って切った断面図である。本実施例では、
シリコン基板６０１の上には光導波路６０２が設けら
れ、光導波路６０２の上には電極６０５と半導体レーザ
ー６０３が設けられている。光導波路６０２は、バッフ
ァー層６０７と第１クラッド層６０８とコア層６０９と
第２クラッド層６１０とで構成されている。第１クラッ
ド層６０９と第２クラッド層６１０は先端に近づくにつ
れて次第に薄くなり、先端部では光導波路はコア層６０
９だけとなり、このコア層６０９はその周囲が電極６０
５で覆われている。この電極６０５は、先端６１１と試
料との間の距離を制御するために使用するトンネル電流
のモニター端子として使用される。半導体レーザー６０
３から射出された光６０４は、光導波路６０２のコア層
６０９の内部を伝搬して、先端からエバネッセント光６
０６として放射される。
【００４１】本発明による光導入装置の第６実施例を図
７に示す。本実施例は、一方の光射出端側の活性層幅を
波長同等以下としたＤＦＢレーザーで構成されている。
図において、（ａ）は平面図、（ｂ）は線Ａ−Ａに沿っ
て切ったＤＦＢレーザー領域（Ｉ）の断面図、（ｃ）は
線Ｂ−Ｂに沿って切ったリッジ型導波路の横寸法を細く
絞り込んだ領域（ＩＩ）の断面図である。
【００４２】本実施例は、ｎ型ＧａＡｓ基板７０１の上
にｎ型ＧａＡｓバッファー層７０２とｎ型Ａｌ0.4Ｇａ
0.6Ａｓ第１クラッド層７０３とＧａＡｓ活性層７０４
とｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓバリア層７０５とｐ型Ａｌ
0.15Ｇａ0.85Ａｓガイド層７０６とｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7
Ａｓ第２クラッド層７０７とｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ第
３クラッド層７０８とｐ型ＧａＡｓコンタクト層７０９
を順に積層し、領域（Ｉ）では第２クラッド層７０７ま
でエッチングし、領域（ＩＩ）では基板７０１までエッ
チングしてリッジを形成した後、上面を除いてリッジの
覆う絶縁膜７１０を設け、コンタクト層７０９に接触す
るＡｕ／ＣｒやＡｕ／Ｚｎ／Ａｕなどのｐ型金属電極７
１１と、基板７０１に接触するＡｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅな
どのｎ型金属電極７１２とを設けて構成される。ガイド
層７０６の内部には、周期ｍ×λ／２ｎeff（ここでｍ
＝１，２，…、λ：空気中での波長、ｎeff：活性層の
実効屈折率）の回折格子７１３が形成されている。領域
（ＩＩ）の光導波路は、その幅が徐々に細くなり、最終
的に波長程度以下の幅で一定になるように作り、一定と
なったところで劈開されている。この結果、本実施例で
ある半導体レーザーの端面からはエバネッセント光が放
射される。本実施例によれば、光源を試料の間近に直接
配置できるので、光ファイバーや光学系を途中に挿入す
る必要がないという利点がある。
【００４３】本発明による光導入装置の第７実施例を図
８に示す。面発光レーザーの発光面をピンホールを有す
る膜で覆って構成され、このピンホールからエバネッセ
ント光を放射する。
【００４４】ｎ型ＧａＡｓ基板８０１の上には、ｎ型Ｇ
ａＡｓバッファー層８０２、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ／
ＡｌＡｓ半導体多層膜反射鏡８０３、ｐ型ＧａＡｓ８０
４、活性層８０５、ｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓクラッド層
８０６、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓキャップ層８０７、ｎ
型ＧａＡｓ８０８、ｐ型ＧａＡｓ８０９、絶縁膜８１
０、Ａｕ／Ｚｎ／Ａｕなどのｐ型金属電極８１１が順に
積層され、基板８０１の下面にＡｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅな
どのｎ型金属電極８１２が設けられている。ｎ型ＧａＡ
ｓ８０８は電流挟窄層を形成し、ｐ型電極８１１からｐ
型ＧａＡｓ８０９、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ８０７、ｐ
型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ８０６を経由して活性層８０５へ
注入された電荷は、ここで再結合し発光する。活性層８
０５での発光した光は半導体多層膜８０３とｎ型金属電
極８１１とで構成される共振器で往復し誘導放出を起こ
す。活性層８０５上のｎ型電極８１１の中央部にはホト
リソグラフィで形成された波長同等以下のピンホール８
１３が開けられており、このピンホール８１３からエバ
ネッセント光が放射される。本実施例によれば、第６実
施例と同様に光源を試料の間近に直接配置できるので、
光ファイバーや光学系を途中に挿入する必要がないとい
う利点がある。
【００４５】
【発明の効果】本発明では、その製造においてホトリソ
グラフィ等のマイクロマシーニング技術を用いているた
め、光を射出する微小開口が形状および寸法の制御性良
く形成されている光導入装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による光導入装置の第１実施例を示す。
【図２】図１の装置の製造方法を説明するための図であ
る。
【図３】本発明の第２実施例である光導入装置の製造工
程を説明するための図である。
【図４】本発明の第３実施例である光導入装置の製造工
程を説明するための図である。
【図５】本発明による光導入装置の第４実施例を示す。
【図６】本発明による光導入装置の第５実施例を示す。
【図７】本発明による光導入装置の第６実施例を示す。
【図８】本発明による光導入装置の第７実施例を示す。
【図９】ニアフィールド顕微鏡の構成を示す。
【図１０】開口からの距離に対するエバネッセント光の
光対数強度を示すグラフである。
【図１１】ニアフィールド顕微鏡で使用する、エバネッ
セント光を放射する探針の一例を示す。
【符号の説明】
１０１…シリコン基板、１０２…開口部、１０３…光フ
ァイバー、１０８…光導波層、１０９…金属膜。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ニアフィールド光学顕微鏡において試料
    に光を導く装置であって、半導体基板と、半導体基板の
    表面に形成した絶縁膜と、表面の反対側から開けた半導
    体基板を貫通する開口部と、開口部に装着した光ファイ
    バーと、開口部の反対側に位置する絶縁膜上に形成した
    円錐形状の光導波層と、光導波層の先端を除いて光導波
    層の表面を覆う金属膜とを備えているニアフィールド光
    学顕微鏡用光導入装置。
  2. 【請求項２】 開口部内の絶縁膜表面に反射防止膜が設
    けられている請求項１記載のニアフィールド光学顕微鏡
    用光導入装置。
  3. 【請求項３】 ニアフィールド光学顕微鏡において試料
    に光を導く装置であって、半導体基板と、一方の開口の
    寸法が光の波長同等以下である半導体基板を貫通する開
    口部と、他方の開口から開口部に装着される光ファイバ
    ーとを備えているニアフィールド光学顕微鏡用光導入装
    置。
  4. 【請求項４】 ニアフィールド光学顕微鏡において試料
    に光を導く装置であって、基板と、基板上に形成した光
    導波路とを備えており、光導波路は、入射端と射出端と
    を有し、射出端近傍では側面が金属膜で覆われ、射出端
    の寸法が光の波長同等以下であることを特徴とするニア
    フィールド光学顕微鏡用光導入装置。
  5. 【請求項５】 ニアフィールド光学顕微鏡において試料
    に光を導く装置であって、周期構造を持つ導波路型分布
    反射器を有し、光を射出する射出端の寸法が光の波長同
    等以下である半導体レーザーで構成されるニアフィール
    ド光学顕微鏡用光導入装置。
  6. 【請求項６】 ニアフィールド光学顕微鏡において試料
    に光を導く装置であって、発光面を有する面発光レーザ
    ーと、発光面を覆う金属電極と、金属電極に設けた光の
    波長同等以下の径のピンホールとを有しているニアフィ
    ールド光学顕微鏡用光導入装置。
  7. 【請求項７】 ニアフィールド光学顕微鏡において試料
    に光を導く装置であって、基板と、基板上に形成した光
    導波路と、光導波路を覆う金属膜と、光の波長同等以下
    の径を有し、金属膜を貫通して光導波路に達するピンホ
    ールとを備えているニアフィールド光学顕微鏡用光導入
    装置。
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