JPH0862230A - 集積型ｓｐｍセンサー - Google Patents
集積型ｓｐｍセンサーInfo
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- JPH0862230A JPH0862230A JP6199336A JP19933694A JPH0862230A JP H0862230 A JPH0862230 A JP H0862230A JP 6199336 A JP6199336 A JP 6199336A JP 19933694 A JP19933694 A JP 19933694A JP H0862230 A JPH0862230 A JP H0862230A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q20/00—Monitoring the movement or position of the probe
- G01Q20/04—Self-detecting probes, i.e. wherein the probe itself generates a signal representative of its position, e.g. piezoelectric gauge
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y35/00—Methods or apparatus for measurement or analysis of nanostructures
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
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- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】歪みセンサーの発熱による先端部のセンサーの
温度上昇の少ない集積型ＳＰＭセンサーを提供する。 【構成】支持部１４から延びたカンチレバー１２には中
央を延びるピエゾ抵抗層１６が形成されている。カンチ
レバー１２は酸化シリコン膜で覆われ、その上に電極２
０、２２、３２、３８が形成されている。抵抗層１６の
自由端側の端部には電極２０が、支持部側の端部には電
極２４が接続されている。カンチレバー１２の自由端部
にはｐ型シリコン領域２６が形成され、その一部は鋭く
尖った探針１０となっている。ｐ型シリコン領域２６の
一部に形成されたｐ+ 型シリコン領域２８には電極３２
が接続され、ｐ型シリコン領域２６から１０μｍ以上離
れた位置に形成されたｎ+ 型シリコン領域３４には電極
３８が接続されている。抵抗層１６と探針周辺部との間
には長方形の穴４０が形成されている。
温度上昇の少ない集積型ＳＰＭセンサーを提供する。 【構成】支持部１４から延びたカンチレバー１２には中
央を延びるピエゾ抵抗層１６が形成されている。カンチ
レバー１２は酸化シリコン膜で覆われ、その上に電極２
０、２２、３２、３８が形成されている。抵抗層１６の
自由端側の端部には電極２０が、支持部側の端部には電
極２４が接続されている。カンチレバー１２の自由端部
にはｐ型シリコン領域２６が形成され、その一部は鋭く
尖った探針１０となっている。ｐ型シリコン領域２６の
一部に形成されたｐ+ 型シリコン領域２８には電極３２
が接続され、ｐ型シリコン領域２６から１０μｍ以上離
れた位置に形成されたｎ+ 型シリコン領域３４には電極
３８が接続されている。抵抗層１６と探針周辺部との間
には長方形の穴４０が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、走査型プローブ顕微鏡
（ＳＰＭ：Scanning Probe Microscope ）において使用
される集積型ＳＰＭセンサーに関する。
（ＳＰＭ：Scanning Probe Microscope ）において使用
される集積型ＳＰＭセンサーに関する。
【０００２】
【従来の技術】１９８０年代後半以降、走査型プローブ
顕微鏡の一つとして、エバネッセント波を用いて回折限
界を超える分解能で試料を観察し得る光学顕微鏡が提案
されている。この顕微鏡は、近視野顕微鏡（ＳＮＯＭ：
Scanning Near-field OpticalMicroscope）と呼ばれて
いる。このＳＮＯＭは、エバネッセント波が波長より小
さい寸法の領域に局在し、自由空間を伝搬しないという
特性を利用して、回折限界を超える分解能を達成してい
る。
顕微鏡の一つとして、エバネッセント波を用いて回折限
界を超える分解能で試料を観察し得る光学顕微鏡が提案
されている。この顕微鏡は、近視野顕微鏡（ＳＮＯＭ：
Scanning Near-field OpticalMicroscope）と呼ばれて
いる。このＳＮＯＭは、エバネッセント波が波長より小
さい寸法の領域に局在し、自由空間を伝搬しないという
特性を利用して、回折限界を超える分解能を達成してい
る。
【０００３】ＳＮＯＭでは、測定試料の表面近傍に波長
程度以下の距離までプローブを近づけて、プローブ先端
の微小開口を通過する光強度の地図を作成することによ
って、測定試料に対する解像が成される。
程度以下の距離までプローブを近づけて、プローブ先端
の微小開口を通過する光強度の地図を作成することによ
って、測定試料に対する解像が成される。
【０００４】ＳＮＯＭとしてはいくつかの方式が提案さ
れており、大まかに二つの方式があり、それぞれコレク
ション方式、エミッション方式と呼ばれている。コレク
ション方式では、試料に下から光を照射することで試料
表面に現れるエバネッセント波をプローブを用いて検出
することによりＳＮＯＭ像を得ている。エミッション方
式では、プローブの内部からその先端に設けた微小開口
を介して光を射出させた際に発生するエバネッセント波
を試料に照射し、その透過光を試料の下に設置した光検
出器で検出することによりＳＮＯＭ像を得ている。この
エミッション方式は、たとえば特開平４−２９１３１０
に開示されている。
れており、大まかに二つの方式があり、それぞれコレク
ション方式、エミッション方式と呼ばれている。コレク
ション方式では、試料に下から光を照射することで試料
表面に現れるエバネッセント波をプローブを用いて検出
することによりＳＮＯＭ像を得ている。エミッション方
式では、プローブの内部からその先端に設けた微小開口
を介して光を射出させた際に発生するエバネッセント波
を試料に照射し、その透過光を試料の下に設置した光検
出器で検出することによりＳＮＯＭ像を得ている。この
エミッション方式は、たとえば特開平４−２９１３１０
に開示されている。
【０００５】さらに、最近では、光ファイバーのプロー
ブの代わりにカンチレバーを用いてＳＮＯＭ測定と原子
間力顕微鏡（ＡＦＭ）測定を同時に行なう方法がファン
フルスト（N. F. van Hulst ）らにより提案されてい
る。このＳＮＯＭは、たとえば「N. F. van Hulst, M.
H. P. Moers, O. F. J. Noordman, R. G. Tack, F. B.S
egerink and B. Bolger, "Near-field optical microsc
ope using a silicon-nitride probe", Appl. Phys. Le
tt. 62, 461-463, (1993)」に開示されている。
ブの代わりにカンチレバーを用いてＳＮＯＭ測定と原子
間力顕微鏡（ＡＦＭ）測定を同時に行なう方法がファン
フルスト（N. F. van Hulst ）らにより提案されてい
る。このＳＮＯＭは、たとえば「N. F. van Hulst, M.
H. P. Moers, O. F. J. Noordman, R. G. Tack, F. B.S
egerink and B. Bolger, "Near-field optical microsc
ope using a silicon-nitride probe", Appl. Phys. Le
tt. 62, 461-463, (1993)」に開示されている。
【０００６】ＡＦＭでは、カンチレバーの自由端に設け
た鋭い突起部分（探針部）を試料表面に近づけ、探針先
端の原子と試料表面の原子との間に働く相互作用力によ
り変位するカンチレバーの動きを電気的または光学的に
とらえて測定しつつ、試料をＸＹ方向に走査するなどし
て、試料に対する探針部の位置を相対的に変化させる。
これにより、カンチレバーの動きに基づいて、試料表面
の様々な位置における高さ情報が得られ、この高さ情報
を位置情報と合わせて処理することで、試料の凹凸を表
現した三次元像等を構築することができる。
た鋭い突起部分（探針部）を試料表面に近づけ、探針先
端の原子と試料表面の原子との間に働く相互作用力によ
り変位するカンチレバーの動きを電気的または光学的に
とらえて測定しつつ、試料をＸＹ方向に走査するなどし
て、試料に対する探針部の位置を相対的に変化させる。
これにより、カンチレバーの動きに基づいて、試料表面
の様々な位置における高さ情報が得られ、この高さ情報
を位置情報と合わせて処理することで、試料の凹凸を表
現した三次元像等を構築することができる。
【０００７】ＡＦＭにおいて、カンチレバーの変位を測
定する変位測定センサーは、カンチレバーとは別途に設
けるのが一般的である。しかし最近では、カンチレバー
自体に変位を測定する機能を設けた集積型ＡＦＭセンサ
ーがトルトネーゼ（M.Tortonese ）らにより提案されて
いる。この集積型ＡＦＭセンサーは、たとえば「M.Tort
onese, H.Yamada, R.C.Barrett and C.F.Quate, "Atomi
c force microscopy using a piezoresistive cantilev
er", Transducers and Sensors '91」やＰＣＴ出願ＷＯ
９２／１２３９８に開示されている。
定する変位測定センサーは、カンチレバーとは別途に設
けるのが一般的である。しかし最近では、カンチレバー
自体に変位を測定する機能を設けた集積型ＡＦＭセンサ
ーがトルトネーゼ（M.Tortonese ）らにより提案されて
いる。この集積型ＡＦＭセンサーは、たとえば「M.Tort
onese, H.Yamada, R.C.Barrett and C.F.Quate, "Atomi
c force microscopy using a piezoresistive cantilev
er", Transducers and Sensors '91」やＰＣＴ出願ＷＯ
９２／１２３９８に開示されている。
【０００８】この集積型ＡＦＭセンサーは、測定原理に
圧電抵抗効果を利用しており、カンチレバー部には抵抗
層が設けられていて、この抵抗層には一定の電圧が印加
されている。探針先端が測定試料に近接すると、探針と
試料の間に働く相互作用によりカンチレバー部がたわ
み、カンチレバー部に歪みが生じ、この歪みの大きさに
応じて抵抗層の抵抗値が変化し、その結果として抵抗層
を流れる電流が変化する。つまり、抵抗層を流れる電流
はカンチレバーの歪み量に応じて変化する。したがっ
て、この集積型ＡＦＭセンサーでは、抵抗層を流れる電
流の変化を検出することにより、カンチレバー部の変位
量が求められる。
圧電抵抗効果を利用しており、カンチレバー部には抵抗
層が設けられていて、この抵抗層には一定の電圧が印加
されている。探針先端が測定試料に近接すると、探針と
試料の間に働く相互作用によりカンチレバー部がたわ
み、カンチレバー部に歪みが生じ、この歪みの大きさに
応じて抵抗層の抵抗値が変化し、その結果として抵抗層
を流れる電流が変化する。つまり、抵抗層を流れる電流
はカンチレバーの歪み量に応じて変化する。したがっ
て、この集積型ＡＦＭセンサーでは、抵抗層を流れる電
流の変化を検出することにより、カンチレバー部の変位
量が求められる。
【０００９】このような集積型ＡＦＭセンサーは構成が
極めて簡単で小型であることから、カンチレバー側を走
査するいわゆるスタンドアロン型のＡＦＭを構成できる
ようになると期待されている。これまでのＡＦＭでは、
試料をＸＹ方向に動かすことによって、カンチレバー先
端の探針の相対位置を変化させているため、試料の大き
さが最大数ｃｍ程度に限られるが、スタンドアロン型の
ＡＦＭにはこのような制限がなく大きな試料も取り扱え
るという利点がある。
極めて簡単で小型であることから、カンチレバー側を走
査するいわゆるスタンドアロン型のＡＦＭを構成できる
ようになると期待されている。これまでのＡＦＭでは、
試料をＸＹ方向に動かすことによって、カンチレバー先
端の探針の相対位置を変化させているため、試料の大き
さが最大数ｃｍ程度に限られるが、スタンドアロン型の
ＡＦＭにはこのような制限がなく大きな試料も取り扱え
るという利点がある。
【００１０】次に集積型ＡＦＭセンサーについて図１０
を参照して説明する。まず製造方法について説明する。
スタートウェハー１００として、図１０（Ａ）に示すよ
うに、シリコンウェハー１１０の上に酸化シリコンの分
離層１１２を介してシリコン層１１４を設けたもの、た
とえば貼り合わせウェハーを用意する。このシリコン層
１１４の極表面にイオンインプランテーションによりボ
ロン（Ｂ）を打ち込んでピエゾ抵抗層１１６を形成し、
図１０（Ｄ）の形状にパターニングした後、表面を酸化
シリコン膜１１８で覆う。そしてカンチレバーの固定端
側にボンディング用の穴をあけ、アルミニウムをスパッ
タリングして電極１２０を形成する。さらに、シリコン
ウェハー１１２の下側にレジスト層１２２を形成し、こ
のレジスト層をパターニングし開口を形成して図１０
（Ｂ）となる。続いて、オーミックコンタクトをとるた
めの熱処理をした後、レジスト層１２２をマスクとして
湿式異方性エッチングにより分離層１１２までエッチン
グし、最後にフッ酸でカンチレバー部１２４下部の分離
層１１２をエッチングしてカンチレバー部１２４を形成
して集積型ＡＦＭセンサーが完成する。その側断面図を
図１０（Ｃ）に、上面図を図１０（Ｄ）に示す。
を参照して説明する。まず製造方法について説明する。
スタートウェハー１００として、図１０（Ａ）に示すよ
うに、シリコンウェハー１１０の上に酸化シリコンの分
離層１１２を介してシリコン層１１４を設けたもの、た
とえば貼り合わせウェハーを用意する。このシリコン層
１１４の極表面にイオンインプランテーションによりボ
ロン（Ｂ）を打ち込んでピエゾ抵抗層１１６を形成し、
図１０（Ｄ）の形状にパターニングした後、表面を酸化
シリコン膜１１８で覆う。そしてカンチレバーの固定端
側にボンディング用の穴をあけ、アルミニウムをスパッ
タリングして電極１２０を形成する。さらに、シリコン
ウェハー１１２の下側にレジスト層１２２を形成し、こ
のレジスト層をパターニングし開口を形成して図１０
（Ｂ）となる。続いて、オーミックコンタクトをとるた
めの熱処理をした後、レジスト層１２２をマスクとして
湿式異方性エッチングにより分離層１１２までエッチン
グし、最後にフッ酸でカンチレバー部１２４下部の分離
層１１２をエッチングしてカンチレバー部１２４を形成
して集積型ＡＦＭセンサーが完成する。その側断面図を
図１０（Ｃ）に、上面図を図１０（Ｄ）に示す。
【００１１】この集積型ＡＦＭセンサーを用いて変位量
測定を行なうための回路を図１１に示す。図１１に示す
ように、ピエゾ抵抗カンチレバーの端子１２０には、直
流定電圧電源１２６と電流計測用のオペアンプ１２８が
接続されている。たとえば、直流定電圧電源１２６の電
位を＋５Ｖとすれば、図の上側のピエゾ抵抗カンチレバ
ーの端子１２０の電位は＋５Ｖに保たれる。もう一方の
ピエゾ抵抗カンチレバーの端子１２０は、オペアンプの
非反転入力端子（＋）がＧＮＤ電位に保たれていること
から、ＧＮＤ電位に保たれる。
測定を行なうための回路を図１１に示す。図１１に示す
ように、ピエゾ抵抗カンチレバーの端子１２０には、直
流定電圧電源１２６と電流計測用のオペアンプ１２８が
接続されている。たとえば、直流定電圧電源１２６の電
位を＋５Ｖとすれば、図の上側のピエゾ抵抗カンチレバ
ーの端子１２０の電位は＋５Ｖに保たれる。もう一方の
ピエゾ抵抗カンチレバーの端子１２０は、オペアンプの
非反転入力端子（＋）がＧＮＤ電位に保たれていること
から、ＧＮＤ電位に保たれる。
【００１２】カンチレバー部１２４の先端が試料に接近
し、カンチレバー部１２４の先端と試料表面の原子間に
相互作用力が働くと、カンチレバー部１２４が変位す
る。これに応じてピエゾ抵抗層１１６の抵抗値が変化す
るため、カンチレバー部１２４の変位が二つの電極１２
０の間に流れる電流信号として得られる。
し、カンチレバー部１２４の先端と試料表面の原子間に
相互作用力が働くと、カンチレバー部１２４が変位す
る。これに応じてピエゾ抵抗層１１６の抵抗値が変化す
るため、カンチレバー部１２４の変位が二つの電極１２
０の間に流れる電流信号として得られる。
【００１３】また、最近ではカンチレバーのねじれ量
（ＬＦＭ信号）を検出する機能も備えた集積型ＳＰＭセ
ンサーが提案されている。このような集積型ＳＰＭセン
サーは例えば特開平５−６３５４７に開示されている。
（ＬＦＭ信号）を検出する機能も備えた集積型ＳＰＭセ
ンサーが提案されている。このような集積型ＳＰＭセン
サーは例えば特開平５−６３５４７に開示されている。
【００１４】ところで、ピエゾ抵抗層を用いた歪みセン
サーはシリコンプレナー技術を用いて作製でき、その構
成が簡単なため、小さな形状のカンチレバーに集積化す
ることに非常に適している。しかし、この歪みセンサー
は電流素子であるため、ＡＦＭ測定中は、カンチレバー
の歪みすなわち変位を検出するために、常に電流を流し
続ける必要がある。このため、ピエゾ抵抗層から熱が発
生し、変位信号であるピエゾ抵抗層の電流信号に熱ノイ
ズが混入し、ＡＦＭ測定の検出信号のＳ／Ｎ比を劣化さ
せてしまい、その結果としてＡＦＭ測定の分解能と信頼
性の低下を招く要因となっている。
サーはシリコンプレナー技術を用いて作製でき、その構
成が簡単なため、小さな形状のカンチレバーに集積化す
ることに非常に適している。しかし、この歪みセンサー
は電流素子であるため、ＡＦＭ測定中は、カンチレバー
の歪みすなわち変位を検出するために、常に電流を流し
続ける必要がある。このため、ピエゾ抵抗層から熱が発
生し、変位信号であるピエゾ抵抗層の電流信号に熱ノイ
ズが混入し、ＡＦＭ測定の検出信号のＳ／Ｎ比を劣化さ
せてしまい、その結果としてＡＦＭ測定の分解能と信頼
性の低下を招く要因となっている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】前述のトルトネーゼ
（M. Tortonese）らにより提案された集積型ＡＦＭセン
サーはカンチレバーに歪みセンサーを集積しているが、
歪みセンサーに加えて他のセンサー、たとえば光検出機
能を持つセンサーや温度センサー、磁気センサー等をカ
ンチレバーに複合集積化する構成が考えられる。しか
し、単に複数のセンサーを複合集積化すると、複数のセ
ンサーの出力信号が混ざり合ったり、互いに影響を及ぼ
し合ったりして、信号検出の感度の低下を招くおそれが
ある。
（M. Tortonese）らにより提案された集積型ＡＦＭセン
サーはカンチレバーに歪みセンサーを集積しているが、
歪みセンサーに加えて他のセンサー、たとえば光検出機
能を持つセンサーや温度センサー、磁気センサー等をカ
ンチレバーに複合集積化する構成が考えられる。しか
し、単に複数のセンサーを複合集積化すると、複数のセ
ンサーの出力信号が混ざり合ったり、互いに影響を及ぼ
し合ったりして、信号検出の感度の低下を招くおそれが
ある。
【００１６】実際、集積型ＡＦＭセンサーにＳＮＯＭ測
定用の光センサーを設けた場合には、圧電抵抗効果を利
用した歪みセンサーの発熱により、光センサー部の温度
が上昇し、ＳＮＯＭ測定のノイズが増加する。この歪み
センサーは、測定中は常に電流が流されるため発熱し、
この熱が光センサーの暗電流に寄与する。フォトダイオ
ードを光センサーに用いた場合、周辺温度が５〜１０℃
上昇すると、暗電流は約二倍増加する。暗電流の増加は
Ｓ／Ｎ比を低下させ、光センサーの感度を低下させる。
これにより、光センサーで分解できる最小光量が上がる
ため、ＳＮＯＭ測定感度が低下してしまう。
定用の光センサーを設けた場合には、圧電抵抗効果を利
用した歪みセンサーの発熱により、光センサー部の温度
が上昇し、ＳＮＯＭ測定のノイズが増加する。この歪み
センサーは、測定中は常に電流が流されるため発熱し、
この熱が光センサーの暗電流に寄与する。フォトダイオ
ードを光センサーに用いた場合、周辺温度が５〜１０℃
上昇すると、暗電流は約二倍増加する。暗電流の増加は
Ｓ／Ｎ比を低下させ、光センサーの感度を低下させる。
これにより、光センサーで分解できる最小光量が上がる
ため、ＳＮＯＭ測定感度が低下してしまう。
【００１７】さらに、一つのカンチレバー上に歪みセン
サーと光センサーを設けると、各々のセンサーに印加さ
れている電圧による電気的な接触が問題になる。具体的
には、歪みセンサーや光センサーにかけている電圧によ
る暗電流が光センサーや歪みセンサーにノイズとして各
々の信号に混入したり、光センサーの基準電位変動が起
こる。このため、感度の良いＡＦＭ測定やＳＮＯＭ測定
が行なえなくなる。本発明の目的は、歪みセンサーの発
熱による先端部のセンサーの温度上昇の少ない集積型Ｓ
ＰＭセンサーを提供することにある。
サーと光センサーを設けると、各々のセンサーに印加さ
れている電圧による電気的な接触が問題になる。具体的
には、歪みセンサーや光センサーにかけている電圧によ
る暗電流が光センサーや歪みセンサーにノイズとして各
々の信号に混入したり、光センサーの基準電位変動が起
こる。このため、感度の良いＡＦＭ測定やＳＮＯＭ測定
が行なえなくなる。本発明の目的は、歪みセンサーの発
熱による先端部のセンサーの温度上昇の少ない集積型Ｓ
ＰＭセンサーを提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の集積型ＳＰＭセ
ンサーは、支持部と、支持部から延びた柔軟なカンチレ
バーとからなり、カンチレバーは、その長手方向に延び
る、歪みに応じて抵抗値が変化する抵抗層と、その先端
部に設けられた、試料表面の局所領域における特定の物
理量を受けるプローブと、プローブが受けた物理量を感
知するセンサーとを有していて、抵抗層とセンサーの間
には穴が形成されている、あるいは、抵抗層とセンサー
の間を横切って延びる伝熱性と導電性の良いストリップ
を更に有している。
ンサーは、支持部と、支持部から延びた柔軟なカンチレ
バーとからなり、カンチレバーは、その長手方向に延び
る、歪みに応じて抵抗値が変化する抵抗層と、その先端
部に設けられた、試料表面の局所領域における特定の物
理量を受けるプローブと、プローブが受けた物理量を感
知するセンサーとを有していて、抵抗層とセンサーの間
には穴が形成されている、あるいは、抵抗層とセンサー
の間を横切って延びる伝熱性と導電性の良いストリップ
を更に有している。
【００１９】
【作用】本発明の集積型ＳＰＭセンサーでは、歪みセン
サーである抵抗層とセンサーの間に熱を遮断する機構す
なわち穴またはストリップが設けられている。従って、
抵抗層で発生した熱は穴またはストリップで遮断されて
センサーには殆ど伝わらない。これにより、センサーの
温度上昇が防止され、十分な感度が維持される。
サーである抵抗層とセンサーの間に熱を遮断する機構す
なわち穴またはストリップが設けられている。従って、
抵抗層で発生した熱は穴またはストリップで遮断されて
センサーには殆ど伝わらない。これにより、センサーの
温度上昇が防止され、十分な感度が維持される。
【００２０】また、ストリップは接地されていると更に
好ましい。ストリップが接地されていると、歪みセンサ
ーと先端部の別のセンサーの間で互いに混入する電気的
なノイズ（暗電流）が除去される。これによりセンサー
の感度が高く維持される。
好ましい。ストリップが接地されていると、歪みセンサ
ーと先端部の別のセンサーの間で互いに混入する電気的
なノイズ（暗電流）が除去される。これによりセンサー
の感度が高く維持される。
【００２１】
【実施例】次に図面を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明する。 ＜第一実施例＞第一実施例の集積型ＳＰＭセンサーを図
１〜図４に示す。これらの図から分かるように、本実施
例の集積型ＳＰＭセンサーは、支持部１４から延びたカ
ンチレバー１２を有し、カンチレバー１２の中央部に長
手方向に延びるピエゾ抵抗層１６が形成されている。こ
のピエゾ抵抗層１６は歪みに応じて抵抗値が変化する性
質を有し、カンチレバー１２の歪みセンサーとなってい
る。カンチレバー１２のベース５０はｎ型シリコンであ
り、したがってピエゾ抵抗層１６はｐ型シリコンで形成
されている。カンチレバー１２のベース５０とピエゾ抵
抗層１６は表面が酸化シリコン膜４２で覆われている。
酸化シリコン膜４２の表面には、ピエゾ抵抗層１６を覆
うように、カンチレバー１２の中央部を長手方向に延び
る電極２０が形成されている。この電極２０は、自由端
側の端部がコンタクトホール１８を介してピエゾ抵抗層
１６に接続されている。また、ピエゾ抵抗層１６の支持
部側の端部には、コンタクトホール２２を介して電極２
４が接続されている。
いて説明する。 ＜第一実施例＞第一実施例の集積型ＳＰＭセンサーを図
１〜図４に示す。これらの図から分かるように、本実施
例の集積型ＳＰＭセンサーは、支持部１４から延びたカ
ンチレバー１２を有し、カンチレバー１２の中央部に長
手方向に延びるピエゾ抵抗層１６が形成されている。こ
のピエゾ抵抗層１６は歪みに応じて抵抗値が変化する性
質を有し、カンチレバー１２の歪みセンサーとなってい
る。カンチレバー１２のベース５０はｎ型シリコンであ
り、したがってピエゾ抵抗層１６はｐ型シリコンで形成
されている。カンチレバー１２のベース５０とピエゾ抵
抗層１６は表面が酸化シリコン膜４２で覆われている。
酸化シリコン膜４２の表面には、ピエゾ抵抗層１６を覆
うように、カンチレバー１２の中央部を長手方向に延び
る電極２０が形成されている。この電極２０は、自由端
側の端部がコンタクトホール１８を介してピエゾ抵抗層
１６に接続されている。また、ピエゾ抵抗層１６の支持
部側の端部には、コンタクトホール２２を介して電極２
４が接続されている。
【００２２】カンチレバー１２の自由端部には、部分的
にｐ型シリコン領域２６が形成されており、その一部は
鋭く尖った突起状に形成されていて探針１０となってい
る。ｐ型シリコン領域２６の一部にはｐ+ 型シリコン領
域２８が形成されている。このｐ+ 型シリコン領域２８
は、コンタクトホール３０を介して、酸化シリコン膜４
２上に形成されたアルミニウム等の電極３２に接続され
ている。この電極３２は、カンチレバー１２の縁部に沿
って延びていて、その先端部分はｐ型シリコン領域２６
を覆っている。電極３２の先端部分には円形の開口が形
成されていて、探針１０はこの円形の開口の内側から突
出している。
にｐ型シリコン領域２６が形成されており、その一部は
鋭く尖った突起状に形成されていて探針１０となってい
る。ｐ型シリコン領域２６の一部にはｐ+ 型シリコン領
域２８が形成されている。このｐ+ 型シリコン領域２８
は、コンタクトホール３０を介して、酸化シリコン膜４
２上に形成されたアルミニウム等の電極３２に接続され
ている。この電極３２は、カンチレバー１２の縁部に沿
って延びていて、その先端部分はｐ型シリコン領域２６
を覆っている。電極３２の先端部分には円形の開口が形
成されていて、探針１０はこの円形の開口の内側から突
出している。
【００２３】また、ｐ型シリコン領域２６から１０μｍ
以上離れた位置に、ｎ+ 型シリコン領域３４が形成され
ている。このｎ+ 型シリコン領域３４は、コンタクトホ
ール３６を介して、酸化シリコン膜４２上に形成された
アルミニウム等の電極３８に接続されている。電極３８
は、カンチレバー１２の縁部に沿って延びていて、その
先端部分はｎ+ 型シリコン領域３４を覆っている。
以上離れた位置に、ｎ+ 型シリコン領域３４が形成され
ている。このｎ+ 型シリコン領域３４は、コンタクトホ
ール３６を介して、酸化シリコン膜４２上に形成された
アルミニウム等の電極３８に接続されている。電極３８
は、カンチレバー１２の縁部に沿って延びていて、その
先端部分はｎ+ 型シリコン領域３４を覆っている。
【００２４】ｐ+ 型シリコン領域２８はｐ型シリコン領
域２６と電極３２のオーミックコンタクトをとるため
に、同様にｎ+ 型シリコン領域３４はｎ型シリコン５０
と電極３８のオーミックコンタクトをとるために設けら
れている。ｎ型シリコン５０とｐ型シリコン領域２６で
形成されたｐｎ接合は、探針１０に入射する光の強度に
応じた信号を出力する光センサーであるｐｎフォトダイ
オードを構成している。
域２６と電極３２のオーミックコンタクトをとるため
に、同様にｎ+ 型シリコン領域３４はｎ型シリコン５０
と電極３８のオーミックコンタクトをとるために設けら
れている。ｎ型シリコン５０とｐ型シリコン領域２６で
形成されたｐｎ接合は、探針１０に入射する光の強度に
応じた信号を出力する光センサーであるｐｎフォトダイ
オードを構成している。
【００２５】この光センサーであるフォトダイオードと
歪みセンサーであるピエゾ抵抗層１６の間には、カンチ
レバー１２を貫通する長方形の穴４０が設けられてい
る。この集積型ＳＰＭセンサーを用いて測定を行なう
際、電極２０と電極２４の間に所定の電位差が与えられ
る。その電位差は、ピエゾ抵抗層１６の探針１０の側の
端部の電位が０Ｖとなるように与えられることが好まし
く、たとえば、電極２０は接続され、電極２４に数ボル
トの正電圧が印加される。カンチレバー１２がｚ方向
（図１の紙面に垂直な方向）に反ると、その反り量（変
位量）に応じてピエゾ抵抗層１６の抵抗値が変化するた
め、そこを流れる電流の値が変化する。したがって、電
極２０と電極２４の間において、電流値の変化を調べる
ことにより、カンチレバー１２の変位量が求められる。
歪みセンサーであるピエゾ抵抗層１６の間には、カンチ
レバー１２を貫通する長方形の穴４０が設けられてい
る。この集積型ＳＰＭセンサーを用いて測定を行なう
際、電極２０と電極２４の間に所定の電位差が与えられ
る。その電位差は、ピエゾ抵抗層１６の探針１０の側の
端部の電位が０Ｖとなるように与えられることが好まし
く、たとえば、電極２０は接続され、電極２４に数ボル
トの正電圧が印加される。カンチレバー１２がｚ方向
（図１の紙面に垂直な方向）に反ると、その反り量（変
位量）に応じてピエゾ抵抗層１６の抵抗値が変化するた
め、そこを流れる電流の値が変化する。したがって、電
極２０と電極２４の間において、電流値の変化を調べる
ことにより、カンチレバー１２の変位量が求められる。
【００２６】また、電極３２と電極３８の間には、図５
に等価回路を示すように、３〜４ボルトの逆バイアスの
電圧が印加される。電極３２と電極３８の間のｐ型シリ
コン領域２６とｎ型シリコン領域５０はｐｎフォトダイ
オードを構成しており、探針１０のｐ型シリコン領域２
６に入射した光の強度に比例した信号が発生する。した
がって、この信号を調べることにより探針１０に入射し
た光の強度が求められる。
に等価回路を示すように、３〜４ボルトの逆バイアスの
電圧が印加される。電極３２と電極３８の間のｐ型シリ
コン領域２６とｎ型シリコン領域５０はｐｎフォトダイ
オードを構成しており、探針１０のｐ型シリコン領域２
６に入射した光の強度に比例した信号が発生する。した
がって、この信号を調べることにより探針１０に入射し
た光の強度が求められる。
【００２７】ＡＦＭ測定を行なっている間、ピエゾ抵抗
層１６には常に電流が流れているために熱が発生する。
この熱はカンチレバーの表面を伝搬して広がって行く
が、ピエゾ抵抗層１６とｐｎフォトダイオードの間には
穴４０が形成されているため、この穴４０によってカン
チレバー１２の自由端部に向かう熱の伝搬は遮断され
る。従って、ピエゾ抵抗層１６から発生する熱によるｐ
ｎフォトダイオードの温度上昇が抑制される。このた
め、探針周辺部に形成されているｐｎフォトダイオード
の暗電流の変化や熱ドリフトは測定時間に関わらず一定
に保たれもしくは低減される。
層１６には常に電流が流れているために熱が発生する。
この熱はカンチレバーの表面を伝搬して広がって行く
が、ピエゾ抵抗層１６とｐｎフォトダイオードの間には
穴４０が形成されているため、この穴４０によってカン
チレバー１２の自由端部に向かう熱の伝搬は遮断され
る。従って、ピエゾ抵抗層１６から発生する熱によるｐ
ｎフォトダイオードの温度上昇が抑制される。このた
め、探針周辺部に形成されているｐｎフォトダイオード
の暗電流の変化や熱ドリフトは測定時間に関わらず一定
に保たれもしくは低減される。
【００２８】さらに、穴４０が形成されているため、ピ
エゾ抵抗層１６に印加している電圧とｐｎフォトダイオ
ードに印加している電圧からの漏れ電流は互いに影響を
及ぼし難くなっている。
エゾ抵抗層１６に印加している電圧とｐｎフォトダイオ
ードに印加している電圧からの漏れ電流は互いに影響を
及ぼし難くなっている。
【００２９】このように、本実施例の集積型ＳＰＭセン
サーによれば、ＡＦＭ測定とＳＮＯＭ測定の同時測定に
おいて、ＡＦＭ測定における熱ドリフトの影響が少な
く、より分解能の高いＳＮＯＭ測定が行なえる。
サーによれば、ＡＦＭ測定とＳＮＯＭ測定の同時測定に
おいて、ＡＦＭ測定における熱ドリフトの影響が少な
く、より分解能の高いＳＮＯＭ測定が行なえる。
【００３０】上述の実施例では、細長い穴４０がカンチ
レバー１２の両側近くまで延びているため、カンチレバ
ー１２の強度が部分的に低下する虞がある。このような
カンチレバー１２の部分的な強度低下を防止する変形例
として、図６に示すように、カンチレバー１２の穴４０
の両側の部分を広げてもよい。また、別の変形例とし
て、図７の（Ａ）と（Ｂ）に示すように穴４０の両側部
分の探針１０の側を厚くしてもよい。あるいは、探針１
０の側を厚くする代わりに、（Ｃ）に示すように、探針
１０の反対側を厚くしてもよい。
レバー１２の両側近くまで延びているため、カンチレバ
ー１２の強度が部分的に低下する虞がある。このような
カンチレバー１２の部分的な強度低下を防止する変形例
として、図６に示すように、カンチレバー１２の穴４０
の両側の部分を広げてもよい。また、別の変形例とし
て、図７の（Ａ）と（Ｂ）に示すように穴４０の両側部
分の探針１０の側を厚くしてもよい。あるいは、探針１
０の側を厚くする代わりに、（Ｃ）に示すように、探針
１０の反対側を厚くしてもよい。
【００３１】また、本実施例では、カンチレバー１２に
形成した穴４０は長方形であったが、ピエゾ抵抗層とｐ
ｎフォトダイオード部を遮断する形状であれば、他の形
状であっても一向に構わない。たとえば、ピエゾ抵抗層
とフォトダイオードの間に小さな多数の穴を設けてメッ
シュ状にしてもよい。この場合、カンチレバーを励振し
て測定を行なうＡＦＭ測定においては、空気のダンピン
グ効果による測定感度の低下が少なくなるという二次的
な効果も得られる。
形成した穴４０は長方形であったが、ピエゾ抵抗層とｐ
ｎフォトダイオード部を遮断する形状であれば、他の形
状であっても一向に構わない。たとえば、ピエゾ抵抗層
とフォトダイオードの間に小さな多数の穴を設けてメッ
シュ状にしてもよい。この場合、カンチレバーを励振し
て測定を行なうＡＦＭ測定においては、空気のダンピン
グ効果による測定感度の低下が少なくなるという二次的
な効果も得られる。
【００３２】＜第二実施例＞第二実施例の集積型ＳＰＭ
センサーを図８と図９に示す。図中、第一実施例と同等
の部材は同じ符号で示してある。また、図８のＡ−Ａ
線、Ｂ−Ｂ線における断面構造は、第一実施例と全く同
じであり、それぞれ図３と図４に示される。
センサーを図８と図９に示す。図中、第一実施例と同等
の部材は同じ符号で示してある。また、図８のＡ−Ａ
線、Ｂ−Ｂ線における断面構造は、第一実施例と全く同
じであり、それぞれ図３と図４に示される。
【００３３】本実施例の集積型ＳＰＭセンサーは、第一
実施例のように穴４０を設ける代わりに、ピエゾ抵抗層
１６の周辺を囲むようにカンチレバー１２の支持部１４
から自由端部に向けて帯状に延びたアルミニウムの配線
（ストリップ）４４が設けられている。この配線４４
は、アルミニウムの放熱板４６に接続されており、この
放熱板４６を介して接地されている。
実施例のように穴４０を設ける代わりに、ピエゾ抵抗層
１６の周辺を囲むようにカンチレバー１２の支持部１４
から自由端部に向けて帯状に延びたアルミニウムの配線
（ストリップ）４４が設けられている。この配線４４
は、アルミニウムの放熱板４６に接続されており、この
放熱板４６を介して接地されている。
【００３４】ピエゾ抵抗層１６で発生した熱は、熱電動
率の良いアルミニウムの配線４４を通じて放熱板４６か
ら放射される。さらに、配線４４は接地されているた
め、ｐｎフォトダイオードで発生する暗電流や電極２
０、２４、３２、３８に印加される電圧によってカンチ
レバー表面に発生する漏れ電流は除去される。
率の良いアルミニウムの配線４４を通じて放熱板４６か
ら放射される。さらに、配線４４は接地されているた
め、ｐｎフォトダイオードで発生する暗電流や電極２
０、２４、３２、３８に印加される電圧によってカンチ
レバー表面に発生する漏れ電流は除去される。
【００３５】従って、本実施例の集積型ＳＰＭセンサー
によれば、ＡＦＭ測定における熱ドリフトの影響をｐｎ
フォトダイオードに与えることなくＳＮＯＭ測定が行な
える。
によれば、ＡＦＭ測定における熱ドリフトの影響をｐｎ
フォトダイオードに与えることなくＳＮＯＭ測定が行な
える。
【００３６】また、放熱板からの熱の放射効率を良くし
たり、あるいは積極的に冷却することによって、ピエゾ
抵抗層の昇温を抑え、熱ドリフトの少ない、より高感度
のＡＦＭ測定が行なえる。
たり、あるいは積極的に冷却することによって、ピエゾ
抵抗層の昇温を抑え、熱ドリフトの少ない、より高感度
のＡＦＭ測定が行なえる。
【００３７】加えて、暗電流や漏れ電流を除去できるた
め、ＳＮＯＭ信号やＡＦＭ信号のノイズが小さくなり、
ＳＮＯＭ測定やＡＦＭ測定の感度が向上する。上述のい
ずれの実施例においても、カンチレバーの形状は略Ｉ字
型であるが、カンチレバーの形状はＵ字型やＥ字型であ
っても一向に構わない。
め、ＳＮＯＭ信号やＡＦＭ信号のノイズが小さくなり、
ＳＮＯＭ測定やＡＦＭ測定の感度が向上する。上述のい
ずれの実施例においても、カンチレバーの形状は略Ｉ字
型であるが、カンチレバーの形状はＵ字型やＥ字型であ
っても一向に構わない。
【００３８】また、ｎ型シリコンをベースにしたが、ｐ
型シリコンをベースにして、ｐ型シリコンとｎ型シリコ
ン、ｐ+ 型シリコンとｎ+ 型シリコンをそれぞれ逆に形
成した構成としてもよい。
型シリコンをベースにして、ｐ型シリコンとｎ型シリコ
ン、ｐ+ 型シリコンとｎ+ 型シリコンをそれぞれ逆に形
成した構成としてもよい。
【００３９】また、上述の実施例においては、ＰＮフォ
トダイオードに逆バイアスをかけているが、入射した光
が検出できれば、特に電圧を印加しなくてもよい。さら
に、カンチレバーの自由端部に設けるセンサーとして光
センサーを示したが、他のセンサーたとえば磁気センサ
ーや温度センサー等であってもよい。シリコンプレナー
技術を用いて作製できる磁気センサーとしては、一例と
してバーチカルｎｐｎ磁気トランジスタがあげられる。
同様に、シリコンプレナー技術を用いて作製できる温度
センサーとしては、たとえば、広がり抵抗式温度センサ
ーやバイポーラトランジスタがあげられる。バイポーラ
トランジスタは、ベース・エミッタ間の接合電位が温度
に比例して変化する性質を利用することで、温度センサ
ーとして使用できる。
トダイオードに逆バイアスをかけているが、入射した光
が検出できれば、特に電圧を印加しなくてもよい。さら
に、カンチレバーの自由端部に設けるセンサーとして光
センサーを示したが、他のセンサーたとえば磁気センサ
ーや温度センサー等であってもよい。シリコンプレナー
技術を用いて作製できる磁気センサーとしては、一例と
してバーチカルｎｐｎ磁気トランジスタがあげられる。
同様に、シリコンプレナー技術を用いて作製できる温度
センサーとしては、たとえば、広がり抵抗式温度センサ
ーやバイポーラトランジスタがあげられる。バイポーラ
トランジスタは、ベース・エミッタ間の接合電位が温度
に比例して変化する性質を利用することで、温度センサ
ーとして使用できる。
【００４０】以上、実施例に沿って本発明について説明
したが、本発明は上述した実施例に限るものではなく、
発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々多くの変形
が可能である。
したが、本発明は上述した実施例に限るものではなく、
発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々多くの変形
が可能である。
【００４１】ここで、本発明の要旨をまとめると以下の
ようになる。 １．支持部と、支持部から延びた柔軟なカンチレバーと
からなり、カンチレバーは、その長手方向に延びる、歪
みに応じて抵抗値が変化する抵抗層と、その先端部に形
成された、試料表面の局所領域における特定の物理量を
受けるプローブと、プローブが受けた物理量を感知する
センサーとを有している、集積型ＳＰＭセンサー。
ようになる。 １．支持部と、支持部から延びた柔軟なカンチレバーと
からなり、カンチレバーは、その長手方向に延びる、歪
みに応じて抵抗値が変化する抵抗層と、その先端部に形
成された、試料表面の局所領域における特定の物理量を
受けるプローブと、プローブが受けた物理量を感知する
センサーとを有している、集積型ＳＰＭセンサー。
【００４２】２．前項１において、抵抗層とセンサーの
間に穴が形成されている集積型ＳＰＭセンサー。 ３．前項２において、穴がカンチレバーの幅方向に細長
い形状をしている集積型ＳＰＭセンサー。
間に穴が形成されている集積型ＳＰＭセンサー。 ３．前項２において、穴がカンチレバーの幅方向に細長
い形状をしている集積型ＳＰＭセンサー。
【００４３】４．前項３において、カンチレバーの穴の
両側の部分が幅広になっている集積型ＳＰＭセンサー。 ５．前項３において、カンチレバーの穴の両側の部分が
厚くなっている集積型ＳＰＭセンサー。
両側の部分が幅広になっている集積型ＳＰＭセンサー。 ５．前項３において、カンチレバーの穴の両側の部分が
厚くなっている集積型ＳＰＭセンサー。
【００４４】６．前項２において、穴は多数形成されて
いて、抵抗層とセンサーの間にメッシュ状の領域が形成
されている集積型ＳＰＭセンサー。 ７．前項１において、抵抗層とセンサーの間を横切って
延びる伝熱性と導電性の良いストリップを更に有してい
る集積型ＳＰＭセンサー。
いて、抵抗層とセンサーの間にメッシュ状の領域が形成
されている集積型ＳＰＭセンサー。 ７．前項１において、抵抗層とセンサーの間を横切って
延びる伝熱性と導電性の良いストリップを更に有してい
る集積型ＳＰＭセンサー。
【００４５】８．前項７において、ストリップは抵抗層
の両側にほぼ平行に延びる部分を有している集積型ＳＰ
Ｍセンサー。 ９．前項７または前項８において、ストリップに熱的に
接続された放熱板を更に備えている集積型ＳＰＭセンサ
ー。 １０．前項７ないし前項９において、ストリップが接地
されている集積型ＳＰＭセンサー。
の両側にほぼ平行に延びる部分を有している集積型ＳＰ
Ｍセンサー。 ９．前項７または前項８において、ストリップに熱的に
接続された放熱板を更に備えている集積型ＳＰＭセンサ
ー。 １０．前項７ないし前項９において、ストリップが接地
されている集積型ＳＰＭセンサー。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、カンチレバーの先端部
に設けられたセンサーが、歪みセンサーである抵抗層の
発熱による影響を受け難いため、先端部のセンサーの感
度が向上する。さらに、暗電流や漏れ電流が少なくなる
ので、二つのセンサーの感度が共に向上する。したがっ
て、各センサーに基づく測定を共に高分解能で行なうこ
とができる。
に設けられたセンサーが、歪みセンサーである抵抗層の
発熱による影響を受け難いため、先端部のセンサーの感
度が向上する。さらに、暗電流や漏れ電流が少なくなる
ので、二つのセンサーの感度が共に向上する。したがっ
て、各センサーに基づく測定を共に高分解能で行なうこ
とができる。
【図１】第一実施例の集積型ＳＰＭセンサーを探針の側
から見た平面図である。
から見た平面図である。
【図２】図１の集積型ＳＰＭセンサーのＩＩ−ＩＩ線に
おける断面図である。
おける断面図である。
【図３】図１の集積型ＳＰＭセンサーのＩＩＩ−ＩＩＩ
線における断面図である。
線における断面図である。
【図４】図１の集積型ＳＰＭセンサーのＩＶ−ＩＶ線に
おける断面図である。
おける断面図である。
【図５】第一実施例の探針周辺の等価回路を示す図であ
る。
る。
【図６】第一実施例のカンチレバー形状の変形例を示す
図である。
図である。
【図７】第一実施例のカンチレバー形状の別の変形例を
示す図である。
示す図である。
【図８】第二実施例の集積型ＳＰＭセンサーを探針の側
から見た平面図である。
から見た平面図である。
【図９】図８の集積型ＳＰＭセンサーのＩＸ−ＩＸ線に
おける断面図である。
おける断面図である。
【図１０】従来の集積型ＳＰＭセンサーの製造工程を説
明する図である。
明する図である。
【図１１】従来の集積型ＳＰＭセンサーにおいて変位を
測定する回路の構成を示す図である。
測定する回路の構成を示す図である。
１０…探針、１２…カンチレバー、１４…支持部、１６
…抵抗層、２６…ｐ型シリコン領域、４０…穴、５０…
ｎ型シリコン。
…抵抗層、２６…ｐ型シリコン領域、４０…穴、５０…
ｎ型シリコン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｚ
Claims (3)
- 【請求項１】 支持部と、支持部から延びた柔軟なカン
チレバーとからなり、カンチレバーは、その長手方向に
延びる、歪みに応じて抵抗値が変化する抵抗層と、その
先端部に形成された、試料表面の局所領域における特定
の物理量を受けるプローブと、プローブが受けた物理量
を感知するセンサーとを有している、集積型ＳＰＭセン
サー。 - 【請求項２】 請求項１において、抵抗層とセンサーの
間に穴が形成されている集積型ＳＰＭセンサー。 - 【請求項３】 請求項１において、抵抗層とセンサーの
間を横切って延びる伝熱性と導電性の良いストリップを
更に有している集積型ＳＰＭセンサー。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6199336A JPH0862230A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 集積型ｓｐｍセンサー |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6199336A JPH0862230A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 集積型ｓｐｍセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862230A true JPH0862230A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16406102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6199336A Withdrawn JPH0862230A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 集積型ｓｐｍセンサー |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| US (1) | US5583286A (ja) |
| JP (1) | JPH0862230A (ja) |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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