JP2000022277A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents

発光素子及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光ディスク等に使用できる良好なビーム特性
を備えた発光素子及びその製造方法を提供することを目
的とする。 【解決手段】 窒化物半導体からなる発光部と、前記発
光部から放出される光の波長よりも小さい開口径を有す
るピンホールを有する波面変換部とを備えることによ
り、ピンホールを介してエバネッセント波を取り出すこ
とができる。このようなピンホールは、レーザ光を放出
させて開口することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物半導体を用
いた発光素子及びその製造方法に係わり、特に、極めて
微小なスポット・サイズの光を取り出すことができる発
光素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、青色から紫外域の波長帯の発光ダ
イオードや半導体レーザ用の材料としてＧａＮなどの窒
化物半導体を用いたものが知られている。この材料系
は、直接遷移型のバンド構造を有し、高い発光効率が得
られる点で注目されている。特に窒化物半導体を用いた
半導体レーザは、発振波長が４００ｎｍ程度と非常に短
いため、片面で１５ＧＢ（ギガバイト）以上の容量を有
する高密度光ディスクのための書き込みあるいは読み出
し用の光源として期待され、研究・開発が進められてい
る。
【０００３】なお、本明細書において「窒化物半導体」
とは、ＩｎxＡｌyＧａzＮ（ｘ≦１，ｙ≦１，ｚ≦１，
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）なる化学式において組成比ｘ，ｙ及び
ｚをそれぞれの範囲内で変化させたすべての組成の半導
体を含むものとする。例えば、ＩｎＧａＮ（ｘ＝０．
４、ｙ＝０、ｚ＝０．６）も「窒化物半導体」に含まれ
るものとする。さらに、３族元素であるＩｎ，Ａｌ，Ｇ
ａの一部をＢ（ボロン）に置き換えたものや、５族元素
であるＮの一部をＡｓ（砒素）やＰ（リン）に置き換え
たものも含まれるものとする。この際、３族元素として
は上記の３つの元素（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）のいずれか１
つが含まれ、また、５族元素としては必ずＮ（窒素）が
含まれるものとする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような半導体レー
ザにおいては、発振領域すなわち発光部から放出された
光は、取り出される距離とともに急激に広がる。このた
め、光ディスク・システムの光源として用いる場合に
は、レンズによって光を絞らなければならなかった。
【０００５】しかしながら、半導体レーザは一般的に発
振スポットが小さく、また発振波長が４００ｎｍ程度と
短いためにレンズの径や曲率などの設計が非常に難し
く、またレーザとレンズとの間の光軸合わせも非常に難
しいという問題があった。
【０００６】また、レンズで絞られる回折限界スポット
径は波長に比例するため、光源の短波長化は高密度化の
ための重要な要素技術である。しかしながら、単に波長
が短いだけでは、出射光を極小スポットに絞ることはで
きない。すなわち、良好なビーム特性を得るための横モ
ード制御構造等の開発が必要である。しかし、窒化物半
導体は、一般にその結晶成長技術や加工技術が十分に開
発されておらず、複雑な横モード制御構造を実現するこ
とは困難であるという問題もあった。すなわち、ＩｎＧ
ａＡｌＮ系レーザでは室温連続発振は達成されているも
のの、光ディスクに使用できるビーム特性の実現にはま
だ多くの課題が残されている。
【０００７】さらに、光の波長が短くなると、使用する
光学系の精度や調整に関しても、精密な制御が要求され
る。これは波長およびスポット径が小さくなるため、レ
ンズの収差等もそれに比例して、小さい値に抑えなけれ
ばならないからである。したがって短波長になる程、こ
のような高精度光学系の実現およびその調整が困難とな
るという問題もあった。
【０００８】以上説明したように、窒化物半導体系レー
ザでは横モード制御構造の作製が困難であり、光ディス
クに使用できるビーム特性の実現は困難であった。ま
た、このような短波長発光素子を光ディスク等の光源に
用いる場合、波長に見合った高精度光学系の実現および
光学系の高精度な調整も困難であった。
【０００９】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、光ディスク等に使用で
きる良好なビーム特性を備えた発光素子を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、短波長
発光素子に波面変換部を集積させて設けることにより、
光ディスク・システム等に使用できる良好なビーム特性
の実現を可能とすることにある。すなわち、本発明の発
光素子は、窒化物半導体からなる発光部と、前記発光部
から放出される光の放射形状を、その波長よりも小さい
放射形状に変換し出力光として放出する第１の波面変換
部と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】ここで、前記第１の波面変換部は、前記発
光部から放出される光の波長よりも小さい開口径のピン
ホールを有し、前記出力光は、前記ピンホールを介して
放出されるエバネッセント波を含むことを特徴とし、極
めて微小なスポット・サイズの光を得ることができる。
【００１２】また、前記発光部から放出される光を集束
して前記第１の波面変換部に供給する第２の波面変換部
をさらに備えたことを特徴とし、高い強度のエバネッセ
ント波を得ることができる。
【００１３】または、本発明の発光素子は、基板と、前
記基板上に設けられた発光層と、前記基板上に設けられ
た光出射面と、を備え、前記発光層から放出された光を
前記光出射面を介して前記基板に対して略垂直な方向に
取り出すようにした発光素子であって、前記光出射面
と、電極が形成された面との間に段差が設けられている
ことを特徴とし、エバネッセント波の出力面を光ディス
クなどの対象物に十分に接近して配置することが可能と
なる。
【００１４】または、本発明の発光素子は、光出射面
と、前記光出射面に対して略平行な面上に設けられたｐ
側電極と、前記光出射面に対して略平行な面上に設けら
れたｎ側電極と、を備えた発光素子であって、前記光出
射面と前記ｐ側電極とは、互いに異なる平面内に設けら
れ、前記光出射面と前記ｎ側電極とは、互いに異なる平
面内に設けられていることを特徴とし、エバネッセント
波の出力面を光ディスクなどの対象物に十分に接近して
配置することが可能となる。
【００１５】また、前記第２の波面変換部は、前記発光
部の基板に接して形成されたレンズからなることを特徴
とする。
【００１６】また、前記発光部は、面発光型の構造とな
っていることを特徴とする。
【００１７】また、前記ピンホールが形成された第１の
波面変換部は、前記発光部から放出される光に対する吸
収係数が高い材料からなることを特徴とする。
【００１８】また、前記第１の波面変換部は、窒化物半
導体層の端面上に形成された誘電体膜を介して設けられ
ていることを特徴とする。
【００１９】一方、本発明の発光素子の製造方法は、窒
化物半導体からなる発光部と、前記発光部から放出され
る光の波長よりも小さい開口径を有するピンホールとを
有し、前記発光部から放出される光を前記ピンホールを
介してエバネッセント波として取り出す発光素子の製造
方法であって、窒化物半導体からなる発光部を形成する
工程と、ピンホールが開口されるべき薄膜を形成する工
程と、前記発光部から放出された光を前記薄膜に照射す
ることにより前記ピンホールを開口する工程と、を備え
たことを特徴とし、エバネッセント波を取り出すための
ピンホールを確実且つ的確に形成することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明によれば、簡略な構成の波
面変換部を利用することによりエバネッセント波を取り
出すことが可能となり、従来よりも極めて微小なスポッ
ト・サイズの光を利用することができる。その結果とし
て、従来のＤＶＤシステムの１００倍以上という超高密
度の光ディスク・システムを実現することが可能とな
る。
【００２１】以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形
態を説明する。図１は、本発明の実施の形態に関わる発
光素子を表す概略図である。同図（ａ）は発光素子の平
面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図である。同図
の発光素子１００は、窒化物半導体により構成された、
いわゆる端面放射型の半導体レーザであり、その一方の
端面に波面変換部１５０が設けられ、そのピンホールｈ
からエバネッセント（evanescent）波を取り出すことが
できる。
【００２２】すなわち、同図（ａ）において、矢印で示
した長手方向がレーザの共振器の方向である。そして、
図中の１５０が本発明の主眼である波面変換部である。
本具体例においては、この波面変換部１５０はシリコン
（Ｓｉ）により構成され、レーザ光が出射する部分に、
その波長と同程度以下のピンホールｈがあけられてい
る。また、図中の１５１は、波面変換部とレーザ端面と
の間に介在するスペーサとなる誘電体膜である。本具体
例では、厚さがレーザ波長と同程度以下の酸化シリコン
（ＳｉＯ2）膜を用いる。また、他方の端面には、光反
射率が高い高反射膜１６０が設けられている。
【００２３】このような構成の素子により、エバネッセ
ント波を利用することが可能となる。すなわち、波面変
換部１５０に設けられているピンホールｈの直径が、レ
ーザから放出される光の波長と同程度以下であると、ピ
ンホールｈを介して外側には伝搬光としてのレーザ光は
出射されず、波面変化部１５０から離れるに従って急激
に減衰するエバネッセント波となる。このようなエバネ
ッセント波の場の大きさはピンホールｈの直径と同程度
である。つまり、ピンホールｈの直径と同程度の極めて
微小なスポットサイズの光を得ることができる。
【００２４】このようなエバネッセント波を用いること
により、レンズを必要とせず、ピンホールｈの直径と同
程度のサイズにまで光を絞り込むことができる。従っ
て、ピンホールｈを図示しない光ディスクに近接して配
置すれば、レーザ光の波長よりも小さい微小なピット
（ディスク上に形成される凹凸）を検出しまたは形成で
き、超高密度の光ディスク・システムを実現できる。
【００２５】さらに詳細に説明すると、従来のレンズに
よる光学系を用いた方法においては、集束光のビーム・
スポット径Ｄは、Ｄ＝λ／ＮＡ と表される。ここで、
λは光の波長であり、ＮＡはレンズの開口数（numerica
l aperture）である。ここで、従来のＤＶＤ（digital
versatile disc）システムの規格を例に挙げると、光の
波長は、６５０ｎｍであり、レンズの標準的な開口数
は、約０．６である。従って、集束光のビーム・スポッ
ト径Ｄは、約１μｍであることがわかる。
【００２６】これに対して、本発明によれば、ピンホー
ルｈの直径と同程度のサイズのエバネッセント波を得る
ことができる。例えば、ピンホールｈの直径を１００ｎ
ｍとすれば、エバネッセント波のビーム・スポットは、
概ね１００ｎｍ以下である。光ディスク上に形成される
ピットの最小サイズは、光のビーム・スポット径に比例
する。つまり、光ディスクの記録容量は、光のビーム・
スポット径の２乗に反比例する。従って、本発明によれ
ば、ピンホールｈの開口径を１００ｎｍとした場合で
も、光ディスクの記録容量を従来のＤＶＤシステムの１
００倍以上に高めることができる。しかも、レンズなど
の外部の光学系が必要とされないので、微妙な光軸合わ
せが不要となり、製造コストも低く、信頼性も極めて高
い光ピックアップを実現することができる。ここで、本
発明による発光素子を光ディスクに接近して配置し、エ
バネッセント波でデータの読み出しや書き込みを実現す
るためには、例えば、アクチュエータとして圧電素子を
利用しても良い。
【００２７】次に、同図（ｂ）を参照しつつ、本実施形
態の半導体レーザの構成の具体例について説明する。半
導体レーザは、ｃ面を主面とするサファイア基板１０１
と、その上に形成された窒化物半導体による積層構造と
を備える。その積層構造の一例を示すと、基板側から順
に、５０ｎｍのＧａＮバッファ層１０２、ＧａＮ高温バ
ッファ層１０３（アンドープ、厚さＯ．５μｍ、キャリ
ア濃度１×１０17ｃｍ-3）、ｎ型ＧａＮコンタクト層１
０４（Ｓｉドープ、厚さ４μｍ、キャリア濃度２×１０
18ｃｍ-3）、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５（Ａｌ組
成比８％、Ｓｉドープ、厚さ０．５μｍ、キャリア濃度
１×１０18ｃｍ-3）、ｎ型ＧａＮガイド層１０６（Ｓｉ
ドープ、厚さ０．３μｍ、キャリア濃度１×１０17ｃｍ
-3）、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）
構造の活性層１０７（５ペア、井戸層：Ｉｎ組成比１８
％、厚さ４ｎｍ、障壁層：Ｉｎ組成比４％、厚さ２ｎ
ｍ）、ｐ型ＧａＮガイド層１０８（Ｍｇドープ、厚さ
０．３μｍ、キャリア濃度１×１０17ｃｍ-3）、ｐ型Ａ
ｌＧａＮクラッド層１０９（Ａｌ組成比８％、Ｍｇドー
プ、厚さ０．５μｍ、キャリア濃度２×１０17ｃｍ-3）
が積層されている。
【００２８】さらに、このｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１
０９の上に、幅５μｍのストライプ状の孔を有するｎ型
ＩｎＧａＮ電流阻止層１１０（Ｓｉドープ、Ｉｎ組成比
１５％、厚さ０．２μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ
-3）が形成され、この上にＩｎＧａＮ層の孔も埋めるよ
うに全面にｐ型ＧａＮコンタクト層１１１（Ｍｇドー
プ、厚さ０．３μｍ、キャリア濃度３×１０17ｃ
ｍ-3）、高濃度ｐ型ＧａＮコンタクト層１１２（Ｍｇド
ープ、厚さ０．１μｍ、キャリア濃度５×１０17ｃ
ｍ-3）が形成されている。
【００２９】このようなレーザ構造に電流を供給するた
めの電極としては、ｎ型コンタクト層１０４に対しては
チタン（Ｔｉ）と金（Ａｕ）とを積層した電極１４０、
ｐ型コンタクト層１１２に対しては半導体層側から白金
（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）
を順に積層した電極１３０を用いることができる。
【００３０】次に、このようなレーザ素子の製造方法を
簡単に説明する。窒化物半導体の積層構造は、例えば、
ＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Depositio
n：有機金属化学気相成長）法あるいはＭＢＥ（Molecul
ar Beam Epitaxy：分子線エピタキシー）法などにより
成長することができる。ＭＯＣＶＤ法による場合の原料
としては、トリメチル・ガリウムやトリメチル・アルミ
ニウム、トリメチル・インジウム、アンモニアなどを用
いることができる。
【００３１】ｎ側電極１４０を形成するためにｎ型コン
タクト層１０４の一部を露出させる方法としては、積層
構造をすべて成長した後に部分エッチングによって形成
することも可能であるし、ｎ型コンタクト層１０４の成
長後に選択成長を行なうことも可能である。
【００３２】このようにして形成したレーザ素子は、劈
開などにより端面を形成した後に、後方の端面に高反射
膜１６０を形成し、前方の端面には、スペーサ１５１と
波面変化部１５０とをそれぞれ形成する。高反射膜１６
０としては、例えば、複数の誘電体薄膜を積層させたい
わゆるブラッグ反射鏡を用いることができる。また、ス
ペーサ１５１としては、例えば、酸化シリコンや窒化シ
リコンなどの誘電体膜を用いることができる。スペーサ
１５１の役割は、第１に、レーザ端面において必要とさ
れる光反射率を確保する点にある。従って、スペーサ１
５１は、誘電体膜を積層させたブラッグ反射鏡としても
良い。また、スペーサ１５１は、波面変換部１５０の付
着強度を改善する役割も有する。従って、レーザ素子の
端面と波面変換部１５０との付着強度が高い材料を用い
ることが望ましい。さらに、スペーサ１５１は、波面変
換部１５０とレーザ端面とを電気的に絶縁する役割も有
する。すなわち、図１（ｂ）からも分かるように、レー
ザ端面にはｎ型の半導体層とｐ型の半導体層の側面が露
出しており、波面変換部１５０の材料として導電性のも
のを用いる場合には、ｐｎ接合が短絡しないように、端
面を絶縁被覆する必要がある。この観点からは、スペー
サ１５１は、絶縁性の材料により構成することが望まし
い。スペーサ１５１の材料としては、酸化シリコンや窒
化シリコンの他に、酸化チタン（ＴｉＯ2）や酸化アル
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などの誘電体膜を用いることが望
ましい。
【００３３】一方、本実施形態の特徴は、波面変換部１
５０の材料としてシリコンを用いる点にもある。図２
は、シリコンの光吸収係数の波長依存性を表すグラフ図
である。同図に示したように、シリコンは長波長におい
ては透明であるが、青色あるいはそれより短い波長域に
おいては光の吸収係数が極めて大きい。例えば、波長４
００ｎｍにおいては、吸収係数は２×１０5ｃｍ-1とい
う大きな値を持つ。つまり、窒化物半導体のレーザ素子
の波長帯においては、極めて高い吸収係数を有する。し
たがって、膜厚が２００ｎｍ程度もあれば、レーザ光を
ほとんど透過せずピンホール部のみにエバネッセント波
を発生させることが可能となる。
【００３４】ここで、エバネッセント波の強度は、ピン
ホール開口部において入口側の端部から指数関数的に減
衰し、ピンホールの直径程度の範囲のみにおいて存在す
る。例えば、ピンホールｈの直径が０．１μｍ程度の場
合には、エバネッセント波の存在範囲は、概ね０．１μ
ｍ程度に過ぎない。従って、エバネッセント光を高い強
度で外部に取り出すためには、波面変換部１５０の膜厚
を十分に薄くすることが重要である。本実施形態のよう
にシリコンを用いた場合には、波面変換部１５０の膜厚
を２００ｎｍ程度まで十分に薄くすることができ、外部
に取り出すエバネッセント波の強度を大きくできる。波
面変換部１５０を構成する膜の材料としては、シリコン
の他に、例えば、ゲルマニウム（Ｇｅ）や窒化インジウ
ム（ＩｎＮ）などの挟エネルギーギャップの半導体や、
炭素（Ｃ）などの導電体、あるいはインジウム（Ｉ
ｎ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐ
ｔ）、銀（Ａｇ）等の金属などを挙げることができる。
これらの金属材料を用いれば、さらに膜厚を薄くするこ
とも可能である。
【００３５】これらの材料は、蒸着法やスパッタリング
法あるいはＣＶＤ法などの種々の方法により、レーザ素
子の端面に所定の膜厚で堆積することができる。
【００３６】また、波面変換部１５０にピンホールｈを
形成する方法としては、レーザ素子において通常用いる
よりも高い出力のレーザ光を瞬間的に出射させて微小な
開口を設ける方法がある。通常、レーザ端面から出射さ
れるレーザ光は、ガウス分布に近似した空間的強度分布
を有する。従って、レーザ光の出力レベルや出射時間を
適宜制御することにより、波面変換部１５０に開口する
ピンホールのサイズを調節することができる。
【００３７】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。
【００３８】図３は、本発明の第２の実施形態に関わる
発光素子の要部構成を表す概略図である。同図は要部断
面図であり、同図手前側の面は断面構造を表す。図示し
た発光素子２００は、いわゆる垂直共振器型面発光レー
ザを基本とし、その光出射面に波面変換部２２５が設け
られている。その素子構造を説明すると、サファイア基
板２１０の上に、ＧａＮバッファ層２１１、ＧａＮ／Ｇ
ａＡｌＮ多層膜２１２、ｎ型ＧａＮコンタクト層２１
３、ｎ型ＧａＡｌＮクラッド層２１４、ｎ型ＧａＮ導波
層２１５、ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple
Quantum Well）活性層２１６、ｐ型ＧａＮ導波層２１
７、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層２１８、ｎ型ＧａＡｌＮ
電流狭窄層２１９が順次、成長形成されている。活性層
２１６は、例えば、ＩｎxＧａ1-xＮ井戸層とＩｎyＧａ
1-yＮ障壁層（ｘ≧ｙ）とを交互に積層した多重量子井
戸（ＭＱＷ）構造とすることができる。これらの結晶成
長は、ＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法などにより行うこ
とができる。
【００３９】ｎ型ＧａＡｌＮ電流狭窄層２１９は、円形
の開口部を有するように一部がエッチング除去され、そ
の上にｐ型ＧａＮコンタクト層２２０、ＧａＮ／ＧａＡ
ｌＮ多層膜２２１が形成される。これらの結晶成長もＭ
ＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法によって行われる。
【００４０】この層構造は図に示されたように両側が部
分的に除去されてメサ状に加工されている。そして、メ
サの両側において、基板２１０とｎ型ＧａＮコンタクト
層２１３の一部がそれぞれ露出される。そして、メサ部
の側面にＳｉＯ2膜２２２が形成されている。さらに、
基板２１０の露出部上およびＳｉＯ2膜２２２の上には
ｐ側電極２２３が形成され、ｎ型ＧａＮコンタクト層２
１３の露出部上にはｎ側電極２２４が形成されている。
また、ＧａＮ／ＧａＡｌＮ多層膜２２１の上にはシリコ
ン（Ｓｉ）などからなる波面変換部２２５が形成されて
いる。この波面変換部２２５の中央には直径約１００ｎ
ｍのピンホールｈが設けられている。
【００４１】図示した発光素子２００においては、Ｇａ
Ｎ／ＧａＡｌＮ多層膜２１２とＧａＮ／ＧａＡｌＮ多層
膜２２１とがそれぞれ共振器鏡の働きをしており、垂直
方向に共振器が形成される、いわゆる垂直共振器型面発
光レーザの構造を有する。
【００４２】共振器端面に設けられた波面変換部２２５
は、共振器内の光をエバネッセント（evanescent）波に
変換する機能を持っている。すなわち、活性層２１６か
ら放出される光の波長は、約４００〜５００ｎｍ程度で
あるのに対して、ピンホールｈの直径は約１００ｎｍで
あり、レーザ素子の発光波長より小さい。このために、
ピンホールｈの外側には伝搬光としてのレーザ光は出射
されず、ピンホールｈから離れると急激に減衰するエバ
ネッセント波となる。従って、第１実施形態に関して前
述したように、ピンホールｈの直径と同程度のスポット
サイズの光を得ることができる。
【００４３】また、本実施形態においても、図２に関し
て前述したように、シリコンを用いて波面変換部２２５
を形成することにより膜厚を十分に薄くすることが可能
で、エバネッセント波を高い強度でピンホールｈの外側
に取り出すことができる。
【００４４】さらに、本実施形態においては、面発光型
のレーザの発光面においてメサ状に段差を設け、ｐ側電
極２２３をその段差の底面Ｂまで延在して形成してい
る。そして、ｐ側電極２２３とｎ側電極２２４とは、そ
れぞれメサの底面においてワイアＷにより配線される。
このように、ワイアボンディングの位置を素子の発光面
よりも後退させることにより、図示しない光ディスクな
どの対象物に対してワイアＷが干渉することなく、波面
変換部２２５を十分に接近して配置することができるよ
うになる。特に、本発明においては、極めて限られた場
にのみ存在するエバネッセント波を利用するので、この
ように波面変換部２２５を対象物に十分に接近させるこ
とができる構成は、極めて重要である。
【００４５】図４は、本実施形態にかかる発光素子の変
形例を表す要部断面斜視図である。同図の発光素子２０
０’も垂直共振器型面発光レーザを基本とする。その基
本部分は、図３に示したものと同一とすることができる
ので、同一の部分には同一の符号を付して詳細な説明は
省略する。本変形例においては、結晶成長後にサファイ
ア基板２１０を除去することにより電極を発光素子の上
下の面に設けた点で、図３の発光素子２００とは異な
る。
【００４６】このような構成を実現するためには、多層
反射膜２１２とバッファ層２１１との間などに厚さ８０
μｍ程度のＧａＮ層２５０などを設ける必要がある。そ
して、バッファ層２１１をエッチングして基板２１０と
ともに除去する。層２５０は裏面からのコンタクト層と
して作用するので、キャリア濃度が１０18／ｃｍ3以上
のｎ型であることが望ましい。また、基板２１０を除去
するためには、バッファ層２１１の材料としてＩｎＮな
どの選択エッチングしやすい材料を用いたり、部分的に
形成したＳｉＯ2膜を利用するなどの工夫が必要であ
る。また、多層反射膜２１２を結晶成長時に形成せず、
その代わりに、ｎ側電極２２４を透明電極とし、その電
極２２４の外側に反射膜を形成しても良い。
【００４７】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。図５は、本発明の第３の実施の形態に関わる
発光素子の概略構成を示す要部断面斜視図である。同図
の発光素子３００も垂直共振器型面発光レーザを基本と
する。その基本部分は、第２実施形態に関して前述した
発光素子２００と概略同様とすることができるので、同
一の部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略す
る。本実施形態の特徴は、共振器およびピンホールを複
数形成して、いわゆるアレイ（array）構造とした点に
ある。このような発光素子３００をピックアップヘッド
として用いれば、図示しない光ディスクの複数のトラッ
クを同時に記録再生することができる。
【００４８】なお、本実施形態では、共振器とピンホー
ルｈとが１次元状に配列したアレイを例示したが、本発
明は、もちろんこれに限定されるものではなく、２次元
状にのアレイとすることも可能である。特に、図示した
ような面発光型の構造においては、２次元アレイを容易
に実現できるという利点がある。
【００４９】次に、本発明の第４の実施の形態について
説明する。図６は、本発明の第４の実施形態に関わる発
光素子４００の概略構成を示す断面図である。同図の発
光素子４００も垂直共振器型面発光レーザを基本とす
る。図中４５０はサファイア基板であり、この基板４５
０の上にＧａＮバッファ層４５１、ｎ型ＧａＮコンタク
ト層４５３、ｎ型ＧａＡｌＮクラッド層４５４、ｎ型Ｇ
ａＮ導波層４５５、ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）
活性層４５６、ｐ型ＧａＮ導波層４５７、ｐ型ＧａＡｌ
Ｎクラッド層４５８、ｎ型ＧａＡｌＮ電流狭窄層４５
９、ｐ型ＧａＮコンタクト層４６０が成長形成されてい
る。また、４６１はＳｉＯ2／ＴｉＯ2多層膜、４６２は
ＳｉＯ2膜、４６３はＳｉＯ2／ＴｉＯ2多層膜、４６４
はｐ側電極、４６５はｎ側電極、４６６はピンホールｈ
を設けたシリコン膜である。
【００５０】本実施形態の特徴は、第１の波面変換部と
して作用するシリコン膜４６６の他に、第２の波面変換
部として作用するＳｉＯ2／ＴｉＯ2多層膜４６３を有す
る点である。この第２の波面変換部はサファイア基板の
裏面側を球面加工してその表面に多層膜４６３を形成す
ることによって得られる。この球面反射鏡により光はピ
ンホール部の多層膜鏡に戻されるため、安定で高効率の
共振器が形成される。次に、本発明の第５の実施の形態
について説明する。図７は、本発明の第５の実施形態に
関わる発光素子の概略構成を示す図であり、同図（ａ）
はその断面図、同図（ｂ）はその要部底面図である。同
図の発光素子５００も垂直共振器型面発光レーザを基本
とする。図中５７０はサファイア基板であり、この基板
５７０の上にＧａＮバッファ層５７１、ｎ型ＧａＮコン
タクト層５７３、ｎ型ＧａＡｌＮクラッド層５７４、ｎ
型ＧａＮ導波層５７５、Ｉｎ型ＧａＮ多重量子井戸（Ｍ
ＱＷ）活性層５７６、ｐ型ＧａＮ導波層５７７、ｐ型Ｇ
ａＡｌＮクラッド層５７８、ｎ型ＧａＡｌＮ電流狭窄層
５７９、ｐ型ＧａＮコンタクト層５８０が成長形成され
ている。また、５８１はＳｉＯ2／ＴｉＯ2多層膜、５８
２はＳｉＯ2膜、５８４はｐ側電極、５８５はｎ側電
極、５８６はピンホールｈを設けたシリコン膜であり、
第１の波面変換部として作用する。また、５８７は回折
格子レンズであり、第２の波面変換部として作用する。
回折格子レンズ５８７は、例えばＳｉＯ2膜などを用い
たフレネル・レンズであり、同図（ｂ）に示したような
平面パターンを有する。
【００５１】本実施形態では、ＳｉＯ2／ＴｉＯ2多層膜
５８１と回折格子レンズ５８７とが共振器鏡を構成して
いる。回折格子レンズ５８７により反射された光はピン
ホール部の多層膜鏡５８１に戻されるため、安定で高効
率の共振器が形成される。さらに、回折格子レンズ５８
７を透過した出射光を基板５７０の下側において収束さ
せることが可能となる。つまり、シリコン膜５８６のピ
ンホールｈを介してエバネッセント波を取り出すことが
でき、同時に、基板の裏面側においては、回折格子レン
ズにより収束された光を取り出すことができる。この裏
面側の光は、例えば、光ディスク・システムのピックア
ップの位置を検出するためのプローブとして用いたり、
レーザ出力を制御するためのモニタ光などとして利用す
ることもできる。
【００５２】もし、裏面側の光のみを利用する場合に
は、表面側のピンホールｈは不要であり、したがって、
シリコン膜５８１を形成する必要は必ずしもない。一
方、裏面側の収束光を利用しない場合には、回折格子レ
ンズ５８７の反射率を高くして高反射型の回折格子レン
ズとすれば良い。
【００５３】次に、本発明の第６の実施の形態について
説明する。図８は、本発明の第６の実施形態に関わる発
光素子の概略構成を示す図であり、同図（ａ）はその断
面図、同図（ｂ）はその要部平面パターン図である。同
図の発光素子６００も垂直共振器型面発光レーザを基本
とする。図中６１０はサファイア基板であり、この基板
６１０の上に第１のＧａＮバッファ層６１１が堆積さ
れ、さらに、ＳｉＯ2層６１２、金属膜６１３、ＳｉＯ2
層６１４が積層される。これらのＳｉＯ2層と金属膜６
１２〜６１４は、エッチングにより一部除去され、同図
（ｂ）に示したようなパターンの回折格子レンズ６３０
を構成する。この上に第２のＧａＮバッファ層６１５が
成長形成される。この第２のバッファ層６１５の成長に
際しては、回折格子レンズ６３０の開口を介して下層の
第１のバッファ層６１１からエピタキシャル成長が生
じ、さらに面内方向にラテラル成長が進行することによ
って、単結晶状の第２のバッファ層６１５が得られる。
【００５４】その上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層６１
６、ｎ型ＧａＡｌＮクラッド層６１７、ｎ型ＧａＮ導波
層６１８、ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層６
１９、ｐ型ＧａＮ導波層６２０、ｐ型ＧａＡｌＮクラッ
ド層６２１、ｎ型ＧａＡｌＮ電流狭窄層６２２、ｐ型Ｇ
ａＮ層６２３、ｐ型ＧａＮ／ｐ型ＧａＡｌＮ多層膜６２
４が順次エピタキシャル成長される。また、６２５はｐ
側電極、６２６はｎ側電極、６２７はＳｉＯ2／ＴｉＯ2
多層膜、６２８はピンホールｈを設けたシリコン膜であ
る。
【００５５】本実施形態では、シリコン膜６２８が第１
の波面変換部として作用し、サファイア基板上の回折格
子レンズ６３０が第２の波面変換部として作用する。回
折格子レンズ６３０により、レーザ光をサファイア基板
裏面に収束させることが可能となる。そして、第１の波
面変換部であるシリコン膜６２８のピンホールｈを介し
て、強度の高いエバネッセント波を取り出すことができ
る。
【００５６】ここで、サファイア基板６１０の屈折率は
１より大きいので、回折格子レンズ６３０の開口数（Ｎ
Ａ）を１より大きくすることが可能となる。この場合に
は、第１の波面変換部すなわちピンホールを設けたシリ
コン膜６２８がなくても、基板６１０より下側の光の場
はエバネッセントとなり、波長より小さいスポットを得
ることができる。もちろん、本実施形態に示したように
ピンホールと組み合わせて、極小スポットのエバネッセ
ント波を得ることも可能である。
【００５７】次に、本発明の第７の実施の形態について
説明する。図９は、本発明の第７の実施形態に関わる発
光素子の概略構成を表す図であり、同図（ａ）はその要
部平面透視図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図、同
図（ｃ）は導波層端部のＡ−Ａ’線に沿った抵抗率及び
屈折率の分布を表すグラフ図である。同図の発光素子７
００は、端面放射型レーザを基本とする。まず、同図
（ｂ）を参照しつつその断面構造について概説すると、
図中７１０はサファイア基板であり、この基板７１０の
上にＧａＮバッファ層７１１、ｎ型ＧａＮコンタクト層
７１２、ｎ型ＧａＡｌＮクラッド層７１３、ｎ型ＧａＮ
導波層７１４、ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）活性
層７１５、ｐ型ＧａＮ導波層７１６、ｐ型ＧａＡｌＮク
ラッド層７１７、ｎ型ＧａＡｌＮ電流狭窄層７１８、ｐ
型ＧａＮコンタクト層７１９が形成されている。また７
２０はｐ側電極、７２１はｎ側電極である。
【００５８】本実施形態においては、レーザ素子の片方
の出射端面付近に波面変換部７２２が設けられている。
波面変換部７２２は、端面の付近の部分のｐ型ＧａＮ導
波層７１６の抵抗率を局所的に変化させた構造からな
る。すなわち、図９（ｃ）に示したように、ストライプ
中央では抵抗率が高く、外側では抵抗率が低い構造とな
っている。これにより、ストライプ外側部分の活性層へ
のキャリア注入がストライプ中央部に比べて大きくなる
ため、プラズマ効果によって、図９（ｃ）に示したよう
に、ストライプ外側の実効的な屈折率が低くなる。した
がって、この波面変換部は導波光に対してレンズ作用を
有する。
【００５９】図１０は、この波面変換部７２２により導
波光が屈折される様子を説明する平面図である。すなわ
ち、波面変化部７２２の内部での光の分布は、その屈折
率と波面変換部７２２の長さＬとにより、いくつかの種
類に分類される。
【００６０】図１０（ａ）に表した例においては、導波
光の焦点距離よりも波面変換部の長さＬの方が長い。そ
の結果として、図示したように、導波光は端面の外側に
おいて集束する。図１０（ｂ）に表した例においては、
導波光の焦点距離と波面変換部の長さＬとが同一であ
る。その結果として、導波光はレーザの端面において集
束する。図１０（ｃ）に示した例においては、波面変換
部の長さＬは、導波光の焦点距離の２倍である。その結
果として、図示したように、レーザ端面からは平行な光
が出射する。
【００６１】このように、本実施形態によれば、波面変
換部７２２の屈折率分布と長さＬとを適宜調節すること
により、出射光の強度分布を制御することができ、比較
的広いストライプ幅でも良好な出射波面が得られる。
【００６２】波面変換部７２２は、例えば、電子ビーム
照射によって作製することができる。すなわち、ｐ型Ｇ
ａＮ導波層７１６を成長した後、電子ビーム照射によっ
て、ストライプ部のアクセプタを活性化させる、この
際、電子ビームの照射量に分布をもたせ、端面近傍にお
いては、ストライプ外側部分の電子線ドーズ量を多く
し、中央部の電子線ドーズ量を少なくする。これによっ
て、外側が低抵抗、中央部が高抵抗となる構造が実現さ
れる。
【００６３】なお、この方法による場合は、電子線照射
でストライプ部を形成するため、ｎ型ＧａＡｌＮ電流狭
窄層７１８は必ずしも必要ではない。すなわち、ストラ
イプの外側に電子線照射を行わなければ、高抵抗である
ため電流は流れず、電流狭窄を実現することができるか
らである。
【００６４】一方、波面変換部７２２の形成方法として
は、イオン注入を利用する方法もある。すなわち、ｐ型
ＧａＮ導波層７１６に対して、マグネシウム（Ｍｇ）な
どのｐ型不純物をドーズ量に分布をつけて注入し、必要
に応じてアニール処理を施すことにより、図９（ｃ）と
同様の抵抗率の分布を有するｐ型ＧａＮ導波層７１６を
形成することができる。
【００６５】あるいは、ｐ型ＧａＮ導波層７１６の結晶
成長に際して均一にｐ型の不純物をドーピングし、成長
後に、水素（Ｈ）をドーズ量に分布をつけてイオン注入
することによっても、図９（ｃ）と同様の抵抗率の分布
を有するｐ型ＧａＮ導波層７１６を形成することができ
る。これは、結晶成長時にドープされたマグネシウムな
どのｐ型不純物が、水素のイオン注入によって不活性化
される現象を利用したものである。
【００６６】さらに別の方法として、ｐ型ＧａＮ導波層
７１６に対して、マグネシウムなどのｐ型不純物とシリ
コンなどのｎ型不純物とを両方ドーピングし、そのいず
れか、あるいは両方の不純物の濃度分布を制御する方法
でも良い。つまり、ｐ型不純物に対して、ｎ型不純物の
ドーピング量を変化させることにより、アクセプタの補
償量を制御して、図８（ｃ）と同様の抵抗率の分布を有
するｐ型ＧａＮ導波層７１６を形成することができる。
【００６７】また、この例ではｐ型ＧａＮ導波層７１６
の抵抗率を変化させているが、活性層７１５の抵抗率を
変化させても良いことはいうまでもない。さらに、ｐ型
ＧａＡｌＮクラッド層７１７の抵抗率を同様に変化させ
ても良く、または、導波層７１６とクラッド層７１７の
両方で抵抗率を変化させても良い。
【００６８】次に、本発明の第８の実施の形態について
説明する。図１１は、本発明の第８の実施形態に関わる
発光素子の概略構成を表す概略図であり、同図（ａ）は
その要部平面透視図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面
図、同図（ｃ）は導波層端部のＡ−Ａ’線に沿った抵抗
率及び屈折率の分布を表すグラフ図である。同図の発光
素子８００は、図９に表した発光素子７００の光出射側
の端面にピンホールｈを有する波面変換部８３０を設け
たものである。
【００６９】ここで、発光素子８００の断面構造など
は、図９に関して前述したものと同様であるので詳細な
説明は省略する。
【００７０】本実施形態においては、導波光を波面変換
部７２２で集束し、波面変換部８３０のピンホールｈを
介してエバネッセント波として外部に取り出すことがで
きる。導波光をピンホールｈに集束させてエバネッセン
ト波の強度を上げるためには、図１０（ｂ）に示したよ
うに端面に導波光が集束されるように、波面変換部７２
２の屈折率分布と長さＬとを設定することが望ましい。
【００７１】本実施形態によれば、端面放射型のレーザ
において、さらに導波光を集束することにより、極めて
高い強度のエバネッセント波を取り出すことができると
いう利点がある。
【００７２】次に、本発明の第９の実施の形態について
説明する。図１２は、本発明の第９の実施の形態にかか
る発光素子の構成を表す概略断面図である。この断面図
は、発光層の共振器方向に縦割りした図である。また、
同図においては、発光層１１１６の上下に適宜設けられ
るガイド層、クラッド層あるいはコンタクト層などは省
略した。本実施形態によれば、利得の大きな領域を長距
離にわたって形成することができるので、強度を稼ぐこ
とができる点で面発光型よりも有利である。発光層１１
１６で生成された光は、高反射膜１１３０と波面変換部
１１２８との間で共振し、高反射膜１１３１により反射
されて、波面変換部１１２８内に形成されたピンホール
ｈによって取り出すことができる。この時、高反射膜１
１３１は４５度程度に傾斜して設けられた半導体面上に
積層構造を有した誘電体膜を形成することが望ましい。
【００７３】図１３は、本実施形態の変形例を表す概略
断面図である。同図においても、発光層の上下に適宜設
けられるガイド層、クラッド層あるいはコンタクト層な
どは省略した。図１２の発光素子とは、基板１１０１を
加工したレンズ１２２９の上に、ピンホールｈを有する
吸収層１２２８を形成した構造を有する。本発明変形例
によれば、レンズ１２２９を設けることにより、ピンホ
ールｈを介して取り出すことができるエバネッセント波
の強度をさらに上げることができる。
【００７４】以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の
形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具
体例に限定されるものではない。例えば、前述した端面
放出型レーザや面発光型レーザの素子構造は、一例に過
ぎず、これらの他にも、各種の電流注入構造、電流阻止
構造、各種の組成の材料を同様に用いることができる。
【００７５】また、基板として用いることのできるもの
は、前述したサファイアに限定されず、その他にも、例
えば、スピネル、ＭｇＯ、ＳｃＡｌＭｇＯ4、ＬａＳｒ
ＧａＯ4、（ＬａＳｒ）（ＡｌＴａ）Ｏ3などの絶縁性基
板や、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＮなどの導電性基板も同様に
用いてそれぞれの効果を得ることができる。
【００７６】また、前述した端面放出型レーザや面発光
型レーザの他にも、端面放出型ＬＥＤ（light emitting
diode：発光ダイオード）や面発光型ＬＥＤを用いても
同様に本発明の効果を得ることができる。さらに、ピン
ホールの開口形状やそのサイズも前述したものに限定さ
れず、発光部から放出される光の波長との関係において
適宜決定して同様の効果を得ることができる。
【００７７】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
窒化物半導体からなる発光部と波面変換部とを設けるこ
とにより、良好な出射ビーム特性の実現が可能となる。
【００７８】すなわち、ピンホールを介してエバネッセ
ント波を取りだすことにより、レンズなどの光学系を用
いることなく発光部からの光を絞りこむことができる。
その結果として得られるエバネッセント波のスポット・
サイズは、従来のＤＶＤシステムの１０分の１以下とす
ることができる。その結果として、従来のＤＶＤシステ
ムの１００倍以上の記録容量を有する超高密度の光ディ
スク・システムあるいは光磁気ディスク・システムなど
を実現することができる。
【００７９】さらに、波長変化によるレンズそのものの
調整やピックアップの中での光軸の調整が不要となる。
【００８０】以上詳述したように、本発明によれば、極
めて微細なスポット・サイズを有する発光素子を実現す
ることにより、超高密度光ディスク・システムを安価で
且つ高信頼性で提供することが可能となり産業上のメリ
ットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に関わる発光素子を表す概
略図である。同図（ａ）は発光素子の平面図、同図
（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図である。
【図２】シリコンの光吸収係数の波長依存性を表すグラ
フ図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に関わる発光素子の要
部構成を表す概略図である。
【図４】第２実施形態の変形例を表す概略図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に関わる発光素子の
概略構成を示す要部断面斜視図である。
【図６】本発明の第４の実施形態に関わる発光素子４０
０の概略構成を示す断面図である。
【図７】本発明の第５の実施形態に関わる発光素子の概
略構成を示す図であり、同図（ａ）はその断面図、同図
（ｂ）はその要部底面図である。
【図８】本発明の第６の実施形態に関わる発光素子の概
略構成を示す図であり、同図（ａ）はその断面図、同図
（ｂ）はその要部平面パターン図である。
【図９】本発明の第７の実施形態に関わる発光素子の概
略構成を表す図であり、同図（ａ）はその要部平面透視
図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図、同図（ｃ）は
導波層端部のＡ−Ａ’線に沿った抵抗率及び屈折率の分
布を表すグラフ図である。
【図１０】波面変換部７２２により導波光が屈折される
様子を説明する平面図である。
【図１１】本発明の第８の実施形態に関わる発光素子の
概略構成を表す図であり、同図（ａ）はその要部平面透
視図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図、同図（ｃ）
は導波層端部のＡ−Ａ’線に沿った抵抗率及び屈折率の
分布を表すグラフ図である。
【図１２】本発明の第９の実施の形態にかかる発光素子
の構成を表す概略断面図である。
【図１３】本実施形態の変形例を表す概略断面図であ
る。
【符号の説明】
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７
００、８００ 発光素子 １０１、２１０、４５０、５７０、６１０、７１０ 基
板 １０２、２１１、４５１、５７１、６１１、６１５、７
１１ バッファ層 １０３ 高温バッファ層１０３ １０４、２１３、４５３、５７３、６１６、７１２ ｎ
型コンタクト層 １０５、２１４、４５４、５７４、６１７、７１３ ｎ
型クラッド層 １０６、２１５、４５５、５７５、６１８、７１４ ｎ
型ガイド層 １０７、２１６、４５６、５７６、６１９、７１５ 活
性層 １０８、２１７、４５７、５７７、６２０、７１６ ｐ
型ガイド層 １０９、２１８、４５８、５７８、６２１、７１７ ｐ
型クラッド層 １１０、２１９、４５９、５７９、６２２、７１８ 電
流阻止層 １１１、２２０、４６０、５８０、６２４、７１９ ｐ
型コンタクト層 １１２ 高濃度ｐ型コンタクト層 １３０、２２３、４６４、５８４、６２５、７２０ ｐ
側電極 １４０、２２４、４６５、５８５、６２６、７２１ ｎ
側電極 １５０、２２５、４６６、５８６、６２８、７２２ 波
面変換部 １５１ スペーサ １６０、２２１ 高反射鏡 ４６３、５８７、６３０、８３０ 第２の波面変換部 ｈ ピンホール ｗ ワイア
フロントページの続き (72)発明者 寺 内 衛 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝研究開発センター内 Ｆターム(参考） 5F041 AA06 CA04 CA05 CA12 CA13 CA14 CA33 CA34 CA40 CA46 5F073 AA09 AA20 AA45 AA65 AA74 AA83 AA85 AB17 AB25 AB26 BA06 CA07 CB05 CB20 DA05 EA29

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】窒化物半導体からなる発光部と、 前記発光部から放出される光の放射形状を、その波長よ
    りも小さい放射形状に変換し出力光として放出する第１
    の波面変換部と、 を備えたことを特徴とする発光素子。
  2. 【請求項２】前記第１の波面変換部は、前記発光部から
    放出される光の波長よりも小さい開口径のピンホールを
    有し、 前記出力光は、前記ピンホールを介して放出されるエバ
    ネッセント波を含むことを特徴とする請求項１記載の発
    光素子。
  3. 【請求項３】前記発光部から放出される光を集束して前
    記第１の波面変換部に供給する第２の波面変換部をさら
    に備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の発
    光素子。
  4. 【請求項４】基板上に形成された発光素子において、光
    出射面と電極形成面との間に段差が設けられていること
    を特徴とする発光素子。
  5. 【請求項５】光出射面と、ｐ側およびｎ側電極とが略平
    行な複数の面上におのおの形成されている発光素子にお
    いて、 前記光出射面と、前記ｐ側およびｎ側の電極面とが互い
    に異なる平面内に設けられていることを特徴とする発光
    素子。
  6. 【請求項６】窒化物半導体からなる発光部と、前記発光
    部から放出される光の波長よりも小さい開口径を有する
    ピンホールとを有し、前記発光部から放出される光を前
    記ピンホールを介してエバネッセント波として取り出す
    発光素子の製造方法であって、 窒化物半導体からなる発光部を形成する工程と、 ピンホールが開口されるべき薄膜を形成する工程と、 前記発光部から放出された光を前記薄膜に照射すること
    により前記ピンホールを開口する工程と、 を備えたことを特徴とする発光素子の製造方法。
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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000051115A1 (fr) * 1999-02-25 2000-08-31 Hitachi, Ltd. Processeur d'information optique
JP2002246641A (ja) * 2001-02-13 2002-08-30 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP2003163373A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP2003324233A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Fuji Xerox Co Ltd 表面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法
US6956808B2 (en) 2002-10-16 2005-10-18 Sharp Kabushiki Kaisha Optical device and optical sensor
JP2007101789A (ja) * 2005-10-03 2007-04-19 Seiko Epson Corp 光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法、光伝送装置および電子機器
JP2010212738A (ja) * 2001-12-21 2010-09-24 Xerox Corp 窒化物系共振器半導体構造の製造方法
JP2010531546A (ja) * 2007-06-27 2010-09-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光センサ・モジュール及びその製造方法
US8319236B2 (en) 2007-02-14 2012-11-27 Oclaro Technology Limited Low creep metallization for optoelectronic applications
JP2016054314A (ja) * 2015-12-01 2016-04-14 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. マルチモードのモノリシック垂直共振器面発光レーザアレイ及びこれを含むレーザシステム
WO2018083877A1 (ja) * 2016-11-02 2018-05-11 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法
WO2018116596A1 (ja) * 2016-12-20 2018-06-28 ソニー株式会社 発光素子
JP2018186213A (ja) * 2017-04-27 2018-11-22 スタンレー電気株式会社 垂直共振器型発光素子
WO2019003627A1 (ja) 2017-06-28 2019-01-03 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法
WO2019124163A1 (ja) 2017-12-22 2019-06-27 ソニー株式会社 発光素子
WO2020084942A1 (ja) 2018-10-26 2020-04-30 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法
DE112018003684T5 (de) 2017-07-18 2020-05-14 Sony Corporation Lichtemittierendes element und array aus lichtemittierenden elementen
JP2020155446A (ja) * 2019-03-18 2020-09-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体装置
DE112020001165T5 (de) 2019-03-12 2022-03-31 Sony Group Corporation Lichtemittierendes element und verfahren zur herstellung desselben
US11374384B2 (en) * 2017-05-31 2022-06-28 Sony Corporation Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device
WO2023105973A1 (ja) * 2021-12-07 2023-06-15 ソニーグループ株式会社 面発光素子及び個体認証装置
US12126137B2 (en) 2016-11-02 2024-10-22 Sony Corporation Light-emitting element and method of manufacturing the same

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7042810B2 (en) * 2000-01-31 2006-05-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Thermally-assisted magnetic recording head, method of manufacturing the same, and thermally-assisted magnetic recording apparatus
US20040114642A1 (en) * 2002-03-22 2004-06-17 Bullington Jeff A. Laser diode with output fiber feedback
JP2004128415A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Toshiba Corp トランジスタ、ウェーハ、トランジスタの製造方法、ウェーハの製造方法および半導体層の形成方法
EP1521311A3 (de) * 2003-09-30 2010-09-15 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungsemittierender Halbleiterkörper mit Confinement-Schichten
US7001824B2 (en) * 2004-02-20 2006-02-21 Supernova Optoelectronics Corporation Gallium nitride vertical light emitting diode structure and method of separating a substrate and a thin film in the structure
US7768023B2 (en) 2005-10-14 2010-08-03 The Regents Of The University Of California Photonic structures for efficient light extraction and conversion in multi-color light emitting devices
US7345298B2 (en) * 2005-02-28 2008-03-18 The Regents Of The University Of California Horizontal emitting, vertical emitting, beam shaped, distributed feedback (DFB) lasers by growth over a patterned substrate
US7291864B2 (en) * 2005-02-28 2007-11-06 The Regents Of The University Of California Single or multi-color high efficiency light emitting diode (LED) by growth over a patterned substrate
JP4929924B2 (ja) * 2006-08-25 2012-05-09 サンケン電気株式会社 半導体発光素子、その製造方法、及び複合半導体装置
US7769066B2 (en) * 2006-11-15 2010-08-03 Cree, Inc. Laser diode and method for fabricating same
US7834367B2 (en) 2007-01-19 2010-11-16 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
US9012937B2 (en) * 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
JP5047013B2 (ja) * 2008-03-12 2012-10-10 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
EP2256812A1 (en) * 2009-05-25 2010-12-01 Nxp B.V. Semiconductor device for increasing output power of a light emitting unit
JP5881560B2 (ja) * 2012-08-30 2016-03-09 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP6051399B2 (ja) * 2014-07-17 2016-12-27 関根　弘一 固体撮像装置及びその製造方法
US11158767B2 (en) * 2015-03-30 2021-10-26 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light-emitting element, light-emitting unit, light-emitting panel device, and method for driving light-emitting panel device
WO2020026573A1 (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 ソニー株式会社 面発光半導体レーザ
KR102697525B1 (ko) * 2022-08-31 2024-08-23 주식회사 옵토웰 발광 다이오드 및 그 제조 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS64785A (en) * 1986-07-29 1989-01-05 Ricoh Co Ltd Manufacture of mask semiconductor laser
JPH0521888A (ja) * 1991-01-08 1993-01-29 Nec Corp 面型半導体レーザ装置及び面型半導体レーザ装置の製造方法
JPH05100168A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Olympus Optical Co Ltd ニアフイールド光学顕微鏡用光導入装置
JPH07297476A (ja) * 1994-04-21 1995-11-10 Hitachi Ltd 半導体レーザ装置
JPH10143895A (ja) * 1996-11-11 1998-05-29 Tokai Univ 記録再生用光メモリヘッド
JPH10172166A (ja) * 1996-12-09 1998-06-26 Tokai Univ 記録再生用光メモリヘッド

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5734671B2 (ja) * 1974-09-20 1982-07-24
EP0495301A1 (en) * 1990-12-14 1992-07-22 AT&T Corp. Method for making a semiconductor laser
US5349210A (en) * 1993-02-02 1994-09-20 Motorola, Inc. Optical reading head with angled array
US5301201A (en) * 1993-03-01 1994-04-05 At&T Bell Laboratories Article comprising a tunable semiconductor laser
US5606572A (en) * 1994-03-24 1997-02-25 Vixel Corporation Integration of laser with photodiode for feedback control
US5633527A (en) * 1995-02-06 1997-05-27 Sandia Corporation Unitary lens semiconductor device
JP3706868B2 (ja) * 1997-04-23 2005-10-19 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 光プローブおよび光プローブ製造方法および走査型プローブ顕微鏡
US6044100A (en) * 1997-12-23 2000-03-28 Lucent Technologies Inc. Lateral injection VCSEL
US6233267B1 (en) * 1998-01-21 2001-05-15 Brown University Research Foundation Blue/ultraviolet/green vertical cavity surface emitting laser employing lateral edge overgrowth (LEO) technique

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS64785A (en) * 1986-07-29 1989-01-05 Ricoh Co Ltd Manufacture of mask semiconductor laser
JPH0521888A (ja) * 1991-01-08 1993-01-29 Nec Corp 面型半導体レーザ装置及び面型半導体レーザ装置の製造方法
JPH05100168A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Olympus Optical Co Ltd ニアフイールド光学顕微鏡用光導入装置
JPH07297476A (ja) * 1994-04-21 1995-11-10 Hitachi Ltd 半導体レーザ装置
JPH10143895A (ja) * 1996-11-11 1998-05-29 Tokai Univ 記録再生用光メモリヘッド
JPH10172166A (ja) * 1996-12-09 1998-06-26 Tokai Univ 記録再生用光メモリヘッド

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6781944B1 (en) * 1999-02-25 2004-08-24 Hitachi, Ltd. Optical information processor with monolithically integrated light emitting device, light receiving devices and optics
WO2000051115A1 (fr) * 1999-02-25 2000-08-31 Hitachi, Ltd. Processeur d'information optique
JP2002246641A (ja) * 2001-02-13 2002-08-30 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP2003163373A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP2010212738A (ja) * 2001-12-21 2010-09-24 Xerox Corp 窒化物系共振器半導体構造の製造方法
JP2003324233A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Fuji Xerox Co Ltd 表面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法
US7058104B2 (en) 2002-04-26 2006-06-06 Fuji Xerox Co., Ltd. Surface emitting semiconductor laser and method of fabricating the same
US6956808B2 (en) 2002-10-16 2005-10-18 Sharp Kabushiki Kaisha Optical device and optical sensor
JP2007101789A (ja) * 2005-10-03 2007-04-19 Seiko Epson Corp 光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法、光伝送装置および電子機器
US8319236B2 (en) 2007-02-14 2012-11-27 Oclaro Technology Limited Low creep metallization for optoelectronic applications
JP2010531546A (ja) * 2007-06-27 2010-09-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光センサ・モジュール及びその製造方法
JP2016054314A (ja) * 2015-12-01 2016-04-14 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. マルチモードのモノリシック垂直共振器面発光レーザアレイ及びこれを含むレーザシステム
JPWO2018083877A1 (ja) * 2016-11-02 2019-09-19 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法
US12126137B2 (en) 2016-11-02 2024-10-22 Sony Corporation Light-emitting element and method of manufacturing the same
US11489314B2 (en) 2016-11-02 2022-11-01 Sony Corporation Light-emitting element and method of manufacturing the same
US10873174B2 (en) 2016-11-02 2020-12-22 Sony Corporation Light-emitting element and method of manufacturing the same
CN109923742A (zh) * 2016-11-02 2019-06-21 索尼公司 发光元件及其制造方法
WO2018083877A1 (ja) * 2016-11-02 2018-05-11 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法
DE112017005532T5 (de) 2016-11-02 2019-07-25 Sony Corporation Lichtemittierendes element und verfahren zu seiner herstellung
JPWO2018116596A1 (ja) * 2016-12-20 2019-10-24 ソニー株式会社 発光素子
JP7014179B2 (ja) 2016-12-20 2022-02-01 ソニーグループ株式会社 発光素子
US11611196B2 (en) 2016-12-20 2023-03-21 Sony Corporation Light emitting element
US12034274B2 (en) 2016-12-20 2024-07-09 Sony Corporation Light emitting element
WO2018116596A1 (ja) * 2016-12-20 2018-06-28 ソニー株式会社 発光素子
JP2018186213A (ja) * 2017-04-27 2018-11-22 スタンレー電気株式会社 垂直共振器型発光素子
US11374384B2 (en) * 2017-05-31 2022-06-28 Sony Corporation Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device
US11411372B2 (en) 2017-06-28 2022-08-09 Sony Corporation Light emitting element and manufacturing method therefor
EP3890128A1 (en) 2017-06-28 2021-10-06 Sony Group Corporation Light emitting element and manufacturing method
WO2019003627A1 (ja) 2017-06-28 2019-01-03 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法
JPWO2019003627A1 (ja) * 2017-06-28 2020-04-30 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法
JP7211362B2 (ja) 2017-06-28 2023-01-24 ソニーグループ株式会社 発光素子の製造方法
US20200169061A1 (en) * 2017-07-18 2020-05-28 Sony Corporation Light emitting element and light emitting element array
DE112018003684T5 (de) 2017-07-18 2020-05-14 Sony Corporation Lichtemittierendes element und array aus lichtemittierenden elementen
US11594859B2 (en) 2017-07-18 2023-02-28 Sony Corporation Light emitting element and light emitting element array
EP3731354A4 (en) * 2017-12-22 2021-05-26 Sony Corporation LIGHT EMITTING ELEMENT
WO2019124163A1 (ja) 2017-12-22 2019-06-27 ソニー株式会社 発光素子
US11728625B2 (en) 2017-12-22 2023-08-15 Sony Corporation Light emitting element
WO2020084942A1 (ja) 2018-10-26 2020-04-30 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法
DE112020001165T5 (de) 2019-03-12 2022-03-31 Sony Group Corporation Lichtemittierendes element und verfahren zur herstellung desselben
JP7182172B2 (ja) 2019-03-18 2022-12-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体装置
JP2020155446A (ja) * 2019-03-18 2020-09-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体装置
WO2023105973A1 (ja) * 2021-12-07 2023-06-15 ソニーグループ株式会社 面発光素子及び個体認証装置

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