JP2016054314A - マルチモードのモノリシック垂直共振器面発光レーザアレイ及びこれを含むレーザシステム - Google Patents
マルチモードのモノリシック垂直共振器面発光レーザアレイ及びこれを含むレーザシステム Download PDFInfo
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Abstract
【課題】モノリシックVCSELアレイにおいて、各VCSELは、異なる波長においてレーザ光を放射するように構成する。
【解決手段】モノリシック面発光レーザアレイは、反射体104と、発光層102と、2つ以上の非周期的なサブ波長回折格子を用いて構成される回折格子層112とを備える。各回折格子は反射体とともに空洞共振器を形成するように構成されており、各回折格子は、1つ以上の内部共振器モードを実現し、かつ回折格子を通って放射される1つ以上の外部横モードを実現する回折格子パターンを用いて構成される。
【選択図】図1A
【解決手段】モノリシック面発光レーザアレイは、反射体104と、発光層102と、2つ以上の非周期的なサブ波長回折格子を用いて構成される回折格子層112とを備える。各回折格子は反射体とともに空洞共振器を形成するように構成されており、各回折格子は、1つ以上の内部共振器モードを実現し、かつ回折格子を通って放射される1つ以上の外部横モードを実現する回折格子パターンを用いて構成される。
【選択図】図1A
Description
本発明の種々の実施の形態はレーザに関し、詳細には半導体レーザに関する。
半導体レーザは、数例を挙げると、ディスプレイ、固体照明、センシング、印刷及び電気通信を含む多種多様の用途において用いることができるので、現在使用されている最も重要な種類のレーザのうちの1つを代表するものである。主に使用されている2つのタイプの半導体レーザが端面発光レーザ及び面発光レーザである。端面発光レーザは、発光層に対して実質的に平行な方向に進行する光を生成する。一方、面発光レーザは、発光層に対して垂直に進行する光を生成する。面発光レーザは、通常の端面発光レーザよりも優れた複数の利点を有する。面発光レーザは、より効率的に光を放射することができ、2次元発光アレイを形成するように配列することができる。
2つの反射体に狭持される発光層によって構成される面発光レーザは、垂直共振器面発光レーザ(「VCSEL」)と呼ばれる。その反射体は通常、分布ブラッグ反射体(「DBR」)であり、理想的には、光学的なフィードバックのために、99%よりも高い反射率(reflectivity)を有する反射共振器を形成する。DBRは複数の交互層で構成され、各層は、周期的に屈折率が変化する誘電体又は半導体材料で構成される。DBR内の2つの隣接する層は異なる屈折率を有し、「DBR対」と呼ばれる。DBR反射率及び帯域幅は、各層の構成材料の屈折率コントラスト、及び各層の厚みに依拠する。DBR対を形成するために用いられる材料は通常、同じような組成を有し、それゆえ、比較的小さな屈折率差を有する。それゆえ、99%よりも高い共振器反射率を達成するために、かつ狭いミラー帯域幅を与えるために、DBRは、いずれかの場所に約15〜約40、又はそれよりも多くのDBR対を有するように構成される。しかしながら、99%よりも高い反射率を有するDBRを作製することは、電磁スペクトルの青緑及び長赤外線部分の波長を有する光を放射するように設計されたVCSELの場合に特に、難しいことがわかっている。
物理学者及び技術者は、VCSELの設計、動作及び効率を引き続き改善しようとしている。
本発明の種々の実施形態はモノリシックVCSELアレイを対象とし、モノリシックVCSELアレイにおいて、各VCSELは、異なる波長においてレーザ光を放射する(lase)ように構成することができる。VCSELアレイ内の各VCSELは1つ以上の平坦で、非周期的なサブ波長回折格子(「SWG」)を含む。各VCSELのSWGは、異なる回折格子構成を有するように構成することができ、それにより各VCSELが異なる波長においてレーザ光を放射できる。各VCSELのSWGは、内部共振器モードの形状、及びVCSELから放射される外部モードの形状を制御するように構成することができる。各VCSELは、小さなモード体積、概ね単一の空間出力モードを有し、狭い波長範囲にわたって光を放射し、単一偏光の光を放射するように構成することができる。
以下の説明では、用語「光」は、電磁スペクトルの赤外線及び紫外線部分を含む、電磁スペクトルの可視部分及び非可視部分内の波長を有する電磁放射を指す。
以下の説明では、簡単化及び便宜上のために、本発明のVCSELアレイ実施形態は、4つのVCSELからなる正方形配列を有するものとして説明されることにも留意されたい。しかしながら、本発明の実施形態はそのように限定されることを意図していない。VCSELアレイ実施形態は実際には、任意の適切な数のVCSELを用いて構成することができ、VCSELはモノリシックVCSELアレイ内で任意の適切な配列を有することができる。
垂直共振器面発光アレイ
図1Aは、本発明の1つ以上の実施形態に従って構成される一例のモノリシックVCSELアレイ100の等角図を示す。VCSELアレイ100は、分布ブラッグ反射体(「DBR」)104上に配置される発光層102を含む。DBR104は更に基板106上に配置され、基板106は第1の電極108上に配置される。VCSELアレイ100は、発光層102上に配置される絶縁層110、層110上に配置される回折格子層112、及び回折格子層112上に配置される第2の電極114も含む。図1Aの例において示されるように、第2の電極114は、4つの長方形の開口部116〜119を有するように構成され、各開口部は回折格子層112の一部を露出させる。矢印120〜123によって示されるように、各開口部によって、発光層102から放射される光の縦モード又は軸モードが、層のxy平面に対して実質的に垂直にVCSELから出られるようになる(すなわち、光の縦モードはz方向において各開口部を通ってVCSELアレイ100から放射される)。
図1Aは、本発明の1つ以上の実施形態に従って構成される一例のモノリシックVCSELアレイ100の等角図を示す。VCSELアレイ100は、分布ブラッグ反射体(「DBR」)104上に配置される発光層102を含む。DBR104は更に基板106上に配置され、基板106は第1の電極108上に配置される。VCSELアレイ100は、発光層102上に配置される絶縁層110、層110上に配置される回折格子層112、及び回折格子層112上に配置される第2の電極114も含む。図1Aの例において示されるように、第2の電極114は、4つの長方形の開口部116〜119を有するように構成され、各開口部は回折格子層112の一部を露出させる。矢印120〜123によって示されるように、各開口部によって、発光層102から放射される光の縦モード又は軸モードが、層のxy平面に対して実質的に垂直にVCSELから出られるようになる(すなわち、光の縦モードはz方向において各開口部を通ってVCSELアレイ100から放射される)。
図1Bは、本発明の1つ以上の実施形態に従って構成されるVCSELアレイ100の組立分解等角図を示す。その等角図は、絶縁層110内の4つの開口部126〜129、及び回折格子層112内の4つのSWG132〜135を明らかにする。開口部126〜129によって、発光層102から放射される光が、対応するSWG132〜135にそれぞれ達することができるようになる。本発明の実施形態は、長方形の形状を有する開口部116〜119及び126〜129には限定されないことに留意されたい。他の実施形態では、第2の電極及び絶縁層内の開口部は正方形、円形、楕円形又は任意の他の適切な形状とすることができる。
各SWG116〜119は、モノリシックVCSELアレイ100内の別々のVCSELを画定することに留意されたい。SWG116〜119がそれぞれ異なる波長においてレーザ光を放射するように構成できることを除いて、SWG116〜119によって画定される4つのVCSELは全て同じDBR104及び発光層102を共用する。例えば、図1Aに示されるように、SWG116〜119はそれぞれ波長λ1、λ2、λ3及びλ4を有する光を放射するように構成される。後に更に詳細に説明されるように、各SWGは、異なる偏光を有する光を放射するか、又は無偏光の光を放射するように構成することもできる。
層104、106及び112は、適切な化合物半導体材料の種々の組み合わせで構成される。化合物半導体は、III−V族化合物半導体及びII−VI族化合物半導体を含む。III−V族化合物半導体は、窒素(「N」)、リン(「P」)、ヒ素(「As」)及びアンチモン(「Sb」)から選択された列Va元素と組み合わせた、ホウ素(「B」)、アルミニウム(「Al」)、ガリウム(「Ga」)及びインジウム(「In」)から選択された列IIIa元素で構成される。III−V族化合物半導体は、二元化合物半導体、三元化合物半導体、四元化合物半導体のように、III元素及びV元素の相対的な量に従って分類される。例えば、二元半導体化合物は、限定はしないが、GaAs、GaAl、InP、InAs及びGaPを含む。三元化合物半導体は、限定はしないが、InyGay−1As又はGaAsyP1−yを含む。ただし、yは0〜1の範囲にある。四元化合物半導体は、限定はしないが、InxGa1−xAsyP1−yを含む。ただし、x及びyはいずれも独立して0〜1の範囲にある。II−VI族化合物半導体は、酸素(「O」)、硫黄(「S」)及びセレン(「Se」)から選択されたVIa元素と組み合わせた亜鉛(「Zn」)、カドミウム(「Cd」)、水銀(「Hg」)から選択された列IIb元素により構成される。例えば、適切なII−VI族化合物半導体は、限定はしないが、CdSe、ZnSe、ZnS及びZnOを含み、それらは二元II−VI族化合物半導体の例である。
VCSELアレイ100の層は、化学気相成長、物理気相成長又はウェハーボンディングを用いて形成することができる。SWG132〜135は、反応性イオンエッチング、集束ビームミリング、又はナノインプリントリソグラフィーを用いて回折格子層112内に形成することができ、回折格子層112は絶縁層110に結合させることができる。
或る実施形態では、層104及び106はp型不純物をドープされ、一方、層112はn型不純物をドープされる。他の実施形態では、層104及び106はn型不純物をドープされ、一方、層112はp型不純物をドープされる。p型不純物は、半導体格子の中に組み込まれ、層の電子バンドギャップに、「正孔」と呼ばれる空の電子エネルギー準位を導入する原子である。これらのドーパントは「電子受容体」とも呼ばれる。一方、n型不純物は、半導体格子の中に組み込まれ、層の電子バンドギャップに充満した電子エネルギー準位を導入する原子である。これらのドーパントは「電子供与体」とも呼ばれる。III−V族化合物半導体では、列VI元素がIII−V格子内の列V原子と置き換わり、n型ドーパントとしての役割を果たし、列II元素がIII−V格子内の列III原子と置き換わり、p型ドーパントとしての役割を果たす。
絶縁層110は、SiO2若しくはAl2O3又は大きな電子バンドギャップを有する別の適切な材料のような、絶縁性材料により構成することができる。電極108及び114は、金(「Au」)、銀(「Ag」)、銅(「Cu」)又はプラチナ(「Pt」)のような適切な導体により構成することができる。
図2は、本発明の1つ以上の実施形態による、図1Aに示される線A−Aに沿ったVCSELアレイ100の断面図を示す。その断面図は、個別の層からなる構造を明らかにする。DBR104は、発光層102に対して平行に向けられるDBR対のスタックにより構成される。実際には、DBR104は、約15〜約40又はそれ以上のDBR対により構成することができる。DBR104のサンプル部分の拡大図202は、DBR104の層がそれぞれ約λ/4n及びλ4n’の厚みを有することを明らかにする。ただし、λは発光層102から放射される光の真空波長であり、nはDBR層206の屈折率であり、n’はDBR層204の屈折率である。濃い網掛けの層204は、第1の半導体材料により構成されるDBR層を表し、薄い網掛けの層206は、第2の半導体材料により構成されるDBR層を表し、層204及び206は関連する屈折率が異なる。例えば、層204はGaAsにより構成することができ、3.6の近似的な屈折率を有し、層206はAlAsにより構成することができ、2.9の近似的な屈折率を有し、層106はGaAs又はAlAsにより構成することができる。
図2は、発光層102の拡大図208も含み、発光層102を構成する層のための1つ以上の取り得る構成を明らかにする。拡大図208は、発光層102が障壁層212によって分離される3つの別々の量子井戸層(「QW」)210により構成されることを明らかにする。QW210は、閉じ込め層214間に配置される。QW210を構成する材料は、障壁層212及び閉じ込め層214よりも小さな電子バンドギャップを有する。発光層102の全厚が概ね、発光層102から放射される光の波長になるように、閉じ込め層214の厚みを選択することができる。層210、212及び214は、異なる真性半導体材料により構成される。例えば、QW層210は、InGaAs(例えば、In0.2Ga0.8As)により構成することができ、障壁層212はGaAsにより構成することができ、閉じ込め層はGaAlAsにより構成することができる。本発明の実施形態は、3つのQWを有する発光層102には限定されない。他の実施形態では、発光層は、1つ、2つ、又は4つ以上のQWを有することができる。
図2は、回折格子層112の構成も明らかにする。SWG132及び133は、回折格子層112の残りの部分よりも薄く、SWG132及び133と発光層102との間に空
隙216及び217を作り出すために、発光層102の上方に浮いた状態で支持(suspend)される。図2及び図1Bに示されるように、SWG132〜135は、1つのエッジ
に沿って回折格子層112に取り付けることができ、空隙が回折格子層112からSWG132〜135の3つの残りのエッジを分離している。例えば、図2に示されるように、空隙216がSWG132を回折格子層112から分離し、空隙220がSWG133を回折格子層112から分離する。また、回折格子層112及び絶縁層110は、回折格子層112の部分222が絶縁層110の開口部を通して発光層102と接触するように構成される。絶縁層110は、回折格子層112の部分222を通る電流の流れを抑制する。SWG132〜135及びDBR104は、VCSELアレイ100の各VCSELがレーザ光を放射している間に、光学的なフィードバックのための反射共振器を形成する反射体である。例えば、SWG132及びDBR104は、VCSELアレイ100の第1のVCSELの光共振器を形成し、SWG133及びDBR104は、VCSELアレイ100の第2のVCSELの光共振器を形成する。また、SWG134及び135も、DBR104と別々の光共振器、すなわち、VCSELアレイ100の第3及び第4のVCSELに関連付けられる光共振器を形成する。
隙216及び217を作り出すために、発光層102の上方に浮いた状態で支持(suspend)される。図2及び図1Bに示されるように、SWG132〜135は、1つのエッジ
に沿って回折格子層112に取り付けることができ、空隙が回折格子層112からSWG132〜135の3つの残りのエッジを分離している。例えば、図2に示されるように、空隙216がSWG132を回折格子層112から分離し、空隙220がSWG133を回折格子層112から分離する。また、回折格子層112及び絶縁層110は、回折格子層112の部分222が絶縁層110の開口部を通して発光層102と接触するように構成される。絶縁層110は、回折格子層112の部分222を通る電流の流れを抑制する。SWG132〜135及びDBR104は、VCSELアレイ100の各VCSELがレーザ光を放射している間に、光学的なフィードバックのための反射共振器を形成する反射体である。例えば、SWG132及びDBR104は、VCSELアレイ100の第1のVCSELの光共振器を形成し、SWG133及びDBR104は、VCSELアレイ100の第2のVCSELの光共振器を形成する。また、SWG134及び135も、DBR104と別々の光共振器、すなわち、VCSELアレイ100の第3及び第4のVCSELに関連付けられる光共振器を形成する。
非周期的なサブ波長回折格子
上記のように、回折格子層112のSWG132〜135は、発光層102の上方に浮いた状態で支持される平面膜として実装される。本発明の1つ以上の実施形態に従って構成されるSWGは、VCSELアレイ100の対応する共振器の中に反射して戻される光の波面の形状の制御、及び図1Aに示されるように、第2の電極114内の対応する開口部を通って放射される光の波面の形状の制御を含む、反射機能を提供する。これは、SWGの高い反射率に実質的に影響を及ぼすことなく、SWGから反射される光の位相を制御する非周期的なサブ波長回折格子パターンを有するように各SWGを構成することによって成し遂げることができる。後に示されるように、或る実施形態では、SWGが円筒鏡又は球面鏡として動作できるようにする回折格子パターンを有するように、SWGを構成することができる。
上記のように、回折格子層112のSWG132〜135は、発光層102の上方に浮いた状態で支持される平面膜として実装される。本発明の1つ以上の実施形態に従って構成されるSWGは、VCSELアレイ100の対応する共振器の中に反射して戻される光の波面の形状の制御、及び図1Aに示されるように、第2の電極114内の対応する開口部を通って放射される光の波面の形状の制御を含む、反射機能を提供する。これは、SWGの高い反射率に実質的に影響を及ぼすことなく、SWGから反射される光の位相を制御する非周期的なサブ波長回折格子パターンを有するように各SWGを構成することによって成し遂げることができる。後に示されるように、或る実施形態では、SWGが円筒鏡又は球面鏡として動作できるようにする回折格子パターンを有するように、SWGを構成することができる。
簡単にするために、以下の説明では、回折格子層の1つのSWGだけを構成することが説明されることに留意されたい。実際には、回折格子層は多数のSWGを実際に含むことができ、回折格子層の各SWGは後に説明されるように構成することができる。
図3Aは、本発明の1つ以上の実施形態による、回折格子層サブパターン302内に形成される1次元回折格子パターンを用いて構成されるSWG300の平面図を示す。1次元回折格子パターンは、複数の1次元回折格子サブパターンにより構成される。図3Aの例では、3つの回折格子サブパターン301〜303が拡大される。図3Aにおいて表される実施形態では、各回折格子サブパターンは、回折格子層302内に形成される、「ライン」と呼ばれる、回折格子層102材料の規則的に間隔を置いて配置される複数のワイヤ状の部分を含む。ラインはy方向に延在し、x方向において周期的に間隔を置いて配置される。また、図3Aは、回折格子サブパターン302の拡大された端面図304も含む。ライン306は、溝308によって分離される。各サブパターンは、特定の周期的なライン間隔、及びx方向におけるライン幅によって特徴付けることができる。例えば、サブパターン301は、周期p1だけ分離された幅w1のラインを含み、サブパターン302は、周期p2だけ分離された幅w2のラインを含み、サブパターン303は、周期p3だけ分離された幅w3のラインを含む。
回折格子サブパターン301〜303は、サブ波長回折格子を形成し、その回折格子は、周期p1、p2及びp3が入射光の波長よりも小さいという条件で、1つの方向、すなわち、x方向に偏光された入射光を優先的に反射する。例えば、入射光の波長に応じて、ライン幅は約10nm〜約300nmの範囲とすることができ、周期は約20nm〜約1
μmの範囲とすることができる。或る領域から反射された光は、ライン厚tによって決まる位相φ、及び以下のように定義されるデューティサイクルηを取得する。
ただし、wはライン幅であり、pはラインの周期間隔である。
μmの範囲とすることができる。或る領域から反射された光は、ライン厚tによって決まる位相φ、及び以下のように定義されるデューティサイクルηを取得する。
SWG300は、非常に高い反射率を保持しながら、反射光に特定の位相変化を加えるように構成することができる。1次元SWG300は、ラインの周期、ライン幅及びライン厚を調整することによって、入射光のx偏光成分又はy偏光成分を反射するように構成することができる。例えば、x偏光成分を反射するが、y偏光成分を反射しないために、特定の周期、ライン幅及びライン厚が適している場合があり、y偏光成分を反射するが、x偏光成分を反射しないために、異なる周期、ライン幅及びライン厚が適している場合がある。
本発明の実施形態は、1次元回折格子には限定されない。SWGは、極性の影響を受けない光(polarity insensitive light)を反射するために、2次元非周期的回折格子パターンを有するように構成することができる。図3B〜図3Cは、本発明の1つ以上の実施形態による、2次元非周期的なサブ波長回折格子パターンを有する2つの平坦なSWG例の平面図を示す。図3Bの例では、SWGは、溝によって分離されるラインではなく、ポストにより構成される。デューティサイクル及び周期は、x及びy方向において変動させることができる。拡大図310及び312は、2つの異なる長方形のポストサイズの平面図を示す。図3Bは、拡大図310を構成するポストの等角図314を含む。本発明の実施形態は、長方形のポストには限定されず、他の実施形態では、ポストは正方形、円形、楕円形又は任意の他の適切な形状とすることができる。図3Cの例では、SWGは、ポストではなく、穴として構成される。拡大図316及び318は、2つの異なる長方形の穴サイズを示す。デューティサイクルはx及びy方向において変更することができる。図3Cは、拡大図316を構成する等角図320を含む。図3Cにおいて示される穴は長方形であるが、他の実施形態では、穴は正方形、円形、楕円形又は任意の他の適切な形状とすることができる。
他の実施形態では、1次元及び2次元の両方の回折格子パターンにおいて、ライン間隔、厚み及び周期を連続的に変動させることができる。
SWG300の各回折格子サブパターン301〜303は、各サブパターンに関連付けられるデューティサイクル及び周期が異なることに起因して、1つの方向、例えば、x方向に偏光された入射光を異なるように反射する。図4は、本発明の1つ以上の実施形態による、反射光によって取得される位相を明らかにする2つの別々の回折格子サブパターンからのラインの断面図を示す。例えば、ライン402及び403は、SWG400内に配置される第1の回折格子サブパターン内のラインとすることができ、ライン404及び405は、SWG400内の他の場所に配置される第2の回折格子サブパターン内のラインとすることができる。ライン402及び403の厚みt1は、ライン404及び405の厚みt2よりも厚く、ライン402及び403に関連付けられるデューティサイクルη1も、ライン404及び405に関連付けられるデューティサイクルη2よりも大きい。x方向に偏光され、ライン402〜405上に入射する光は、ライン404及び405によって閉じ込められる入射光の部分よりも相対的に長い時間にわたって、ライン402及び403によって閉じ込められるようになる。結果として、ライン402及び403から反射される光の部分は、ライン404及び405から反射される光の部分よりも大きな位相シフトを取得する。図4の例において示されるように、入射波408及び410は、概ね
同じ位相でライン402〜405に突き当たるが、ライン402及び403から反射される波412は、ライン404及び405から反射される波414によって取得される位相φ’よりも相対的に大きな位相シフトφを取得する(すなわち、φ>φ’)。
同じ位相でライン402〜405に突き当たるが、ライン402及び403から反射される波412は、ライン404及び405から反射される波414によって取得される位相φ’よりも相対的に大きな位相シフトφを取得する(すなわち、φ>φ’)。
図5は、本発明の1つ以上の実施形態による、反射した波面がいかに変化するかを明らかにするライン402〜405の断面図を示す。図5の例において示されるように、実質的に均一の波面502を有する入射光がライン402〜405に突き当たり、曲がった反射波面504を有する反射光を生成する。曲がった反射波面504は、入射波面502が相対的に大きなデューティサイクルη1及び厚みt1を有するライン402及び403と相互作用する部分、及び同じ入射波面502が相対的に小さなデューティサイクルη2及び厚みt2を有するライン404及び405と相互作用する部分に起因する。反射波面504の形状は、ライン404及び405に突き当たる光によって取得される小さな位相に対する、ライン402及び403に突き当たる光によって取得される大きな位相に一致する。
図6は、本発明の1つ以上の実施形態による、SWG602の特定の回折格子パターンによって生成される例示的な位相変化等高線図600の等角図を示す。等高線図600は、SWG602から反射された光によって取得される位相変化の大きさを表す。図6において示される例では、SWG602の回折格子パターンは、SWG602の中心付近において反射された光によって取得される位相の大きさが最も大きく、SWG602の中心から離れると、反射光によって取得される位相の大きさが減少する等高線図602を生成する。例えば、サブパターン604から反射された光はφ1の位相を取得し、サブパターン606から反射された光はφ2の位相を取得する。φ1はφ2よりもはるかに大きいので、サブパターン606から反射された光は、サブパターン608から反射された光よりもはるかに大きな位相を取得する。
位相変化は更に、SWGから反射された光の波面を形作る。例えば、図4及び図5を参照して上記で説明されたように、相対的に大きなデューティサイクルを有するラインは、相対的に小さなデューティサイクルを有するラインよりも、反射光内に大きな位相シフトを引き起こす。結果として、第1のデューティサイクルを有するラインから反射された波面の第1の部分は、相対的に小さな第2のデューティサイクルを有するように構成された異なる1組のラインから反射された同じ波面の第2の部分に遅れる。本発明の実施形態は、SWGが集光鏡のような特定の光学的特性を有する鏡として動作できるように、SWGのパターンを形成して、位相変化を、そして最終的には、反射波面の形状を制御することを含む。
図7は、本発明の1つ以上の実施形態による、集光鏡として動作するように構成されるSWG702の側面図を示す。図7の例において、SWG702は、x方向に偏光された入射光が反射され、その波面が反射光を焦点704において合焦させることに対応するような回折格子パターンを用いて構成される。
非周期的なサブ波長回折格子を構成する
本発明の実施形態は、回折格子層の各SWGを鏡として動作するように構成することができるいくつかの方法を含む。所望の波面を有する光を反射するようにSWGを構成するための第1の方法は、SWGの回折格子層のための反射係数プロファイルを求めることを含む。反射係数は、以下の式によって表される複素数値関数である。
ただし、R(λ)はSWGの反射率であり、φ(λ)はSWGによって引き起こされる位相シフト又は位相変化である。図8は、本発明の1つ以上の実施形態による、一例のSWGのための入射光波長の範囲にわたる反射率及び位相シフトのプロットを示す。この例では、回折格子層は、1次元回折格子を有するように構成され、回折格子層のラインに対して垂直に偏光された電界成分を有する垂直入射において動作する。図8の例では、約1.2μmから約2.0μmの波長範囲にわたる入射光の場合に、曲線802は反射率R(λ)に対応し、曲線804はSWGによって引き起こされる位相シフトφ(λ)に対応する。反射率及び位相曲線802及び804は、既知の有限要素法、又は厳密結合波解析のいずれかを用いて求めることができる。SWG及び空気の屈折率コントラストが強いことに起因して、SWGは、高い反射率806の広いスペクトル領域を有する。しかしながら、曲線804は、反射光の位相が、破線808と810との間の高反射率のスペクトル領域全体にわたって変動することを明らかにする。
本発明の実施形態は、回折格子層の各SWGを鏡として動作するように構成することができるいくつかの方法を含む。所望の波面を有する光を反射するようにSWGを構成するための第1の方法は、SWGの回折格子層のための反射係数プロファイルを求めることを含む。反射係数は、以下の式によって表される複素数値関数である。
ラインの周期及び幅の空間寸法がファクタαによって一様に変更されるとき、反射係数プロファイルは実質的に変更されないが、波長軸はファクタαによってスケーリングされる。言い換えると、回折格子が自由空間波長λ0において特定の反射係数R0を有するように設計されているとき、異なる波長λにおいて同じ反射係数を有する新たな回折格子は、周期、ライン厚及びライン幅のような全ての回折格子幾何パラメータにファクタα=λ/λ0を乗算し、r(λ)=r0(λ/α)=r0(λ0)を与えることによって設計することができる。
加えて、高反射率スペクトル窓806内で元の周期的回折格子のパラメータを不均一にスケーリングすることによって、|R(λ)|→1であるが、空間的に位相が変動するように回折格子を設計することができる。横方向座標(x,y)を用いて、SWG上の或る点から反射された光の部分に位相φ(x,y)を導入することが望まれると仮定する。徐々に変化する回折格子スケールファクタα(x,y)を有する不均一な回折格子が、点(x,y)付近において、反射係数R0(λ/α)を有する周期的回折格子であるかのように局所的に挙動する。したがって、或る波長λ0において位相φ0を有する周期的回折格子設計を考えると、局所的スケールファクタα(x,y)=λ/λ0を選択することによって、動作波長λにおいてφ(x,y)=φ0が与えられる。例えば、SWG設計において点(x,y)から反射された光の一部に約3πの位相を導入することが望まれるが、その点(x,y)のために選択されたライン幅及び周期が約πの位相を導入するものと仮定する。図8のプロットを再び参照すると、所望の位相φ0=3πは曲線804上の点812及び波長λ0≒1.67μm814に対応し、点(x,y)に関連付けられる位相πは、曲線804上の点816及び波長λ≒1.34μmに対応する。したがって、スケールファクタは、α(x,y)=λ/λ0=1.34/1.67=0.802であり、動作波長λ=1.34μmにおいて所望の位相φ0=3πを得るために、ファクタαを乗算することによって、点(x,y)におけるライン幅及び周期を調整することができる。
図8に示される反射率及び位相シフト対波長範囲のプロットは、SWGの特定の点から反射された光に特定の位相を導入するために、ライン幅、ライン厚及び周期のようなSWGのパラメータを求めることができる1つの方法を表す。他の実施形態では、SWGを構成するために、周期及びデューティサイクルの関数としての位相変動を用いることができる。図9は、本発明の1つ以上の実施形態による、SWGを構成するために用いることができる、周期及びデューティサイクルの関数としての位相変動の位相等高線プロットを示す。図9に示される等高線プロットは、既知の有限要素法又は厳密結合波解析のいずれかを用いて生成することができる。等高線901〜903のような等高線はそれぞれ、その等高線に沿ったいずれかの場所に位置する、或る周期及びデューティサイクルを有する回折格子パターンから反射した光によって取得される特定の位相に対応する。それらの位相等高線は、0.25πradだけ離隔される。例えば、等高線901は、反射光に−0.
25πradの位相を加える周期及びデューティサイクルに対応し、等高線902は、反射光に−0.5πradの位相を加える周期及びデューティサイクルに対応する。−0.25πradと−0.5πradとの間の位相が、等高線901と902との間に位置する、周期及びデューティサイクルを有するSWGから反射した光に加えられる。700nmの回折格子周期及び54%のデューティサイクルに対応する第1の点(p,η)904、及び660nmの回折格子周期及び60%のデューティサイクルに対応する第2の点(p,η)906はいずれも等高線901上に位置し、同じ位相シフト−0.25πを引き起こすが、異なるデューティサイクル及びライン周期間隔を有する。
25πradの位相を加える周期及びデューティサイクルに対応し、等高線902は、反射光に−0.5πradの位相を加える周期及びデューティサイクルに対応する。−0.25πradと−0.5πradとの間の位相が、等高線901と902との間に位置する、周期及びデューティサイクルを有するSWGから反射した光に加えられる。700nmの回折格子周期及び54%のデューティサイクルに対応する第1の点(p,η)904、及び660nmの回折格子周期及び60%のデューティサイクルに対応する第2の点(p,η)906はいずれも等高線901上に位置し、同じ位相シフト−0.25πを引き起こすが、異なるデューティサイクル及びライン周期間隔を有する。
図9は、位相等高線表面上に重なる、それぞれ95%及び98%反射率の場合の2つの反射率等高線も含む。破線の等高線908及び910は95%反射率に対応し、実線の等高線912及び914は、98%反射率に対応する。等高線908と910との間のいずれかの場所に位置する点(p,η,φ)は95%の最小反射率を有し、等高線912と914との間のいずれかの場所に位置する点(p,η,φ)は98%の最小反射率を有する。
次のサブセクションにおいて以下に説明されるように、位相等高線プロットによって表される点(p,η,φ)を用いて、最小反射率を有する特定のタイプの鏡として動作することができる回折格子のための周期及びデューティサイクルを選択することができる。言い換えると、図9の位相等高線プロットにおいて表されるデータを用いて、SWG光学デバイスを設計することができる。或る実施形態では、周期又はデューティサイクルを固定する一方、他のパラメータを変更して、SWGを設計し、作製することができる。他の実施形態では、周期及びデューティサイクルの両方を変更して、SWGを設計し、作製することができる。
或る実施形態では、回折格子層のSWGを、一定の周期及び可変のデューティサイクルを有する円筒鏡として動作するように構成することができる。図10Aは、本発明の1つ以上の実施形態による、回折格子層1002内に形成され、x方向に対して平行に偏光された入射光のための集光円筒鏡として動作するように構成される1次元SWG1000の平面図を示す。図10Aは、網掛け領域1004〜1007のような網掛け領域を含み、各網掛け領域は異なるデューティサイクルを表しており、領域1004のような濃い網掛け領域は、領域1007のような薄い網掛け領域よりも相対的に大きさデューティサイクルを有する領域を表す。また、図10Aは、サブ領域の拡大図1010〜1012も含み、それらの拡大図は、それらのラインがy方向において平行であり、ライン周期間隔pがx方向において一定であるか、又は固定されていることを明らかにする。また、拡大図1010〜1012は、デューティサイクルηが中央から離れると減少することも明らかにする。SWG1000は、図7を参照して上記で説明されたように、x方向に偏光された反射光を焦点に合焦させるように構成される。また、図10Aは、焦点における反射ビームプロファイルの等高線プロットである等角図1008及び平面図1010の例も含む。V軸1012はy方向に対して平行であり、反射ビームの垂直成分を表し、H軸1014はx方向に対して平行であり、反射ビームの水平成分を表す。反射ビームプロファイル1008及び1010は、x方向に偏光された入射光の場合、SWG1000は、ラインに対して垂直な方向(「H」又はx方向)において狭く、ラインに対して平行な方向(「V」又はy方向)において広いガウス形状ビームを反射することを示す。
或る実施形態では、SWGの中心から離れた回折格子層のラインにテーパーを付けることによって、一定の周期を有するSWGを、入射偏光のための球面鏡として動作するように構成することができる。図10Bは、本発明の1つ以上の実施形態による、回折格子層1022内に形成され、x方向に偏光された入射光のための集光球面鏡として動作するように構成される1次元SWG1020の平面図を示す。SWG1020は、円形の鏡径を
画定する。SWG1020の回折格子パターンは、環状の網掛け領域1024〜1027によって表される。各網掛け環状領域は、ラインの異なる回折格子サブパターンを表す。拡大図1030〜1033は、ラインがy方向においてテーパーを付けられ、x方向において一定のライン周期間隔pを有することを明らかにする。詳細には、拡大図1030〜1032は、y方向において破線基準線1036に対して平行に延在する同じラインの拡大図である。拡大図1030〜1032は、周期pが固定されていることを示す。各環状領域は、同じデューティサイクルηを有する。例えば、拡大図1031〜1033は、実質的に同じデューティサイクルを有する環状領域1026内の異なるラインの部分を含む。結果として、環状領域の各部分は、環状領域から反射した光に概ね同じ位相シフトを与える。例えば、環状領域1026内のいずれかの場所から反射した光は、実質的に同じ位相シフトφを取得する。図10Bは、焦点における反射ビームプロファイルの等高線プロットである等角図1038及び平面図1039の例も含む。ビームプロファイル1038及び1039は、球形SWG1020がSWG1000の反射ビームよりもV方向又はx方向において狭い対称なガウス形反射ビームを生成することを明らかにする。
画定する。SWG1020の回折格子パターンは、環状の網掛け領域1024〜1027によって表される。各網掛け環状領域は、ラインの異なる回折格子サブパターンを表す。拡大図1030〜1033は、ラインがy方向においてテーパーを付けられ、x方向において一定のライン周期間隔pを有することを明らかにする。詳細には、拡大図1030〜1032は、y方向において破線基準線1036に対して平行に延在する同じラインの拡大図である。拡大図1030〜1032は、周期pが固定されていることを示す。各環状領域は、同じデューティサイクルηを有する。例えば、拡大図1031〜1033は、実質的に同じデューティサイクルを有する環状領域1026内の異なるラインの部分を含む。結果として、環状領域の各部分は、環状領域から反射した光に概ね同じ位相シフトを与える。例えば、環状領域1026内のいずれかの場所から反射した光は、実質的に同じ位相シフトφを取得する。図10Bは、焦点における反射ビームプロファイルの等高線プロットである等角図1038及び平面図1039の例も含む。ビームプロファイル1038及び1039は、球形SWG1020がSWG1000の反射ビームよりもV方向又はx方向において狭い対称なガウス形反射ビームを生成することを明らかにする。
SWG1000及び1020は、本発明の1つ以上の実施形態に従って構成することができる回折格子層の2つのみ又は多数の異なる種類のSWGを表す。回折格子層の各SWGは、異なる反射特性を有するように構成することができる。
レーザ動作及び共振器構成
VCSELアレイの各VCSELは同じように動作するので、VCSELアレイ100の1つのVCSELのみの動作が説明される。図11A及び図11Bは、本発明の1つ以上の実施形態に従って動作するVCSELアレイ100の1つの空洞共振器の断面図を示す。図11Aに示されるように、電極114及び108が、発光層102を電子的にポンピングするために用いられる電圧源1102に電子的に結合される。図11Aは、SWG1106の一部、空隙1108、発光層102の一部及びDBR104の一部の拡大図1104を含む。SWG1106は、SWG132〜135のうちの1つを表す。VCSELアレイ100にバイアスがかけられないとき、QW210は、対応する伝導帯内に相対的に低い濃度の電子、及び対応する価電子帯内に相対的に低い濃度の空電子状態、すなわち、正孔を有し、発光層102から光はほとんど放射されない。一方、VCSELアレイ100の層に順方向バイアスがかけられるとき、QW210の伝導帯内に電子が注入され、一方、QW210の価電子帯内に正孔が注入され、反転分布と呼ばれるプロセスにおいて、過剰な伝導帯電子及び過剰な価電子帯正孔を生成する。「電子−正孔再結合」又は「再結合」と呼ばれる放射プロセスにおいて、伝導帯内の電子は価電子帯内の正孔と自発的に再結合する。電子及び正孔が再結合するとき、最初に、或る波長範囲にわたって全ての方向において光が放射される。順バイアス方向において、適切な動作電圧が印加される限り、QW210において電子及び正孔反転分布が保持され、電子が正孔と自発的に再結合し、ほぼ全ての方向において光を放射することができる。
VCSELアレイの各VCSELは同じように動作するので、VCSELアレイ100の1つのVCSELのみの動作が説明される。図11A及び図11Bは、本発明の1つ以上の実施形態に従って動作するVCSELアレイ100の1つの空洞共振器の断面図を示す。図11Aに示されるように、電極114及び108が、発光層102を電子的にポンピングするために用いられる電圧源1102に電子的に結合される。図11Aは、SWG1106の一部、空隙1108、発光層102の一部及びDBR104の一部の拡大図1104を含む。SWG1106は、SWG132〜135のうちの1つを表す。VCSELアレイ100にバイアスがかけられないとき、QW210は、対応する伝導帯内に相対的に低い濃度の電子、及び対応する価電子帯内に相対的に低い濃度の空電子状態、すなわち、正孔を有し、発光層102から光はほとんど放射されない。一方、VCSELアレイ100の層に順方向バイアスがかけられるとき、QW210の伝導帯内に電子が注入され、一方、QW210の価電子帯内に正孔が注入され、反転分布と呼ばれるプロセスにおいて、過剰な伝導帯電子及び過剰な価電子帯正孔を生成する。「電子−正孔再結合」又は「再結合」と呼ばれる放射プロセスにおいて、伝導帯内の電子は価電子帯内の正孔と自発的に再結合する。電子及び正孔が再結合するとき、最初に、或る波長範囲にわたって全ての方向において光が放射される。順バイアス方向において、適切な動作電圧が印加される限り、QW210において電子及び正孔反転分布が保持され、電子が正孔と自発的に再結合し、ほぼ全ての方向において光を放射することができる。
上記のように、SWG1106及びDBR104は、矢印1108によって示されるように、発光層102に対して実質的に垂直に、狭い波長範囲にわたって放射される光を反射して、発光層102の中に戻す共振器を形成するように構成することができる。反射してQW210の中に戻された光は、連鎖反応において、QW210から更なる光の放射を誘導する。発光層102は最初に自然放出によって或る範囲の波長にわたって光を放射するが、SWG1106は波長λiを選択して反射し、発光層102の中に戻して、誘導放出を引き起こすことに留意されたい。ただし、iは1、2、3又は4に等しい。この波長は、縦モード、軸モード、又はz軸モードと呼ばれる。経時的に、利得が縦モードによって飽和状態になり、縦モードが、発光層102からの光放射を支配し始め、他の縦モードは消滅する(decay)。言い換えると、SWG1106とDBR104との間で反射して
往復しない光は、共振器によってサポートされる縦モードが支配し始めるのに応じて、感
知できるほど増幅されることなくVCSELアレイ100から漏出し、最終的には消滅する。図11Bに示されるように、SWG1106とDBR104との間で反射した支配的な縦モードは、発光層102を横切って往復するのに応じて増幅され、定在波1110を生成し、その定在波はSWG1106内で終端し、DBR104の中に延在する。最終的に、SWG1106から、波長λiを有する実質的にコヒーレントな光ビーム1112が現れる。発光層102から放射される光は、DBR104及びSWG1106に入り込み、共振器内の光の往復位相への寄与を加える。DBR104及びSWG1106は、空間をシフトして実効的な追加位相シフトを与える完全な鏡と考えることができる。
往復しない光は、共振器によってサポートされる縦モードが支配し始めるのに応じて、感
知できるほど増幅されることなくVCSELアレイ100から漏出し、最終的には消滅する。図11Bに示されるように、SWG1106とDBR104との間で反射した支配的な縦モードは、発光層102を横切って往復するのに応じて増幅され、定在波1110を生成し、その定在波はSWG1106内で終端し、DBR104の中に延在する。最終的に、SWG1106から、波長λiを有する実質的にコヒーレントな光ビーム1112が現れる。発光層102から放射される光は、DBR104及びSWG1106に入り込み、共振器内の光の往復位相への寄与を加える。DBR104及びSWG1106は、空間をシフトして実効的な追加位相シフトを与える完全な鏡と考えることができる。
VCSELアレイの各SWGは、発光層102から放射される異なる縦モードの光を選択するように構成することができる。図12は、本発明の1つ以上の実施形態による、波長λを中心にして発光層102から放射される光の輝度又は利得プロファイル1204の一例のプロット1202を示す。図12は、4つの異なる単一共振器モードの一例のプロット1206を含み、各単一共振器モードは異なるVCSELのVCSELアレイ100に関連付けられる。例えば、プロット1206内のピークは、単一縦共振器モードλ1、λ2、λ3及びλ4を表し、それはSWG132〜135及びDBR104によってそれぞれ形成される4つの共振器に関連付けられる。発光層102は、輝度プロファイル1204によって表される広範囲の波長を放射して利用できるようにし、各VCSELに関連付けられる共振器は、そのプロファイルから、プロット1206において表される縦単一共振器モードのうちの1つを選択する。各縦モードは、関連するVCSELの共振器内で増幅され、図11を参照して上記で説明されたように放射される。例えば、プロット1208は、VCSELアレイ100の4つのVCSELから放射される波長の輝度プロファイルを示す。プロット1208において示されるように、各縦モードは実質的に同じ輝度で放射することができる。
VCSELアレイはVCSEL毎に異なる波長を放射するように示されるが、本発明の実施形態は、そのように限定されることを意図していないことに留意されたい。他の実施形態では、VCSELアレイの全てのVCSELを含む、VCSELの任意の組み合わせを、同じ波長を放射するように構成することができる。
先行するサブセクション「非周期的なサブ波長回折格子を構成する」において上記で説明されたように、回折格子層の各SWGは、内部縦共振器モード又は内部z軸共振器モードを実現し、凹面鏡として動作するように構成することができる。図13は、本発明の1つ以上の実施形態による、VCSELアレイ100内のVCSELの空洞共振器の構成を概略的に表す平凹共振器1302を示す。平凹共振器1302は、平面鏡1304及び凹面鏡1306を含む。VCSELアレイ100のDBR104は、平面鏡1304に対応し、SWG1106は、上記のように、SWG1106とDBR104との間の発光層102の領域内で光が集中するように光を反射する凹面鏡として動作するように構成することができる。例えば、SWG1106は、図10A及び図10Bにおいて表される輝度プロファイルの光を反射するように構成することができる。
VCSELアレイのVCSELはそれぞれ、異なる偏光共振器モードを放射するように構成することができる。例えば、或るVCSELは、種々の方向に偏光された光を放射するように構成することができ、一方、他のVCSELは無偏光の光を放射するように構成することができる。先行するサブセクション「非周期的なサブ波長回折格子を構成する」において上記で説明されたように、SWGのライン及び溝に対して実質的に垂直に偏光された光を反射するようにSWGを構成することができる。言い換えると、空洞共振器のSWGは、発光層から放射される光のうち、特定の偏光を有する成分を選択する。発光層から放射される光の偏光成分は、SWGによって選択され、反射して共振器内に戻される。利得が飽和状態になるとき、SWGによって選択された偏光を有する縦モードのみが増幅
される。SWGによって選択されない発光層から放射される縦モードは、感知できるほど増幅されることなくVCSELアレイ100から漏出する。言い換えると、SWGによって選択された偏光以外の偏光を有するモードは消滅し、共振器によって増幅されない。最終的に、SWGによって選択された方向に偏光されたモードのみがVCSElアレイから放射される。
される。SWGによって選択されない発光層から放射される縦モードは、感知できるほど増幅されることなくVCSELアレイ100から漏出する。言い換えると、SWGによって選択された偏光以外の偏光を有するモードは消滅し、共振器によって増幅されない。最終的に、SWGによって選択された方向に偏光されたモードのみがVCSElアレイから放射される。
図14は、本発明の1つ以上の実施形態による、VCSELアレイ100の1つのVCSELから放射される偏光された光の一例を示す。発光層102から放射される光は偏光されない。しかしながら、経時的に、利得が飽和するのに応じて、SWG132によって1つの偏光状態が選択される。VCSELアレイ100内からSWG132上に入射する両方向矢印1402は、SWG132によって選択された偏光状態を表す。SWG132は、上記のように、y方向に対して平行に延在するライン及び溝を有するように構成することができる。図14の例では、SWG132は、x方向に偏光された、発光層102から放射された縦モードのみを選択する。偏光された光は、図11を参照して上記で説明されたように、SWG132及びDBR104によって形成された共振器内で増幅される。図14の例において示されるように、SWG132を通して放射される光は、両方向矢印1404によって表されるように、x方向に偏光される。
z方向に沿って共振器によってサポートされる定在波に対応する、振動の特定の縦モード又は軸モードをサポートすることに加えて、各共振器によって横モードもサポートすることができる。横モードは共振器又はz軸に対して垂直であり、TEMnmモードとして知られる。ただし、m及びnの下付き文字は、出現するビームを横切るx及びy方向における横方向の節線の整数である。言い換えると、共振器内で形成されるビームは、その断面において、1つ以上の領域に分割することができる。SWGは、1つ又は特定の横モードのみをサポートするように構成することができる。
図14は、本発明の1つ以上の実施形態による、SWG1408及びDBR104によって形成される共振器1406内で生成される2つの横モードの一例も示す。SWG1408は、SWG132〜135のうちのいずれか1つを表すことができる。上記のように、SWG1408は、共振器のサイズを画定するように構成することができる。図14に示されるように、TEM00モードは、破線の曲線1410によって表され、TEM10モードは、実線の曲線1412によって表される。TEM00モードは節を有さず、完全に共振器1406内に存在する。一方、TEM10モードは、x方向において1つの節を有し、部分1414及び1416が共振器1406の外側に存在する。結果として、利得飽和中に、TEM00モードは、共振器1406内に完全に存在するので増幅される。しかしながら、TEM10モードの一部は共振器1406の外側に存在するので、利得飽和中にTEM10モードは減少し、最終的には消滅するが、TEM00モードは増幅し続ける。共振器1406によってサポートすることができないか、又は共振器1406内に完全には存在することができない他のTEMmnモードも消滅する。
図14は、本発明の1つ以上の実施形態による、VCSELアレイ100の1つのVCSELから放射されるTEM00の輝度プロファイルの等高線プロット1418を示す。TEM00は、ほぼ平坦なコヒーレントな波面を有し、かつ等高線プロット1418によって表されるガウス横方向放射照度プロファイルを有するように、SWG133から現れる。輝度プロファイルはz軸について対称である。外部TEM00モードは内部TEM00モードに対応しており、図10Bを参照して上記で説明されたような球面鏡として動作するように構成されるSWG133によって生成することができる。他の実施形態では、SWG133は、図10Aを参照して上記で説明されたように、SWG133のラインに対して垂直な方向(x方向)において狭く、SWG133のラインに対して平行な方向(y方向)において広い最低次の横モードTEM00を生成する円筒鏡として動作するよう
に構成することができる。ファイバのコアがSWG133に極めて近接して位置するようにファイバを配置することによって、TEM00モードは光ファイバのコアに結合することができる。また、SWG133は、中空導波路のEH11モードのような、中空導波路内に結合するのに適している横モードを放射するように構成することもできる。
に構成することができる。ファイバのコアがSWG133に極めて近接して位置するようにファイバを配置することによって、TEM00モードは光ファイバのコアに結合することができる。また、SWG133は、中空導波路のEH11モードのような、中空導波路内に結合するのに適している横モードを放射するように構成することもできる。
SWGは、特定の輝度プロファイルパターンを有する光ビームを生成するように構成することができる。図14は、VCSELから放射される光ビームの一例の断面図1420を示す。断面図1420は、ビームの長さに沿って、ドーナツ形の輝度プロファイルを有する光ビームを明らかにする。線1414に沿った放射ビームの輝度プロファイルは、円筒形ビームを明らかにする。SWGは、エアリービーム又はベッセルビームプロファイルのような、他の種類の断面ビームパターンを生成するように構成することもできる。
図1及び図2に戻ると、絶縁層110は電流及び光の閉じ込めを提供するように構成される。しかしながら、図13を参照して上記で説明されたように、SWGとDBRとの間に位置する発光層の領域に反射光を閉じ込めるように、SWGを構成することができるので、本発明のVCSELアレイ実施形態は絶縁層110を含むことには限定されない。図15A及び図15Bは、本発明の1つ以上の実施形態に従って構成される一例のVCSELアレイ1500の等角図及び線B−Bに沿った断面図を示す。VCSELアレイ100の絶縁層110がVCSELアレイ1500では存在しないことを除いて、VCSELアレイ1500はVCSELアレイ100に類似している。代わりに、回折格子層112の各SWGが、SWGとDBR104との間に位置する発光層102の領域内に反射光を誘導するように構成される。
本発明の実施形態に従って構成されるVCSELの高さ及び共振器長は、2つのDBRを用いて構成される従来のVCSELの高さ及び共振器長よりも著しく短いことに留意されたい。例えば、通常のVCSEL DBRは、いずれかの場所に、約5μm〜約6μmに相当する約15〜約40のDBR対を有し、一方、SWGは約0.2μm〜約0.3μmの範囲の厚みを有し、同等又はより高い反射率を有する。
本発明の更に別の実施形態では、2つの回折格子層を用いることによって、VCSELアレイの高さを更に低くすることができる。図16A及び図16Bは、本発明の1つ以上の実施形態に従って構成される一例のVCSELアレイ1600の等角図及び線C−Cに沿った断面図を示す。DBR104が第2の回折格子層1602で置き換えられることを除いて、VCSELアレイ1600はVCSELアレイ100に類似している。図16Bに示されるように、回折格子層112及び1602のSWGは空洞共振器を形成するように位置合わせされる。例えば、SWG132及び1604が空洞共振器を形成する。回折格子層1602のSWGは、1次元又は2次元の回折格子パターンを有し、上記の回折格子層112のSWGと同様に動作するように構成することができる。回折格子層のSWG対は、球形共振器として動作し、反射光を発光層102の領域内に誘導するように構成することができるので、絶縁層110が不要になる可能性がある。
本発明の実施形態は、VCSELアレイの各VCSELから出力される光の波長を導波路内に伝搬させるためのレーザシステムを含む。図17は、本発明の1つ以上の実施形態に従って構成される一例のレーザシステム1700の等角図を示す。システム1700は、7つのVCSEL1702〜1708を含むモノリシックVCSELアレイ1701と、7つの導波路1712〜1718を含む多導波路ファイバ(multiple waveguide fiber)1710とを含む。図17の例において示されるように、7つのVCSEL1702〜1708は、導波路1712〜1718の構成と一致するように配置され、矢印によって示されるように、各VCSELから放射される光が導波路の中に直接結合できるようにする。例えば、その導波路は光ファイバの単一モードコアとすることができ、VCSEL1
702〜1708は、対応するコアに直接結合する、図14を参照して上記で説明されたような、TEM00のような単一モードを出力するように構成することができる。
702〜1708は、対応するコアに直接結合する、図14を参照して上記で説明されたような、TEM00のような単一モードを出力するように構成することができる。
或る特定の実施形態において、ファイバ1710はフォトニック結晶ファイバとすることができる。図17は、7つのコア1714を含むフォトニック結晶ファイバ1712の平面図を含む。各コアは、ファイバの長さに及ぶ中空のチューブ1715によって包囲される。中空のチューブ1715は、より高次の屈折率コア1714に光を閉じ込めるクラッディング層としての役割を果たす。光をファイバ1712のコアの中に結合するために、VCSEL1702〜1708がファイバ1712のコア1714と位置合わせされるように、VCSELアレイ1701を構成することができる。
他の実施形態では、VCSELアレイによって生成される光を搬送するために、フォトニック結晶ファイバを用いるのではなく、VCSELが中空導波路によってサポートされるモードと一致する光のモードを出力するように構成されることを条件として、一群の中空導波路を用いることもできる。
本発明を十分に理解してもらうために、説明の便宜上、これまでの説明は特有の用語を使用した。しかしながら、本発明を実施するために、具体的な細部が不要であることは当業者には明らかであろう。本発明の具体的な実施形態のこれまでの説明は、例示し、説明するために提示された。それらの実施形態は、本発明を網羅することも、本発明を開示されるのと全く同じ形に限定することも意図していない。上記の教示に鑑みて、明らかに、数多くの変更及び変形が可能である。それらの実施形態は、本発明の原理及びその実用的な応用例を最もわかりやすく説明し、それにより、意図した特定の用途に相応しいように種々の変更を加えながら、当業者が本発明及び種々の実施形態を最大限に利用できるようにするために、図示及び説明された。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲及びその均等物によって規定されることが意図されている。
Claims (15)
- モノリシック面発光レーザアレイであって、
反射層と、
発光層(102)と、
2つ以上の非周期的なサブ波長回折格子を用いて構成される回折格子層(112)と
を備えてなり、各回折格子は前記反射体とともに空洞共振器を形成するように構成され、各回折格子は、1つ以上の内部共振器モードを実現し、かつ前記回折格子を通って放射される1つ以上の外部横モードを実現する回折格子パターンを用いて構成される、モノリシック面発光レーザアレイ。 - 前記反射層上に配置される基板(106)と、
前記基板上に配置される第1の電極(108)と、
前記回折格子層上に配置される第2の電極(114)であって、該第2の電極は2つ以上の開口部を有するように構成され、各開口部は前記2つ以上のサブ波長回折格子のうちの1つを露出させるように構成される、第2の電極(114)と
を更に備える、請求項1に記載のレーザアレイ。 - 前記反射層は分布ブラッグ反射体(104)を更に備える、請求項1に記載のレーザアレイ。
- 前記反射層は、2つ以上の非周期的なサブ波長回折格子(1604)を用いて構成される第2の回折格子層(1602)を更に備えており、該第2の回折格子層内の各サブ波長回折格子は、前記回折格子層内の1つのサブ波長回折格子又は前記2つ以上のサブ波長回折格子と位置合わせされる、請求項1に記載のレーザアレイ。
- 前記回折格子パターンは溝(300)によって分離されるラインの1次元パターンを更に備える、請求項1又は4に記載のレーザアレイ。
- 前記回折格子パターンは2次元回折格子パターンを備える、請求項1又は4に記載のレーザアレイ。
- 各サブ波長回折格子は、該サブ波長回折格子と前記発光層との間に空隙(216、217)を形成する、浮いた状態で支持される膜(132、133)を更に備える、請求項1に記載のレーザアレイ。
- 前記発光層と前記回折格子層との間に配置される絶縁層(110)を更に備え、電流を閉じ込めるとともに前記発光層から放射される光を光学的に閉じ込めるための、前記サブ波長回折格子と位置合わせされる2つ以上の開口部(126〜128)を含む、請求項1に記載のレーザアレイ。
- 各空洞共振器内で増幅され、該空洞共振器から放射される光は、対応する各サブ波長回折格子の回折格子パターンに基づいて偏光されるか又は偏光されない、請求項1に記載のレーザアレイ。
- 前記回折格子層の2つ以上のサブ波長回折格子は、単一モードの光を放射するための単一モード空洞共振器を形成するように構成される、請求項1に記載のレーザアレイ。
- 1つ以上の内部共振器モードを実現する回折格子パターンを用いて構成される各サブ波長回折格子は、結果としてドーナツ形の輝度断面を有する光ビームを生成する回折格子パ
ターンを更に備える、請求項1に記載のレーザアレイ。 - 1つ以上の前記サブ波長回折格子は、前記反射体を用いる半球形共振器(1302)を形成するように構成することができる、請求項1に記載のレーザアレイ。
- レーザシステム(1700)であって、
請求項1に従って構成される2つ以上の面発光層を含むモノリシック面発光レーザアレイ(1701)と、
多導波路ファイバ(1710)と
を備えており、各面発光層から放射される光が対応する導波路の中に結合され、該導波路によって伝搬されるように、各導波路は前記レーザアレイの面発光レーザと位置合わせされる、レーザシステム。 - 前記多導波路ファイバは、複数のコア(1714)を有するように構成されるフォトニック結晶ファイバ(1710)を更に備え、各コアは前記レーザアレイの面発光レーザと位置合わせされる、請求項13に記載のレーザシステム。
- 前記多導波路ファイバは一群の中空導波路を更に備え、各中空導波路は前記レーザアレイの面発光レーザと位置合わせされる、請求項13に記載のレーザシステム。
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