JPH0499292A - 電気接合面の処理方法 - Google Patents

電気接合面の処理方法

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JPH0499292A
JPH0499292A JP2212249A JP21224990A JPH0499292A JP H0499292 A JPH0499292 A JP H0499292A JP 2212249 A JP2212249 A JP 2212249A JP 21224990 A JP21224990 A JP 21224990A JP H0499292 A JPH0499292 A JP H0499292A
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wire bonding
bonding
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JP2212249A
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Yoshimitsu Nakamura
良光 中村
Toru Kuwata
桑田　亨
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電気的接触を良好にするための表面清浄化
等の目的で接点部の表面やその周囲表面に付着した有機
物を除去したり、接合信頼性を向上させるための表面清
浄化等の目的で電子部品のワイヤボンディング部に付着
した有機物を除去するなどの電気接合面の処理方法に関
する。
〔従来の技術〕
接点部の表面にごみ、はこりや油等の汚れが付着してい
ると接点の接触抵抗が増大する。また、電子部品のワイ
ヤボンディング部では、Ａｕペースト中に含まれるバイ
ンダーとしてのエポキシ成分が加熱硬化時に電子部品周
辺のＣｕ基板上に飛散付着してワイヤボンディングの接
合信頼性を損なうおそれがあった。そこで、従来、接点
部の表面やワイヤボンディング部の表面に付着した有機
物をフロン等の化学薬品を用いて洗浄除去することが行
われていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、化学薬品による洗浄は、廃液の処理にコストが
かかることと、化学薬品の使用自体が公害発生の原因に
なると言う問題を有していた。そのため、化学薬品を用
いないで有機物の除去を行うことが望まれていた。
このような事情に鑑みて、この発明は、接点部やワイヤ
ボンディング部などの表面に付着した有機物を、化学薬
品を用いないで除去する方法を提供することを課題とす
る。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決するため、この発明にかがる、接点部の
表面やワイヤボンディング部の表面などの電気接合面の
有機物除去方法は、前記表面に紫外線光を照射して前記
表面から有機物を除去するようにする。この場合、紫外
線光としてレーザを用いることが好ましく、エキシマレ
ーザを用いることがより好ましい。レーザは、照射エネ
ルギーが高いので有機物の除去を効率的に行うとともに
、照射範囲を絞り易いので細部に付着した有機物の除去
も容易とするからである。特に、エキシマレーザは、た
とえば、有機物に対する加工に必要なエネルギー密度が
０．５〜ＬＪ／ｃｄであるのに対して金属加工に必要な
エネルギー密度が５〜５０Ｊ／ｃｆｌｌであるというよ
うに、はとんどの有機物はＩＪｌａａ以下のエネルギー
密度で分解除去（アフレーション）できるが、電気接合
面の金属はこの程度のエネルギー密度では全く傷を受け
ない。そこで、このエネルギー密度の差を利用して、両
者の中間エネルギー密度くたとえば３Ｊ／ｃＩＩりのエ
キシマレーザを接点部やワイヤボンディング部の表面に
照射するようにすることで、金属部分を傷めることなく
、その表面に付着した有機物のみを除去することができ
るのである。
なお、この発明による紫外線光照射は、電気接合面に対
し直ちに行ってもよいが、電気接合面をまず水などの溶
剤で粗洗浄して、ごみやほこりと言った大きなものを除
去しておき、その後、電気接合面に残る分子オーダの厚
さの有機物膜を紫外線光照射で除去するようにするのが
、効率的である。
〔作　　　用〕
電気接合面の有機物は、接点の接触抵抗を増大させたり
、ワイヤボンディングの接合信頼性を損なったりするが
、この有機物に紫外線光を照射すると、これを分解除去
することができる。
〔実　施　例〕
以下に、この発明にかかる電気接合面の有機物除去方法
の実施例を詳しく説明する。
第１図ないし第３図は接点部を例とする電気接合面を示
し、フープ材１が第１図の矢印にみる方向に送られてい
る。このフープ材１には端子板となる部分２がすでに加
工形成されていて、ここには接点３が予め取りつけられ
ている。この接点３の表面やその周囲の端子板となる部
分２表面には油等の有機物が付着しているので、このフ
ープ材１を矢印方向に送りつつ、その上方から一点鎖線
で示す範囲でレーザビーム１０を照射して１ブロツクの
被処理部を一度に表面処理するようにする。この処理は
、勿論、１ブロツク内の個々の接点部に対して個別に行
っても良い。
第２図にみるように、フープ材１に予め樹脂成形部４が
一体形成されている場合には、レーザビーム１０により
、この樹脂成形部４が傷められてはいけないので、フー
プ材１の上方にマスクプレート１１を配置し、その透過
孔１１１を通ったレーザビーム１０１のみを接点３およ
びその周囲に照射する絞り照射を行うのが良い。第３図
は、レーザビームによる表面処理部の拡大断面で示して
いる。端子板となる部分２はＣｕ系合金などで出来てお
り、接点３と同じ金属であるため、レーザビーム１０１
が照射されても良い。すなわち、加工しきい値の低い樹
脂成形部４のみを第３図にみるようにマスキングしてや
れば良いのである。この場合には、絞り位置のずれが生
じないように、フープ材１は連続送りでなくピンチ送り
するようにするのが良い。そして、フープ材ｌの位置決
めとレーザ１０の発振を同期させるようにするのが良い
。
第４図は電気接合面としてのワイヤボンディング部を示
している。図にみるように、絶縁基板５の表面には、Ａ
ｕペースト６によって電子部品７が固定されている。電
子部品７の近辺にはポンディングパッド８が臨んでいて
、電子部品７のＡＩ電極７１とポンディングパッド８の
間がワイヤボンディング９で接続されている。そして、
このようなワイヤボンディングを得るに当たっては、電
子部品７をＡｕペースト６で固定するためにＡｕペース
ト６を加熱硬化させたときに、これに含まれていたエポ
キシ成分がポンディングパッド８上に飛散付着している
ことがあるため、そのままでワイヤボンディングを行っ
ては接続信頼性に欠けるので、第５図にみるように、ワ
イヤボンディング部の上方にマスクプレート１２を配置
してレーザビーム１０を照射するようにするのである。
マスクプレート１２は、その中央部分１２１が電子部品
７を覆っているので、レーザビーム１０が電子部品７に
当たることを防く。マスクプレート１２の穴１２２を通
過したレーザビーム１０１が、絶縁基板５表面のポンデ
ィングパフド８が配置されているボンディングエリア８
０に当たり、その金属表面から有機物（エポキシ成分）
を分解除去（アブレーション）する。
この発明の対象となる金属部分は、接点部やワイヤボン
ディング部に限らない。
〔発明の効果〕
この発明によれば、電気接合面に紫外線光を照射するだ
けで、その表面に付着した有機物を効果的に除去するこ
とができ、面を奇麗に露出させることができる。そのた
めに、接点の接触抵抗を安定させたり、ワイヤボンディ
ングの接続信頼性を向上させたりする等の効果を得るこ
とができる。
しかも、この表面処理を、化学薬品を用いることなく行
うことが出来るため、処理コストの低減を図るとともに
公害防止に顕著な効果を奏することが出来る。そして、
この処理によって電気接合面は損なわれない。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例であって接点部の有機物除
去処理を示す斜視図、第２図は同処理の別の実施例を示
す斜視図、第３図は第２図の部分的拡大側面図、第４図
はワイヤボンディング部を示す断面図、第５図はこのワ
イヤボンディング部に対する有機物除去処理の実施例を
表す斜視図である。 １・・・フープ材、２・・・端子板となる部分、３・・
・接点、４・・・樹脂成形部、５・・・絶縁基板、６・
・・Ａｕペースト、７・・・電子部品、８・・・ポンデ
ィングパフド、９・・・ワイヤボンディング、１０・・
・レーザビーム代理人　弁理士　　松　本　武　彦 第１図 第４図 第　３図 第５図 １箇饋呼甫正書泪発） 平成３年

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １　電気接合部の表面に紫外線光を照射して前記表面か
    ら有機物を除去することを特徴とする電気接合面の処理
    方法。
JP2212249A 1990-08-10 1990-08-10 電気接合面の処理方法 Pending JPH0499292A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006007321A (ja) * 2004-05-28 2006-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 接合装置及び接合方法
CN111885857A (zh) * 2020-08-25 2020-11-03 景旺电子科技(珠海)有限公司 印刷电路板的制作方法及印刷电路板

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006007321A (ja) * 2004-05-28 2006-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 接合装置及び接合方法
JP4584031B2 (ja) * 2004-05-28 2010-11-17 パナソニック株式会社 接合装置及び接合方法
CN111885857A (zh) * 2020-08-25 2020-11-03 景旺电子科技(珠海)有限公司 印刷电路板的制作方法及印刷电路板

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