JP2792650B2 - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents
多層回路基板の製造方法Info
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- JP2792650B2 JP2792650B2 JP63013995A JP1399588A JP2792650B2 JP 2792650 B2 JP2792650 B2 JP 2792650B2 JP 63013995 A JP63013995 A JP 63013995A JP 1399588 A JP1399588 A JP 1399588A JP 2792650 B2 JP2792650 B2 JP 2792650B2
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- conductor layer
- laser beam
- layer
- circuit board
- multilayer circuit
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、多層回路基板の製造方法に関し、特にそ
のバイアホールの形成に関するものである。
のバイアホールの形成に関するものである。
〔従来の技術〕 第２図は特開昭59−84594号公報に記載された従来の
多層回路基板の製造方法を示す断面工程図であり、図に
おいて、２は第１の導体層、３は絶縁層でこの場合には
ポリイミドを用いている。４は第２の導体層でレーザビ
ーム照射用に絶縁層３の露出した窓６を設けておく。こ
こで第１の導体層２と第２の導体層４の材質は銅を用い
ており、絶縁層３にはポリイミドを用いている。５はレ
ーザビームでこの場合にはＱスイッチNd:YAGレーザビー
ムを用いている。
多層回路基板の製造方法を示す断面工程図であり、図に
おいて、２は第１の導体層、３は絶縁層でこの場合には
ポリイミドを用いている。４は第２の導体層でレーザビ
ーム照射用に絶縁層３の露出した窓６を設けておく。こ
こで第１の導体層２と第２の導体層４の材質は銅を用い
ており、絶縁層３にはポリイミドを用いている。５はレ
ーザビームでこの場合にはＱスイッチNd:YAGレーザビー
ムを用いている。
次に製造工程について説明する。
まず第２図（ａ）において、窓６を通して絶縁層３に
レーザビーム５照射するとレーザビーム５が照射された
絶縁層３は炭化し、言い換えれば導電体７化し、第１の
導体層２と第２の導体層４の電気的接続が形成される。
レーザビーム５照射するとレーザビーム５が照射された
絶縁層３は炭化し、言い換えれば導電体７化し、第１の
導体層２と第２の導体層４の電気的接続が形成される。
〔発明が解決しようとする課題〕 従来の多層回路基板の製造方法は以上のように構成さ
れており、第１の導体層と第１の導体層の電気的接続部
は金属／炭化物／金属の構成となっており、金属／金属
の構成と比較して接触抵抗が増加するという問題点があ
った。さらに、ポリイミド等の有機物絶縁層のレーザビ
ームの照射によって形成される炭化物は粒子相互の結合
力が弱く、経時的に接触抵抗が変化しやすく、電気的な
断線に至る場合もあるという問題点があった。
れており、第１の導体層と第１の導体層の電気的接続部
は金属／炭化物／金属の構成となっており、金属／金属
の構成と比較して接触抵抗が増加するという問題点があ
った。さらに、ポリイミド等の有機物絶縁層のレーザビ
ームの照射によって形成される炭化物は粒子相互の結合
力が弱く、経時的に接触抵抗が変化しやすく、電気的な
断線に至る場合もあるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、接触抵抗を減少させるとともに、接触抵抗
の経時的変化を減少させる多層回路基板の製造方法を得
ることを目的とする。
れたもので、接触抵抗を減少させるとともに、接触抵抗
の経時的変化を減少させる多層回路基板の製造方法を得
ることを目的とする。
この発明に係る多層配線基板の製造方法は、第１の導
体層と第２の導体層間を、高分子樹脂からなる絶縁膜で
層間絶縁された多層回路基板の第２の導体層の上方か
ら、レーザビームを照射して、第１の導体層と第２の導
体層を電気的に接続する方法において、上記レーザビー
ムとして、可視光レーザビームを用い、上記接続部の上
記高分子樹脂からなる絶縁膜を光分解により除去するよ
うにしたものである。
体層と第２の導体層間を、高分子樹脂からなる絶縁膜で
層間絶縁された多層回路基板の第２の導体層の上方か
ら、レーザビームを照射して、第１の導体層と第２の導
体層を電気的に接続する方法において、上記レーザビー
ムとして、可視光レーザビームを用い、上記接続部の上
記高分子樹脂からなる絶縁膜を光分解により除去するよ
うにしたものである。
この発明においては、第１の導体層と第２の導体層間
を、高分子樹脂からなる絶縁膜で層間絶縁された多層回
路基板の第２の導体層の上方から、レーザビームを照射
して、第１の導体層と第２の導体層を電気的に接続する
方法において、上記レーザビームとして、可視光レーザ
ビームを用い、上記接続部の上記高分子樹脂からなる絶
縁膜を光分解により除去するようにしたから、部分的に
除去された後の絶縁層の表面をなだらかでスムーズなも
のとでき、また、上記第１の導体層と第２の導体層の電
気的接合部分は金属／金属となっており、中間に炭化物
等の非金属の層を含まないので、接触抵抗を低く抑える
とともに、接触抵抗の経時的変化を減少できる。
を、高分子樹脂からなる絶縁膜で層間絶縁された多層回
路基板の第２の導体層の上方から、レーザビームを照射
して、第１の導体層と第２の導体層を電気的に接続する
方法において、上記レーザビームとして、可視光レーザ
ビームを用い、上記接続部の上記高分子樹脂からなる絶
縁膜を光分解により除去するようにしたから、部分的に
除去された後の絶縁層の表面をなだらかでスムーズなも
のとでき、また、上記第１の導体層と第２の導体層の電
気的接合部分は金属／金属となっており、中間に炭化物
等の非金属の層を含まないので、接触抵抗を低く抑える
とともに、接触抵抗の経時的変化を減少できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による多層回路基板の製造
方法を示す断面工程図であり、図において、１は絶縁性
基板で、この場合にはアルミナセラミック基板を用い
る。２は厚み７μｍの銅導体からなる第１の導体層、３
は厚み20μｍのポリイミドからなる絶縁層、４は厚み７
μｍの銅導体からなる第２の導体層である。５はレーザ
ビームで本実施例ではＱスイッチ発振のNd:YAGレーザビ
ームの第２高調波を用いる。このレーザビームは可視光
であり、緑色のパルスレーザビームである。
方法を示す断面工程図であり、図において、１は絶縁性
基板で、この場合にはアルミナセラミック基板を用い
る。２は厚み７μｍの銅導体からなる第１の導体層、３
は厚み20μｍのポリイミドからなる絶縁層、４は厚み７
μｍの銅導体からなる第２の導体層である。５はレーザ
ビームで本実施例ではＱスイッチ発振のNd:YAGレーザビ
ームの第２高調波を用いる。このレーザビームは可視光
であり、緑色のパルスレーザビームである。
次に製造工程について説明する。
第１図（ａ）に示すように、レーザビーム５を出力５
μJ/パルスとして第２の導体層４上に焦点をとるように
集光して照射する。レーザビームの照射にともない、形
成される穴の底部は下方へ進行する。進行する穴の底部
に動的に焦点を割りあてながらレーザビームの照射を継
続すると第１図（ｂ）に示すように第２の導体層４と絶
縁層３が除去される。
μJ/パルスとして第２の導体層４上に焦点をとるように
集光して照射する。レーザビームの照射にともない、形
成される穴の底部は下方へ進行する。進行する穴の底部
に動的に焦点を割りあてながらレーザビームの照射を継
続すると第１図（ｂ）に示すように第２の導体層４と絶
縁層３が除去される。
本実施例においてはレーザビームとして上述のように
YAGレーザビームの第２高調波を用いている。この緑色
のレーザビームは被照射体に対してほとんど熱として作
用せず、光分解を行なう。従ってこの緑色のレーザビー
ムの照射によってポリイミドはほとんど炭化することは
なく除去される。また、可視光であるためレンズ等の光
学系での吸収はなく、照射点への集光が容易である。
YAGレーザビームの第２高調波を用いている。この緑色
のレーザビームは被照射体に対してほとんど熱として作
用せず、光分解を行なう。従ってこの緑色のレーザビー
ムの照射によってポリイミドはほとんど炭化することは
なく除去される。また、可視光であるためレンズ等の光
学系での吸収はなく、照射点への集光が容易である。
さらに焦点を動的に割りあてながらレーザビームの照
射を継続すると、第１図（ｃ）に示すように第１の導体
層２と第２の導体層４は溶接され、第１の導体層２と第
２の導体層４の電気的接続が達成される。この間の所要
時間は約２秒であり、穴の径は20μｍφである。さらに
接触抵抗は50mΩ以下である。このような低い接触抵抗
は第１の導体層２と第２の導体層４の電気的接続が炭化
物のような非金属層を介在することなく、銅導体と銅導
体が相互に溶接された結果であり、経時的に接触抵抗は
ほとんど変化することはない。
射を継続すると、第１図（ｃ）に示すように第１の導体
層２と第２の導体層４は溶接され、第１の導体層２と第
２の導体層４の電気的接続が達成される。この間の所要
時間は約２秒であり、穴の径は20μｍφである。さらに
接触抵抗は50mΩ以下である。このような低い接触抵抗
は第１の導体層２と第２の導体層４の電気的接続が炭化
物のような非金属層を介在することなく、銅導体と銅導
体が相互に溶接された結果であり、経時的に接触抵抗は
ほとんど変化することはない。
このように本実施例では第２の導体層の上方からYAG
レーザビームの第２高調波である緑色レーザビームを照
射して、該レーザビームの照射中に該レーザビームの光
分解作用により第２の導体層の部分的な除去，絶縁層の
除去をするとともに第１の導体層と第２の導体層との溶
接を起こさせるようにしたから、上記第１の導体層と第
２の導体層の電気的接合部は金属／金属となっており、
中間に炭化物等の非金属の層を含まないため、接触抵抗
を低く抑えるとともに接触抵抗の経時的変化を減少でき
る。また本実施例においては、第２の導体層は導体接続
のためのホールの形成されていない平坦な絶縁層上に形
成するので、写真製版法による微細パターン形成が容易
である。
レーザビームの第２高調波である緑色レーザビームを照
射して、該レーザビームの照射中に該レーザビームの光
分解作用により第２の導体層の部分的な除去，絶縁層の
除去をするとともに第１の導体層と第２の導体層との溶
接を起こさせるようにしたから、上記第１の導体層と第
２の導体層の電気的接合部は金属／金属となっており、
中間に炭化物等の非金属の層を含まないため、接触抵抗
を低く抑えるとともに接触抵抗の経時的変化を減少でき
る。また本実施例においては、第２の導体層は導体接続
のためのホールの形成されていない平坦な絶縁層上に形
成するので、写真製版法による微細パターン形成が容易
である。
なお、第１図では第２の導体層が最上層となっている
ものを示したが、第２の導体層の上層にポリイミド等の
絶縁層が存在するものであってもレーザビームで該上層
のポリイミドも除去できるので本発明を適用することが
できる。
ものを示したが、第２の導体層の上層にポリイミド等の
絶縁層が存在するものであってもレーザビームで該上層
のポリイミドも除去できるので本発明を適用することが
できる。
また、上記実施例ではレーザビームとしてＱスイッチ
発振のNd:YAGレーザビームの第２高調波を用いたものを
示したが、キセノンレーザビーム等の他の可視光のレー
ザビームでも同等の作用を有するのでこれをレーザビー
ムとして用いることも可能である。
発振のNd:YAGレーザビームの第２高調波を用いたものを
示したが、キセノンレーザビーム等の他の可視光のレー
ザビームでも同等の作用を有するのでこれをレーザビー
ムとして用いることも可能である。
また、絶縁層としてポリイミドを用いたものを示した
が、これはエポキシ系樹脂，シリコン系樹脂等の他の高
分子樹脂を用いたものであってもよい。
が、これはエポキシ系樹脂，シリコン系樹脂等の他の高
分子樹脂を用いたものであってもよい。
また、導体層としては銅メッキによるもののほかニッ
ケル，クロームのメッキによるものであってもよく、上
記実施例と同様の効果を奏する。
ケル，クロームのメッキによるものであってもよく、上
記実施例と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、第１の導体層と第
２の導体層間を、高分子樹脂からなる絶縁膜で層間絶縁
された多層回路基板の第２の導体層の上方から、レーザ
ビームを照射して、第１の導体層と第２の導体層を電気
的に接続する方法において、上記レーザビームとして、
可視光レーザビームを用い、上記接続部の上記高分子樹
脂からなる絶縁膜を光分解により除去するようにしたか
ら、部分的に除去された後の絶縁層の表面をなだらかで
スムーズなものとでき、また、上記第１の導体層と第２
の導体層の電気的接合部分は金属／金属となっており、
中間に炭化物等の非金属の層を含まないので、接触抵抗
を低く抑えるとともに、接触抵抗の経時的変化を減少で
きる効果がある。また、第１の導体層と第２の導体層の
間の絶縁層をパターニングする必要がないため省工程と
なるとともに上記第２の導体層のパターン形成は、導体
接続用のホールが形成されていない平坦な絶縁層上に行
なうため、写真製版法による微細パターン形成に有利で
ある効果がある。
２の導体層間を、高分子樹脂からなる絶縁膜で層間絶縁
された多層回路基板の第２の導体層の上方から、レーザ
ビームを照射して、第１の導体層と第２の導体層を電気
的に接続する方法において、上記レーザビームとして、
可視光レーザビームを用い、上記接続部の上記高分子樹
脂からなる絶縁膜を光分解により除去するようにしたか
ら、部分的に除去された後の絶縁層の表面をなだらかで
スムーズなものとでき、また、上記第１の導体層と第２
の導体層の電気的接合部分は金属／金属となっており、
中間に炭化物等の非金属の層を含まないので、接触抵抗
を低く抑えるとともに、接触抵抗の経時的変化を減少で
きる効果がある。また、第１の導体層と第２の導体層の
間の絶縁層をパターニングする必要がないため省工程と
なるとともに上記第２の導体層のパターン形成は、導体
接続用のホールが形成されていない平坦な絶縁層上に行
なうため、写真製版法による微細パターン形成に有利で
ある効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による多層回路基板の製造
方法を示す工程断面図、第２図は従来の多層回路基板の
製造方法を示す工程断面図である。 １は基板、２は第１の導体層、３は絶縁層、４は第２の
導体層、５はレーザビーム。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
方法を示す工程断面図、第２図は従来の多層回路基板の
製造方法を示す工程断面図である。 １は基板、２は第１の導体層、３は絶縁層、４は第２の
導体層、５はレーザビーム。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高砂 隼人 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機株式会社材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−210691（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−55877（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 1/11
Claims (1)
- 【請求項１】第１の導体層と第２の導体層間を、高分子
樹脂からなる絶縁膜で層間絶縁された多層回路基板の第
２の導体層の上方から、レーザビームを照射して、第１
の導体層と第２の導体層間を電気的に接続する方法にお
いて、 上記レーザビームとして、可視光レーザビームを用い、
上記接続部の上記高分子樹脂からなる絶縁膜を光分解に
より除去することを特徴とする多層回路基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013995A JP2792650B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 多層回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013995A JP2792650B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 多層回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189192A JPH01189192A (ja) | 1989-07-28 |
| JP2792650B2 true JP2792650B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=11848815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63013995A Expired - Lifetime JP2792650B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 多層回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2792650B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2811811B2 (ja) * | 1989-10-03 | 1998-10-15 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3221427B2 (ja) * | 1999-01-20 | 2001-10-22 | 日本電気株式会社 | Ｑスイッチレーザによる穴あけ加工方法 |
| JP4766239B2 (ja) * | 2005-10-13 | 2011-09-07 | Ｔｄｋ株式会社 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62210691A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | 株式会社東芝 | 多層配線板の製造方法 |
| JPS6355877A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | 富士電機株式会社 | シ−トコイルの接続方法 |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP63013995A patent/JP2792650B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01189192A (ja) | 1989-07-28 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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