JP3221427B2 - Qスイッチレーザによる穴あけ加工方法 - Google Patents
Qスイッチレーザによる穴あけ加工方法Info
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Description
レーザを用いたレーザ穴あけ加工方法、特に、安定にブ
ラインドビアホールの穴あけ加工を行うQスイッチレー
ザによる穴あけ加工方法に関する。
法において、レーザ上準位の寿命が十分に長いイオンを
含むレーザ媒質を励起した後、レーザ光共振器のQ値を
ある時間だけ下げておき、この時間に比例したエネルギ
ーを蓄積し、その後、Q値を急峻に上げ、大きなパルス
エネルギー(ピークパワー)を取り出し、いわゆるQス
イッチ発振をさせる手法を用いることによって、レーザ
加工の範囲が大幅に拡がった。
加工は、その高いピークパワーを利用して、レーザスク
ライブ加工、レーザトリミング加工、レーザドリリング
加工などのように、主に物質の切除加工を行う手段とし
て広く用いられている。実際の加工の際には、レーザ加
工の種類に応じて、所望のレーザパルス幅やピークパワ
ーが得られるQスイッチ周波数が予め選択される。この
場合、前記Qスイッチ周波数は、たとえば10kHzに
固定される。
と樹脂層との2層以上の積層構造から成立っているPW
B(Printed Wiring Board:プリ
ント配線板)基板などのような積層体に穴あけ加工を行
う場合、一定のQスイッチ周波数で加工すると、照射パ
ルス列のピークパワーが同じ大きさのパルスで加工され
るため、銅の層と樹脂の層とを加工する際のパワー密度
は、ほぼ一定値のままでそれぞれの層の加工が行われ
る。
は、銅を加工できる加工スレッショールド以上の一定の
照射パワー密度で加工すればよいが、一方で銅の層上に
ある樹脂層だけを加工しようとする場合には、一定の照
射パワー密度では加工できず、たとえば樹脂層を加工す
るときの照射パワー密度を低く、銅の層を加工するとき
のパワー密度を高くすることが必要であった。
ザのパワーを可変とするために、レーザへの励起パワー
を変えるという方法がとられる。たとえば、CW励起N
d:YAGレーザの場合には、ランプ電流の変調によっ
てパワーが制御される。但し、ランプ電流の変調に対す
るQスイッチパルスレーザ光の応答は非常に遅く、せい
ぜい数10msであるが、これが大型のレーザ発振器に
なると1秒近くになる。従って、このような遅い応答で
は高速のレーザ加工ができないことになる。
ランプ電流の応答速度以上で加工を行うと、ピークパワ
ーが銅の加工スレショールドを越えて銅層にダメージを
与えたり、あるいは反対にピークパワーが低くなり過ぎ
て加工不良となるという問題があった。
を制御する方法として、レーザ発振器の共振器の外部に
変調器を挿入する方策が選択される場合が多い。ここ
で、外部変調器としては、E/O光変調器、AO変調器
などが用いられる。
10ns〜1μs程度の応答が可能である。ところが、
これらの素子は、パワーの制御を損失の増減によって創
り出しているものであるため、レーザ発振器が有する最
大のパワーを有効に利用できないという問題があった。
発振器を搭載したレーザ加工装置において、発振器から
の取り出されるQスイッチパルスエネルギーを発振器外
に置かれた外部変調器によって損失させず、加工スレッ
ショールドの異なるワークにダメージを与えることな
く、最高の加工速度でレーザ加工を行う方法を提供する
ことにある。
スイッチレーザによる穴あけ河口方法においては、N
d:YAGなどのQスイッチ発振が可能な基本波レーザ
発振器または非線形結晶を用い、波長変換された高調波
レーザを用いてプリント配線基板のブラインドビアホー
ルを加工するレーザ穴あけ加工方法であって、スイープ
処理を有し、スイープ処理は、前記プリント配線基板を
構成する複数の層に関連付けて複数種類のパルス波形を
用いて、Qスイッチ発振の周波数を変化させ、Qスイッ
チのピークパワーとパルスエネルギーを制御する処理で
ある。
形を、最も大きいパルスエネルギーを持つ繰り返し周波
数の第1のパルス波形と、パルスエネルギーがブライン
ドビアホールの加工において保護すべき層のレーザ加工
スレッショールド以下にまで最終的に減衰するようにパ
ルス間隔を減少させる特性を有する第2のパルス波形と
を組み合わせて構成するものである。
パルス間隔を減少させる特性を有するものである。
的にパルス間隔を減少させる特性を有するものである。
き乗でパルス間隔を減少させる特性を有するものであ
る。
き層にレーザ加工スレッショールドの低い層を含む場合
において、当該層の加工に対してはパルス周波数の高い
第3のパルス波形を適用し、パルスエネルギーを抑制し
熱的影響を残すことなく加工するものである。
させることによって、自在にQスイッチのピークパワー
とパルスエネルギーを制御するものである。連続励起す
る方式のQ−SW発振させる場合、上準位の分布数は、
上準位への励起速度と上準位からの緩和時間によって決
定される。
なると、上準位の分布数が減少し、反転分布の量が減る
ため、発振する際のパルスエネルギーは減少する。即
ち、Q−SW発振させる場合に、パルスエネルギーは、
励起する際の強度を変えなくても、発振周波数を変化さ
せることによって増減させられるのである。
ことによってもQ−SWパルスエネルギーを変えること
は可能である。パルス励起する場合のQスイッチパルス
のパルスエネルギーとピークパワーとパルス幅との関係
は、J.J.Degnanにより解析的に解かれている。
[IEEE.J.QE−25,214(1989)]。
上準位のエネルギー分布数の扱いが異なるものの、Q−
SW発振の発振出力の計算をする考え方は同じである。
Degnanによれば、共振器の往復利得 (2go
l) と、共振器中の往復損失(L)との比をZパラメ
ータ (Z=2gol/L)とおけば、最適なシステム
におけるQスイッチパルスエネルギー(Eout)は、A
hνL(z−1−ln(z))/2σγ で表され、Q
スイッチパルス幅は、tp=(tR/L)ln(z)/
[z{1−a(1−ln(a))}] と表される。こ
こで、a=(z−1)/(zln(z))である。
せたときのQスイッチパルスエネルギー(Eout)を計
算した結果を示す。ここで、Eoutは、スケールファク
ターEsc=AνhL/2σγで表される。尚、Aはビー
ム断面積、 hνはフォトンエネルギー、Lは共振器の
往復損失、σは誘導放出係数、γは縮退数である。
(go)に比例して大きくなる。即ち、ランプ励起レー
ザの場合は、(Z>10のとき)ランプ電流を大きくす
ることによって大きくすることができる。
チパルスのパルス幅(tp)に関しては、(Z>10の
とき)反対に共振器ゲイン(go)に反比例して減少す
る。図9(c)において、計算されたQスイッチパルス
のピークパワー(pp)に関しては、共振器ゲイン(g
o)のほぼ2乗に比例する。
しては、ゲインのほぼ2乗に比例して変化するので、少
しのゲインの変化が大きくピーク出力を変化させること
から、レーザ加工に及ぼす影響が大きいことが想像され
る。
CW励起において、ランプ電流を変調させるとき、この
ゲイン(正確に言えば、共振器ゲインと損失の差)は、
msあるいはそれ以下のオーダで制御することは困難で
ある。このことから、ランプ電流変調により、たとえば
1kHz以上の周波数で発振しているQスイッチパルス
のピーク出力やパルスエネルギーを厳密にコントロール
する要求に応えることができなかった。
せると、前パルスとの時間間隔に相当したレーザ上準位
に蓄積された励起エネルギーに比例したパルスエネルギ
ーやピークパワーを取り出すことが可能である。
るため、非常に安定的なものである。よって、CW励起
のQ−SW発振させる場合、励起強度を変えず一定のま
ま、Q−SW発振の周期を制御することによって、Q−
SWバルスエネルギーをコントロールすることが可能で
ある。
を変化させることによって、励起時間が変化することに
なり、結果的にCW励起の場合と同じことになる(周波
数によってQ−SWパルスエネルギーを変化させること
ができる)。
よって説明する。本発明によるQスイッチレーザによる
穴あけ加工方法においては、Nd:YAGなどのQスイ
ッチ発振が可能な基本波レーザ発振器または非線形結晶
を用いて波長変換された高調波レーザを用いる。レーザ
加工に際し、スイープ処理として、Qスイッチ周波数
を、連続的あるいは2段階以上不連続的にスイープさせ
るが、前記Qスイッチ周波数を変化させる際のスタート
周波数は、加工対象物の加工スレッショールドより高く
なるピークパワーが得られる周波数に設定される。
スタート周波数からエンド周波数まで変化させるが、そ
の変化の態様については、単調減少(線形に減少)をさ
せるか、T(時間)のべき数で減少をさせるか、指数関
数的に減少させるか、あるいは、これらを複合させた関
数で減少させるか、あるいは、一旦前記関数でエンド周
波数まで減少させたのち、再びスタート周波数に戻し、
一連の動作を繰り返す動作をさせることによって変化さ
せている。
といったように、少なくとも2層以上の異種の物質ある
いは同種であっても反射率、吸収係数、熱伝導度、比熱
などの物性値が異なる対象物に対して実施されるが、前
記2層以上の構造を有する対象物において、照射面の側
の加工スレショールドが、内部の層の加工スレショール
ドより低い場合、前記周波数スイープは、スタート周波
数が高い周波数で始まり、次に連続あるいは不連続的に
低くなり、最後に再び連続あるいは不連続的に高くなる
ように制御することによって実現される。
イープは、加工中、一部同じ周期で動作させるものも含
むものである。Qスイッチ発振させるレーザは、Nd:
YLF、Nd:YVO4、Nd:GdYVO4などのレ
ーザ上準位の緩和時間が長く、Qスイッチ動作させるこ
とが可能なYAG以外の活性媒質も含むものであり、同
時に、モードロックQスイッチ発振させているレーザを
含むものである。 (実施形態1)図1に、第1の実施形態の穴あけ加工時
における周波数変調をかけたときのQ−SWバルスエネ
ルギーと、銅箔1上に積層されている樹脂層2に対する
穴あけ深さの変化の様子を示す。
である。図1に示したQ−SWパルスエネルギーの変化
は、図2におけるQ−SW発振信号を入力することによ
って得られる。図2において、3はRF発信器とアン
プ、4はAOQ素子、5はランプまたはレーザダイオー
ド、6はYAGロッド、7はレーザミラーである。本実
施形態においては、YAGレーザを用い、CW、Q−S
Wパルス発振させる例を示したものである。本実施形態
では、Q−SWパルス発振の周波数を徐々に早くしてゆ
き、Q−SWパルスエネルギーとピークパワーとを徐々
に小さくしてゆく例である。
て、Q−SW発振のパルス間隔を徐々に縮め、Q−SW
パルスエネルギーを徐々に小さくすることによって、ブ
ラインドビアホールをあける際の、内層の銅箔へのダメ
ージは少ない。特に周波数を単調に増加させているた
め、Q−SWパルスエネルギーの安定性は極めて高い。
高いパルスエネルギー(ピークパワー)を有する低い周
波数で発振させ、周波数を変えずにデフォーカスあるい
はビームウエストを大きくして最後の2〜3割の樹脂層
を加工する手法と比較して、加工時間が早く、しかも銅
箔へのダメージを少なくできる。
あけ加工時における周波数変調をかけたときのQ−SW
バルスエネルギーと、穴あけ深さの変化の様子を示す。
この実施形態は、スイープ処理として、周波数をf1〜
f3の3段階に変化させた例である。周期がT1〜T3
へと小さくなるにつれ、Q−SWパルスエネルギーとピ
ークパワーを3段階で小さくしてゆく。
す。図4は、Q−SWパルスのn+1番目のパルスの間
隔をn-1.4で表される関係式で発振させたものであっ
て、図1の第1実施形態においてあるべき関数を適用さ
せた例を示している。
す。本実施形態ではQ−SWパルスのn+1番目のパル
スの間隔をe-n/2.5で表される関係式で発振させたもの
であって、図1の第1実施形態において、スイープ処理
として、あるexponential(指数)な関数を
適用させた例である。
処理に、よりQ−SW周波数の増分が早くなるような関
数を使用することによって、さらに加工スピードを上げ
ることができる。また、銅層へのダメージもほとんど皆
無にする条件を見出しやすい。
す。本実施形態のにおいては、第3の実施形態と第4の
実施形態との合わせた関数で発振させている。即ち、n
+1番目のパルスの間隔をn-1.4+e-n/2.5で表される
関係式で発振させたときの例である。
として、第3の実施形態と第4の実施形態の関数を合わ
せた関数を設定するなど関数を自由に設定して、望み通
りのQ−SWパルスエネルギー(ピークパワー)の変化
あるいは変化率あるいは変化率の微係数を得ることがで
きる。
らには、スイープ処理として、図7に示すように第2〜
5の実施形態の波形を繰り返すことにより、内層銅箔が
2層以上ある図11のような多層基板においては、最初
の大きなパルスで銅層を貫通させ、その後の樹脂層(+
接着層)にはより小さなパルスで熱影響を極力小さく抑
えて内層銅箔まで穴あけし、その後再び大きなパルスで
その内層銅箔を貫通させるというようにPWBの銅箔の
積層数に合わせて、より樹脂層に熱影響の少ない穴あけ
が可能である。樹脂が熱に弱い特性を有する場合など非
常に有効な方法である。
プ処理として、図8のように、1kHzの最もパルスエ
ネルギーが大きい繰り返し周波数と、第4の実施形態の
exponentialにパルス間隔を減衰させるパル
スとを合わせた例である。本実施形態では、外層の銅箔
の厚みが厚く、貫通させるのに複数ショット必要な場合
や、あるいは樹脂層の厚みが100μm程度と厚い場合
に加工速度を速くすることができて有効である。
実施形態においては、スイープ処理として、Q−SW周
波数をスタート時は小さく、エンド時は大きくすること
によって、図10に示されるようなブラインドビアホー
ルの穴あけ時に、内層の銅にダメージを与えることな
く、しかも加工時間を短縮してあけることができる。
0(b)は外層銅のあるPWB(両面銅張り基板)の構
造をそれぞれ示したものである。銅箔は金属であり加工
スレショールドが高いのに対して、樹脂(エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂やBTレジンなど)や接着層(通常
エポキシ系樹脂)の加工スレショールドは低い。
層)11を外層、銅箔12を内層とし、樹脂層11の表
面及び銅箔12の積層面に接着層13を設けた積層体1
4にブラインドホール15を開口する例であり、図10
(b)では、樹脂層11の表面にさらに外層銅箔16を
有する積層体にブラインドホール15を開口する例であ
る。ブラインドビアホールは、外層を貫通し、内層銅箔
に達して開口される。
すると、内層銅箔へのダメージは、照射パワー密度[W
/cm2]が銅の加工スレショールド以下であれば問題
ない。加工スレショールド以下の照射パワー密度におい
ては、どんなにパルスエネルギーが大きくても加工でき
ないのである。
合にはよく当てはまる。ところで、周波数を上げていく
ことにより、Q−SWパルスのパルスエネルギーが小さ
くなるだけでなく、Q−SW発振の原理より、発振周波
数を高くしていくと、同時にQ−SWパルス幅が広くな
っていく。
される時間が短くなることであり、これは言い換えれ
ば、反転分布が大きくならないことであり、即ち、先に
示したパルス励起の場合にJ.J.Degnanの式で
導出されたパルス幅tpの式において、ゲインが小さく
なったことと同等と考えられるので、発振周波数が高く
なるにつれてQ−SWパルス幅が広くなることが理解で
きる。
って、パルス幅をも広げる効果があるため、照射パワー
密度は、益々低下することになり、内層銅へのダメージ
を与える可能性は少なくなる。適当な発振周波数を選択
すれば、銅の加工スレショールドよりは低く、樹脂の加
工スレショールドよりは高くなる領域を作ることは容易
である。
変化させてきた例を示したが、実施形態2に示したよう
に、簡単には2段階以上の周波数(スタート時低い周波
数で、次に高い周波数)を設定することで同等の効果が
得られる。但し、2段階の周波数では、高い周波数の方
は銅のスレショールドより少なくとも数10%以上低い
照射密度しか得られないだけのQ−SWパワーの非常に
小さなところを設定する必要があるので、非常に多くの
パルスを照射することが必要となり、加工時間が延び
る。
なくとも3段階に設定する方が加工の効率は良い。第2
実施形態として、3段階の発振周波数を設定した場合の
例を図3に示した。通常、ブラインドビアホールの穴あ
けの場合では、f2の周波数のQ−SWパルス強度は、
内層の銅箔を溶融させる程度のパワー密度になるQ−S
W周波数が設定され、f3の周波数では銅箔のダメージ
スレショールド以下のパワー密度になるQ−SW周波数
が設定される。
数をf2の周波数より多くするのが普通である。f2の
周波数における照射パワー密度は、f3の周波数におけ
るそれと比較すると十分に大きいので、2段階の周波数
設定と比較すると穴あけ加工時間を非常に短くすること
ができる。
物の照射側の加工スレショールドが非常に低く、熱にも
弱く、次の層は、加工スレショールドが高く、最後の層
は、内層銅でブラインドビアホール生成のためにダメー
ジを与えられないような場合を考える。このような場合
は、Q−SWのスタート周波数は、これまで示した実施
形態とは反対に高い周波数から始める。
ギーも小さいパルスを使用することにより、熱的な影響
層を残さずに最表層に穴あけをする。ピークパワーの大
き過ぎるQ−SWパルスを照射すると、照射部が局部的
に爆発を起こす場合もあるので、このように弱いパルス
を照射することが肝要である。この後のパルス列は、再
びピークパワーやパルスエネルギーの大きなQ−SW周
波数の低いパルスを使用する。そして最後に再び周波数
を上げて低いピークパワーや低いパルスエネルギーの条
件にてQ−SW発振させる。
ドビアホールの穴あけ時のQ−SWのスタート周波数
は、一方的に低い方から高くするだけではなく、場合に
よっては高い周波数から低い周波数へ、さらに高い周波
数へ、という順番で周波数を変化させることが適当であ
る場合があることを付け加えておく。
振は、最終的には熱的な安定によってレーザ発振の安定
が保たれている。そのため、たとえばQ−SW発振させ
ずに長期間発振を停止しておくと、レーザロッドやQ−
SW素子などの温度が若干ではあるが温度が下がる。
熱レンズ効果が変化したりするため、共振器の状態が微
妙に変化し、出力が不安定になったりする場合がある。
特に、ハイパワーQ−SWレーザの場合は顕著になる。
このため、レーザ出力をより安定にするために、本発明
のQ−SW発振周波数の変調を、発振させないときでも
外部シャッタ−を設置して加工光学系へ投入させないよ
うな仕組みを持たせることにより、絶えず同じ周期で発
振させることによって、Q−SWの周波数変調によるQ
−SWパワー自動制御を非常に安定に維持させることが
できる。
スイッチパルスレーザ発振器を搭載したレーザ加工装置
において、発振器からの取り出されるQスイッチパルス
エネルギーを発振器外に置かれた外部変調器によって損
失させることなく、レーザピークパワーあるいはレーザ
パルスエネルギーの制御をかけることにより、加工スレ
ッショールドの異なるワークにダメージを与えることな
く、最高の加工速度でレーザ加工を行うことができる。
されたような多層のPWBに、内層銅を残して穴あけ加
工を行うに際して、内層銅にダメージを与えず、効率よ
く上部にある外層銅と樹脂層+接着層のみを完全に除去
してブラインドビアホールの穴あけ加工をすることがで
きる。
いを積極的に利用することにより、最適の加工条件(加
工時間短縮、ブラインドビアホール生成時にダメージを
与えない加工など)を設定して、所望するレーザ穴あけ
を実現することができる。
変調をかけたときのQ−SWバルスエネルギーと、穴あ
け深さの変化の様子を示す図である。
変調をかけたときのQ−SWバルスエネルギーと、穴あ
け深さの変化の様子を示す図である。
ルスエネルギーの変化を示す図である。
ルスエネルギーの変化を示す図である。
ルスエネルギーの変化を示す図である。。
ルスエネルギーの変化を示す図である。
ルスエネルギーの変化を示す図である。
スイッチパルスエネルギー(Eout)を計算した結果を
示す図、(b)は、計算されたQスイッチパルスのパル
ス幅の変化を示す図、(c)は、計算されたQスイッチ
パルスのピークパワーの変化を示す図である。
外層銅のあるPWB(両面銅張り基板)の構造をそれぞ
れ示す図である。
層を有するPWBに形成されたブラインドビアホールを
示す図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 Nd:YAGなどのQスイッチ発振が可
能な基本波レーザ発振器または非線形結晶を用い、波長
変換された高調波レーザを用いてプリント配線基板のブ
ラインドビアホールを加工するレーザ穴あけ加工方法で
あって、スイープ処理を有し、 スイープ処理は、前記プリント配線基板を構成する複数
の層に関連付けて複数種類のパルス波形を用いて、Qス
イッチ発振の周波数を変化させ、Qスイッチのピークパ
ワーとパルスエネルギーを制御する処理であることを特
徴とするQスイッチレーザによる穴あけ加工方法。 - 【請求項2】 前記スイープ処理におけるパルス波形
を、最も大きいパルスエネルギーを持つ繰り返し周波数
の第1のパルス波形と、パルスエネルギーがブラインド
ビアホールの加工において保護すべき層のレーザ加工ス
レッショールド以下にまで最終的に減衰するようにパル
ス間隔を減少させる特性を有する第2のパルス波形とを
組み合わせて構成することを特徴とする請求項1に記載
のQスイッチレーザによる穴あけ加工方法。 - 【請求項3】 前記第2のパルス波形は、線形的にパル
ス間隔を減少させる特性を有することを特徴とする請求
項2に記載のQスイッチレーザによる穴あけ加工方法。 - 【請求項4】 前記第2のパルス波形は、指数関数的に
パルス間隔を減少させる特性を有することを特徴とする
請求項2に記載のQスイッチレーザによる穴あけ加工方
法。 - 【請求項5】 前記第2のパルス波形は、時間のべき乗
でパルス間隔を減少させる特性を有することを特徴とす
る請求項2に記載のQスイッチレーザによる穴あけ加工
方法。 - 【請求項6】 プリント配線基板の穴あけ加工すべき層
にレーザ加工スレッショールドの低い層を含む場合にお
いて、当該層の加工に対してはパルス周波数の高い第3
のパルス波形を適用し、パルスエネルギーを抑制し熱的
影響を残すことなく加工することを特徴とする請求項1
に記載のQスイッチレーザによる穴あけ加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP01213299A JP3221427B2 (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | Qスイッチレーザによる穴あけ加工方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2000202668A JP2000202668A (ja) | 2000-07-25 |
JP3221427B2 true JP3221427B2 (ja) | 2001-10-22 |
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ID=11797018
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110640307A (zh) * | 2019-09-18 | 2020-01-03 | 清华大学 | 一种基于时域整形飞秒激光的功能陶瓷焊接装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005028369A (ja) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工方法 |
DE102004005300A1 (de) * | 2004-01-29 | 2005-09-08 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum Behandeln von Trägermaterial zur Herstellung von Schltungsträgern und Anwendung des Verfahrens |
JP4527003B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2010-08-18 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工装置 |
US8710402B2 (en) * | 2007-06-01 | 2014-04-29 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method of and apparatus for laser drilling holes with improved taper |
US10307862B2 (en) | 2009-03-27 | 2019-06-04 | Electro Scientific Industries, Inc | Laser micromachining with tailored bursts of short laser pulses |
CN103764337A (zh) * | 2011-11-17 | 2014-04-30 | 伊雷克托科学工业股份有限公司 | 用于优化地激光标记对象的方法和设备 |
CN102780155B (zh) * | 2012-07-02 | 2014-08-06 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | 一种激光q开关的输入信号控制装置及方法及激光设备 |
JP2020066045A (ja) * | 2018-10-26 | 2020-04-30 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2792650B2 (ja) * | 1988-01-25 | 1998-09-03 | 三菱電機株式会社 | 多層回路基板の製造方法 |
JP3083219B2 (ja) * | 1993-04-20 | 2000-09-04 | 新日本製鐵株式会社 | Co2レーザのqスイッチ方法 |
JPH0843532A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | パルスレ−ザ光の出力制御装置 |
JP3027695B2 (ja) * | 1994-12-02 | 2000-04-04 | 新日本製鐵株式会社 | 冷延ロール表面のダル加工方法 |
JPH10156560A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-16 | Nec Corp | レーザマーキング装置および方法 |
-
1999
- 1999-01-20 JP JP01213299A patent/JP3221427B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110640307A (zh) * | 2019-09-18 | 2020-01-03 | 清华大学 | 一种基于时域整形飞秒激光的功能陶瓷焊接装置 |
CN110640307B (zh) * | 2019-09-18 | 2020-12-01 | 清华大学 | 一种基于时域整形飞秒激光的功能陶瓷焊接装置 |
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