JPH0474850A - シャドウマスク用Ｆｅ―Ｎｉ合金薄板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「発明の目的」 （産業上の利用分野） 本発明はシャドウマスク用Ｆｅ　−Ｎｉ合金薄板および
その製造方法に係り、カラーテレビブラウン管のシャド
ウマスクを製造するためのＦｅ−Ｎｉ系合金薄板におい
てエツチング穿孔性が優れ、特に穿孔時のムラ発生を防
止し、かつ穿孔後のフラットマスクを焼鈍するときの密
着焼付を防止し適切な製品を得るための技術に関するも
のである。

（従来の技術） 近年、カラーテレビの高品位化に伴い、色ずれの問題に
対応できる低熱膨脂のシャドウマスク材料としてＦｅ　
−Ｎｉ系のインバー合金が注目されているが、この合金
は従来の低炭素鋼によるシャドウマスク材に比し、エツ
チング穿孔時におけるフラットマスクのムラ発生および
穿孔後のフラットマスクを焼鈍するときにおいて密着焼
付性が著しい。

これらのうち、前者の問題を解決すべく、■特開昭６１
−３９３４４号公報、■特開昭６２２４３７８０号公報
、■同２４３７８１号公報および■同２４３７８２号公
報が提案されている。

即ち■はシャドウマスク用素材の表面粗さ（中心線平均
粗さＲａ）を０．１〜０．４μｍとすることにより開孔
形状の規則性および開孔のシャドウマスク全体における
均一性を得ている。又■はシャドウマスク用素材の表面
粗度（Ｒａ）を０，２〜０．７μｍ、Ｓｎ＋（基準長さ
内における表面粗度を示す断面曲線の凹凸間隔平均値）
を１００μｍ以下、結晶粒度を粒度番号で８．０以上と
することによりエツチング穿孔後のムラ品位の高いマス
クを提供している。更に■は前記■の規定に加えてＲｅ
（ｉ３過孔径α１／エツチング孔径α２）を０．９以上
とすることにより工・ノチング穿孔後のムラ品位の高い
マスクを提供している。なお■はエツチング素材の集合
組織を強冷延−再結晶焼鈍によって集積させ、且つ結晶
粒度を粒度番号で８．０以上とし、その後に前記■に記
載の表面粗度への調整をダルロールにより冷間加工度３
〜１５％としてエツチング穿孔後のムラ品位の高いマス
クを製造しようとするものである。

一方上記した後者の問題を解決するに好ましい提案はな
されていない。

即ち■特開昭６１２３８００３号公報の如き従来の低炭
素鋼フラットマスクの焼鈍時密着焼付を表面粗度の適正
化、即ちＲａを０．２〜２６０μｍで、Ｒｓｋ　　（粗
さ曲線の高さ方向における偏りの指標）を０以上とする
ような提案はみられるとしてもＦｅＮｉ系インバー合金
のフラットマスクにおける焼鈍時密着焼付防止に関する
好ましい技術は見当たらない。

（発明が解決しようとする課題） 上記したエツチング穿孔時におけるフラットマスクのム
ラ品位向上を図った前記■〜■の技術では何れも曲面プ
レス前の焼鈍における密着焼付防止が達成されていない
。又■ては上述のように従来における低炭素鋼フラット
マスクの焼鈍時密着焼付を防止しているのみで、実際の
インバー合金強度は低炭素鋼に比して高く、その曲面プ
し・ス前の焼鈍温度は低炭素鋼の場合に比し高く採らざ
るを得す、ブラウン管メーカーではＦｅ−Ｎｉインバー
合金のフラットマスク焼鈍を数十枚〜数百枚重ね合わせ
て８１０〜１１００℃という低炭素鋼フラットマスクの
焼鈍温度よりも相当な高温で行っているのが現状である
。このような焼鈍温度において前記■の技術ではインバ
ー合金フラットマスク焼鈍時の焼付防止をなし得ない。

従って従来のＦｅ−Ｎｉ系インバー合金のシャドウマス
ク用素材においてエツチング穿孔時のムラ発生を防止し
、又穿孔後の焼鈍時密着焼付を適切に防止する技術が確
立されていない。

１発明の構成」 （課題を解決するための手段） 本発明は上記したような実情に鑑み、エツチング穿孔性
が優れ、特に穿孔時のムラ発生を防止し、かつ穿孔後の
フラットマスクを焼鈍するときの密着焼付を防止したＦ
ｅ−Ｎｉ系インバー合金のシャドウマスク用素材を得べ
く、検討を重ねて創案されてものであって、以下の如く
である。

１．５ｉ　：　０．０１〜０．１５賀ｔ％、Ｎｉ　：　
３４〜３８ｗｔ％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的
不純物がら成り、かつその合金鋼帯の板厚はフラットマ
スクの多数枚を積み重ねて焼鈍処理する工程を含むシャ
ドウマスクの製造に供する該フラットマスクと実質上間
等であり、その表面粗度（Ｒａ）が０．３〜０．８μｍ
で、しかも粗さ曲線の高さ方向のとがり指標であるクル
トシス（Ｒｋｒ）が３〜７で且つ（Ｒａ）≧−（Ｒｋｒ
）　　＋　　Ｑ、５の条件を満足し、またエツチング直
前での合金板の表面におけるＳｉの成分偏析率 １０％以下であることを特徴とするシャドウマスク用Ｆ
ｅ−Ｎｉ合金薄板。

２、　　Ｓｉ　：　０．０１〜０．１５ｗｔ％、Ｎｉ：
３４〜３８賀ｔ％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的
不純物から成り、かつその合金鋼帯の板厚はフラットマ
スクの多数枚を積み重ねて焼鈍処理する工程を含むシャ
ドウマスクの製造に供する該フラットマスクと実質上間
等であり、その表面粗度（Ｒａ）が０．３〜０．８μｍ
で、しかも粗さ曲線の高さ方向のとがり指標であるクル
トシス（Ｒｋｒ）が３〜７で且つ■ （Ｒａ）≧−（Ｒｋｒ）　　＋　　０．６且つ、粗さ曲
線の平均傾斜角（ＲＱａ）が０．０３〜０．０５の条件
を満足し、またエツチング直前での合金板の表面におけ
るＳｉの成分偏析率 １０％以下であることを特徴とするシャドウマスク用Ｆ
ｅ−Ｎｉ合金薄板。

３、前記１項の成分および表面粗度を有し、しかも該表
面粗度の異方性が、下記式、 Ｒａ　（Ｌ）　−Ｒａ　（ｃ）　　｜≦０．１ａｍＲｋ
ｒ　（Ｌ）　−Ｒｋｒ　（ｃ）　　≦０．５但しＲａ　
（Ｌ）　、Ｒｋｒ　（Ｌ）は圧延方向における測定値で
、Ｒａ（ｃ）　、Ｒｋｒ（ｃ）は圧延方向と垂直な方向
における測定値である。

の関係を満足することを特徴とするシャドウマスク用Ｆ
ｅ−Ｎｉ合金薄板。

４、前記２項の成分および表面粗度を有し、しかも該表
面粗度の異方性が、下記式、 Ｒａ　（Ｌ）　　Ｒａ　（ｃ）　　≦０．１．ｃｚｍＲ
ｋｒ　（Ｌ）　　Ｒｋｒ　（ｃ）　　≦０．５但しＲａ
（Ｌ）　、Ｒｋｒ（Ｌ）は圧延方向における測定値で、
Ｒａ（ｃ）　、Ｒｋｒ（ｃ）は圧延方向と垂直な方向に
おける測定値である。

の関係を満足することを特徴とするシャドウマスク用Ｆ
ｅ−Ｎｉ合金薄板。

５、前記１項の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、前記
１項の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ合金薄板の製造方法。

６、前記１項の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、前記
２項の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ合金薄板の製造方法。

７、前記１項の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、前記
３項の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ合金薄板の製造方法。

８、前記１項の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、前記
４項の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ合金薄板の製造方法。

なお上記各式におけるＲａ、　Ｒｋｒ　、　ＲＱａは以
下の如くである。

Ｒａとは、中心線平均粗さであり、下記の弐に示される
。

但し、Ｌ：測定長さ ｆ（ｘ）　　：粗さ曲線 Ｒｋｒとは、平均線に対しての粗さ曲線の上下のとがり
の程度を示す値であって、下記の数式により表わされる
。

のモーメントを示す。

ＲＱａは、平均線に対しての平均の傾斜角を示すもので
あり、下記の数式により表わされる。

（作用） 上記したような本発明について説明すると、本発明はシ
ャドウマスク用のインバー合金を対象としているが、事
実上問題のない熱膨脹特性として平均熱膨張係数（３０
〜１００℃）の上限を２．　ＯＸ　１０−’／’ｔ：と
し、この熱膨脹特性はＮｉ量に依存するもので、上述し
た平均熱膨張係数の条件を満たす成分範囲はｗｔ％（以
下単に％という）で、Ｎｉ量が３４〜３８％の場合であ
るから本発明合金のＮｉ量としてはこの３４〜３８％と
する。なおこのＮｉ量は必要とされる熱膨張係数に応じ
上記範囲内において適当に選択される。

次に本発明が目標とするエツチング性およびフラットマ
スク焼鈍時の密着焼付防止は表面粗度の適正化と合金中
Ｓｉ量およびその分布適正化が同時に満たされて始めて
達成される。即ちＳｉはＦｅ−Ｎｉ系インバー合金にお
いて焼鈍時の密着焼付防止に有効な元素であって、この
Ｓｉが０．０１％以上となるとこの焼付防止に有効な酸
化膜が形成される。

方このＳｉが０．１５％を越えると工、チング穿孔時の
ムラ発生が著しくなるのでこれを上限とし、これらから
して焼付が防止でき、しかもエツチング穿孔時にムラ発
生のないＳｉ量とじて０．０１〜０．１５％と定めた。

なおＳｉ量がこの範囲内の場合でも合金板表面でのＳｉ
の成分変動が大きいと、局部的にエツチング穿孔状態の
差に起因するムラ発生や焼鈍時に形成される酸化膜の性
状に差が生し、結果として局部的に焼付くなどの問題が
発生するため斯様な成分変動は制御されねばならない。

従って本発明では上記Ｓｉ量の規定に加え、エツチング
直前での合金板表面におけるＳｉの成分偏析率、を１０
％以下とすることにより上記した成分変動によるエツチ
ング穿孔性の局部的劣化、焼鈍時の局部的焼付を解決す
る。なお、このＳｉの成分偏析率が１０％以下であって
も最小濃度部で０．０１％未満となったり、最大濃度部
で０．１５％を超えるような場合には焼鈍時の焼付、エ
ツチング穿孔時のムラがそれぞれ発生するので、このよ
うなことにならないように制御する。

本発明で意図する焼鈍時の焼付防止効果およびエツチン
グ穿孔時のムラ発生の抑制は上述したような成分規定に
加えて、表面粗度の適正化が必要である。即ち第１図は
、Ｓ≦０．００２５％で、Ｓｉ：０．０１〜０．１５％
（板面内の何れの場所でもＳｉは０．０１〜０．１５％
）、Ｓｉの成分偏析率≦１０％の合金板についてエツチ
ング穿孔性、焼鈍時の密着焼付きについて調査し、それ
ら両者を共に満足する領域を表面粗度のパラメータＲａ
およびＲｋｒで示したものである。Ｒｋｒが何れの値の
場合でもＲａが０．８μｍを鰯える場合にはエツチング
穿孔時のムラ発生が著しくなり、一方Ｒａが０．３μｍ
未満の場合にはフラットマスク焼鈍時の密着焼付が発生
し、且つフラットマスクの均一密着性不良が発生するの
で本発明におけるＲａの範囲は０．３〜０．８μｍとす
る。

又このようなＲａの適正化に加え、焼鈍時の焼付き防止
のためにはＲｋｒの適正化も必要である。即ちＲａが０
．３〜０．８　μｍの範囲でも、Ｒｋｒが３未満では、
フラットマスク焼鈍時の密着が発生し、方Ｒｋｒが７を
越える場合ではフラットマスク焼鈍時の局部的焼付きが
発生し、またエツチング穿孔時のムラ発生が問題となる
。更に、Ｒａ＜　　（’／＋５）Ｒｋｒ　＋　０．６の
条件ではフラットマスク焼鈍時の密着が発生する。すな
わち、Ｒａが０．３〜０．４μｍの場合では、焼付の生
じないＲａの下限値は、Ｒｋｒを高めることにより、よ
り近くすることができる。

結果的に低いＲａのレベルでも焼付きを防止できるため
、エツチング穿孔がより高密度化した場合でも、画面の
ムラ品位をより優れたものとすることができる。

以上より本発明で意図する効果を得るための表面粗度の
条件として、Ｒａ　：　０．３〜０．８　ｔ！　ｍ、　
　Ｒｋｒ：３〜７で、かつ（Ｒａ）≧−１八５（Ｒｋｒ
）　＋　０．６と定めた。

以上のような、Ｓｉ量およびその分布の適正化と、表面
粗度の適正化により、Ｆｅ−Ｎｉインバー合金をシャド
ウマスク用薄板に通用する際でのエツチング穿孔性およ
び焼鈍時の密着焼付を防止できるが、フラットマスクの
１回の焼鈍での積層枚数を従来よりも、さらに多くし焼
鈍時のコストの低減を計ろうとする場合には、上記の表
面粗度の規定に加え、表面粗さの面内での異方性を特定
値以下にしなければならない。即ち表面粗度の異方性を
Ｒａ　（Ｌ）　−Ｒａ　（ｃ）　　｜≦０．１μｍ１’
　Ｒｋｒ（Ｌ）　　Ｒｋｒ（ｃ）　｜≦０．５とするこ
とにより、従来よりフラットマスクの積層枚数を多くし
た際でも、部分的な焼付きは回避できる。

なお、フラットマスクの焼鈍時の密着焼付の発生しない
臨界温度を高くするためには、上記の成分、表面粗度の
規定に加え、粗さ曲線の平均傾斜角（ＲＱａ）の適正化
およびＳの低減が有効である。

第２図はＲＱａが０．０３未満または０．０５超でＲａ
、　Ｒｋｒ、ＳｉおよびＳｉの偏析率が本発明範囲内で
あり、かつＳ量が変化した材料を用い焼鈍温度を変えて
、密着焼付の状態を調べたものである。Ｓ量の低減によ
り、焼付の生じない臨界の焼鈍温度を高くすることがで
きる。

このようなＳの低減による効果の明確な機構は必ずしも
判然としないが、本発明範囲内Ｓｉ量のインバー合金に
おけるプレス前焼鈍時に表面に形成される密着防止に有
効なＳｉの酸化膜形成と、Ｓの表面偏析が、表面に競合
して起こるためではないかと推察される。

また、第３図に示すように、粗さ曲線の平均傾斜角（Ｒ
Ｑａ）は０．０３〜０．０５の範囲とすることにより焼
付の佳しない臨界の焼鈍温度を同−Ｓ量でも高くするこ
とができる。

更に、Ｓｉの偏析低減の手段としては、たとえば、鋼塊
又は連続鋳造（ＣＣ）スラブを１２００℃×２０ｈｒの
加熱をなし、１次分塊での断面減少率２０〜６０％にて
分塊圧延を行ないその軽分塊スラブを１２００℃Ｘ２０
ｈｒで加熱し、２次分塊での断面減少率３０〜５０％で
分塊圧延し、徐冷する工程があげられる。この工程の中
では１次の加熱・均熱によるＳｉの鋼塊偏析低減、１次
分塊での加工及び引き続く加熱・均熱によるＳｉの鋼塊
偏析及びミクロ偏析の低減促進および２次分塊による加
工並びに引き続く徐冷過程でのＳｉの鋼塊偏析及びミク
ロ偏析の低減のさらなる促進という、大きく分けて３つ
の工程における均質化の相乗効果によりはしめてＳｉの
均質化が達成されているのである。

なお分塊前の加熱は、雰囲気中のＳ含有量を８０ｐｐｍ
以下と極力低くして加熱中の粒界脆化を抑制し、分塊ス
ラブにおける表面疵の発生抑制を配慮する。

更に本発明で特徴としているシャドウマスク用薄板は上
記のような製造履歴のものに限らず、溶鋼から直接に冷
延素材を鋳造するストリップキャスティングまたはスト
リップキャスティングにより鋳造された銅帯を熱延軽圧
下することにより冷延素材を製造する工程を経たもので
も本発明の効果は充分に発揮される。又このような表面
をもつシャドウマスク用インバー合金素材の製造は最終
冷延または調質圧延時にダルロールを用いて圧延するこ
とにより達成し得る。

なお、アンバー合金のエツチング穿孔性、特にエツチン
グ穿孔後の孔界面の品質を向上させ、かつエツチング工
程におけるエツチング液の汚れを少なくし、エツチング
の作業性を向上させるためには、例えば合金中の非金属
介在物の組成を第４図に示すＡ　１２０ｉ−ＣａＯ−Ｍ
ｇＯ系三元状態図の点■５■、■、■および■を結んだ
５辺形で囲まれた領域外の組成に制御することが必要で
ある。すなわち、このような介在物の組成制御により、
エツチング直前での非金属介在物はサイズ３μｍ以下の
球形の介在物が主体となり、展伸性を有する圧延方向に
伸びた線型の介在物が極めて少なくなる結果エツチング
孔の界面における介在物に起因したビットの形成が抑制
され、かつ線状介在物がエツチング液に混入してエツチ
ング液の汚れることも極めて少なくなる。

上記したようなダルロールを得るには放電加工、レーザ
ー加工なども採用し得るが、ショツトブラスト法によっ
てダル目付けすることが好ましく、この場合においてロ
ール材質としてはＳＫＨ（硬度Ｈｓ８５〜９５）を採用
し、又径１００〜１２５■φのものを用いることが適切
である。ショツトブラスト法によるロール加工条件とし
ては＃１２０〜＃２４０のスチールグリッド（Ｈｖ４０
０〜９５０）を用い、投射エネルギーとしては＃１２０
で低目、＃２４０では高目のものを採用する。このよう
に、スチールグリッドの粒度および投射エネルギーの選
択を適正化することによりＲＱａは０．０３〜０．０５
　（ラジアン）とすることができる。

適正ロール表面粗度を得るには、加工前においてＲａ　
：　０．１　μｍ以下としたものに対し加工処理してＲ
ａ　：　０．４〜１．５１！ｍ、　　Ｒｋｒ　：　３〜
１２とし、このようなロール粗度として本発明範囲の表
面粗度を適切に得しめる。

圧延に関しては、最終冷延または調質圧延に当り前述し
たようなダルロールで１バス当り１０％以上、しかも合
計２パス以上を採用し、１パス当り１０％以上の圧下を
なすことでロール粗度が充分に転写され、しかも２バス
以上とすることより所定のＲｋｒを有効に得しめる。

更に具体的な圧延に際して用いられる圧延油としては温
度１０〜５０℃で粘度７〜８ｃｓｔのものを０．１〜０
．５　ｋｇ／ｃｄで吐出して用い、圧延速度は３０〜２
００ｆｆｌｐｗ１、圧延時の張力は前方が１５〜４５ｋ
ｇ／Ｉ１ｍ”、後方を１０〜４０ｋｇ／ｍ”程度となし
、単位幅当りの圧下力としては０．１５〜０．２５　ト
ン／ｆｌとすることが好ましい。前記した圧延油吐出圧
力が０．１ｋｇ／−未満であり、あるいは０．５ｋｇ／
ｄ超えではその他の条件が適正でも本発明で目標とする
合金薄板の表面粗度が得難い傾向が認められ、又０．５
ｋｇ／ｃ−ｄ超えでは表面粗度にムラが発生する。又上
記したような圧延時の張力条件適正化によって圧延材で
ある合金薄板の平坦度を良好なレベルとすることができ
る。

薄板圧延に当ってアイアニングロール、アンチクリンピ
ンクロールなどが採用され、また中間焼鈍、ＳＲ焼鈍と
して軟鋼用連続焼鈍炉（Ｈ，濃度５〜１５％、ＤＰ−１
，０〜−３０°Ｃの雰囲気ガス）または光輝焼鈍炉（Ｈ
２濃度１５〜１００％、ＤＰ−２０〜−５０°Ｃ）など
が用いられる。

上記したような本発明によるものの具体的実施例を示し
、その作用効果の仔細を説明すると以下の如くである。

実施例１ 次の第１表に示すような成分組成を有する合金Ｎｏ、　
１〜４を電気炉にて出鋼し、その後に取鍋精錬を行うこ
とによって７トン綱塊として得た。

なお、出鋼後の取鍋精錬は、ＣａＯ：　４０％以下のＭ
ｇＯ−ＣａＯ系耐火物よりなる取鍋を使用し、溶滓は成
分かｗｔ％で（Ｃａｂ）／　（Ｃａｂ）　＋　（Ａｊ２
２（＋３）が０．４５％以下、）ＩｇＯが２５％以下、
５ｉＯｚが１５％以下、Ｓｉより酸化力の弱い金属の酸
化物が３％以下であるＣａ０−Ａｆ　Ｚｏ：１−ＭｇＯ
系のものであり、これにより処理することで第１表中の
化学成分および後述する第２表のような合金を得た。

上記したようにして得られた各銅塊を手入れの後、１２
００°Ｃで２０時間加熱し、１次分塊にて断面減少率６
０％で分塊圧延を行い、しかるのち１２００°Ｃで２０
時間加熱し、２次分塊にて断面減少率４５％で分塊圧延
を行い、徐冷することにより、合金Ｎα１よりａ　−ｆ
の供試材を得、合金Ｎ。

２は供試材ｇ、台金Ｎα３は供試材ｈ１合金Ｎｏ、　４
は供試材ｉとして夫々用意した。なお供試材すの材料は
７トン鋼塊を手入れ後、１２００　”Ｃにて１５時間加
熱し、１次分塊にて断面減少率７８％で分塊圧延を行い
徐冷することによりスラブを準備した。

これらのスラブを手入れし酸化防止剤を塗布後、加熱温
度１１００°Ｃで加熱してから熱間圧延を行った。なお
この際、１０００°Ｃ以上での合計圧下率は８２％であ
り、８５０　’Ｃ以上での合計圧下率は９８％であって
、熱間圧延された熱延コイルの巻取り温度は５５０〜７
５０°Ｃであった。

上記のようにして得られた熱延コイルは脱スケール後、
冷延、焼鈍を繰返し、最終冷延または調質圧延時にダル
ロールを用いて圧延することにより後述する第３表に示
す表面粗度を有する板厚０．２５ｉｏの合金板を夫々得
た。なお、エンチングテスト材の介在物の形態、大きさ
分類は、原板の圧延方向における板厚断面で測定した。

測定方法は８００倍にて６０ＩＩＩＩ＋２検鏡し、視野
内すべての介在物の厚さ、長さを測定し、（長さ／厚さ
）≦３を球状介在物、（長さ／厚さ）〉３を線状介在物
として分類し、かつそれらの介在物のサイズ別の個数（
１ｍｍ”当り）で表記した。

用いたロールのダル目付けはショツトブラスト法で材質
５ＫＨ（Ｈｓ９０）の径１２０ａｍのロールに対し＃１
２０のスチールグリッド（Ｈｖ４００〜９５０）で加工
し、加工後の表面粗度がＲａ：０．３〜１．２０、Ｒｋ
ｒ：３〜１２のロールを用い、この実施例では最終調質
圧延時に前記ダルロールにより１バス目は１８．６％、
２パス目は１２．３％（合計圧下率２８．６％）で行っ
た。またこの圧延に当って採用された圧延油の粘度は７
．５ｃｓｔであり、圧延速度はｌＯＱｍｐｍであって、
圧延時張力については前方２０　ｋｇ／　Ｉｎ１ｌ＋２
、後方１５ｋｇ／ｍｍ２で実施した。

なお、この圧延において用いられた単位幅当りの圧下刃
は０．２０）ン／ｍｍ、圧延油の吐出圧力は０．４ｋｇ
／ｃｍであって、円滑に圧延処理することができ、得ら
れた合金板の平坦度その他は良好なレヘルのものとして
得ることができた。

上記のような各合金板の板面におけるＳｉの偏析率はＥ
ＰＭＡによるマツピングアナライザーにより調査した。

又これらの合金薄板コイルにエツチング穿孔し、フラッ
トマスクを作製し、ムラ発生の状況を調査した。さらに
エツチング孔の界面を走査型電子顕微鏡により観察し、
ピットの有無を調べ、またエンチング液め汚れは、エツ
チング穿孔後の残滓の量を調べることにより行った。更
に焼鈍時の密着焼付については上記したようなフラット
マスクを３０枚積層し、９００℃の温度で焼鈍した後に
密着の状況を調査した。合金Ｎｏ、　３〜４の各村は、
次の第２表に示すような介在物の組成を有し、この介在
物は液相線温度１６００°Ｃ以上の融点を有するもので
、エツチング直前の合金薄板での介在物は形状からして
球状、大きさも幅でみて、３μｍ以下のものが主体とな
っており、エツチング穿孔性でみても、孔界面のビット
は見られず、エツチング液の汚れも極めて少なく、エツ
チング性に優れている。即ち本発明で意図する合金素材
としては、このようにエツチング穿孔性に優れているも
のを基本としている。

上記したような各調査の結果は何れも次の第３表に示す
如くであり、又各合金階１〜４については第５図のＡ　
１．　ｚＯｓ　　ＣａＯＭｇＯ系三元状態図に■〜■と
して示した。

即ち供試材ａおよびｇの材料は、Ｓｉ量、Ｓｉ偏析率、
Ｒａ　（Ｌ）　、Ｒａ　（Ｃ）　、Ｒｋｒ　（Ｌ）、Ｒ
ｋｒ　（Ｃ）、（Ｒａ）　＋”／＋５（Ｒｋｒ）　　０
．６の値が何れも本発明範囲内にあり、エツチング穿孔
時のムラ発生および焼鈍時の密着焼付はともに認められ
ない。

これに対し、供試材り、ｉ、ｂのものは、何れも表面粗
度のパラメータが本発明範囲内にあるものの、Ｓｉ量に
ついては本発明規定範囲下限を下まわるもの、その上限
値を越えるもの、あるいは偏析率が上限を越えるもので
あり、エツチング穿孔時のムラ発生、焼鈍時の密着焼付
のうち、１つまたは２つに問題が認められる。

なお供試材ｃ、ｄ、ｅ、ｆの各村は何れもＳｉ量および
Ｓｉの偏析率が本発明の規定範囲内にあるが、それぞれ
本発明におけるＲａの上限、（Ｒａ）　＋’／ｌ５（Ｒ
ｋｒ）−０，６の値、Ｒｋｒの下限、Ｒｋｒの上限から
外れるものであって、エツチング穿孔時のムラ発生、焼
鈍時の密着焼付性のうち１つ以上の性能が好ましくない
。

即ち本発明で目的とする効果は、Ｓｉ量、Ｓｉの偏析率
という成分的配慮に加え、表面粗度の適正化が図られて
始めて達成されることが理解される。

実施例２ 前記した実施例１の供試材ａの作製のために用いた熱延
コイルおよび供試材ｇの作製に用いた熱延コイルを脱ス
ケール後、冷延と焼鈍を繰返し最終冷延または調質圧延
時にダルロールを用いて圧延し、次の第４表に示すよう
な表面粗度を有する板厚０．２５ｍｍの合金板（供試材
ｊ、に、Ｎ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒおよびＳ）を得た
。

これらの供試材における板面でのＳｉ偏析率は実施例１
と同じ方法で調べたが何れも４〜７％の範囲であった。

又これらの合金薄板コイルをエツチング穿孔してフラッ
トマスクを作製し、ムラ発生状況を調査した。更に焼鈍
時の密着焼付は上記したフラットマスクを５０枚積層し
案４表に示す温度で焼鈍してその後の密着状況を調べた
。これらの結果は何れも次の第４表に併せて示す如（で
ある。

なお、この実施例ムこおいて用いられたダルロール、圧
延条件などについては前記した実施例１に述べたところ
と同様であるが、ロールの表面粗度は加工後においてＲ
ａ：０．４５〜１．Ｏｕｍ、　　Ｒｋｒ：　３〜Ｉ２の
ものであった。

即ち供試材ｊは、Ｓｉ量、Ｓｉ偏析率および表面粗度が
何れも本発明規定範囲内で、Ｓｉは０．０００５％のも
のであり、エツチング穿孔時のムラ発生はなく、しかも
この実施例の焼鈍条件においても密着焼付は発生してい
ない。

これに対し供試材Ｓは、Ｓｉ量、Ｓｉの偏析率および表
面粗度が本発明の規定範囲内のもので、Ｓｉが０．００
２５％のものであり、エツチング穿孔時のムラ発生はな
いが、焼鈍時の密着焼付が一部で発生している。このよ
うに本発明の構成要件を満たす場合であっても焼鈍温度
が実施例１より高温となるような場合にはＳｉを低くす
ることにより密着焼付の発生を防止し得ることが理解さ
れる。

また供試材ｎはＲａＯ面内異方性およびＲｋｒの面内異
方性以外は本発明の規定範囲内のものであって、この材
料はエツチング穿孔時のムラ発生はなく、９００°Ｃの
焼鈍では密着焼付が発生していない。これに対し供試材
ｍは供試材ｎのフラットマスクを９５０°Ｃで焼鈍した
場合であって、この場合は焼鈍時の密着焼付が発生して
いる。

なお供試材に、ｆの各村も夫々Ｒａの面内異方性、Ｒｋ
ｒＯ面内異方性以外は本発明の規定範囲内のものである
が、これらの材料でも９５０　”Ｃの焼鈍で密着焼付き
が一部に発生している。これらの供試材に、１、ｍに対
し、供試材ｊのものではＲａＯ面内異方性およびＲｋｒ
の面内異方性も含め、すべてが本発明規定範囲内であっ
て、この場合には焼鈍温度が９５０°Ｃでも密着焼付は
発生していない。

このように９００　”Ｃで焼鈍密着が発生しない材料で
あっても、焼鈍温度をより高温とする際にはＲａおよび
Ｒｋｒの面内異方性について適正化が必要である。

また供試材０、ｐ、ｑ、ｒはＲ（ｌａのみが本発明規定
外のものである。供試材ｏ、ｑは焼鈍温度が８５０°Ｃ
の場合であり、密着焼付は発生していないが、供試材ｐ
、ｒは焼鈍温度が９００°Ｃの場合であり、密着焼付は
一部で発生している。これらに対して供試材ＳはＲＱａ
も含め、すべでの条件が本発明範囲内にある場合であり
、９００℃焼鈍でも密着焼付は発生していない。このよ
うに、同一のＳ量でも、ＲＱａを本発明範囲内とするこ
とにより密着焼付の発生する温度を高くすることができ
る。

「発明の効果」 以上説明したような本発明によるときは、エツチング穿
孔性に優れ、又穿孔時のムラ発生を的確に防止し、且つ
穿孔後のフラットマスクを焼鈍するに当っての密着焼付
をも適切に防止したＦｅ−Ｎｉ系インバー合金のシャド
ウマスク用薄板を提供し、又その好ましい製造法を得し
めて高品位のフラットマスクを製造でき、かつ焼鈍時の
歩留りの向上、コストの低減の可能などがあげられ、そ
の経済的効果は大きいなど工業的に優れた発明である。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の技術的内容を示すものであって、第１図
はエツチング穿孔性、焼鈍時の密着焼付きとＲａ、　　
Ｒｋｒの関係を示した図表、第２図はフラットマスクの
焼鈍密着性とＳ量の関係を焼鈍時フラットマスクの積層
数３０枚の場合について示した図表、第３図は密着焼付
きを生しない９ｎ界焼鈍温度とＳ量、ＲＱａの関係を示
した図表、第４図ユまＣａＯ：０〜Ｏ％を底辺とｐｐ　
ｉ　２ｏ、、、ｌ’１ｇＯが各３０〜１００％範囲のＡ
　Ｒ２０３−ＣａＯｗｔ１ｇｏ系三元状態図、第５図は
ＭｇＯを底辺とした各０〜１００％範囲のＡ　１．２０
３ＣａＯ−ＭｇＯ系三元状態図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、Ｓｉ：０．０１〜０．１５ｗｔ％、Ｎｉ：３４〜３
   ８ｗｔ％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物か
   ら成り、かつその合金鋼帯の板厚はフラットマスクの多
   数枚を積み重ねて焼鈍処理する工程を含むシャドウマス
   クの製造に供する該フラットマスクと実質上同等であり
   、その表面粗度（Ｒａ）が０．３〜０．８μｍで、しか
   も粗さ曲線の高さ方向のとがり指標であるクルトシス（
   Ｒｋｒ）が３〜７で且つ （Ｒａ）≧−１／１５（Ｒｋｒ）＋０．６ の条件を満足し、またエッチング直前での合金板の表面
   におけるＳｉの成分偏析率 ｜偏析域の成分濃度−平均成分濃度／平均成分濃度｜×
   １００が１０％以下であることを特徴とするシャドウマ
   スク用Ｆｅ−Ｎｉ合金薄板。 ２、Ｓｉ：０．０１〜０．１５ｗｔ％、Ｎｉ：３４〜３
   ８ｗｔ％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物か
   ら成り、かつその合金鋼帯の板厚はフラットマスクの多
   数枚を積み重ねて焼鈍処理する工程を含むシャドウマス
   クの製造に供する該フラットマスクと実質上同等であり
   、その表面粗度（Ｒａ）が０．３〜０．８μｍで、しか
   も粗さ曲線の高さ方向のとがり指標であるクルトシス（
   Ｒｋｒ）が３〜７で且つ （Ｒａ）≧−１／１５（Ｒｋｒ）＋０．６ 且つ、粗さ曲線の平均傾斜角（ＲＱａ）が０．０３〜０
   ．０５の条件を満足し、またエッチング直前での合金板
   の表面におけるＳｉの成分偏析率 ｜偏析域の成分濃度−平均成分濃度／平均成分濃度｜×
   １００１０％以下であることを特徴とするシャドウマス
   ク用Ｆｅ−Ｎｉ合金薄板。 ３、請求項１の成分および表面粗度を有し、しかも該表
   面粗度の異方性が、下記式、 ｜Ｒａ（Ｌ）−Ｒａ（ｃ）｜≦０．１μｍ ｜Ｒｋｒ（Ｌ）−Ｒｋｒ（ｃ）｜≦０．５ 但しＲａ（Ｌ）、Ｒｋｒ（Ｌ）は圧延方向における測定
   値で、Ｒａ（ｃ）、Ｒｋｒ（ｃ）は圧延方向と垂直な方
   向における測定値である。 の関係を満足することを特徴とするシャドウマスク用Ｆ
   ｅ−Ｎｉ合金薄板。 ４、請求項２の成分および表面粗度を有し、しかも該表
   面粗度の異方性が、下記式、 ｜Ｒａ（Ｌ）−Ｒａ（ｃ）｜≦０．１μｍ ｜Ｒｋｒ（Ｌ）−Ｒｋｒ（ｃ）｜≦０．５ 但しＲａ（Ｌ）、Ｒｋｒ（Ｌ）は圧延方向における測定
   値で、Ｒａ（ｃ）、Ｒｋｒ（ｃ）は圧延方向と垂直な方
   向における測定値である。 の関係を満足することを特徴とするシャドウマスク用Ｆ
   ｅ−Ｎｉ合金薄板。 ５、請求項１の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
   の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、請求
   項１の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
   するシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ合金薄板の製造方法。 ６、請求項１の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
   の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、請求
   項２の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
   するシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ合金薄板の製造方法。 ７、請求項１の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
   の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、請求
   項３の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
   するシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ合金薄板の製造方法。 ８、請求項１の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
   の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、請求
   項４の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
   するシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ合金薄板の製造方法。