JPH0473925A - 半導体ウエハのデータ管理方法 - Google Patents

半導体ウエハのデータ管理方法

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JPH0473925A
JPH0473925A JP18772490A JP18772490A JPH0473925A JP H0473925 A JPH0473925 A JP H0473925A JP 18772490 A JP18772490 A JP 18772490A JP 18772490 A JP18772490 A JP 18772490A JP H0473925 A JPH0473925 A JP H0473925A
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wafer
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manufacturing
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JP18772490A
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Hajime Torii
鳥井 肇
Hideyuki Shimizu
秀之 清水
Takao Sekiya
関谷 貴雄
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Hitachi High Tech Corp
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Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は、半導体装置の製造工程における所謂前工程に
おいて、半導体ウェハ(以下、ウニ/Mという、)の生
産管理データや、電気的特性に関する測定値等のような
データを管理する技術に関し、例えば、生産管理や、製
品の特性解析、不良解析および異物解析や歩留りの向上
環に利用して有効な技術に関する。
〔従来の技術〕
従来のウェハのデータ管理方法として、複数のウェハの
集合からなる識別符号付きの口・ノドにモニタ用のウェ
ハをセントし、そのロフトに所定の半導体製造処理を施
した後、前記モニタウェハに対する測定を行い、その測
定値と前記ロフトの識別符号とを対応させた測定値履歴
ファイルをデータ処理装置を用いて作成することにより
、測定値のデータ管理を行うモニタウェハのデータ管理
方法、がある。
そして、この種のモニタウェハのデータ管理方法として
、特開昭63−220513号公報に記載されているも
のがある。
すなわち、このモニタウェハのデータ管理方法は、前記
モニタウェハ上に予め識別コードを付し、その識別コー
ドと前記ロフトの識別符号とを対応付けた対応ファイル
を前記データ処理装置に記録しておき、前記モニタウェ
ハに対する測定を行って、そのモニタウェハの識別コー
ドに対応する測定値を前記データ処理装置に入力し、そ
のデータ処理装置により、前記対応ファイルを参照しつ
つ、前記測定値履歴ファイルを作成させることを特徴と
する。
このモニタウェハの管理方法によれば、モニタウェハ上
に付された識別コードはモニタウェハと分層せず、その
モニタウェハを他のモニタウェハと区別し、ロフトとの
対応関係を明らかにする働きをするため、多数のウェハ
が同時に測定された場合であっても、各ウェハ単位の測
定データは後において、識別コードを基づいてロフト単
位測定データとして分類し得ることになる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、特開昭63−220513号公報に記載
されているウェハのデータ管理方法においては、ウェハ
のデータ管理がロフト単位によって管理されることにな
るため、製品の特性解析、不良解析および異物解析等の
データ管理はロフト単位による管理が限界になり、高い
精度の管理を実行することができないという問題がある
本発明の目的は、製品の特性、不良および異物解析、生
産等に関するデータをウェハ単位によって管理すること
ができるウェハのデータ管理方法を提供することにある
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。
すなわち、各ウェハの裏面にウェハの製造に必要な少な
くとも各ウェハの識別に関するデータがコード化されて
記録されることを特徴とする。
〔作用〕
前記した手段によれば、各ウェハの裏面にウェハの製造
に必要なデータが記録されているため、当該データを読
み取ることにより生産管理等のような情報が各ウェハ毎
に取り出されることになる。
したがって、製品の特性、不良および異物解析や、生産
等に関するデータをウェハ毎に管理することができ、ウ
ェハ管理精度を高め、生産性を高めることができる。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例であるウェハのデータ管理方
法を示す工程図、第2図はその作用を説明するためのウ
ェハを示す模式的裏面図、第3図はそれに使用されるコ
ード書き込み装置を示すブロック図、第4図は同じくコ
ード読み取り装置を示すブロック図、第5図は半導体ウ
ェハのデータ管理方法によって仮想的に得られるデータ
ファイルを示す模式図、である。
本実施例に係るウェハのデータ管理方法においては、各
ウェハ1の半導体集積回路が形成されない裏面2にウェ
ハの製造に必要なデータがコード化されて記録される。
製造に必要なデータが乗せられたコード(以下、単にコ
ードという、)3&L後記するコード書き込み装置11
が使用されてレーザによりウェハ1の裏面2に形成され
た刻印群により構成される。このコード3を構成する単
位としては、例えば、所謂CD−ROM (コンパクト
・ディスクを利用したリード・オン・メモリー)に使用
されるコードの単位を使用することができる。
本実施例において、製造に必要なデータとしては、各ウ
ェハの識別に関するデータ、製品名に関するデータ、生
産管理に関するデータ、製造条件に関するデータ、およ
び検査結果に関するデータが選定されており、これらデ
ータのコードはウェハIの裏面2に仮想的にエリアを画
成されて書き込まれている。すなわち、第2図に示され
ているように、ウェハlの裏面2には各ウェハの識別に
関するデータが乗せられたコードが書き込まれているエ
リア(以下、識別コードエリアという、)4と、製品名
に関するデータが乗せられたコードが書き込まれている
エリア(以下、製品名コードエリアという、)5と、生
産管理に関するデータが乗せられたコードが書き込まれ
ているエリア(以下、生産管理コードエリアという、)
6と、製造条件に関するデータが乗せられているコード
が書き込まれているエリア(以下、製造条件コードエリ
アという、)7と、検査結果に関するデータが乗せられ
ているコードが書き込まれているエリア(以下、検査結
果コードエリアという、)8と、が設定されている。
そして、識別に関するデータとしては、ロント番号と、
各ロフト内における各ウェハを識別するための各ウェハ
の個別番号とが設定されている。
製品名に関するデータとしては、半導体装置の製造工場
におけるコード名称等のように、これから製造しようと
している製品名を個別化することができる引りが設定さ
れている。生産管理に関するデータとしては、着工日時
、各製造工程の通過予定日時、工程完了予定日時等が設
定されている。
製造条件に関するデータとしては、各製造装置における
処理温度、処理時間、使用薬品の濃度等々についての初
期設定条件が設定されており、各製造装置側においては
このデータを入力されることにより、当該ウェハ1の処
理に関する初期条件が自動的に設定されるようになって
いる。検査結果に関するデータとしては、製造装置によ
る処理後の膜厚や、電気的抵抗値等々の測定値が設定さ
れている。
本実施例において、本発明に係るウェハのデータ管理方
法には、第3図に示されているように、ウェハの裏面に
コードを書き込むためのコード書き込み装置11が使用
される。第3図に示されているコード書き込み装置11
は、レーザをウェハの裏面に照射してウェハの裏面の一
部に微小ドツトの刻印を形成することにより、コードを
書き込むように構成されている。
すなわち、第3図に示されているコード書き込み装置1
1は、ターンテーブルまたはxY子テーブルから構成さ
れており、被書き込み物としてのウェハlを保持するウ
ェハ保持装置I2と、多関節ロボット等から構成されて
おり、ウェハlが収容されているウェハカセット13か
らウェハ1を1枚宛数り出してウェハ保持装置12に供
給するとともに、コードの書き込み後、ウェハ保持装置
12からウェハ1を受は取って、ウェハカセット13に
戻すウェハハンドラ14と、ウェハ保持装置12に対向
するように配設されており、ウェハ保持装置12に保持
されたウニハエの裏面2にレーザを微小スポット状に照
射することにより、ウェハlの裏面2に微小なドツト状
の刻印群から成るコードを書き込むレーザ照射装置15
と、コンピュータ等から構成されており、ウェハ保持装
置12、ウェハハンドラ14およびレーザ照射装置15
を制御するコントローラ16とを備えている。
そして、コントローラ16は後記するデータ処理装置4
0にオンラインで接続されている。このように構成され
るコード書き込み装置11は、所謂CD−ROMの原版
にデータを書き込むための書き込み装置の一部または全
部を利用することができる。
ちなみに、カセット13には多数条の保持溝(スロット
)が多数段(例えば、25段程度)列設されており、こ
の保持溝内にウェハを挿入されることにより、複数枚の
ウェハを規則的に整列させた状態で収納し得るようにな
っている。説明の便宜上、本実施例においては、10ッ
ト分のウェハが1つのウェハカセット13にそれぞれ収
容されているものとする。
また、本実施例において、本発明に係るウェハのデータ
管理方法には、第4図に示されているように、ウェハの
裏面に書き込まれたコードを読み取るためのコード読み
取り装置21が使用される。
第4図に示されているコード読み取り装置21はウェハ
の裏面の一部に微小ドツトの刻印群から構成されている
コードを、レーザをウェハの裏面に照射してその光学的
な変調を、利用することにより、読み取るように構成さ
れている。
すなわち、第4図に示されているコード読み取り装置2
1は、ターンテーブルまたはXY子テーブルから構成さ
れており、被読み取り物としてのウェハ1を保持するウ
ェハ保持装置22と、多関節ロボット等から構成されて
おり、ウェハlが収容されているうエバカセット23か
らウェハlを1枚宛数り出してウェハ保持装置22に供
給するとともに、コードの読み取り後、ウェハ保持装置
22からウェハ1を受は取って、ウェハカセット23に
戻すウェハハンドラ24と、ウェハ保持装置22に対向
するように配設されており、ウェハ保持装置22に保持
されたウェハ1の裏面2にレーザを微小スポット状に照
射するレーザ照射装置25と、ウェハ1を挟んでレーザ
照射装置25と光学的に対向されており、ウェハ1の裏
面2から反射されて来るレーザを受光して電気信号に変
換する受光装置26と、受光装置26に電気的に接続さ
れており、受光装置26からの電気信号に基づいて、ウ
ェハ1の裏面2に形成された刻印による反射レーザの変
調を電気的に検出することにより、コードを読み取る信
号処理装置27と、コンピュータ等から構成されており
、ウェハ保持装置22、ウェハハンドラ24、レーザ照
射装置25、受光装置26および信号処理装置27を制
御するコントローラ28とを備えている。そして、コン
トローラ28および信号処理装置27は後記するデータ
処理装置40にオンラインで接続されている。このよう
に構成されるコード読み取り装置21としては、所謂C
D−ROMプレーヤの一部または全部を適宜利用するこ
とができる。
データ処理装置40はコンピュータ等から構築されてお
り、比較的大きな容量の記録部としてのメモリーを備え
ている。
前記構成に係るコード書き込み装置11およびコード読
み取り装置21が使用されて本発明の一実施例であるウ
ェハのデータ管理方法が実施される場合、前記構成に係
るコード書き込み装置11およびコード読み取り装置2
1は複数台が用意され、第1図に示されているように、
ウェハ生産ラインにおける各工程の製造装置および検査
装置に適宜配置される。
第1図において、実線はウェハ1の流れを、破線はデー
タの送信をそれぞれ示している。また、Al、A2・・
・Anは、表面酸化工程、リソグラフィー工程、デボジ
ッシ5ン工程等々のような半導体装置の製造工程の所謂
前工程における第1工程、第2工程・・・第N工程を示
している。さらに、IBは第1工程A1における製造装
置、2Bは第2工程A2における製造装置、NBは第N
工程における製造装置、ICは第1工程A1における検
査装置、2Cは第2工程A2における検査装置、NCは
第N工程における検査装置をそれぞれ示している。
なお、各工程において、製造装置は複数台が設備され、
複数台の製造装置によって同種の作業が同時進行的に実
施されることにより、他の工程に対し作業時間が適宜調
和されるのが一般的であるが、説明の簡単化のため、複
数台についての図示および説明は省略する。また、検査
装置についても同じである。
そして、IDは第1工程A1に、2Dは第2工程に、N
Dは第N工程にそれぞれ配設されている各コード読み取
り装置21を示しており、各コード読み取り装置21は
製造装置にそれぞれ組み合わされ、各製造装置ヘウエハ
lが投入される直前にウェハ1のコード3を読み取って
、個々のウェハ1を識別するとともに、各製造装置に初
期設定条件をインプットするように構成されている。
また、IEは第1工程AIに、2Eは第2工程に、NE
は第N工程にそれぞれ配設されている各コード書き込み
装置11を示しており、各コード書き込み装置11は検
査装置にそれぞれ組み合わされ、各検査装置による検査
が終了した後、その検査結果をそのウェハ1の裏面2に
おける検査結果コードエリア8に書き込むように構成さ
れている。さらに、これらコード書き込み装置は書き込
んだデータをデータ処理装置40に随時送信し得るよう
になっている。
次に、前記構成に係るコード書き込み装置11およびコ
ード読み取り装置21が使用される場合の本発明の一実
施例であるウェハのデータ管理方法を説明する。
第1図に示されているように、生産ラインに投入される
前に、コード付およびカセットへのロット詰め工程AO
において、各ウェハ1には前述した各データのうち着工
前に書き込むべきコードがコード書き込み装置OEによ
り、識別コードエリア4、製品名コードエリア5、生産
管理コードエリア6および製造条件エリア7にそれぞれ
書き込まれる。そして、各ウェハ1は当該ロット番号に
対応する集合毎にウェハカセットにそれぞれ収納される
ここで、データ処理装置40には設計データによって入
手することができる各種のデータや、工場全体の生産計
画から入手することができる各種データがインブ7)さ
れている、したがって、コード書き込み装置OEはこの
データ処理装置40からのデータに基づいて前記各種デ
ータに関するコードを、次のような作用によって書き込
むことになる。
すなわち、第3図に示されているように、コード書き込
み装置11において、前記データ処理装置40からのデ
ータはコントローラ16に送信すれて来る。コントロー
ラ16はデータが所謂生データである場合には、所定の
処理によってコード化し、既にコード化されたデータで
ある場合に!叙そのコードをレーザ照射装置15に順次
送信する。
一方、ウェハカセット13に収容された被書き込み物と
してのウェハ1がウェハハンドラ14によって取り出さ
れ、ウェハ保持装置12上に裏面2をレーザ照射装置1
5側に向けられて保持される。
ウェハ1がウェハ保持装置12上に保持されると、レー
ザ照射装置I5からレーザが微小なスポット状に絞られ
て、ウェハ1の裏面2に照射される。
この照射により、ウェハ1の裏面2に微小なドツト形状
の刻印が形成され、この刻印の集合によって所望のコー
ドが所要の各コードエリアに書き込まれることになる。
所要のコードが書き込まれたウェハ1はウェハハンドラ
14によってウェハ保持装置12から搬出され、ウェハ
カセット13に戻される。
その後、ロフト毎に所定枚数のウェハ1が収納されたカ
セット群は第1工程A1に投入され、その工程のコード
読み取り装置!IDに供給される。
コード読み取り装置IDにおいて、ウェハカセットに収
容された各ウェハ1はロットコード、製品名コード、お
よび、製造条件コード等必要なコードを、次のような作
用によりそれぞれ読み取られる。
すなわち、第4図に示されているように、コード読み取
り装置21において、ウェハカセット23に収容された
被読み取り物としてのウェハ1がウェハハンドラ24に
よって取り出され、ウェハ保持装置12上に裏面2をレ
ーザ照射装置25側に向けられて保持される。ウェハ1
がウェハ保持装置12上に保持されると、レーザ照射装
置25からレーザが微小なスポット状に絞られて、ウェ
ハlの裏面2に照射される。ウェハ1の裏面2に照射さ
れたレーザは反射されて受光装置26により受光される
。ウェハ1の裏面2で反射される時、レーザはウェハl
の裏面2に形成された刻印において光学的に変調される
ため、受光装置26は当該刻印から成るコードを実賞的
に検出し、電気信号として測定することになる。そして
、信号処理装置27は受光装置26から送信されて来る
電気信号に基づいてコードを読み取り、データ処理装置
40に送信する。このようにしてコードが読み取られた
ウェハ1はウェハハンドラ24によってウェハ保持装置
22から搬出され、ウェハカセット23に戻される。
そして、このようにして読み取られたコードのうち製造
条件コードは初期設定条件データとして第1工程A1に
おける製造装置IBに送信され、製造装置IBはそのデ
ータによって初期設定条件を設定される。製造装置IB
における初期設定条件は必要に応じて自動的または手動
により適宜補正される。
続いて、所定のコード3を読み取られた各ウェハlは製
造装置IBに供給され、その製造装置IBによって設定
された製造条件に基づいて所定の処理を実施される。製
造装置IBによる第1工程A1における処理が各ウェハ
1に施されると、各ウェハ1は当該ロット毎に所定のカ
セットに再び収納される。
処理済みのウェハ1群が収納された実カセットは、製造
装置IBから第1工程A1における検査装置ICに送ら
れる。この検査装置ICにおいて、各ウェハ1は製造装
置IBによって施された処理について、例えば、膜厚測
定等のような検査を実施される。この検査装置による検
査結果データはデータ処理装置40に逐次送信される。
検査済みのウェハ1群が収納された実カセットは、検査
装置ICから第1工程A1におけるコード書き込み装置
IEに送られる。このコード書き込み装置IEにおいて
各ウェハ1の裏面2における検査結果コードエリア8に
検査結果データに関するコードが前述したような作用に
準して書き込まれる。
また、生産管理コードエリア6には第1工程における製
造日時および検査日時等のような生産管理に必要なデー
タが書き込まれる。
第1工程A1における検査およびコードの書き込みを終
えたウェハ1は不良品を除き、ロフト毎にウェハカセッ
トに収納され、第2工程A2へ送られる。
以降、前述した手順により、ウェハ1は第2工程A2、
第3工程・・・第1工程A1において、コード読み取り
作業、各種所定の処理、検査およびコード書き込み作業
をそれぞれ実施されることにより、工程が完了される。
なお、ウェハ1の裏面2は最終的に削除されるため、そ
の裏面2に刻印されたコード3はそれに伴って除去され
ることになる。
そして、本実施例に係るウェハのデータ管理方法におい
ては、各工程におけるコード読み取り装置ID、2D・
・・NDによって読み取られたロッド番号およびウェハ
番号から成る識別コードによって識別された各ウェハ1
と、検査装置IC12C・・・NCによって得られた各
ウェハ1についての検査結果データとによって、第5図
に示されているようなデータファイルがデータ処理装置
40において仮想的に作成される。
次に、このデータファイルの作成手順を簡単に説明する
第1工程AIにおけるコード読み取り装置IDによって
ウェハlのコード3が読み取られて、送信されて来ると
、データ処理装置40は当該ウェハ1のロフト番号およ
びウェハ番号を読み出し、データファイルに記録する。
続いて、コード読み取り装置IDによってコード3を読
み取られたウェハlは、直ちに製造装置IBで所定の処
理を実施された後、検査装置ICに送られるため、デー
タ処理装置40は検査装置ICから送信されて来る検査
結果データを、コード読み取り装置IDから読み出した
ウェハlのロフト番号およびウェハ番号に突き合わせて
、データファイルにおける検査結果の欄に記録する。
そして、第1工程AIについて各ウェハ毎に前記作動が
綴り返されることにより、第1工程A1についてのデー
タファイルが作成される。
以降、第2工程A2、第3工程・・・第1工程A1につ
いてのデータファイルが順次作成されて行き、全ロット
および全ウェハについてのデータが各ウェハ毎に整理さ
れてファイルされることになる。但し、ある工程で不良
品ウェハが発生してロフトから除かれた場合には、当該
ウェハについての当該工程以降のデータは、当然のこと
ながら作成されないことになる。
以上のようにして作成されたデータファイルは、ウェハ
の特性解析、不良解析および異物解析等に適宜利用され
る。この場合、このデータファイルには各ウェハ毎にデ
ータが整理されているため、ウェハ毎の解析が可能にな
り、解析の精度はきわめて高められることになる。
また、データ処理装置40は各ウェハ1が各工程At・
・・ANを通過する時に、各コード読み取り装置ID・
・・NDから送信されて来る生産管理コードに基づいて
、工程進度、工程完了予測日時、生産計画変更に関する
データファイル(図示せず)を作成する。この場合、こ
のデータファイルには各ウェハ毎にデータが整理されて
いるため、ウェハ毎の生産管理が可能になり、管理の精
度はきわめて高められることになる。
前記実施例によれば次の効果が得られる。
(])各ラウェの裏面にウェハの製造に必要なデータに
関するコードを刻印することにより、当該コードを読み
取ることによって製造に必要なデータをウェハ自体から
ウェハ毎に取り出すことができるため、製品の特性、不
良および異物解析や生産管理等に関するデータをウェハ
毎に管理することができ、ウェハ管理精度を高め、生産
性を高めることができる。
(2)各ウェハの裏面にウェハの製造に必要なデータに
関するコードをそれぞれ刻印しておき、ウェハに処理が
施される前または以後に、各ウェハの当該コードを読み
取ってデータ処理装置に記録するとともに、各ウェハに
ついての処理後の検査結果データを前記データ処理装置
に記録された前記コードにそれぞれ突き合わせて記録す
ることにより、各ウェハ毎に検査結果データを整理した
データファイルを仮想的に作成することができるため、
ウェハの特性解析、不良解析、異物解析およびデータ管
理等を各ウェハ毎に実行することができ、その解析およ
び管理等についての精度を高めることができる。
(3)  コード書き込み作業およびコード読み取り作
業をレーザを利用して実行するように構成することによ
り、ウェハの裏面を利用してコードを書き込むことがで
きるとともに、書き込まれたコードを正確に読み取るこ
とができる。
(4)  また、ウェハの裏面にコードを書き込むこと
により、ウェハの表面に形成される半導体集積回路等に
対する悪影響の発生を回避することができる。
(5)他方、ウェハ裏面に書き込まれたコードはウェハ
裏面の削除により、除去されてしまうが、必要なデータ
はデータ処理装置に残すことができるため、何ら支障は
ない。
(6)  ウェハ裏面にコードを書き込むことにより、
比較的大容量のデータをウェハ自体に書き込むことがで
きるため、その分、データ処理装置や製造装置等に搭載
すべきメモリーや、ソフトウェア等を軽減化することが
でき、設備投資を軽減することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、製造に必要なコードは、所謂CD−ROMのコ
ードを利用するに限らず、バーコードや、第6図に示さ
れているような特殊なコードを利用してもよい。
また、製造に必要なデータに関するデータは、少なくと
も各ウェハの識別に関するデータとしてもよい。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
各ウェハの裏面にウェハの製造に必要なデータに関する
コードを刻印することにより、当該コードを読み取るこ
とによって製造に必要なデータをウェハ自体からウェハ
毎に取り出すことができるため、製品の特性、不良およ
び異物解析や生産管理等に関するデータをウェハ毎に管
理することができ、ウェハ管理精度を高め、生産性を高
めることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例であるウェハのデータ管理方
法を示す工程図、 第2図はウェハを示す模式的裏面図、 第3図はそれに使用されるコード書き込み装置を示すブ
ロック図、 第4図は同じくコード読み取り装置を示すブロック図、 第5図は半導体ウェハのデータ管理方法によって仮想的
に得られるデータファイルを示す模式図である。 第6図はコードの変形例を示す模式図、である。 l・・・ウェハ、2・・・裏面、3・・・製造に必要な
データに関するコード、4・・・ウェハ識別コードエリ
ア、5・・・製品名コードエリア、6・・・生産管理コ
ードエリア、7・・・製造条件コードエリア、8・・・
検査結果コードエリア、11・・・コード書き込み装置
、12・・・ウェハ保持装置、13・・・ウェハカセッ
ト、14・・・ウェハハンドラ、15・・・レーザ照射
装置、16・・・コントローラ、21・・・コード読み
取り装置、22・・・ウェハ保持装置、23・・・ウェ
ハカセット、24・・・ウェハハンドラ、25・・・レ
ーザ照射装置、26・・・受光装置、27・・・信号処
理装置、28・・・コントローラ、40・・・データ処
理装置、Al・・・第1工程、A2・・・第2工程、A
N・・・第N工程、IB−NB・・・製造装置、IC−
NC・・・検査装置、ID−ND・・・コード読み取り
装置、IE−NE・・・コード書き込み装置。 代理人 弁理士 梶  原  辰  也第 図 第 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、各半導体ウェハの裏面に半導体ウェハの製造に必要
    な少なくとも各ウェハの識別に関するデータがコード化
    されて記録されることを特徴とする半導体ウェハのデー
    タ管理方法。 2、前記コードが、レーザの照射により半導体ウェハの
    裏面に形成される刻印によって構成されることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の半導体ウェハのデータ
    管理方法。3、半導体ウェハの製造に必要なデータが、
    各ウェハ識別に関するデータ、製品名に関するデータ、
    生産管理に関するデータ、製造条件に関するデータ、お
    よび検査結果に関するデータであることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の半導体ウェハのデータ管理方
    法。
JP18772490A 1990-07-16 1990-07-16 半導体ウエハのデータ管理方法 Pending JPH0473925A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003065426A1 (fr) * 2002-01-29 2003-08-07 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. Procede de fabrication de plaquettes a semi-conducteur, procede d'agrement de commandes de fabrication de plaquettes a semi-conducteur, et systeme d'agrement de commandes de fabrication de plaquettes a semi-conducteur

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