JPH05198465A - 半導体ウエハおよび半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体ウエハおよび半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH05198465A JPH05198465A JP980992A JP980992A JPH05198465A JP H05198465 A JPH05198465 A JP H05198465A JP 980992 A JP980992 A JP 980992A JP 980992 A JP980992 A JP 980992A JP H05198465 A JPH05198465 A JP H05198465A
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- Japan
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- wafer
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- semiconductor
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- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ管理情報の位置が半導体ウエハ毎に異
なっても、そのウエハ管理情報の自動読み取りを可能と
する。 【構成】 半導体ウエハ１の主面のチップ領域２の無い
空き領域において、同一径の異なる半導体ウエハ間で共
通する一定の位置に、半導体ウエハ１を管理するための
ウエハ管理情報の位置情報の記された位置情報領域５を
設けた。
なっても、そのウエハ管理情報の自動読み取りを可能と
する。 【構成】 半導体ウエハ１の主面のチップ領域２の無い
空き領域において、同一径の異なる半導体ウエハ間で共
通する一定の位置に、半導体ウエハ１を管理するための
ウエハ管理情報の位置情報の記された位置情報領域５を
設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハおよび半
導体集積回路装置技術に関し、特に、半導体集積回路装
置の製造管理技術に関するものである。
導体集積回路装置技術に関し、特に、半導体集積回路装
置の製造管理技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置の製造工程には、例
えば半導体ウエハの主面上に規則的に配置された複数の
チップ領域の各々に、リソグラフィ技術等によって半導
体集積回路装置を形成した後、個々のチップ領域を、ダ
イシングによって分離する工程がある。
えば半導体ウエハの主面上に規則的に配置された複数の
チップ領域の各々に、リソグラフィ技術等によって半導
体集積回路装置を形成した後、個々のチップ領域を、ダ
イシングによって分離する工程がある。
【０００３】ところで、従来、半導体ウエハの主面上の
個々のチップ領域の仕様（例えばグレード等）は全てほ
ぼ同一であったが、最近では同一の半導体ウエハのチッ
プ領域でも個々の仕様が異なる場合がある。
個々のチップ領域の仕様（例えばグレード等）は全てほ
ぼ同一であったが、最近では同一の半導体ウエハのチッ
プ領域でも個々の仕様が異なる場合がある。
【０００４】このため、上述のダイシング工程後、個々
のチップ領域を仕様毎に分類する必要があるが、この分
類の際に、半導体ウエハ上の個々のチップ領域の仕様等
を把握していないとすると、その選別・分類が行えなく
なる。
のチップ領域を仕様毎に分類する必要があるが、この分
類の際に、半導体ウエハ上の個々のチップ領域の仕様等
を把握していないとすると、その選別・分類が行えなく
なる。
【０００５】そこで、従来は、半導体ウエハの主面上に
おいて、チップ領域の無い空き領域にウエハ管理情報と
して、例えばチップ領域内の半導体集積回路装置の品種
名、ウエハ番号およびロット番号等をリソグラフィ技術
やレーザマスク技術等により記入するとともに、そのウ
エハ管理情報に対応する半導体ウエハの個々のチップ領
域の情報を別の記録媒体に記録しておき、上述のダイシ
ング工程後の選別・分類等に役立てている。
おいて、チップ領域の無い空き領域にウエハ管理情報と
して、例えばチップ領域内の半導体集積回路装置の品種
名、ウエハ番号およびロット番号等をリソグラフィ技術
やレーザマスク技術等により記入するとともに、そのウ
エハ管理情報に対応する半導体ウエハの個々のチップ領
域の情報を別の記録媒体に記録しておき、上述のダイシ
ング工程後の選別・分類等に役立てている。
【０００６】なお、半導体集積回路装置製造におけるダ
イシング工程については、例えば日刊工業新聞社、昭和
６２年９月２９日発行、「ＣＭＯＳデバイスハンドブッ
ク」Ｐ２８４〜Ｐ２８５に記載がある。
イシング工程については、例えば日刊工業新聞社、昭和
６２年９月２９日発行、「ＣＭＯＳデバイスハンドブッ
ク」Ｐ２８４〜Ｐ２８５に記載がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
技術においては、以下の問題があることを本発明者は見
い出した。
技術においては、以下の問題があることを本発明者は見
い出した。
【０００８】すなわち、同一径の半導体ウエハであって
も半導体ウエハに形成されるチップ領域の寸法等が異な
れば空き領域の位置も変わるが、空き領域の位置が変わ
ればウエハ管理情報の位置も変わってしまうので、ウエ
ハ管理情報の読み取りが不可能となる問題があった。
も半導体ウエハに形成されるチップ領域の寸法等が異な
れば空き領域の位置も変わるが、空き領域の位置が変わ
ればウエハ管理情報の位置も変わってしまうので、ウエ
ハ管理情報の読み取りが不可能となる問題があった。
【０００９】一方、ウエハ管理情報を、半導体ウエハ間
で共通する一定の位置に形成すればウエハ管理情報の読
み取りにとっては都合が良いが、このようにするとすれ
ば、空き領域の位置が固定されるので、半導体チップの
取得数を減らさなければならない場合が生じる問題があ
った。
で共通する一定の位置に形成すればウエハ管理情報の読
み取りにとっては都合が良いが、このようにするとすれ
ば、空き領域の位置が固定されるので、半導体チップの
取得数を減らさなければならない場合が生じる問題があ
った。
【００１０】そこで、従来は、半導体チップの取得数を
優先する関係上、作業者が半導体ウエハ毎にウエハ管理
情報をサーチしたり、半導体ウエハの全面を自動サーチ
したりしているが、これらの場合、ウエハ管理情報を探
すのに長時間を要するとともに、半導体集積回路装置製
造の自動化推進を阻害する問題があった。
優先する関係上、作業者が半導体ウエハ毎にウエハ管理
情報をサーチしたり、半導体ウエハの全面を自動サーチ
したりしているが、これらの場合、ウエハ管理情報を探
すのに長時間を要するとともに、半導体集積回路装置製
造の自動化推進を阻害する問題があった。
【００１１】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、ウエハ管理情報の位置が半導体ウ
エハ毎に異なっても、そのウエハ管理情報を自動的に読
み取ることのできる技術を提供することにある。
であり、その目的は、ウエハ管理情報の位置が半導体ウ
エハ毎に異なっても、そのウエハ管理情報を自動的に読
み取ることのできる技術を提供することにある。
【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１４】すなわち、請求項１記載の発明は、主面に
おいて、異なる半導体ウエハ間で共通する一定の位置
に、ウエハ管理のためのウエハ管理情報の位置情報およ
び基準チップ領域の位置情報の少なくとも一方の情報の
記された位置情報領域を設けた半導体ウエハとするもの
である。
おいて、異なる半導体ウエハ間で共通する一定の位置
に、ウエハ管理のためのウエハ管理情報の位置情報およ
び基準チップ領域の位置情報の少なくとも一方の情報の
記された位置情報領域を設けた半導体ウエハとするもの
である。
【００１５】
【作用】上記した請求項１記載の発明によれば、位置情
報領域内の位置情報を読み取ることにより、ウエハ管理
情報の位置を自動的に把握することができる。
報領域内の位置情報を読み取ることにより、ウエハ管理
情報の位置を自動的に把握することができる。
【００１６】また、位置情報領域内の位置情報は、情報
量が少ないので、半導体チップの取得数を減らすことな
く、半導体ウエハの主面上において常に一定位置に記す
ことができる。
量が少ないので、半導体チップの取得数を減らすことな
く、半導体ウエハの主面上において常に一定位置に記す
ことができる。
【００１７】
【実施例】図１は本発明の一実施例である半導体ウエハ
の平面図、図２〜図４は図１の半導体ウエハに記された
ウエハ管理情報の位置の表現方法の一例を説明するため
の説明図である。
の平面図、図２〜図４は図１の半導体ウエハに記された
ウエハ管理情報の位置の表現方法の一例を説明するため
の説明図である。
【００１８】図１に示す本実施例の半導体ウエハ１は、
例えばシリコン（Ｓｉ）単結晶からなり、その主面に
は、複数のチップ領域２が規則的に配列された状態で形
成されている。各チップ領域２には、所定の半導体集積
回路装置が形成されている。
例えばシリコン（Ｓｉ）単結晶からなり、その主面に
は、複数のチップ領域２が規則的に配列された状態で形
成されている。各チップ領域２には、所定の半導体集積
回路装置が形成されている。
【００１９】また、半導体ウエハ１の主面において、例
えばオリエンテーションフラット３の近傍には、ウエハ
管理情報領域４が配置されている。ただし、ウエハ管理
情報領域４の配置位置は、オリエンテーションフラット
３の近傍に限定されるものではなく種々変更可能であ
り、チップ領域２の邪魔にならない位置に形成すれば良
い。
えばオリエンテーションフラット３の近傍には、ウエハ
管理情報領域４が配置されている。ただし、ウエハ管理
情報領域４の配置位置は、オリエンテーションフラット
３の近傍に限定されるものではなく種々変更可能であ
り、チップ領域２の邪魔にならない位置に形成すれば良
い。
【００２０】ウエハ管理情報領域４には、例えばチップ
領域２に形成された半導体集積回路装置の品種名、ロッ
ト番号およびウエハ番号等のようなウエハ管理情報（図
示せず）が記されている。
領域２に形成された半導体集積回路装置の品種名、ロッ
ト番号およびウエハ番号等のようなウエハ管理情報（図
示せず）が記されている。
【００２１】ウエハ管理情報は、例えば文字、数字、記
号あるいはバーコードによって構成されており、例えば
半導体ウエハの表面保護膜（図示せず）にレーザビーム
によって記載されている。ただし、ウエハ管理情報の記
載方法は、レーザビームによる方法に限定されるもので
はなく種々変更可能であり、例えばリソグラフィ技術に
よって形成しても良い。
号あるいはバーコードによって構成されており、例えば
半導体ウエハの表面保護膜（図示せず）にレーザビーム
によって記載されている。ただし、ウエハ管理情報の記
載方法は、レーザビームによる方法に限定されるもので
はなく種々変更可能であり、例えばリソグラフィ技術に
よって形成しても良い。
【００２２】ところで、本実施例においては、半導体ウ
エハ１の主面に、上記ウエハ管理情報の位置を示す位置
情報（図示せず）の記された位置情報領域５が配置され
ている。そして、位置情報領域５は、同一径の異なる半
導体ウエハ間で共通する一定位置に形成されている。
エハ１の主面に、上記ウエハ管理情報の位置を示す位置
情報（図示せず）の記された位置情報領域５が配置され
ている。そして、位置情報領域５は、同一径の異なる半
導体ウエハ間で共通する一定位置に形成されている。
【００２３】このため、ウエハ管理情報の位置が、半導
体ウエハ毎に異なっても、各半導体ウエハの位置情報領
域５内に記された位置情報を参照することにより、各半
導体ウエハ毎のウエハ管理情報を即座に捜し出すことが
可能になっている。
体ウエハ毎に異なっても、各半導体ウエハの位置情報領
域５内に記された位置情報を参照することにより、各半
導体ウエハ毎のウエハ管理情報を即座に捜し出すことが
可能になっている。
【００２４】ウエハ管理情報の位置情報は、例えば文
字、数字、記号あるいはバーコードによって構成されて
おり、例えばウエハ管理情報を記載する際に同時に記載
されている。
字、数字、記号あるいはバーコードによって構成されて
おり、例えばウエハ管理情報を記載する際に同時に記載
されている。
【００２５】位置情報領域５には、例えば次のようにし
てウエハ管理情報の位置が表現されている。これを図２
〜図４によって説明する。
てウエハ管理情報の位置が表現されている。これを図２
〜図４によって説明する。
【００２６】図２は、データ上の半導体ウエハ１Ｄ、デ
ータ上のチップ領域２Ｄおよびデータ上の位置情報領域
５Ｄを模式的に示している。本実施例においては、デー
タ上の半導体ウエハ１Ｄの主面に領域Ａ〜Ｃを予め設定
しておく。そして、ウエハ管理情報領域５の位置は、そ
れが配置されている領域Ａ〜Ｃの英文字等を記すことで
表現されている。
ータ上のチップ領域２Ｄおよびデータ上の位置情報領域
５Ｄを模式的に示している。本実施例においては、デー
タ上の半導体ウエハ１Ｄの主面に領域Ａ〜Ｃを予め設定
しておく。そして、ウエハ管理情報領域５の位置は、そ
れが配置されている領域Ａ〜Ｃの英文字等を記すことで
表現されている。
【００２７】すなわち、例えば図３のように、ウエハ管
理情報領域５が図２の領域Ａに記されている場合、位置
情報領域５には、ウエハ管理情報の位置情報として、例
えばＡ．０等のような文字が記される。また、例えば図
４のように、ウエハ管理情報領域４が図２の領域Ａ，Ｃ
に記されている場合は、位置情報領域５には、ウエハ管
理情報の位置情報として、例えばＡ．Ｃ等のような文字
が記される。
理情報領域５が図２の領域Ａに記されている場合、位置
情報領域５には、ウエハ管理情報の位置情報として、例
えばＡ．０等のような文字が記される。また、例えば図
４のように、ウエハ管理情報領域４が図２の領域Ａ，Ｃ
に記されている場合は、位置情報領域５には、ウエハ管
理情報の位置情報として、例えばＡ．Ｃ等のような文字
が記される。
【００２８】ただし、ウエハ管理情報領域４の位置の表
現方法としては、上記した方法に限定されるものではな
く種々変更可能であり、例えば半導体ウエハ１の中心を
原点とした場合におけるウエハ管理情報の先頭部分の位
置座標を記すことでウエハ管理情報の位置を表現するよ
うにしても良い。
現方法としては、上記した方法に限定されるものではな
く種々変更可能であり、例えば半導体ウエハ１の中心を
原点とした場合におけるウエハ管理情報の先頭部分の位
置座標を記すことでウエハ管理情報の位置を表現するよ
うにしても良い。
【００２９】次に、例えばダイ・ソータ工程を例とし
て、本実施例の半導体ウエハ１におけるウエハ管理情報
の自動読取り方法について図１により説明する。
て、本実施例の半導体ウエハ１におけるウエハ管理情報
の自動読取り方法について図１により説明する。
【００３０】まず、ダイ・ソータ工程に入る前に、半導
体ウエハ１のウエハ管理情報、すなわち、ロット番号や
ウエハ番号等を自動的に読み取る。
体ウエハ１のウエハ管理情報、すなわち、ロット番号や
ウエハ番号等を自動的に読み取る。
【００３１】この際、本実施例においては、位置情報領
域５内のウエハ管理情報の位置情報を自動的に読み取
り、半導体ウエハ１におけるウエハ管理情報の位置を把
握した後、その位置情報に基づいてウエハ管理情報を自
動的に捜し出し、ウエハ管理情報を自動的に読み取る。
域５内のウエハ管理情報の位置情報を自動的に読み取
り、半導体ウエハ１におけるウエハ管理情報の位置を把
握した後、その位置情報に基づいてウエハ管理情報を自
動的に捜し出し、ウエハ管理情報を自動的に読み取る。
【００３２】続いて、読み取ったウエハ管理情報に基づ
いて、その半導体ウエハ１のチップ領域２の位置座標等
の情報等を、フロピィディスクや光ディスク等のような
記憶媒体（図示せず）から取得する。
いて、その半導体ウエハ１のチップ領域２の位置座標等
の情報等を、フロピィディスクや光ディスク等のような
記憶媒体（図示せず）から取得する。
【００３３】その後、チップ領域２の位置情報等に基づ
いて、半導体ウエハ１の各チップ領域２のボンディング
パッド（図示せず）に、検査装置（図示せず）のプロー
ブ針を当てて、各チップ領域２の回路機能および電気的
特性を試験する。
いて、半導体ウエハ１の各チップ領域２のボンディング
パッド（図示せず）に、検査装置（図示せず）のプロー
ブ針を当てて、各チップ領域２の回路機能および電気的
特性を試験する。
【００３４】そして、その時に測定された各チップ領域
２のデータ、例えば良否、グレード等を上記したフロッ
ピィーディスクや光ディスク等のような記憶媒体に記憶
する。
２のデータ、例えば良否、グレード等を上記したフロッ
ピィーディスクや光ディスク等のような記憶媒体に記憶
する。
【００３５】このように本実施例によれば、半導体ウエ
ハ１の主面に配置された位置情報領域５内の位置情報を
読み取ることにより、ウエハ管理情報の位置を自動的に
把握することができるので、ウエハ管理情報の位置が半
導体ウエハ毎に異なっても、ウエハ管理情報を短時間で
自動読取りすることができ、半導体集積回路装置製造の
自動化を推進させることが可能となる。
ハ１の主面に配置された位置情報領域５内の位置情報を
読み取ることにより、ウエハ管理情報の位置を自動的に
把握することができるので、ウエハ管理情報の位置が半
導体ウエハ毎に異なっても、ウエハ管理情報を短時間で
自動読取りすることができ、半導体集積回路装置製造の
自動化を推進させることが可能となる。
【００３６】また、位置情報領域５内の位置情報は、情
報量が少ないので、半導体チップの取得数を減らすこと
なく、半導体ウエハ１の主面上において常に一定の位置
に記すことができる。すなわち、半導体チップの取得数
を低減させることなく、ウエハ管理情報の自動読取りが
可能となり、半導体集積回路装置製造の自動化を推進さ
せることが可能となる。
報量が少ないので、半導体チップの取得数を減らすこと
なく、半導体ウエハ１の主面上において常に一定の位置
に記すことができる。すなわち、半導体チップの取得数
を低減させることなく、ウエハ管理情報の自動読取りが
可能となり、半導体集積回路装置製造の自動化を推進さ
せることが可能となる。
【００３７】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３８】例えば前記実施例においては、位置情報領
域にウエハ管理情報の位置情報を記した場合について説
明したが、これに限定されるものではなく種々変更可能
であり、例えば位置情報領域内の処理に、基準となる基
準チップ領域の位置情報を記しても良いし、位置情報領
域内に、ウエハ管理情報の位置情報と、基準チップ領域
の位置情報との双方を記しても良い。
域にウエハ管理情報の位置情報を記した場合について説
明したが、これに限定されるものではなく種々変更可能
であり、例えば位置情報領域内の処理に、基準となる基
準チップ領域の位置情報を記しても良いし、位置情報領
域内に、ウエハ管理情報の位置情報と、基準チップ領域
の位置情報との双方を記しても良い。
【００３９】位置情報領域内に基準チップ領域の位置情
報を形成した場合、半導体ウエハ毎に基準チップ領域の
位置が異なったとしても、その位置を自動的に読み取る
ことができ、半導体集積回路装置の自動化を促進させる
ことが可能となる。
報を形成した場合、半導体ウエハ毎に基準チップ領域の
位置が異なったとしても、その位置を自動的に読み取る
ことができ、半導体集積回路装置の自動化を促進させる
ことが可能となる。
【００４０】また、前記実施例においては、ダイ・ソー
タ工程に際してのウエハ管理情報の読取りに本発明を適
用した場合について説明したが、これに限定されるもの
ではなく種々変更可能であり、例えばウエハプロセス中
におけるウエハ管理情報の読取りに際しても本発明を適
用できる。
タ工程に際してのウエハ管理情報の読取りに本発明を適
用した場合について説明したが、これに限定されるもの
ではなく種々変更可能であり、例えばウエハプロセス中
におけるウエハ管理情報の読取りに際しても本発明を適
用できる。
【００４１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００４２】すなわち、請求項１記載の発明によれば、
位置情報領域内の位置情報を読み取ることにより、ウエ
ハ管理情報の位置を自動的に把握することができるの
で、ウエハ管理情報の位置が半導体ウエハ毎に異なって
も、ウエハ管理情報を短時間で自動読取りすることがで
き、半導体集積回路装置製造の自動化を推進させること
が可能となる。
位置情報領域内の位置情報を読み取ることにより、ウエ
ハ管理情報の位置を自動的に把握することができるの
で、ウエハ管理情報の位置が半導体ウエハ毎に異なって
も、ウエハ管理情報を短時間で自動読取りすることがで
き、半導体集積回路装置製造の自動化を推進させること
が可能となる。
【００４３】また、位置情報領域内の位置情報は、情報
量が少ないので、半導体チップの取得数を減らすことな
く、半導体ウエハの主面上において常に一定位置に記す
ことができる。すなわち、半導体チップの取得数を低減
させることなく、ウエハ管理情報の自動読取りが可能と
なり、半導体集積回路装置製造の自動化を推進させるこ
とが可能となる。
量が少ないので、半導体チップの取得数を減らすことな
く、半導体ウエハの主面上において常に一定位置に記す
ことができる。すなわち、半導体チップの取得数を低減
させることなく、ウエハ管理情報の自動読取りが可能と
なり、半導体集積回路装置製造の自動化を推進させるこ
とが可能となる。
【図１】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
要部断面図である。
要部断面図である。
【図２】図１の半導体ウエハに記されたウエハ管理情報
の位置の表現方法の一例を説明するための説明図であ
る。
の位置の表現方法の一例を説明するための説明図であ
る。
【図３】図１の半導体ウエハに記されたウエハ管理情報
の位置の表現方法の一例を説明するための説明図であ
る。
の位置の表現方法の一例を説明するための説明図であ
る。
【図４】図１の半導体ウエハに記されたウエハ管理情報
の位置の表現方法の一例を説明するための説明図であ
る。
の位置の表現方法の一例を説明するための説明図であ
る。
１ 半導体ウエハ ２ チップ領域 ３ オリエンテーションフラット ４ ウエハ管理情報領域 ５ 位置情報領域 Ａ 領域 Ｂ 領域 Ｃ 領域
Claims (3)
- 【請求項１】 主面において、異なる半導体ウエハ間で
共通する一定の位置に、ウエハ管理のためのウエハ管理
情報の位置情報および基準チップ領域の位置情報の少な
くとも一方の情報の記された位置情報領域を設けたこと
を特徴とする半導体ウエハ。 - 【請求項２】 半導体ウエハの主面上にウエハ管理のた
めのウエハ管理情報を記入する際に、前記半導体ウエハ
の主面において、異なる半導体ウエハ間で共通する一定
の位置に、前記ウエハ管理情報の位置情報および基準チ
ップ領域の位置情報の少なくとも一方の情報を記入する
ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記ウエハ管理情報、前記ウエハ管理情
報の位置情報および基準チップ領域の位置情報をリソグ
ラフィまたはレーザビームによって形成することを特徴
とする請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP980992A JPH05198465A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体ウエハおよび半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP980992A JPH05198465A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体ウエハおよび半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198465A true JPH05198465A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11730506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP980992A Pending JPH05198465A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体ウエハおよび半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198465A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000294467A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Sony Corp | 表面に識別パターンを有する多層基板の製造方法および管理方法 |
| JP2005045033A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工装置 |
| JP2008042065A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハとその試験方法 |
-
1992
- 1992-01-23 JP JP980992A patent/JPH05198465A/ja active Pending
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| JP2000294467A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Sony Corp | 表面に識別パターンを有する多層基板の製造方法および管理方法 |
| JP2005045033A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工装置 |
| JP2008042065A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハとその試験方法 |
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