JPH0468606A - 非線形可変利得回路 - Google Patents

非線形可変利得回路

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JPH0468606A
JPH0468606A JP2175383A JP17538390A JPH0468606A JP H0468606 A JPH0468606 A JP H0468606A JP 2175383 A JP2175383 A JP 2175383A JP 17538390 A JP17538390 A JP 17538390A JP H0468606 A JPH0468606 A JP H0468606A
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JP
Japan
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voltage
contact
input signal
signal
emitter
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JP2175383A
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Inventor
Hiroshi Tamayama
宏 玉山
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、入力信号に対する出力信号の利得を入力信号
の振幅に応じて変化させる非線形可変利得回路に関する
〔従来の技術〕
従来、かかる非線形可変利得回路として第14図に示す
回路か知られている。まず、回路の構成を説明すると、
第14図において、Ql、Q2は特性の揃ったNPNh
ランノスタてあり、共通接続されたエミッタ接点か定電
流源I。を介して一方の定電圧源V、2に接続している
NPN トランジスタQ1は、ベース・コレクタ接点か
共通に接続されることて実質的にダイオードとなってお
り、更に、ペース・コレクタ接点は抵抗R2とR1を介
して入力端子に接続すると共に、抵抗R2を介して出力
端子に接続している。
NPNトランジスタQ2は、コレクタ接点か他方の定電
圧源V。Cに接続すると共に、ベース接点に所望の設定
電圧V、か印加されるようになっている。
そして、所望の電圧V、を設定して、入力端子に入力信
号v1゜を印加すると、vl。くVRの関係にあるとき
は、トランジスタQ2か導通状態となり、トランジスタ
Q1は非導通状態となるので、入力信号V1、か抵抗R
1を介してそのまま出力信号V。どなって出力端子に発
生し、入力信号V i nに対する出力信号V。の電圧
利得Gが1となる。
Vl、、≧V、の関係にあるときは、トランジスタQ2
か非導通状態となり、トランジスタQlか導通状態とな
るので、入力信号v1..は抵抗R1とR2て分圧され
ることとなり、入力信号V1..に対する出力信号V。
の電圧利得GかR2/(R1十R2)となる。
第15図は、抵抗R1を7.5にΩ、抵抗R2を5、O
KΩ、定電圧源Vccと70間の電圧を5V、設定電圧
V、を2.5Vにしたときの利得Gの変化を示す。図か
ら明らかなように、入力信号V。が約2.5V未満のと
きの利得Gは常に1となり、入力信号V i nが約2
.5Vを超えたときの利得Gは常にR2/(R1+R2
)となり、利?!4Gの変化点は入力信号V i nか
約2.5vのときとなることから、設定電圧V、て利得
の変化点を設定することかできる。
そして、このような非線形可変利得回路は、例えは、ビ
デオカメラ等で使用されるニー(knee )回路や、
γ補正回路等の非線形に利得を変化させる必要のある信
号処理回路に適用されている。
〔発明か解決しようとする課題〕
しかしなから、このような従来の非線形可変利得回路は
、設定電圧vRによる利得の変化点の設定精度か悪い、
変化点近傍での利得変化か広範囲で非線形となるので利
得の設定精度か悪い、利得変化の応答速度か遅い等の問
題かあった。
まず、設定電圧V、による利得の変化点の設定精度か悪
い問題は、第I5図に示すように、設定電圧V、に対し
て実際の変化点の電圧か約60mVずれてしまい、又、
定電流源■。の電流値に応じてこの変化点も変化するこ
とによる。
又、第15図に示すように、変化点近傍での利得変化か
広範囲(約200mVの範囲)で非線形となるのは、第
14図のNPN)ランシスタQlかオフからオンに変化
するときに、そのオン抵抗r。が大きな値となることに
よる。
即ち、利得Gは、 R2+r。
の関[糸式で決まるか、トランジスタQ1か変化点の近
傍で才)からオンに切り換わる際にその抵抗r8かダイ
ナミックに変化する電流に応じて高抵抗から低抵抗に変
化するので、利得Gが非線形となるためである。
又、変化点での利得変化の応答速度か遅くなる問題は、
第16図(A)に示すように、所定周波数の正弦波信号
を入力信号V + oとして印加した場合、第14図中
のNPN トランジスタQ1のベース・エミッタ間容量
及びコレクタ・アース間容量の充放電か抵抗R1,R2
を介して流れる電流により行われるのて、トランジスタ
Q1のオン・オフ動作が理想的な変化点より遅れること
に起因しており、その結果、第16図(B)に示すよう
に、出力信号V0の立ち上かり部分か電圧V、より大き
くなるとき(例えば時点1+)では迅速に利得Gに従っ
て変化するか、出力信号V0の立ち下かり部分か電圧v
1よりも低い電圧になったとき(例えは時点t2)に利
得Gに従って変化することとなり、出力信号V0の波形
か歪むこととなる。
本発明はこのような従来の問題点に鑑みてなされたもの
であり、利得の変化点の設定精度の向上及び利得設定の
精度向上と、変化点での利得遷移の2答速度を高速化す
る非線形可変利得回路を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
このような目的に対し本発明は、入力信号を適宜の設定
電圧でクリップするクリップ回路と、該クリップ回路の
出力信号と上記入力信号間の電圧を分圧してアナログ加
算演算を行うことにより出力信号を形成する抵抗分割回
路を設け、入力信号の電圧と設定電圧の大小関係に応し
て異なった利得を得るようにした。
更に、本発明の原理を第1図〜第4図と共に説明する。
まず、第1図は本発明の基本構成を示しており、クリッ
プ回路lのクリップ電圧を設定するための設定電圧V、
と入力信号(以下、被増幅入力信号という)V、nを供
給し、クリップ回路1の出力接点と被増幅入力信号V 
i nを供給するための入力端子間に分圧抵抗R1,R
2を直列に接続し、これらの抵抗R1,R2の接続接点
P′に発生する信号を出力信号V。とじて出力端子に出
力する構成となっている。
尚、上記クリップ回路は、差動対の一方の入力接点に設
定電圧V3、他方の入力接点に被増幅入力信号V1゜を
印加して、該設定電圧V2に対する被増幅入力信号v1
oの大小関係に応じて該差動対のエミッタ接点にクリッ
プ電圧VR又は被増幅入力信号V1..に相当する信号
を発生する構成とする。
即ち、一方の抵抗R1に加わる信号V1は、第2図中の
実線で示すように被増幅入力信号V i nに比例し、
クリップ回路lの出力信号V、は、VlゎくVlのとき
は被増幅入力信号Vooに比例するが、vl。≧v、l
のときは図中の一点鎖線で示すように一定電圧となる。
このことから、■、。=v、となる変化点Pを境として
、次の条件に従って利?’4Gか変化することとなり、
図中の二点鎖線に示すように出力信号V。
か変化する。
(条件I)v、、<v、のとき G=1 (条件II) V、、≧vRのとき 又、本発明は、第3図に示すように、複数の設定電圧V
 Rl、■、2〜vR,毎ニクリップ回路IRI、11
□〜16を設けると共に、被増幅入力信号V、。
を直接印加する抵抗ROと各クリップ回路1,1.16
□〜IR,、の出力接点の接続する抵抗R1、R2−R
nから成る抵抗分割回路によって構成してもよい。
このように複数のクリップ回路を有する場合には、例え
ば第4図に示すように、各設定電圧v、1、■、2〜V
、。毎に複数の変化点を設定して、多種類の利得を設定
することかてきる。
〔作用〕
このような構成を有する本発明の非線形可変利得回路に
よれば、差動対の一方の入力接点に設定電圧、他方の入
力接点に被増幅入力信号を印加して、該設定電圧に対す
る被増幅入力信号の大小関係に応じて該差動対のエミッ
タ接点にクリップ電圧又は被増幅入力信号に相当する信
号を発生する構成を有するクリップ回路を少なくとも1
個備え、被増幅入力信号とこれら少なくとも1個以上の
クリップ回路に発生する信号を抵抗分圧によりアナログ
加算演算する構成であるので、分圧抵抗に対するクリッ
プ回路の出力インピーダンスか低くなることから高速応
答か可能となり、更に、クリップ回路に差動対を適用し
たことからクリップ電圧の設定精度か向上する。又、半
導体集積回路技術によって同一の半導体チップ内に一体
形成すれば、差動対を構成する一対のトランジスタの相
対特性を等しくすることかできるので、IC化に適して
いる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面と共に説明する。
ます、第5図に基ついて回路の構成を説明すると、同図
において、Ql、Q2は特性の揃ったPNP l−ラン
ジスタてあり、共通に接続したコレクタ接点かアース端
子に接続すると共に、共通に接続したエミッタ接点か定
電流源2を介して電源端子V。Cに接続することて差動
対を形成し、一方のトランジスタQ1のペース接点の被
増幅入力信号V1oか印加され、他方のトランジスタQ
2のベース接点に利得の変化点を設定するための設定電
圧V2か印加される。
Q3はNPN トランジスタてあり、そのコレクタ接点
か電源端子V ccに接続し、エミッタ接点か定電流源
3を介してアース端子に接続することて、エミッタ・フ
ォロワ型のバッファアンプを形成し、へ−ス接点に被増
幅入力信号V1、か印加される。
R1,R2は抵抗であり、トランジスタQ3のエミッタ
接点YとトランジスタQl、Q2のエミッタ接点7間に
直列に接続し、抵抗R1,R2の接続接点Xに発生する
信号を出力信号V0とする。
尚、定電流源2.3を流れる電流は共に等しい電流値I
。に設定されている。
次に、かかる実施例の作動を説明する。
まず、トランジスタQl、Q2は、設定電圧V2と被増
幅入力信号V i nの電圧を比較し、VR〉voの関
係にあるときは、トランジスタQ1か導通状態、トラン
ジスタQ2か非導通状態となるので、トランジスタQl
のベース・エミッタ間電圧VBHに被増幅入力信号V 
i nを加算した電圧の信号かエミッタ接点Zに発生し
、vIl≦V i nの関係にあるときは、トランジス
タQ1か非導通状態、トランジスタQ2か導通状態とな
るので、トランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧V
B、に設定電圧v、lを加算した一定電圧かエミッタ接
点Zに発生する。
又、トランジスタQ3のエミッタ接点Yには、被増幅入
力信号V i uよりトランジスタQ3のベース・エミ
ッタ間電圧V8゜分だけ電位の下がった信号か発生する
このような条件の下で、抵抗R1,R2の両接点Y、Z
間に信号か発生すると、V、>V、、、の関係にあると
きは、両接点Y、Zに現れる信号か共に被増幅入力信号
v1oに追従し、更に、出力接点Xとアース端子間に現
れる出力信号V。も被増幅入力信号v1oに追従するこ
ととなるのて、被増幅入力信号V i fiに対する出
力信号V。の利得Gはlとなる。
一方、V、l≦V i nの関係にあるときは、接点Z
か一定電圧に固定され、接点Yたけに被増幅入力信号V
1..に追従する信号が発生するのて、出力接点Xとア
ース端子間の現れる出力信号V0は、被増幅入力信号V
 i 、を抵抗R1,R2て分圧した電圧となり、した
かって、被増幅入力信号V inに対する出力信号V0
の利得GはR1/ (R1+R2)となる。
第6図は、−具体例として、抵抗値をR1=7.5にΩ
、R2= 5.0 kΩ、定電流源の電流値を10=2
00μA、設定電圧をV、=2.5Vにした場合の入出
力特性を示し、第7図は同図(A)に示す被増幅入力信
号V r nに対する出力信号■。
〔同図(B)〕の波形を示している。
この実施例では、トランジスタQ1.Q2からなる差動
対のエミッタ出力インピーダンスか極めて低いので、回
路中の寄生容量を充放電するための十分な電流容量を有
することとなり、接点Xの出力電圧V。を高速に発生す
ることかできる。例えば、第7図(B)に示すように、
出力信号の波形の立ち上かり部分と立ち下かり部分か対
称となり、波形歪みを生じない。
又、この実施例の回路は半導体集積回路技術によって同
一の半導体チップ内に一体形成すれば、トランジスタQ
l、Q2の各ベース・エミッタ間電圧VBE等の電気的
特性を容易に均一化することかできるので、より高精度
の回路を提供することかでき、IC化に適している。
次に、他の実施例を第8図及び第9図に従って説明する
まず、第8図に基ついて回路の構成を説明すると、同図
において、Ql、Q2は特性の揃ったPNPトランジス
タであり、共通に接続したコレクタ接点かアース端子に
接続すると共に、共通に接続したエミッタ接点か定電流
源2を介して電源端子V。Cに接続することて差動対を
形成している。
Q4はNPN トランジスタであり、コレクタ接点か電
源端子V c cに接続すると共に、エミッタ接点か定
電流源6を介してアース端子に接続すること(こよりエ
ミッタ・)オロワ型バッファアンプを形成し、ベース接
点に印加される利得の変化点を設定するための設定電圧
V、を、PNP トランジスタQ2のベース接点に供給
する。
Q5はNPN)ランシスタてあり、コレクタ接点か電源
端子V。Cに接続すると共に、エミッタ接点か定電流源
3を介してアース端子に接続することによりエミッタ・
フォロワ型バッファアンプを形成し、ベース接点に印加
される被増幅入力信号V1゜を、PNP )ランジスタ
Q1のベース接点に供給する。
Q6はPNP トランジスタであり、そのコレクタ接点
かアース端子に接続すると共に、エミッタ接点か定電流
源4を介して電源端子V。Cに接続することによってバ
イアス電位を移動するためのレベルソフト回路を形成し
、ベース接点に印加される被増幅入力信号V1.をエミ
ッタ接点に発生する。
Q3はNPNhランジスタてあり、そのコレクタ接点か
電源端子V。0に接続し、エミッタ接点か定電流源5を
介してアース端子に接続することで、エミッタ・フォロ
ワ型バッファアンプを形成し、トランジスタQ6のエミ
ッタ接点に発生する入力信号か印加される。
R1,R2は抵抗であり、トランジスタQ3のエミッタ
接点YとトランジスタQl、Q2のエミッタ接点2間に
直列に接続し、抵抗の接続接点Xに発生する信号を出力
信号V。とする。
尚、定電流源2. 3. 4. 5. 6を流れる電流
は共に等しい電流値I0に設定されている。
次に、第8図に示す回路の作動を説明する。
まず、設定電圧V、と被増幅入力信号V +nの電圧関
係かV++ >V、、の場合には、トランジスタQ2か
非導通状態、トランジスタQ1か導通状態となるので、
接点2に被増幅入力信号V i nに相当する信号か発
生し、同時に、接点Yにも被増幅入力信号V i nに
相当する信号か同位相で発生する。
したかって、接点Xとアース接点間に発生する出力信号
V0は被増幅入力信号vinの変化に追従して変化する
ので、被増幅入力信号V i aに対する出力信号V。
の利得Gはlとなる。
一方、被増幅入力信号V1..と設定電圧v0の関係が
v、l≦V1oの関係にあるときは、トランジスタQ2
か導通状態、トランジスタQ1か非導通状態となるので
、接点Zの電圧は設定電圧v2に相当する一定電圧に固
定されることとなる。その結果、出力接点Xとアース端
子間に現れる出力信号Voは、被増幅入力信号V + 
nを抵抗R1,R2て分圧した電圧となり、被増幅入力
信号V1oに対する出力信号V0の利??l−GはR1
/ (R1+R2)となる。
第9図は、−具体例として、抵抗値をR1=7.5にΩ
、R2= 5. OkΩ、定電流源の電流値をIo=5
0μA、設定電圧をVR=2.5Vにした場合の入出力
特性を示す。
この実施例においても、第9図の実験結果に示すように
、VR= 2.5 Vの変化点での利得Gの変化か速く
なり、精度の向上を図ることかできる。
次に、更に他の実施例を第1O図及び第11図と共に説
明する。尚、この実施例は2種類の設定電圧v、1とV
、I2によって3種類の利得を設定するものである。
まず、第10図に基づいて回路の構成を説明すると、第
10図において、Q7.Q8は特性の揃ったPNP )
ランジスタてあり、共通に接続したコレクタ接点かアー
ス端子に接続すると共に、共通のエミッタ接点か定電流
源7を介して電源端子V CCに接続することによって
第1の差動対を形成している、Q9.QIOは特性の揃
ったPNPトランジスタてあり、共通に接続したコレク
タ接点か定電流源8を介して電源端子V。。に接続する
ことにより第2の差動対を形成している。
QllはNPN)ランジスタてあり、そのコレクタ接点
か電源端子V。0に接続すると共に、エミッタ接点か定
電流源9を介してアース端子に接続すること(こより、
エミッタ・)オロワ型バッファアンプを形成し、ベース
接点に印加された第1の設定電圧V Rlをエミッタ接
点を介してトランジスタQ8のベース接点に供給する。
Q12はNPNトランジスタであり、そのコレクタ接点
か電源端子V c cに接続すると共に、そのエミッタ
接点か定電流源IOを介してアース端子に接続すること
により、エミッタ・フォロワ型バッファアンプを形成し
、ベース接点に印加される第2の設定電圧VR□をエミ
ッタ接点を介してトランジスタQ10のベース接点に供
給する。
Q13はNPNトランンスタてあり、そのコレクタ接点
か電源端子V。0に接続すると共に、エミッタ接点か定
電流源11を介してアース端子に接続することにより、
エミッタ・フォロワ型バッファアンプを形成し、ベース
接点に印加された被増幅入力信号V1□をエミッタ接点
を介してトランジスタQ7及びQ9のベース接点に供給
する。
Q14はPNP )ランジスタてあり、そのコレフタ接
点かアース端子に接続すると共に、エミッタ接点が定電
流源12を介して電源端子V。0に接続することにより
、レヘルソフト回路を形成し、被増幅入力信号V i 
nをエミッタ接点に発生する。
Q15はNPNhランシスタてあり、そのコレクタ接点
か電源端子V CCに接続すると共に、エミッタ接点か
定電流源13を介してアース接点に接続することでエミ
ッタ・フォロワ型バッファアンプを形成し、トランジス
タQ14を介してベース接点に印加される被増幅入力信
号V i nをエミッタ接点Yに発生する。
そして、接点Yに接続する抵抗R1と、第1の差動対の
エミッタ接点Z1に接続する抵抗R2と、第2の差動対
のエミッタ接点Z2に接続する抵抗R3か接点Xで共通
に接続して、該接点Xに現れる信号を出力信号V。とじ
て出力する。
尚、第1の設定電圧v、1と第2の設定電圧VR2の電
圧は異なっており、又、電流源を流れる電流値I0は全
て一定値に設定される。
次に、かかる実施例の作動を説明する。尚、各設定電圧
は、VR,<VR2の関係に設定されているものとする
。又、2種類の設定電圧VR□とvR□を設定したこと
て、これらの電圧と被増幅入力信号V1..との大小関
係は、〜’ + n <V Rl、V、11≦V1、〈
VR2、VR□≦V1.の3種類の場合か存在するので
、夫々の条件毎に説明する。
(条件I ) V in<VRI及びvl。くVR2の
ときこのときは、第1の差動対におけるトランジスタQ
8か非導通状態、トランジスタQ7か導通状態、且つ第
2の差動対におけるトランジスタQIOか非導通状態、
トランジスタQ9か導通状態となるので、エミッタ接点
Z1及びエミッタ接点Z2には、被増幅入力信号v1.
.と同位相の信号か発生する。これと同時に、接点Yに
も被増幅入力信号■1oと同位相の信号か発生する。こ
の結果、接点Xとアース端子間に発生する出力信号Vo
の利得G、は1となる。
(条件II)VRI≦V、、<V、2のとき:このとき
は、第1の差動対におけるトランジスタQ8か導通状態
、トランジスタQ7か非導通状態となり、一方、第2の
差動対におけるトランジスタQIOか非導通状態、トラ
ンジスタQ9か導通状態となる。従って、エミッタ接点
Zlの電圧は第1の設定電圧V RHに相当する一定電
圧に固定され、エミッタ接点Z2には、被増幅入力信号
V + nと同位相の信号か発生する。更に、接点Yに
は被増幅入力信号V1ゎと同位相の信号が発生する。
この結果、接点Xとアース端子間に発生する出力信号V
。は、各接点Y、Zl、Z2に発生する電圧を抵抗R1
,R2,R3で分圧した電圧となる。
そして、このときの被増幅入力信号V + nに対する
出力信号V。の利得G2は、 夕Q8か導通状態、トランジスタQ7か非導通状態とな
り、一方、第2の差動対におけるl・ランジスタQIO
か導通状態、トランジスタQ9か非導通状態となる。し
たかって、エミッタ接点Z1の電圧は第1の設定電圧V
 Rlに相当する一定電圧に固定され、エミッタ接点Z
2の電圧は第2の設定電圧V R2に相当する一定電圧
に固定される。更に、設定Yには被増幅入力信号V1.
.と同位相の信号か発生する。この結果、接点Xとアー
ス端子間に現れる出力信号■。は、各接点Y、Zl、Z
2に発生する電圧を抵抗R1,R2,R3て分圧して接
点Xてアナログ加算した電圧となる。
そして、このときの被増幅入力信号■1゜に対する出力
信号V。の利得G3は、 2xR3 となる。
(条件I)VRI<V、、及ヒV * 2 ≦V r 
、 ノトキ;このときは、第1の差動対におけるトラン
ジスとなる。
R2+R3 第11図は、−具体例として、抵抗値をR17,5にΩ
、R2= 10.0 kΩ、R3= 10.0 kΩ、
定電流源の電流を10=50μA、設定電圧をVR1=
 2. OV、 VH2” 2.5 vf=した場合の
被増幅入力信号V j nに対する出力信号v0の電圧
特性を示す。
この実施例例において、第11図の実験結果に示すよう
に、V、=2.OVとV、2=2.5Vか変化転となり
、利得変化の応答速度を高速化することかできる。
次に、更に他の実施例を第12図及び第13図と共に説
明する。
まず、第12図に基づいて回路の構成を説明すると、第
12図において、Q7.Q8は特性の揃ったPNP )
ランジスタてあり、共通に接続したコレクタ接点かアー
ス端子に接続すると共に、共通のエミッタ接点か定電流
源7を介して電源端子y ccに接続することにより第
1の差動対を形成している。
QllはNPN トランジスタであり、そのコレクタか
電源端子V CCに接続すると共に、エミッタ接点か定
電流源9を介してアース端子に接続すること(こより、
エミッタフォロワ型のバッファアンプを形成し、ベース
接点に印加された第1の設定電圧V Rlをエミッタ接
点を介してトランジスタQ8のベース接点に供給する。
Q13はNPNI−ランシスタてあり、そのコレクタ接
点か電源端子V。Cに接続すると共に、エミッタ接点か
定電流源11を介してアース端子に接続することにより
、エミッタフォロワ型のバッファアンプを形成し、ベー
ス接点に印加された入力信号v1゜をエミッタ接点を介
してトランジスタQ7のベース接点に供給する。
Q17.Q18は特性の揃ったNPNトランジスタであ
り、共通のコレクタ接点か電源端子VCCに接続すると
共に、共通のエミッタ接点か定電流源14を介してアー
ス接点に接続することて、第2の差動対を形成している
Q19はPNP トランジスタであり、そのコレクタ接
点かアース接点に接続すると共に、エミッタ接点か定電
流源15を介して電源端子V CCに接続することでエ
ミッタフォロワ型のバッファアンプを形成し、ヘースに
印加された第2の設定電圧V R2をエミッタ接点を介
してトランジスタQ18のベース接点に供給する。
Q14はPNP トランジスタであり、そのコレクタ接
点かアース端子に接続すると共に、エミッタ接点か定電
流源12を介して電源端子V c cに接続することに
より、レベルシフト回路を形成し、入力信号V + n
をエミッタ接点に発生する。
Q10はNPN)ランジスタてあり、そのコレクタ接点
か電源端子vccに接続すると共に、エミッタ接点か定
電流源13を介してアース接点に接続することにより、
エミッタフォロワ型のバッファアンプを形成し、トラン
ジスタQ14を介してベース接点に印加される入力信号
vI、をエミッタ接点Yに発生する。
そして、接点Yに接続する抵抗R1と、第1の差動対の
エミッタ接点Zlに接続する抵抗R2と、第2の差動対
のエミッタ接点Z2に接続する抵抗R3か接点Xて共通
に接続して、該接点Xに現れる信号を出力信号V、、と
して出力する。
尚、第1の設定電圧VR1と第2の設定電圧vR2の電
圧は異なっており、全ての定電流源を流れる電流値はI
。に設定されている。
次に、第12図に示す回路の動作を説明する。
尚、設定電圧は、V++、<V、□の関係に設定されて
いるものとする。又、2種類の設定電圧V、1゜V R
2を設定したことて、これらの電圧と入力信号y 、。
どの大小関係は、V + 、 < V RI、V R、
≦V、、<VR□、V R2≦V5oの3種類の場合か
存在するので、夫々の条件毎に説明する。
(条件1)v、、<vll、及びv 、、< VH2(
7) トキ。
このときは、第1の差動対におけるトランジスタQ8か
非導通状態、トランジスタQ7か導通状態となり、且つ
第2の差動対におけるトランジスタQI7か非導通状態
、トランジスタQI8か導通状態となるので、エミッタ
接点Zlには、入力信号V i aと同相の信号か発生
し、エミッタ接点Z2には設定電圧VR2に相当する一
定電圧か発生し、同時に、接点Yにも入力信号V i 
nと同相の信号か発生する。この結果、接点Xとアース
端子間の出力信号V0は、各接点Y、Zl、Z2に発生
する電圧を抵抗R1,R2,R3て分圧した電圧となる
そして、このときの入力信号V + nに対する出力信
号V0の利得G、は、 と同相の信号か発生する。この結果、接点Xとアース端
子間の出力信号V。は、各接点Y、ZIZ2に発生する
電圧を抵抗R1,R2,R3て分圧した電圧となる。
そして、このときの入力信号v1..に対する出力信号
■。の利得G2は、 R2×R3 R1+R2 となる。
(条件II)V*+≦V+、<V++2のとき;このと
きは、第1の差動対におけるトランジスタQ8か導通状
態、トランジスタQ7か非導通状態となり、一方、第2
の差動対におけるトランジスタQ18か導通状態、トラ
ンジスタQ17か非導通状態となる。したかって、エミ
ッタ接点Z1は設定電圧VRIに相当する一定電圧に固
定され、エミッタ接点Z2には設定電圧VR2に相当す
る一定電圧か発生し、更に、接点Yには入力信号V +
 aR2+R3 となる。
(条件I[) V RI < V ニー及びvR2くv
l、のときこのときは、第1の差動対におけるトランジ
スタQ8か導通状態、トランジスタQ7か非導通状態と
なり、一方、第2の差動対におけるトランジスタQ18
か非導通状態、トランジスタQI7か導通状態となる。
したかって、エミッタ接点Z】の電圧は第1の設定電圧
VRIに相当する一定電圧に固定され、エミッタ接点Z
2には入力信号V1、に相当する信号か発生し、更に、
接点Yには入力信号V1゜と同相の信号か発生する。こ
の結果、接点Xとアース端子間の出力信号V。は、各接
点Y、Zl、Z2に発生する電圧を抵抗R1,R2R3
て分圧した電圧となる。
そして、このときの入力信号V、oに対する出力信号V
。の利得G、lは、 となる。
第11図は、−具体例として、抵抗値を、R1= 5.
0 kΩ、R2= I O,OkΩ、R3= 10. 
OkΩ、定電流源の電流値を1.=50μA、設定電圧
をVR1= 2. OV、 VR2= 2.5 Vにし
た場合の入力信号v16に対する出力信号V0の電圧特
性を示す。
この実施例においては、第13図の実験結果に示すよウ
ニ、Vt+=2.OVとV R2= 2.5 Vカ変化
点となり、利得変化の応答速度を高速化することができ
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれは、差動対の一方の入
力接点に設定電圧、他方の入力接弘に被増幅入力信号を
印加して、該設定電圧に対する被増幅入力信号の大小間
1系に応して該差動対のエミッタ接へにクリップ電圧又
は被増幅入力信号に相当する信号を発生する構成を有す
るクリップ回路を少なくとも1個備え、被増幅入力信号
とこれら少なくとも1個以上のクリップ回路に発生する
信号を分圧抵抗によりアナログ加算演算する構成である
ので、分圧抵抗に対するクリップ回路の出力インピーダ
ンスか低くなることから高速応答か可能となり、更に、
クリップ回路に差動対を適用したことからクリップ電圧
の設定精度か向上する。
又、半導体集積回路技術によって同一の半導体チップ内
に一体形成すれば、差動対を構成する一対のトランジス
タの相対特性を等しくすることかできるのて、IC化に
適している。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図は本発明の詳細な説明するための原理
説明図、 第5図は一実施例の回路を示す回路図、第6図及び第7
図は第5図に示す回路の動作説明図、 第8図は他の実施例の回路を示す回路図、第9図第8図
に示す回路の動作説明図、第 0図は更に他の実施例の
回路を示す回路図、第 1図は第10図に示す回路の動
作説明図、第 2図は更に他の実施例の回路を示す回路
図、第 3図は第12図の回路の動作説明図、第 4図
は従来例の回路を示す回路図、第 5図及び第16図は
従来例の回路の問題点を説明するための説明図である。 図中の符号。 1.1+=t〜I R++ :クリップ回路R1,R2
,R3〜Ro :抵抗 Ql−Ql9;)ランシスタ 2〜15:定電流源 第2図 別[5吠−一夕 〉 工 〉 S モEコ」=ぐ史ツatp吻枦田〉 −BE叩■l、、 OQ−田

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 差動対の一方の入力接点に設定電圧、他方の入力接点に
    被増幅入力信号を印加して、該設定電圧に対する被増幅
    入力信号の大小関係に応じて該差動対のエミッタ接点に
    クリップ電圧又は被増幅入力信号に相当する信号を発生
    する構成を有するクリップ回路を少なくとも1個備え、
    被増幅入力信号とこれら少なくとも1個以上のクリップ
    回路に発生する信号を分圧抵抗によりアナログ加算演算
    することにより、上記設定電圧毎に被増幅入力信号に対
    する出力信号の利得を上記設定電圧毎に変えることを特
    徴とする非線形可変利得回路。
JP2175383A 1990-07-04 1990-07-04 非線形可変利得回路 Pending JPH0468606A (ja)

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