JPH02301308A - ゲイン可変回路 - Google Patents
ゲイン可変回路Info
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- JPH02301308A JPH02301308A JP1122047A JP12204789A JPH02301308A JP H02301308 A JPH02301308 A JP H02301308A JP 1122047 A JP1122047 A JP 1122047A JP 12204789 A JP12204789 A JP 12204789A JP H02301308 A JPH02301308 A JP H02301308A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0017—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
- H03G1/0023—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier in emitter-coupled or cascode amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3211—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45085—Long tailed pairs
- H03F3/45089—Non-folded cascode stages
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は、差動増幅器を用いたゲイン可変回路に関する
ものである。
ものである。
［従来の技術と発明が解決しようとする課題］差動増幅
器を用いた従来のゲイン連続可変回路は、第３図に示す
ように、第１〜第６のトランジスタＱ１〜Ｑ６と、第１
及び第２の負荷抵抗Ｒ１、Ｒ２と、定電流源Ｃ８１とか
ら成る。第１及び第２のトランジスタＱ１ 、Ｑ２のエ
ミッタは差動増幅器を構成するように相互に接続され、
この相互接続点とグランドとの間に電流■。の定電流源
Ｃ８１が接続されている。第１及び第２のトランジスタ
Ｑ１、Ｑ２のベースは第１及び第２の入力端、子！、２
にそれぞれ接続され、コレクタは第３及び第４のトラン
ジスタＱ３ 、Ｑ４と第１及び第２の負荷抵抗Ｒ１、Ｒ
２をそれぞれ介して電源端子３に接続されている。第３
及び第４のトランジスタＱ３ 、Ｑ４のエミッタは第１
及び第２のトランジスタＱ１ 、Ｑ２のコレクタにそれ
ぞれ接続され、コレクタは第１及び第２の負荷抵抗Ｒ１
、Ｒ２にそれぞれ接続され、ベースは第１のゲイン制御
端子４にそれぞれ接続されている。なお、エミッタ接地
の第１及び第２のトランジスタＱ１ 、Ｑ２とベース接
地の第３及び第４のトランジスタＱ３、Ｑ４との直列接
続によってカスコード増幅器が構成されている。第５の
トランジスタＱ５のエミッタは第３のトランジスタＱ３
のエミッタに接続され、コレクタは第４のトランジスタ
Ｑ４のコレクタに接続され、ベースは第２のゲイン制御
端子５に接続されている。第６のトランジスタＱ６のエ
ミッタは第４のトランジスタＱ４のエミッタに接続され
、コレクタは第３のトランジスタＱ３のコレクタに接続
され、ベースは第２のゲイン制御端子５に接続されてい
る。第１及び第２の出力端子６．７は第３及び第４のト
ランジスタＱ３ 、Ｑ４のコレクタにそれぞれ接続され
ている。
器を用いた従来のゲイン連続可変回路は、第３図に示す
ように、第１〜第６のトランジスタＱ１〜Ｑ６と、第１
及び第２の負荷抵抗Ｒ１、Ｒ２と、定電流源Ｃ８１とか
ら成る。第１及び第２のトランジスタＱ１ 、Ｑ２のエ
ミッタは差動増幅器を構成するように相互に接続され、
この相互接続点とグランドとの間に電流■。の定電流源
Ｃ８１が接続されている。第１及び第２のトランジスタ
Ｑ１、Ｑ２のベースは第１及び第２の入力端、子！、２
にそれぞれ接続され、コレクタは第３及び第４のトラン
ジスタＱ３ 、Ｑ４と第１及び第２の負荷抵抗Ｒ１、Ｒ
２をそれぞれ介して電源端子３に接続されている。第３
及び第４のトランジスタＱ３ 、Ｑ４のエミッタは第１
及び第２のトランジスタＱ１ 、Ｑ２のコレクタにそれ
ぞれ接続され、コレクタは第１及び第２の負荷抵抗Ｒ１
、Ｒ２にそれぞれ接続され、ベースは第１のゲイン制御
端子４にそれぞれ接続されている。なお、エミッタ接地
の第１及び第２のトランジスタＱ１ 、Ｑ２とベース接
地の第３及び第４のトランジスタＱ３、Ｑ４との直列接
続によってカスコード増幅器が構成されている。第５の
トランジスタＱ５のエミッタは第３のトランジスタＱ３
のエミッタに接続され、コレクタは第４のトランジスタ
Ｑ４のコレクタに接続され、ベースは第２のゲイン制御
端子５に接続されている。第６のトランジスタＱ６のエ
ミッタは第４のトランジスタＱ４のエミッタに接続され
、コレクタは第３のトランジスタＱ３のコレクタに接続
され、ベースは第２のゲイン制御端子５に接続されてい
る。第１及び第２の出力端子６．７は第３及び第４のト
ランジスタＱ３ 、Ｑ４のコレクタにそれぞれ接続され
ている。
第３図の回路において、一対の入力端子１．２間には入
力信号Ｖｉｎが入力され、一対の出力端子６．７間には
出力信号Ｖｏｕｔが得られる。第３及び第４のトランジ
スタＱ３ 、Ｑ４のベースが共に接続されている第１の
ゲイン制御端子４の電位Ｖ１と第５及び第６のトランジ
スタＱ５ 、Ｑ６のベースが共に接続されている第２の
ゲイン制御端子５の電位Ｖ２どの電位差ΔＶ＝Ｖ２−Ｖ
１を変化させると、第１及び第２のトランジスタＱ１、
Ｑ２のコレクタ電流１１．１２の第３及び第４のトラン
ジスタＱ３ 、Ｑ４と第５及び第６のトランジスタＱ５
、Ｑ６との分流比が変化し、結果としてゲインが変化
する。
力信号Ｖｉｎが入力され、一対の出力端子６．７間には
出力信号Ｖｏｕｔが得られる。第３及び第４のトランジ
スタＱ３ 、Ｑ４のベースが共に接続されている第１の
ゲイン制御端子４の電位Ｖ１と第５及び第６のトランジ
スタＱ５ 、Ｑ６のベースが共に接続されている第２の
ゲイン制御端子５の電位Ｖ２どの電位差ΔＶ＝Ｖ２−Ｖ
１を変化させると、第１及び第２のトランジスタＱ１、
Ｑ２のコレクタ電流１１．１２の第３及び第４のトラン
ジスタＱ３ 、Ｑ４と第５及び第６のトランジスタＱ５
、Ｑ６との分流比が変化し、結果としてゲインが変化
する。
第３図の第３及び第５のトランジスタＱ３、Ｑ５の分流
動作の簡単なモデルを第４図で示すことができる。第４
図において、Ｅは第３及び第５のトランジスタＱ３、Ｑ
５のエミッタ接続点を示し、こには第３図の第１のトラ
ンジスタＱ１のコレクタ電流に対応する電流Ｉ仁の電流
源が接続されている。第３及び第５のトランジスタＱ３
、Ｑ５のベース・エミッタ間インピーダンスはｚ、Ｚ
Ｅ３ ＢＦ２で示され、各トランジスタＱ３ 、Ｑ５のエミッ
タ抵抗はｒｒ で示され、ベース・エミッｅ３・ ｅ
５ 夕闇容量はＣ、Ｃで示されている。
動作の簡単なモデルを第４図で示すことができる。第４
図において、Ｅは第３及び第５のトランジスタＱ３、Ｑ
５のエミッタ接続点を示し、こには第３図の第１のトラ
ンジスタＱ１のコレクタ電流に対応する電流Ｉ仁の電流
源が接続されている。第３及び第５のトランジスタＱ３
、Ｑ５のベース・エミッタ間インピーダンスはｚ、Ｚ
Ｅ３ ＢＦ２で示され、各トランジスタＱ３ 、Ｑ５のエミッ
タ抵抗はｒｒ で示され、ベース・エミッｅ３・ ｅ
５ 夕闇容量はＣ、Ｃで示されている。
８Ｅ３ ８Ｅ５
一般に、トランジスタのエミッタ抵抗ｒｅはエミッタ電
流ＩＥの逆数（１／ＩＥ）に比例し、比測定数をｒ。。
流ＩＥの逆数（１／ＩＥ）に比例し、比測定数をｒ。。
とすると次式で表わされる。
ｒ８＝ｒｏ０・（１／ＩＨ） ”・・・−（１３まり
、トランジスタのベース・エミッタ間容量ＣＢＥ ”、
次式に示すように、ベース拡散容ｔＣＤとベース・エミ
ッタ間接合容量ＣＪと寄生容量Ｃｏとの和で表わされる
。
、トランジスタのベース・エミッタ間容量ＣＢＥ ”、
次式に示すように、ベース拡散容ｔＣＤとベース・エミ
ッタ間接合容量ＣＪと寄生容量Ｃｏとの和で表わされる
。
ＣＢＫ＝ＣＤ士ＣＪ十Ｃ０・・・・・・・・（２；ここ
で、ベース拡散容量ＣＤは、エミッタ電流ＩＥに比例す
るので、比例定数をＣＤ０とすると次式で表わされる。
で、ベース拡散容量ＣＤは、エミッタ電流ＩＥに比例す
るので、比例定数をＣＤ０とすると次式で表わされる。
ＣＤ−ＣＤ０・Ｉ８ ・・・・・・・・・・
（３＋接合容量ｃ、 Ｆ１通常ＣＤに比べて小さいため
に無視すると、ベース−エミッタ間のインピーダンスＺ
□は、「ｏとｃＢＥの並列接続となり１次式で表わされ
る。
（３＋接合容量ｃ、 Ｆ１通常ＣＤに比べて小さいため
に無視すると、ベース−エミッタ間のインピーダンスＺ
□は、「ｏとｃＢＥの並列接続となり１次式で表わされ
る。
、１−ｔ−ｊｂｉｒ８゜＊、 ［ｃＤ ０＋ （−６・
（１／１． ）］第６のトランジスタＱ３に分流された
信号電流なＡ３、第５のトランジスタＱ５に分流された
信号電流なＡ５とし、入力される信号電流を１１とし、
″また第１及び第５のトランジスタＱｓ、Ｑｓのバイア
ス電流を’Ｅｓｓ ’Ｉｎｓとし、ベース・エミッタ間
インピーダンスを２ゆ１、Ｚゆ、とすると、Ａ３及びｉ
、の分流特性は次式で表わされる。
（１／１． ）］第６のトランジスタＱ３に分流された
信号電流なＡ３、第５のトランジスタＱ５に分流された
信号電流なＡ５とし、入力される信号電流を１１とし、
″また第１及び第５のトランジスタＱｓ、Ｑｓのバイア
ス電流を’Ｅｓｓ ’Ｉｎｓとし、ベース・エミッタ間
インピーダンスを２ゆ１、Ｚゆ、とすると、Ａ３及びｉ
、の分流特性は次式で表わされる。
第５因に等価的に示すように、スイッチＳによって入力
電流１１をステップ電流にした場合の過渡応答時性は次
式で表わされる。
電流１１をステップ電流にした場合の過渡応答時性は次
式で表わされる。
・・・・・・・・・・ （７）
’ｅｓ＋ｒｅ５
・・・・・・・・・・ （８１
式＋７１． （８）を（１１式及び（３１式で整理する
と次式になる。
と次式になる。
・・・・・・・・・・・・ （９）
−αｔ −αｔ
＝ＩＡ５・ε 十Ｂ５・（１−ε ）１１Ｍ・・・
・・・・・・・ ａＩ ただし、ここでＡ３、Ａ５、Ｂ３． Ｂ、、α は次の
通りである。
・・・・・・・ ａＩ ただし、ここでＡ３、Ａ５、Ｂ３． Ｂ、、α は次の
通りである。
Ｂ・＝５
１ＩｅｓとＩＫＩとの関係を、ＩＮ、３＝Ｉ。６、”Ｅ
ｓ ＝ ３ ＩＩｓ、３”Ｅ３” ＩＫＩ とした場合
の式（９１における右辺第１項、第２項及び右辺全体の
応答を示すと第６図（２）（６）０、第７図四〇〇、第
８崗囚■（Ｃ）となる。式（９）の右辺第１項のステッ
プ応答で１＝００時電流ｉり時、ＣＤ０・工Ｅ−ＣＯと
すると、トランジスタＱ３及びＱｓのバイアス電流工。
ｓ ＝ ３ ＩＩｓ、３”Ｅ３” ＩＫＩ とした場合
の式（９１における右辺第１項、第２項及び右辺全体の
応答を示すと第６図（２）（６）０、第７図四〇〇、第
８崗囚■（Ｃ）となる。式（９）の右辺第１項のステッ
プ応答で１＝００時電流ｉり時、ＣＤ０・工Ｅ−ＣＯと
すると、トランジスタＱ３及びＱｓのバイアス電流工。
、及び稲、がそれぞれ等しい場合（１＝ Ｉ ＝ Ｉ
ｔ／ ２ ）からＩ ｗｓ ” ３ ／ ４ Ｉ Ｊ
。
ｔ／ ２ ）からＩ ｗｓ ” ３ ／ ４ Ｉ Ｊ
。
［３Ｉｓ
■Ｋｉ５ ：＝＝ １ ／ ４ Ｉ １に変えた場合、
Ａ３は賄、に比例して大きくはならず、式（９）の右辺
第２項のステップＩＪＪ 。
Ａ３は賄、に比例して大きくはならず、式（９）の右辺
第２項のステップＩＪＪ 。
応答ではｔ＝：＝■の時の収束値は−・１１となる。
■１
Ｂ３ｕＩ、に比例する。このためｉ３のステップ応答は
、■。、＝６／４１Ｍ、Ｉ、５＝ １／４ Ｉ、の場合
に第７図（Ｃ）に示す様に立ち上が９部分がなまった波
形となり、■、＝１／４１１．１１ｉ、６＝３／４Ｉ工
の場合にＲ８心（Ｃ） Ｋ示す様に立ち上が９部分がオ
ーバーシュートを示す。これは、第６及び第５のトラン
ジスタＱ３、Ｑｓの分流比を変えてゲインを変化させる
と、高周波時性の変化に基づいて波形歪みが生じること
を意味する。
、■。、＝６／４１Ｍ、Ｉ、５＝ １／４ Ｉ、の場合
に第７図（Ｃ）に示す様に立ち上が９部分がなまった波
形となり、■、＝１／４１１．１１ｉ、６＝３／４Ｉ工
の場合にＲ８心（Ｃ） Ｋ示す様に立ち上が９部分がオ
ーバーシュートを示す。これは、第６及び第５のトラン
ジスタＱ３、Ｑｓの分流比を変えてゲインを変化させる
と、高周波時性の変化に基づいて波形歪みが生じること
を意味する。
そこで１本発明の目的は、ゲインを変化させた場合の高
周波特性の変化を押えることができるゲイン可変回路を
提供することにある。
周波特性の変化を押えることができるゲイン可変回路を
提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するための本発明は、第１及び第２の入
力端子１．２と、ベースが前記第１の入力端子１に接続
されている第１のトランジスタＱ１と、ベースが前記第
２の入力端子２に接続されている第２のトランジスタＱ
２と、前記第１及び第２のトランジスタＱ１ 、Ｑ２の
エミッタにそれぞれ接続されている電流源ＣＳ１と、電
源端子３に一端がそれぞれ接続されている第１及び第２
の負荷抵抗Ｒ１、Ｒ２と、前記第１及び第２の負荷抵抗
Ｒ１、Ｒ２の他端にそれぞれ接続されている第１及び第
２の出力端子６．７と、前記第１の負荷抵抗Ｒ１の他端
にコレクタが接続され、ベースが第１のゲイン制御端子
４に接続されている第３のトランジスタＱ３と、前記第
２の負荷抵抗Ｒ２の他端にコレクタが接続され、ベース
が前記第１のゲイン制御端子４に接続されている第４の
トランジスタＱ４と、エミッタが前記第３のトランジス
タＱ３のエミッタに接続され、コレクタが前記第４のト
ランジスタＱ４のコレクタに接続され、ベースが第２の
ゲイン制ｔｎ＠子５に接続されている第５のトランジス
タＱ５と、エミッタが前記第４のトランジスタＱ４のエ
ミッタに接続され、コレクタが前記第３のトランジスタ
Ｑ３のコレクタに接続され、ベースが前記第２のゲイン
制御端子５に接続されている第６のトランジスタＱ６と
、エミッタが前記第１のトランジスタＱ１のコレクタに
接続され、コレクタが前記第３及び第５のトランジスタ
Ｑ３、Ｑｓのエミッタに接続され、ベースが第１のベー
ス電圧源端子８に接続されている第７のトランジスタＱ
７と、エミッタが前記第２のトランジスタＱ２のコレク
タに接続され、コレクタが前記第４及び第６のトランジ
スタＱ４、φ６のエミッタに接続され、ベースが前記第
１のベース電圧源端子８に接続されている第８のトラン
ジスタＱ８と、前記第７のトランジスタＱ７のエミッタ
と前記第３のトランジスタＱ３のコレクタとの間に接続
されている第１の分流回路と、前記第８のトランジスタ
Ｑ８のエミッタと前記第４のトランジスタのコレクタと
の間に接続されている第２の分流回路とを具備したゲイ
ン可変回路に係わるものである。
力端子１．２と、ベースが前記第１の入力端子１に接続
されている第１のトランジスタＱ１と、ベースが前記第
２の入力端子２に接続されている第２のトランジスタＱ
２と、前記第１及び第２のトランジスタＱ１ 、Ｑ２の
エミッタにそれぞれ接続されている電流源ＣＳ１と、電
源端子３に一端がそれぞれ接続されている第１及び第２
の負荷抵抗Ｒ１、Ｒ２と、前記第１及び第２の負荷抵抗
Ｒ１、Ｒ２の他端にそれぞれ接続されている第１及び第
２の出力端子６．７と、前記第１の負荷抵抗Ｒ１の他端
にコレクタが接続され、ベースが第１のゲイン制御端子
４に接続されている第３のトランジスタＱ３と、前記第
２の負荷抵抗Ｒ２の他端にコレクタが接続され、ベース
が前記第１のゲイン制御端子４に接続されている第４の
トランジスタＱ４と、エミッタが前記第３のトランジス
タＱ３のエミッタに接続され、コレクタが前記第４のト
ランジスタＱ４のコレクタに接続され、ベースが第２の
ゲイン制ｔｎ＠子５に接続されている第５のトランジス
タＱ５と、エミッタが前記第４のトランジスタＱ４のエ
ミッタに接続され、コレクタが前記第３のトランジスタ
Ｑ３のコレクタに接続され、ベースが前記第２のゲイン
制御端子５に接続されている第６のトランジスタＱ６と
、エミッタが前記第１のトランジスタＱ１のコレクタに
接続され、コレクタが前記第３及び第５のトランジスタ
Ｑ３、Ｑｓのエミッタに接続され、ベースが第１のベー
ス電圧源端子８に接続されている第７のトランジスタＱ
７と、エミッタが前記第２のトランジスタＱ２のコレク
タに接続され、コレクタが前記第４及び第６のトランジ
スタＱ４、φ６のエミッタに接続され、ベースが前記第
１のベース電圧源端子８に接続されている第８のトラン
ジスタＱ８と、前記第７のトランジスタＱ７のエミッタ
と前記第３のトランジスタＱ３のコレクタとの間に接続
されている第１の分流回路と、前記第８のトランジスタ
Ｑ８のエミッタと前記第４のトランジスタのコレクタと
の間に接続されている第２の分流回路とを具備したゲイ
ン可変回路に係わるものである。
なお、分流回路を複数の分流回路の並列接続とし、これ
等の分流回路に分流を選択的に行うためのスイッチを設
けることができる。
等の分流回路に分流を選択的に行うためのスイッチを設
けることができる。
［作 用］
本発明では、第３及び第５のトランジスタＱ３、Ｑｓか
ら成るベース接地トランジスタ対、及び第４及び第６の
トランジスタＱ４ 、Ｑ６から成るベース接地トランジ
スタ対に流れる電流が分流によって低減されるので、高
周波特性の劣化を防ぐことができる。
ら成るベース接地トランジスタ対、及び第４及び第６の
トランジスタＱ４ 、Ｑ６から成るベース接地トランジ
スタ対に流れる電流が分流によって低減されるので、高
周波特性の劣化を防ぐことができる。
［第１の実施例〕
次に、第１図を参照して本発明の第１の実施例に係わる
差動増幅器を用いた連続ゲイン可変回路を説明する。第
１図における第１〜第６のトランジスタＱ１〜Ｑ６、第
１及び第２の負荷抵抗Ｒ１、Ｒ２、定電流源Ｃ８１、第
１及び第２の入力端子１．２、第１及び第２のゲイン制
御端子４．５、第１及び第２の出力端子６．７は第３図
で同−符号で示すものと実質的に同一の機能を有し、実
質的に同一に接続されている。第１図の回路は、これ等
の他に第７〜第１２のトランジスタＱ７〜Ｑ１２を有す
る。
差動増幅器を用いた連続ゲイン可変回路を説明する。第
１図における第１〜第６のトランジスタＱ１〜Ｑ６、第
１及び第２の負荷抵抗Ｒ１、Ｒ２、定電流源Ｃ８１、第
１及び第２の入力端子１．２、第１及び第２のゲイン制
御端子４．５、第１及び第２の出力端子６．７は第３図
で同−符号で示すものと実質的に同一の機能を有し、実
質的に同一に接続されている。第１図の回路は、これ等
の他に第７〜第１２のトランジスタＱ７〜Ｑ１２を有す
る。
第７及び第８のトランジスタＱ７ 、Ｑ８のエミッタは
第１及び第２のトランジスタＱ１、Ｑ２のコレクタにそ
れぞれ接続され、コレクタは第３及び第５のトランジス
タＱ３ 、Ｑ５のエミッタ共通接続点と第４及び第６の
トランジスタＱ４、Ｑ６のエミッタ共通接続点１こそれ
ぞれ接続され、ベースは電位Ｖａを与える定電圧源端子
から成る第１のベース電圧源端子８にそれぞれ接続され
ている第１の分流回路を形成するための第９のトランジ
スタＱ９のエミッタは第７のトランジスタＱ７のエミッ
タに接続され、ベースは第１のベース電圧源端子８に接
続されている。第１０のトランジスタＱ１０のエミッタ
は第９のトランジスタＱ９のコレクタに接続され、コレ
クタは第３のトランジスタＱ３のコレクタに接続され、
ベースは電位ｖｂを与える第２のベース電圧源端子９に
接続されている。第２の分流回路を形成するための第１
１のトランジスタＱ１１のエミッタは第８のトランジス
タＱ８のエミッタに接続され、ベースは第１のベース電
圧源端子８に接続されている。第１２のトランジスタＱ
１２のエミッタは第１１のトランジスタＱ１１のコレク
タに接続され、コレクタは第４のトランジスタＱ４のコ
レクタに接続されている。
第１及び第２のトランジスタＱ１、Ｑ２のコレクタにそ
れぞれ接続され、コレクタは第３及び第５のトランジス
タＱ３ 、Ｑ５のエミッタ共通接続点と第４及び第６の
トランジスタＱ４、Ｑ６のエミッタ共通接続点１こそれ
ぞれ接続され、ベースは電位Ｖａを与える定電圧源端子
から成る第１のベース電圧源端子８にそれぞれ接続され
ている第１の分流回路を形成するための第９のトランジ
スタＱ９のエミッタは第７のトランジスタＱ７のエミッ
タに接続され、ベースは第１のベース電圧源端子８に接
続されている。第１０のトランジスタＱ１０のエミッタ
は第９のトランジスタＱ９のコレクタに接続され、コレ
クタは第３のトランジスタＱ３のコレクタに接続され、
ベースは電位ｖｂを与える第２のベース電圧源端子９に
接続されている。第２の分流回路を形成するための第１
１のトランジスタＱ１１のエミッタは第８のトランジス
タＱ８のエミッタに接続され、ベースは第１のベース電
圧源端子８に接続されている。第１２のトランジスタＱ
１２のエミッタは第１１のトランジスタＱ１１のコレク
タに接続され、コレクタは第４のトランジスタＱ４のコ
レクタに接続されている。
従って、第１図の回路は、第３図の従来の回路の第１及
び第２のトランジスタＱ１ 、Ｑ２のと第３及び第４の
トランジスタＱ３ 、Ｑ４との間に第７及び第８のトラ
ンジスタＱ７ 、Ｑ８をそれぞれ接続し、更に第１及び
第２のトランジスタＱ１、Ｑ２と第１及び第２の負荷抵
抗Ｒ１、Ｒ２との間に第９及び第１０のトランジスタＱ
９、Ｑ１０から成る第１の分流回路と第１１及び第１２
のトランジスタＱ１１、Ｑ１２から成る第２の分流回路
とをそれぞれ接続した回路と等価である。
び第２のトランジスタＱ１ 、Ｑ２のと第３及び第４の
トランジスタＱ３ 、Ｑ４との間に第７及び第８のトラ
ンジスタＱ７ 、Ｑ８をそれぞれ接続し、更に第１及び
第２のトランジスタＱ１、Ｑ２と第１及び第２の負荷抵
抗Ｒ１、Ｒ２との間に第９及び第１０のトランジスタＱ
９、Ｑ１０から成る第１の分流回路と第１１及び第１２
のトランジスタＱ１１、Ｑ１２から成る第２の分流回路
とをそれぞれ接続した回路と等価である。
第７及び第９のトランジスタＱ７ 、Ｑ９と第８及び第
１１のトランジスタＱ８ 、Ｑｌｌはそれぞれベースと
エミッタが共通接続されているため、これ等のトランジ
スタの特性が等しいとすると、第１及び第２のトランジ
スタＱ１、Ｑ２のコレクタ電流Ｉ 、Ｉ はそれぞ
れ２等分され、１１／２、■２／２がそれぞれのコレク
タに流れる。即ち、゛第７、第８、第９、第１１のトラ
ンジスタＱ７、Ｑ８ 、Ｑ９ 、Ｑｌｌのコレクタ電流
をＩ、Ｉ８、■９．１１１とすれば、 Ｉ ７ ＝ １９ ＝ １１ ／ ２ Ｉ ＝１１１＝Ｉ２／２ となる。
１１のトランジスタＱ８ 、Ｑｌｌはそれぞれベースと
エミッタが共通接続されているため、これ等のトランジ
スタの特性が等しいとすると、第１及び第２のトランジ
スタＱ１、Ｑ２のコレクタ電流Ｉ 、Ｉ はそれぞ
れ２等分され、１１／２、■２／２がそれぞれのコレク
タに流れる。即ち、゛第７、第８、第９、第１１のトラ
ンジスタＱ７、Ｑ８ 、Ｑ９ 、Ｑｌｌのコレクタ電流
をＩ、Ｉ８、■９．１１１とすれば、 Ｉ ７ ＝ １９ ＝ １１ ／ ２ Ｉ ＝１１１＝Ｉ２／２ となる。
第７及び第８のトランジスタＱ７ 、Ｑ８のコレクタ電
流■ 、■ は第３図の従来回路と同様にトランジスタ
Ｑ３ 、Ｑ５及びＱ４ 、Ｑ６から成るそれぞれのゲイ
ン連続可変回路を通るために高周波応答を劣化させるが
、第９及び第１１のトランジスタＱ９ 、Ｑｌｌを流れ
る電流■ 、Ｉ はＱ３、Ｑ５ 、Ｑ４ 、Ｑ６を通ら
ないので、高周波応答を劣化させない、このため、ゲイ
ン連続可変を行った場合の信号電流の変化は、高周波応
答の劣化がない電流成分と高周波応答の劣化のある電流
成分とが加算されたものとなり、高周波応答の劣化は１
／２に改善される。
流■ 、■ は第３図の従来回路と同様にトランジスタ
Ｑ３ 、Ｑ５及びＱ４ 、Ｑ６から成るそれぞれのゲイ
ン連続可変回路を通るために高周波応答を劣化させるが
、第９及び第１１のトランジスタＱ９ 、Ｑｌｌを流れ
る電流■ 、Ｉ はＱ３、Ｑ５ 、Ｑ４ 、Ｑ６を通ら
ないので、高周波応答を劣化させない、このため、ゲイ
ン連続可変を行った場合の信号電流の変化は、高周波応
答の劣化がない電流成分と高周波応答の劣化のある電流
成分とが加算されたものとなり、高周波応答の劣化は１
／２に改善される。
［第２の実施例］
次に、第２図を参照して本発明の第２の実施例に係わる
ゲイン可変回路を説明する。但し、第２図において第１
図と実質的に同一の部分には同一の符号を付してその説
明を省略する、第２図の回路では、第７のトランジスタ
Ｑ７のエミッタと第３のトランジスタＱ３のコレクタと
の間に第１３及び第１４のトランジスタＱ１３、Ｑ１４
の直列回路が接続され、また第８のトランジスタＱ８の
エミッタと第４のトランジスタＱ４のコレクタとの間に
第１５及び第１６のトランジスタＱ１５、Ｑ１６の直列
回路が接続され、また第１３のトランジスタＱ１３のコ
レクタと第４のトランジスタＱ４のコレクタとの間に第
１７のトランジスタＱ１７が接続され、また第１５のト
ランジスタＱ１５のコレクタと第３のトランジスタＱ３
のコレクタとの間に第１８のトランジスタＱ１８が接続
されている。更に詳細には第１３及び第１５のトランジ
スタＱ１３、Ｑ１５のエミッタは第７及び第８゛のトラ
ンジスタＱ７、Ｑ８のエミッタにそれぞれ接続され、ベ
ースは第１のベース電圧源端子８にそれぞれ接続されて
いる。第１４及び第１６のトランジスタＱ１４、Ｑ１６
のエミッタは第１３及び第１５のトランジスタＱ１３、
Ｑ１５のコレクタに接続され、コレクタは第３及び第４
のトランジスタＱ３ 、Ｑ４のコレクタに接続され、ベ
ースは第１のスイッチ制御端子１０に接続されている。
ゲイン可変回路を説明する。但し、第２図において第１
図と実質的に同一の部分には同一の符号を付してその説
明を省略する、第２図の回路では、第７のトランジスタ
Ｑ７のエミッタと第３のトランジスタＱ３のコレクタと
の間に第１３及び第１４のトランジスタＱ１３、Ｑ１４
の直列回路が接続され、また第８のトランジスタＱ８の
エミッタと第４のトランジスタＱ４のコレクタとの間に
第１５及び第１６のトランジスタＱ１５、Ｑ１６の直列
回路が接続され、また第１３のトランジスタＱ１３のコ
レクタと第４のトランジスタＱ４のコレクタとの間に第
１７のトランジスタＱ１７が接続され、また第１５のト
ランジスタＱ１５のコレクタと第３のトランジスタＱ３
のコレクタとの間に第１８のトランジスタＱ１８が接続
されている。更に詳細には第１３及び第１５のトランジ
スタＱ１３、Ｑ１５のエミッタは第７及び第８゛のトラ
ンジスタＱ７、Ｑ８のエミッタにそれぞれ接続され、ベ
ースは第１のベース電圧源端子８にそれぞれ接続されて
いる。第１４及び第１６のトランジスタＱ１４、Ｑ１６
のエミッタは第１３及び第１５のトランジスタＱ１３、
Ｑ１５のコレクタに接続され、コレクタは第３及び第４
のトランジスタＱ３ 、Ｑ４のコレクタに接続され、ベ
ースは第１のスイッチ制御端子１０に接続されている。
第１７及び第１８のトランジスタＱ１７、Ｑ１８のエミ
ッタは第１４及び第１６のトランジスタＱ１４、Ｑ１６
のエミッタに接続され、コレクタは第５及び第６のトラ
ンジスタＱ５、Ｑ６のコレクタに接続され、ベースは第
２のスイッチ制御端子１１にそれぞれ接続されている。
ッタは第１４及び第１６のトランジスタＱ１４、Ｑ１６
のエミッタに接続され、コレクタは第５及び第６のトラ
ンジスタＱ５、Ｑ６のコレクタに接続され、ベースは第
２のスイッチ制御端子１１にそれぞれ接続されている。
第２図の回路において、第１４及び第１６のトランジス
タＱ１４、Ｑ１６をオン状態に制御し、第１７及び第１
８のトランジスタＱ１７、Ｑ１８をオフ状態に制御した
場合には、第１のトランジスタＱ１のコレクタ電流１１
が第７、第９及び第１３のトランジスタＱ７ 、Ｑ９
、Ｑ１３に３等分に分流し、同様に第２のトランジスタ
Ｑ２のコレクタ電流■２が第８、第１１及び第１５のト
ランジスタＱ８、Ｑｌｌ、Ｑ１５に３等分に分流する。
タＱ１４、Ｑ１６をオン状態に制御し、第１７及び第１
８のトランジスタＱ１７、Ｑ１８をオフ状態に制御した
場合には、第１のトランジスタＱ１のコレクタ電流１１
が第７、第９及び第１３のトランジスタＱ７ 、Ｑ９
、Ｑ１３に３等分に分流し、同様に第２のトランジスタ
Ｑ２のコレクタ電流■２が第８、第１１及び第１５のト
ランジスタＱ８、Ｑｌｌ、Ｑ１５に３等分に分流する。
これにより、第７及び第８のトランジスタＱ７ 、Ｑ８
には全体のｔ流１１．１２の１／３の電流が流れるのみ
であるから、従来回路に比べて高周波応答の劣化は１／
３になる。
には全体のｔ流１１．１２の１／３の電流が流れるのみ
であるから、従来回路に比べて高周波応答の劣化は１／
３になる。
なお、第１７及び第１８のトランジスタＱ１７、Ｑ１８
をオン状態になし、第１４及び第１６のトランジスタＱ
１４、Ｑ１６をオフ状態にすること、又は第１４、第１
６、第１７、第１８のトランジスタＱ１４、ＱｌＧ、Ｑ
１７、Ｑ１８の全部をオン状態又はオフ状態にすること
もできる。また、必要に応じて第１０及び第１２のトラ
ンジスタＱＩＯ１Ｑ１２をオフ状態に制御することがで
きる。
をオン状態になし、第１４及び第１６のトランジスタＱ
１４、Ｑ１６をオフ状態にすること、又は第１４、第１
６、第１７、第１８のトランジスタＱ１４、ＱｌＧ、Ｑ
１７、Ｑ１８の全部をオン状態又はオフ状態にすること
もできる。また、必要に応じて第１０及び第１２のトラ
ンジスタＱＩＯ１Ｑ１２をオフ状態に制御することがで
きる。
［変形例］
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。
次の変形が可能なものである。
（１） 第２図よりも更に多い分流回路を設け、複数の
分流回路の一部又は全部にスイッチを接続し、任意にｎ
個の分流回路を形成することによって全電流の１ ／
ｎのみを連続可変して高周波応答の劣化を１ ／ ｎに
軒滅するようにしてもよい。
分流回路の一部又は全部にスイッチを接続し、任意にｎ
個の分流回路を形成することによって全電流の１ ／
ｎのみを連続可変して高周波応答の劣化を１ ／ ｎに
軒滅するようにしてもよい。
（２） ゲイン制御端子４．５の電位Ｖ１ 、Ｖ２のい
ずれか一方を固定電位としてもよい。
ずれか一方を固定電位としてもよい。
［発明の効果］
以上説明したように請求項１．２の発明によれば、ゲイ
ン可変時における高周波特性の劣化を改善することがで
きる。
ン可変時における高周波特性の劣化を改善することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例のゲイン可変回路を示す
回路図、 第２図は本発明の第２の実施例のゲイン可変回路を示す
回路図、 第３図は従来のゲイン可変回路を示す回路図、第４図は
第３図の回路の第３及び第５のトランジスタにおける電
流分流を示すための等価回路図、第５図は第３及び第５
のトランジスタのステップ応答を説明するための等価回
路図、 第６図は第３図の回路でＩＥ３＝１［５の場合の（９）
式の第１項、第２項、全項のステップ応答を示す図、 第７図は’Ｅ３＝３１Ｅ５の場合を第６図と同様に示す
図、 第８図は３■Ｅ３” ＩＦ５の場合を第６図と同様に示
す図である。 １．２・・・入力端子、３・・・電源端子、４．５・・
・制御端子、６．７・・・出力端子、８．９・・・定電
圧電源端子、Ｑ１〜Ｑ１２・・・トランジスタ、Ｒ１、
Ｒ２・・・負荷抵抗、Ｃ８１・・・定電流源。
回路図、 第２図は本発明の第２の実施例のゲイン可変回路を示す
回路図、 第３図は従来のゲイン可変回路を示す回路図、第４図は
第３図の回路の第３及び第５のトランジスタにおける電
流分流を示すための等価回路図、第５図は第３及び第５
のトランジスタのステップ応答を説明するための等価回
路図、 第６図は第３図の回路でＩＥ３＝１［５の場合の（９）
式の第１項、第２項、全項のステップ応答を示す図、 第７図は’Ｅ３＝３１Ｅ５の場合を第６図と同様に示す
図、 第８図は３■Ｅ３” ＩＦ５の場合を第６図と同様に示
す図である。 １．２・・・入力端子、３・・・電源端子、４．５・・
・制御端子、６．７・・・出力端子、８．９・・・定電
圧電源端子、Ｑ１〜Ｑ１２・・・トランジスタ、Ｒ１、
Ｒ２・・・負荷抵抗、Ｃ８１・・・定電流源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］第１及び第２の入力端子（１）（２）と、ベース
が前記第１の入力端子（１）に接続されている第１のト
ランジスタ（Ｑ１）と、 ベースが前記第２の入力端子（２）に接続されている第
２のトランジスタ（Ｑ２）と、 前記第１、及び第２のトランジスタ（Ｑ１）（Ｑ２）の
互いに接続されているエミッタに接続されている電流源
（ＣＳ１）と、 電源端子（３）に一端がそれぞれ接続されている第１及
び第２の負荷抵抗（Ｒ１）（Ｒ２）と、前記第１及び第
２の負荷抵抗（Ｒ１）（Ｒ２）の他端にそれぞれ接続さ
れている第１及び第２の出力端子（６）（７）と、 前記第１の負荷抵抗（Ｒ１）の他端にコレクタが接続さ
れ、ベースが第１のゲイン制御端子（４）に接続されて
いる第３のトランジスタ（Ｑ３）と、前記第２の負荷抵
抗（Ｒ２）の他端にコレクタが接続され、ベースが前記
第１のゲイン制御端子（４）に接続されている第４のト
ランジスタ（Ｑ４）と、 エミッタが前記第３のトランジスタ（Ｑ３）のエミッタ
に接続され、コレクタが前記第４のトランジスタ（Ｑ４
）のコレクタに接続され、ベースが第２のゲイン制御端
子（５）に接続されている第５のトランジスタ（Ｑ５）
と、 エミッタが前記第４のトランジスタ（Ｑ４）のエミッタ
に接続され、コレクタが前記第３のトランジスタ（Ｑ３
）のコレクタに接続され、ベースが前記第２のゲイン制
御端子（５）に接続されている第６のトランジスタ（Ｑ
６）と、 エミッタが前記第１のトランジスタ（Ｑ１）のコレクタ
に接続され、コレクタが前記第３及び第５のトランジス
タ（Ｑ３）（Ｑ５）のエミッタに接続され、ベースが第
１のベース電圧源端子（８）に接続されている第７のト
ランジスタ（Ｑ７）と、エミッタが前記第２のトランジ
スタ（Ｑ２）のコレクタに接続され、コレクタが前記第
４及び第６のトランジスタ（Ｑ４）（Ｑ６）のエミッタ
に接続され、ベースが前記第１のベース電圧源端子（８
）に接続されている第８のトランジスタ（Ｑ８）と、 前記第７のトランジスタ（Ｑ７）のエミッタと前記第３
のトランジスタ（Ｑ３）のコレクタとの間に接続されて
いる第１の分流回路と、 前記第８のトランジスタ（Ｑ８）のエミッタと前記第４
のトランジスタ（Ｑ４）のコレクタとの間に接続されて
いる第２の分流回路と を具備したゲイン可変回路。 ［２］前記第１及び第２の分流回路は、それぞれ、互い
に並列に接続された複数の分流回路を有し、前記複数の
分流回路は、分流を選択的に行うためのスイッチをそれ
ぞれ有していることを特徴とする請求項１記載のゲイン
可変回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1122047A JPH02301308A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | ゲイン可変回路 |
| US07/523,222 US5057787A (en) | 1989-05-16 | 1990-05-14 | Variable gain differential amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1122047A JPH02301308A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | ゲイン可変回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02301308A true JPH02301308A (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=14826295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1122047A Pending JPH02301308A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | ゲイン可変回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5057787A (ja) |
| JP (1) | JPH02301308A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009071952A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Ricoh Co Ltd | スイッチングレギュレータ |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0799861B2 (ja) * | 1991-02-28 | 1995-10-25 | 松下電器産業株式会社 | 階調補正回路 |
| US5353347A (en) * | 1992-02-04 | 1994-10-04 | Acs Communications, Inc. | Telephone headset amplifier with battery saver, receive line noise reduction, and click-free mute switching |
| US5184088A (en) * | 1992-06-10 | 1993-02-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Controlled-gain transistor amplifier without D-C shift or signal phase reversal in load current |
| DE69427471T2 (de) * | 1994-07-29 | 2002-04-25 | St Microelectronics Srl | Transkonduktanzstufe mit gesteuerter Verstärkung |
| JP3479405B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2003-12-15 | アルプス電気株式会社 | 送信機の増幅回路 |
| US5896063A (en) * | 1997-04-30 | 1999-04-20 | Maxim Integrated Products, Inc. | Variable gain amplifier with improved linearity and bandwidth |
| KR19990076212A (ko) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | 김상규 | 복사 범위를 알 수 있는 복사기 |
| US6084466A (en) * | 1998-10-22 | 2000-07-04 | National Semiconductor Corporation | Variable gain current summing circuit with mutually independent gain and biasing |
| US6657494B2 (en) * | 2001-09-28 | 2003-12-02 | International Business Machines Corporation | Variable gain mixer-amplifier with fixed DC operating voltage level |
| KR100468358B1 (ko) * | 2002-05-29 | 2005-01-27 | 인티그런트 테크놀로지즈(주) | 이득 곡선의 기울기 특성이 향상된 가변 이득 증폭기 |
| US6888406B2 (en) * | 2002-08-12 | 2005-05-03 | Microtune (Texas), L.P. | Highly linear variable gain amplifier |
| SE526386C2 (sv) * | 2003-11-10 | 2005-09-06 | Infineon Technologies Ag | Spänning-till-strömomvandlare och förfarande för att omvandla |
| DE102005008274A1 (de) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Infineon Technologies Ag | Steuerbarer Verstärker und Verfahren zum Verstärken eines Signals |
| BR122013010296A2 (pt) | 2009-09-30 | 2016-01-05 | Tso3 Inc | método de esterilização de gás de peróxido de hidrogênio em uma câmara de esterilização evacuada |
| US8310314B2 (en) * | 2010-09-06 | 2012-11-13 | Mediatek Inc. | Signal amplification circuits for receiving/transmitting signals according to input signal |
| KR101787761B1 (ko) * | 2011-08-09 | 2017-10-18 | 삼성전자주식회사 | Ｒｆ 증폭기 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3689752A (en) * | 1970-04-13 | 1972-09-05 | Tektronix Inc | Four-quadrant multiplier circuit |
| US4563653A (en) * | 1981-03-30 | 1986-01-07 | Pertec Computer Corporation | Servo preamplifier and demodulator chain using transconductance balanced modulators |
| US4963836A (en) * | 1989-06-23 | 1990-10-16 | Digital Equipment Corporation | Wide range high stability variable gain amplifier |
-
1989
- 1989-05-16 JP JP1122047A patent/JPH02301308A/ja active Pending
-
1990
- 1990-05-14 US US07/523,222 patent/US5057787A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009071952A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Ricoh Co Ltd | スイッチングレギュレータ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5057787A (en) | 1991-10-15 |
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