JPH0465891A - リフロー装置 - Google Patents

リフロー装置

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JPH0465891A
JPH0465891A JP18004390A JP18004390A JPH0465891A JP H0465891 A JPH0465891 A JP H0465891A JP 18004390 A JP18004390 A JP 18004390A JP 18004390 A JP18004390 A JP 18004390A JP H0465891 A JPH0465891 A JP H0465891A
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JP
Japan
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board
substrate
glass
heating chamber
cream solder
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JP18004390A
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Toshio Nishi
西 壽雄
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494Heating methods for reflowing of solder

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はリフロー装置に関し、詳しくは、リフローにと
もなう基板の撓みを防止するための手段に関する。
(従来の技術) クリーム半田により電子部品が接着された基板は、リフ
ロー装置へ送られ、クリーム半田の加熱処理が行われる
このリフロー装置は、基板を常温からクリーム半田の溶
融温度(一般に、約183℃)以上まで徐々に加熱する
ことにより、クリーム半田を溶融させ、次いで徐々に冷
却させることより、溶融したクリーム半田を硬化させる
ようになっている。
(発明が解決しようとする課B) ところが基板は薄板状であることから、上記のように加
熱すると、熱変形して撓みを生じやすく、基板が撓むと
、電子部品が基板から分離したり、あるいは後工程で行
われる外観検査に支障をきたすなどの問題を生じる。殊
に、ガラスエポキシ樹脂基板のような熱可塑性合成樹脂
により形成された基板は、このような熱変形が顕著であ
る。
ところで、本発明者の知見によれば、熱可塑性合成樹脂
から成る基板の熱変形は、基板が上記溶融温度まで加熱
された後、冷却される過程において顕著に発生する。す
なわち、この種基板のガラス転移点(基板がガラス状か
らゴム状に変質する温度)は一般に150℃前後であり
、上記のように溶融温度まで加熱された後、徐々に冷却
されてゴム状からガラス状に変質する間に、基板は熱変
形して撓みを生じやすい。
そこで本発明は、上記事情に鑑み、熱可塑性合成樹脂よ
り成る基板の撓みを防止できるリフロー装置を提供する
ことを目的とする。
(課題を解決するための手段) このために本発明は、加熱室と、この加熱室内を熱可塑
性合成樹脂から成る基板を搬送するコンベヤと、この加
熱室に配設されて、このコンベヤにより搬送される基板
をクリーム半田の溶融温度以上まで加熱するヒータと、
クリーム半田の溶融後であって、上記基板がゴム状から
ガラス状に変質する間に、上記基板を上方から押えてこ
の基板を水平に保持する押え手段とからリフロー装置を
構成している。
(作用) 上記構成において、加熱室内を搬送される基板は、溶融
温度以上まで徐々に加熱され、クリーム半田は溶融する
。次いで基板は徐々に冷却されながら、加熱室外へ搬出
される。
溶融温度から徐々に冷却される過程において、基板はゴ
ム状からガラス状に変質するが、この過程において、基
板は押え手段により押えられて水平に保持されているこ
とから、冷却にともなう撓みの発生は防止される。
(実施例) 次に、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第1図はリフロー装置の内部側面図である。
1は加熱室であり、その内部にはヒータ2、ファン3が
配設されている。4はガラスエポキシ樹脂などの熱可塑
性合成樹脂から成る基板であり、クリーム半田により電
子部品5が接着されている。6は基板4を加熱室1内を
搬送するコンベヤであり、スプロケット7に無端チェノ
8を調帯して構成されている。17.18は搬入用コン
ベヤと搬出用コンベヤである。
加熱室1は、隔壁9により入口10から出口11へ向っ
て、予熱ゾーンA、均熱ゾーンB、リフローゾーンC1
冷却ゾーンDに分割されている。予熱ゾーンAは、基板
4を常温から150℃〜160℃程度まで徐々に加熱す
る。均熱ゾーンBは、温度むらがないように基板4を1
50℃〜160℃程度に十分に加熱する。リフローゾー
ンCは、基板4を220℃程度まで加熱する。クリーム
半田の溶融温度は、−iに183℃程度であり、このリ
フローゾーンCにおいて、クリーム半田は完全に溶融す
る。冷却ゾーンDにおいて、基板4は徐々に冷却され、
クリーム半田は硬化する。図中、M線aは加熱室l内の
温度プロファイルを示している。
12は基板4の押え手段であって、スプロケッ)13に
無端チェノ14を調帯して構成されている。この押え手
段12は、リフローゾーンCから冷却ゾーンDにかけて
、上記コンベヤ6の上方に配設されている。この無端チ
ェノ14は、コンベヤ6の無端チェノ8と同一速度で基
板4の搬送方向に回動する。
第2図に示すように、チェノ8,14には支持具15と
押え具16が突設されている。支持具15は、基板40
両側部を支持する。また押え具16は、基板4の両側部
を押えることにより、基板4を水平に保持する。19は
クリーム半田である。
上記構成において、基W7.4はコンベヤ6により加熱
室1内を搬送されながら、徐々に加熱される。基板4の
ガラス転移点TIは150℃程度であり、ガラス転移点
T1において、基板4はガラス状からゴム状に変質する
。次いで基板4は183℃以上まで加熱され、クリーム
半田19は溶融する。次いで基板4の温度は徐々に低下
し、ガラス転移点T2以下になることにより、基板4は
ゴム状からガラス状に変質する。
このように基板4が冷却されて、ゴム状からガラス状に
変質する間に、基板4は熱変形して撓みやすいが、本手
段は、押え具16により基板4を押えることにより、基
板4が撓むのを防止する。
なお押え手段12は、上記ガラス転移点T2付近以外に
も配設することを禁止するものではなく、例えば加熱室
1の入口10から出口11までの加熱室1の全長に渉っ
て配設してもよいものであり、少くともクリーム半田1
9の溶融後であって、基板4がゴム状からガラス状に変
質する間、すなわちガラス転移点T2付近に配設すれば
よい。しかしながら基板4の熱は、押え具16を通って
無端チェノ14側へ逃げやすく、このため押え具6が接
触する基板4の両側部の温度が低下して、リフローに悪
影響を与える虞れがあることから、本実施例のように、
押え手段は基板4が撓みやすいガラス転移点T2付近に
のみ配設することが望ましい。
(発明の効果) 以上説明したように本発明は、加熱室と、この加熱室内
を熱可塑性合成樹脂から成る基板を搬送するコンベヤと
、この加熱室に配設されて、このコンベヤにより搬送さ
れる基板をクリーム半田の溶融温度以上まで加熱するヒ
ータと、クリーム半田の溶融後であって、上記基板がゴ
ム状からガラス状に変質する間に、上記基板を上方から
押えてこの基板を水平に保持する押え手段とからリフロ
ー装置を構成しているので、リフローにともなう基板の
撓みを確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の実施例を示すものであって、第1図はリフ
ロー装置の側面図、第2図は要部断面図である。 ■・・・加熱室 2・・・ヒータ 4・・・基板 6・・・コンベヤ 12・・・押え手段 19・・・クリーム半田

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  加熱室と、この加熱室内を熱可塑性合成樹脂から成る
    基板を搬送するコンベヤと、この加熱室に配設されて、
    このコンベヤにより搬送される基板をクリーム半田の溶
    融温度以上まで加熱するヒータと、クリーム半田の溶融
    後であって、上記基板がゴム状からガラス状に変質する
    間に、上記基板を上方から押えてこの基板を水平に保持
    する押え手段とから成ることを特徴とするリフロー装置
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0655290U (ja) * 1992-12-28 1994-07-26 日本電熱計器株式会社 基板押え搬送装置
JP2000216594A (ja) * 1999-01-26 2000-08-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板搬送方法及び装置

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