JPH0461497B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0461497B2 JPH0461497B2 JP62114636A JP11463687A JPH0461497B2 JP H0461497 B2 JPH0461497 B2 JP H0461497B2 JP 62114636 A JP62114636 A JP 62114636A JP 11463687 A JP11463687 A JP 11463687A JP H0461497 B2 JPH0461497 B2 JP H0461497B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- concentration
- impurity region
- impurity
- implanted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11463687A JPS6323362A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11463687A JPS6323362A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15337376A Division JPS5378181A (en) | 1976-12-22 | 1976-12-22 | Semiconductor device and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6323362A JPS6323362A (ja) | 1988-01-30 |
| JPH0461497B2 true JPH0461497B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1992-10-01 |
Family
ID=14642775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11463687A Granted JPS6323362A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6323362A (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2888462B2 (ja) * | 1991-08-26 | 1999-05-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法 |
| JPH0766393A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-10 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS597229B2 (ja) * | 1974-12-16 | 1984-02-17 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6129554A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Nec Corp | サ−マルプリントヘツド |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP11463687A patent/JPS6323362A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6323362A (ja) | 1988-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6316673A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61179567A (ja) | 自己整合積層cmos構造の製造方法 | |
| JP2596117B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JPH0461497B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JPS62160770A (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS6129554B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JPS6025028B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6346586B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JPH08213601A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JP3038857B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58169971A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS60121771A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01122167A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03153081A (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS6057970A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5826177B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6057969A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04171942A (ja) | Mos型半導体装置の製造方法 | |
| JPS61166154A (ja) | Mis型半導体装置の製造方法 | |
| JPS626664B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JPH02114537A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH027441A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61104669A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61105873A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6266678A (ja) | 半導体装置の製造方法 |