JPH0461402B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は、高密度磁気記録を行うVTR等の
機器に用いられるアモルフアスヘツドの製造方法
に関し、特にヘツドチツプの形成技術に属するも
のである。

従来技術 磁気記録原理を応用するVTR等の機器は、小
形化、高性能化が要求され、記録媒体としては
Co−Crメタルテープ等が提唱され、それに対応
する磁気ヘツドとしては、現状のフエライトヘツ
ドでは歪なく記録することが可能なので、合金型
のヘツドが開発されている。最近では、磁気異方
性がなく、しかも磁歪零組成で、大きな透磁率と
低い抗磁力を示すアモルフアス合金を用いるもの
が脚光を浴びつつある。すなわち、アモルフアス
合金磁気ヘツド（以下アモルフアスヘツドと略記
する）は、第１図に示すように、厚さ寸法ｔがト
ラツク幅程度のアモルフアス薄帯１を、磁気ギヤ
ツプ２、コイル挿通用の窓孔３を備えたコア形状
に作成し、有機接着材や低融点ガラス接着材４を
用いて、同様な形状の肉厚の結晶化ガラス等の補
強板５，５にて挟み付けして積層固着し、窓孔３
へ数回巻線を挿通・巻付してコイル６を設けたも
のである。ところで、このアモルフアスヘツド
は、アモルフアス薄帯１の結晶化温度が約500℃
であるために、低温にて加工せざるを得ず、した
がつて、上述の通り有機接着材や低融点ガラスの
接着材４を用いて積層固着させているのである
が、次のような欠点があつた。つまり、有機接着
材の場合には、肝心な磁気ギヤツプ２を破壊しが
ちであり、また低融点ガラスの場合、従来のフエ
ライトコア等のように、その一部まで拡散して強
固に接着させることができず、しかも、アモルフ
アス薄帯１とのなじみ性が良好と言えず、接着強
度が十分に得難かつたのである。

発明の目的 この発明は、上記従来のヘツドチツプ形成技術
の欠点を解消する目的で提唱されたもので、補強
板によりアモルフアス薄帯を、単に挟持接着させ
る方式を採らず、十分な接着強度が得られる技術
を提供するものである。

発明の構成 この発明は、上記の目的を達成するために、次
に示すヘツドチツプ製作工程を採用する。つま
り、この発明は、アモルフアス薄帯に、ヘツドチ
ツプのコア１コ分の幅毎に多数の透孔を穿設する
工程と、そのアモルフアス薄帯を整列治具にて、
等間隔で、完成したヘツドチツプの肉厚寸法にほ
ぼ等しい間隔に多数張設固定する工程と、それら
のアモルフアス薄帯間に、保護部材を溶融・充填
してコアブロツク第１のブロツクを形成する工程
と、第１のブロツクを切断、切削、研磨等の加工
処理を行つて、個々のヘツドチツプを得る工程を
包含するアモルフアスヘツドの製造方法である。
よつて、この発明は、従来のような補強板は使用
せず、アモルフアス薄帯を接着部材でモールドす
る方法である。

発明の作用効果 この発明によれば、アモルフアスヘツドのヘツ
ドチツプは、保護部材とアモルフアス薄帯との接
着強度を著しく向上させることができる。さらに
この発明によると、コアの製作が極めて容易とな
り、アモルフアスヘツドの量産性向上に著しく貢
献し、また原価低減等の実用的効果も奏する。

発明を実施するための最良の形態 第２図〜第９図は、この発明の一実施例を示す
各工程の様子を示す斜視図である。まずこの実施
例では、第２図に示すように、所望の数十個分の
磁気コア面積を有するテープ状のアモルフアス薄
帯１０を多数準備する。これらのアモルフアス薄
帯１０は、Co₇₀Fe₅Si₁₅B₁₀等の母合金を溶融状態
から、公知の双ロール法にて急冷して得られるも
ので、そのテープ厚さは、約30μｍ程度のトラツ
ク幅寸法に一致させおく。つぎに第３図に示す通
りに、ヘツドチツプ幅の間隔Ｐ（第１０図のＰに
相当）毎に、例えば角形の透孔１１，１１，……
をプレス打抜きして穿設する。この角形の透孔１
１は、後に磁気ヘツドの磁気コアとしてのアモル
フアス薄帯１０とこれを保護するためにアモルフ
アス薄帯をモールドする保護部材との接着強度を
著しく向上せしめ、機械的強度を十分にするため
に利用される。最終的には第１１図に示すよう
に、ヘツドチツプの左右に３２で示す領域で示す
ように分割されて配置されるものである。（以下
この領域をグリツプ領域と呼ぶ） なお、第１１は、本発明の一実施例によつて得
られたヘツドチツプの斜視図である第１０図のア
モルフアス薄帯部断面図を正面側から観察した場
合で、図中実線は、ヘツドチツプの外形線を示し
点線で囲まれた斜点線部１０は、アモルフアス薄
帯部を示す。但しこの場合に、アモルフアス薄帯
１０の両端部１２，１２は、次工程の都合で余白
として残しておく。それから第４図のように、整
列治具１３を溶いて、多数のアモルフアス薄帯１
０，１０，……を、所定間隔Ｑ（第１０図のＱに
相当）に平行に、ホルダ１４，１４，……にて両
端部１２，１２，……を挟付けて張設する。この
時、間隔Ｑは、完成したヘツドチツプの肉厚寸法
にほぼ等しく設定する。またこのとき、アモルフ
アス薄帯に設けられた透孔は、隣接するアモルフ
アス薄帯相互で穴方向に一直線に配列されるよう
にする。後に保護部材充填後切り出してブロツク
化する時の加工を容易化するためである。その
後、第５図のように、整列治具１３のアモルフア
ス薄帯１０，１０間の空間Ｓ，Ｓ，……へ300℃
〜450℃に溶融した保護部材としての低融点ガラ
ス１５を流し込んで完全に充填固化させる。よつ
て、この際アモルフアス薄帯１０，１０，……
は、余白の両端部１２，１２を除き、透孔１１，
１１，……の内面及び前・後面が低融点ガラス１
５にて被覆固着される。つぎに整列治具１３のホ
ルダ１４，１４，……を挟付解除させて、低融点
ガラス１５でモールドされた第１ブロツクを第６
図の通り取り出して、アモルフアス薄帯相互に一
直線上に隣接して連なる透孔１１，１１，……の
中心線群１７，１７，……に沿つて切断し、第７
図のような細い第２のブロツク１８に分割する。
そしてさらにブロツク１８の中心線１９に沿つて
切断することによつて、第８図ａ、第８図ｂの通
り第３のブロツク２０，２１に、分割し、通常の
製作工程と同様に、磁気スペーサ膜２２、窓形成
用溝２３、巻線巻付用溝２４，２５、接着溜め凹
溝２６，２７を夫々形成する。ここで、磁気スペ
ーサ膜２２は、蒸着、スパツタ等によつて形成
し、窓形成用溝２３、巻線付用溝２４，２５、接
着剤溜め凹溝２６，２７は、精密加工用のダイシ
ングソー等を用いて加工する。なお、この際、ダ
イシングソーの回転ブレードの先端形状が台形の
ものを用いて、窓形成溝２３、巻線巻付溝２４，
２５を加工し、また、該先端形状がＶ字型のもの
を用いて、接着剤溜め凹溝を加工する。その後も
同様に第９図のようにブロツク２０，２１を密着
目合せして、低融点ガラス１５′で接合固着しそ
の頂頭部２８を曲面研磨し、リヤー部を細線３０
に沿つて切断除去し、間隔Ｑ（第１０図のＱに相
当）毎にスライスして第１０図の通りのヘツドチ
ツプ３１を得る。その後の、巻線、巻付工程は、
全く従来通りであるので説明を省略する。

上述したアモルフアスヘツドの製造方法によれ
ば、第１１図に示すようにアモルフアス薄帯１０
と、これを被覆する保護部材たる低融点ガラス１
５とが、透孔グリツプ領域３２の内面を含む前・
後面の十分広い面積で接着し、固着されるから、
アモルフアス薄帯１０の保護が十分に行える。さ
らに、この方法では、低融点ガラス１５の充填
は、単に整列治具１３内へ注入すればよいから、
モールド作業が簡単となる。

尚、上記実施例は、アモルフアス薄帯をモール
ドする接着部材として、低融点ガラスを採用した
が、この発明は、これに限定するものではなく、
エポキシ樹脂等を用いる場合も包含するものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来のアモルフアスヘツドの一部切
欠き斜視図、第２図〜第９図は、この発明の一実
施例に関する各工程の様子を示す斜視図、第１０
図は、その実施例によつて得られたヘツドチツプ
の斜視図である。第１１図は本実施例によつて得
られたヘツドチツプのアモルフアス薄帯部の断面
図である。 １０……アモルフアス薄帯、１１，１１………
…透孔、１３……整列治具、１５……接着部材
（低融点ガラス）、１６……第１のブロツク、１８
……第２のブロツク、２０，２１……第３のブロ
ツク、３１……コア。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ アモルフアス薄帯に、ヘツドチツプ１コ分の
   幅毎に多数の透孔を穿設する工程と、上記透孔を
   穿設したアモルフアス薄帯を整列治具にて、完成
   したヘツドチツプの肉厚寸法にほぼ等しい等間隔
   で、かつ隣接するアモルフアス薄帯相互で透孔が
   その開穴方法に一直線上に配置されるように多数
   張設固定する工程と、 上記張設したアモルフアス薄帯間に、保護部材
   を充填して第１のブロツクを形成する工程と、上
   記第１のブロツクをアモルフアス薄帯相互で一直
   線に隣接して連なる透孔の中心線群に沿つて切断
   し、第２ブロツクに分割する工程と、上記第２の
   ブロツクの中心線に沿つて切断し、第３のブロツ
   クに分割する工程と、第３のブロツクに磁気スペ
   ーサ膜、窓形成用溝、巻線巻付溝、接着剤溜め凹
   溝を形成する工程と、上記第３のブロツクどうし
   を、嵌着して接合固着しヘツドチツプの肉厚寸法
   に等しい間隔毎にスライスして個々のヘツドチツ
   プを得る工程とを具備することを特徴とするアモ
   ルフアスヘツドの製造方法。