JPH0455B2 - - Google Patents
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- JPH0455B2 JPH0455B2 JP8194484A JP8194484A JPH0455B2 JP H0455 B2 JPH0455 B2 JP H0455B2 JP 8194484 A JP8194484 A JP 8194484A JP 8194484 A JP8194484 A JP 8194484A JP H0455 B2 JPH0455 B2 JP H0455B2
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
本発明は電気光学的表示材料として有用なシク
ロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸誘導体の新
規ネマチツク液晶化合物に関する。 本発明によつて提供される新規ネマチツク液晶
化合物は 一般式 〔式中、R及びR′は独立的に炭素原子数1〜
9の直鎖状アルキル基を表わし、3つのシクロヘ
キサン環は夫々トランス(エカトリアル−エカト
リアル)配置である。〕 で表わされる化合物。 液晶表示セルの代表的なものにエム・シヤツト
(M・Schadt)等〔APPLIED PHYSICS
LETTERS 18 127〜128(1971)〕によつて提
案された電界効果型セル(フイールド・エフエク
ト・モード・セル)又はジー・エイチ・ハイルマ
イヤー(G・H Heilmeier)等
〔PROCEEDING OF THE I.E.E.E.56 1162〜
1171(1968)〕によつて提案された動的光散型セル
(ダイミツク・スキヤツタリング・モード・セル)
又はジー・エイチ・ハイルマイヤー(G・H
Heilmeier)等〔APPLIED PHYSICS
LETTERS 13,91(1968)〕あるいはデイー・
エル・ホワイト(DL White)等〔JOURNAL
OF APPLIED PHYSICS 45,4718(1974)〕に
よつて提案されたゲスト・ホスト型セルなどがあ
る。 これらの液晶表示セルに用いられる液晶材料に
は種々の特性が要求されるが、室温を含む広い温
度範囲でネマチツク相を有することは各種表示セ
ルに共通して要求されている重要な特性である。
このような特性を有する実用可能な材料の多く
は、通常、室温付近にネマチツク相を有する化合
物と室温より高い温度領域にネマチツク相を有す
る化合物から成る数種又はそれ以上の成分を混合
することによつて調製される。現在実用的に使用
される上記の如き混合液晶の多くは、少なくとも
−30℃〜+65℃の全温度範囲に亘つてネマチツク
相を有することが要求されている。かかる要求を
満すために、室温より高い温度領域にネマチツク
相を有する化合物として、4,4″−置換ターフエ
ニル、4,4′−置換ビフエニルシクロヘキサン、
4,4′−置換ベンゾイルオキシ安息香酸フエニル
エステルの如き、約100℃の結晶相−ネマチツク
相転移温度(C−N点)を有すると共に約200℃
のネマチツク相−等方性液体相転移温度(N−I
点)を有する化合物が使用される場合が多い。 近年、液晶表示セルが屋内外で多目的に使用さ
れるにつれてネマチツク温度範囲の高温領域が+
65℃よりさらに高いものが必要とされてきてい
る。このためには従来の化合物よりさらに高いネ
マチツク相−等方性液体相転移温度(N−I点)
を有する化合物が要求されている。本発明に係る
式()の化合物はこの要求に応えるものであ
り、既知の液晶混合物に少量混合することによつ
てネマチツク相−等方性液体相転移温度(N−I
点)を大幅に引き上げることができる。更に、式
()の化合物は、本出願人が特開昭54−83694号
公報の中で時分割駆動特性の優れたネマチツク液
晶材料として報告した4,4′−置換シクロヘキシ
ルカルボン酸フエニルエステルと極めて良好な相
溶性を有するから、これらの化合物と混合するこ
とによつて更に優れた混合液晶を得ることができ
る。 本発明に係る式()の化合物は次に製造方法
に従つて製造することができる。 式()の化合物にエーテル、ベンゼン、トル
エンの如き不活性有機溶媒中で、ピリジンの如き
塩基性化合物を触媒として式()の化合物を反
応させ本発明に係る式()の化合物を製造す
る。 斯くして製造された式()の化合物の転移温
度を第1表に掲げる。
ロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸誘導体の新
規ネマチツク液晶化合物に関する。 本発明によつて提供される新規ネマチツク液晶
化合物は 一般式 〔式中、R及びR′は独立的に炭素原子数1〜
9の直鎖状アルキル基を表わし、3つのシクロヘ
キサン環は夫々トランス(エカトリアル−エカト
リアル)配置である。〕 で表わされる化合物。 液晶表示セルの代表的なものにエム・シヤツト
(M・Schadt)等〔APPLIED PHYSICS
LETTERS 18 127〜128(1971)〕によつて提
案された電界効果型セル(フイールド・エフエク
ト・モード・セル)又はジー・エイチ・ハイルマ
イヤー(G・H Heilmeier)等
〔PROCEEDING OF THE I.E.E.E.56 1162〜
1171(1968)〕によつて提案された動的光散型セル
(ダイミツク・スキヤツタリング・モード・セル)
又はジー・エイチ・ハイルマイヤー(G・H
Heilmeier)等〔APPLIED PHYSICS
LETTERS 13,91(1968)〕あるいはデイー・
エル・ホワイト(DL White)等〔JOURNAL
OF APPLIED PHYSICS 45,4718(1974)〕に
よつて提案されたゲスト・ホスト型セルなどがあ
る。 これらの液晶表示セルに用いられる液晶材料に
は種々の特性が要求されるが、室温を含む広い温
度範囲でネマチツク相を有することは各種表示セ
ルに共通して要求されている重要な特性である。
このような特性を有する実用可能な材料の多く
は、通常、室温付近にネマチツク相を有する化合
物と室温より高い温度領域にネマチツク相を有す
る化合物から成る数種又はそれ以上の成分を混合
することによつて調製される。現在実用的に使用
される上記の如き混合液晶の多くは、少なくとも
−30℃〜+65℃の全温度範囲に亘つてネマチツク
相を有することが要求されている。かかる要求を
満すために、室温より高い温度領域にネマチツク
相を有する化合物として、4,4″−置換ターフエ
ニル、4,4′−置換ビフエニルシクロヘキサン、
4,4′−置換ベンゾイルオキシ安息香酸フエニル
エステルの如き、約100℃の結晶相−ネマチツク
相転移温度(C−N点)を有すると共に約200℃
のネマチツク相−等方性液体相転移温度(N−I
点)を有する化合物が使用される場合が多い。 近年、液晶表示セルが屋内外で多目的に使用さ
れるにつれてネマチツク温度範囲の高温領域が+
65℃よりさらに高いものが必要とされてきてい
る。このためには従来の化合物よりさらに高いネ
マチツク相−等方性液体相転移温度(N−I点)
を有する化合物が要求されている。本発明に係る
式()の化合物はこの要求に応えるものであ
り、既知の液晶混合物に少量混合することによつ
てネマチツク相−等方性液体相転移温度(N−I
点)を大幅に引き上げることができる。更に、式
()の化合物は、本出願人が特開昭54−83694号
公報の中で時分割駆動特性の優れたネマチツク液
晶材料として報告した4,4′−置換シクロヘキシ
ルカルボン酸フエニルエステルと極めて良好な相
溶性を有するから、これらの化合物と混合するこ
とによつて更に優れた混合液晶を得ることができ
る。 本発明に係る式()の化合物は次に製造方法
に従つて製造することができる。 式()の化合物にエーテル、ベンゼン、トル
エンの如き不活性有機溶媒中で、ピリジンの如き
塩基性化合物を触媒として式()の化合物を反
応させ本発明に係る式()の化合物を製造す
る。 斯くして製造された式()の化合物の転移温
度を第1表に掲げる。
【表】
1 n−C3H7− C2H5− 153(C→
S) 172(S〓N) 300℃以上(N〓I)
2 n−C3H7− n−C3H7− 144(C→S
) 191(S〓N) 300℃以上(N〓I)
3 n−C3H7− n−C5H11− 138(C
→S) 204(S〓N) 300℃以上(N〓I)
4 n−C5H11− n−C3H7− 132(C
→S) 209(S〓N) 300℃以上(N〓I)
S) 172(S〓N) 300℃以上(N〓I)
2 n−C3H7− n−C3H7− 144(C→S
) 191(S〓N) 300℃以上(N〓I)
3 n−C3H7− n−C5H11− 138(C
→S) 204(S〓N) 300℃以上(N〓I)
4 n−C5H11− n−C3H7− 132(C
→S) 209(S〓N) 300℃以上(N〓I)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中、R及びR′は独立的に炭素原子数1〜
9の直鎖状アルキル基を表わし、3つのシクロヘ
キサン環は夫々トランス(エカトリアル−エカト
リアル)配置である。〕 で表わされる化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8194484A JPS60226845A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 新規ネマチツク液晶化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8194484A JPS60226845A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 新規ネマチツク液晶化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60226845A JPS60226845A (ja) | 1985-11-12 |
JPH0455B2 true JPH0455B2 (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=13760611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8194484A Granted JPS60226845A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 新規ネマチツク液晶化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60226845A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2229178B (en) * | 1989-03-14 | 1992-09-16 | Merck Patent Gmbh | Four ring esters and ethers |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP8194484A patent/JPS60226845A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60226845A (ja) | 1985-11-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |