JPH04372745A - 記録媒体、その製造方法、情報処理装置 - Google Patents
記録媒体、その製造方法、情報処理装置Info
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- JPH04372745A JPH04372745A JP3175856A JP17585691A JPH04372745A JP H04372745 A JPH04372745 A JP H04372745A JP 3175856 A JP3175856 A JP 3175856A JP 17585691 A JP17585691 A JP 17585691A JP H04372745 A JPH04372745 A JP H04372745A
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- G11B9/1463—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q80/00—Applications, other than SPM, of scanning-probe techniques
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、走査型トンネル顕微鏡
の原理を用いた超高密度メモリーに関するものである。
の原理を用いた超高密度メモリーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、メモリー素子の用途はコンピュー
タ及びその関連機器、ビデオディスク、ディジタルオー
ディオディスク等のエレクトロニクス産業の中核をなす
ものであり、その開発も活発に進んでいる。メモリー素
子に要求される性能は一般的には （１）高密度で、記録容量が大きい （２）記録・再生の応答速度が速い （３）エラーレートが小さい （４）消費電力が少ない （５）生産性が高く、価格が安い 等が挙げられる。
タ及びその関連機器、ビデオディスク、ディジタルオー
ディオディスク等のエレクトロニクス産業の中核をなす
ものであり、その開発も活発に進んでいる。メモリー素
子に要求される性能は一般的には （１）高密度で、記録容量が大きい （２）記録・再生の応答速度が速い （３）エラーレートが小さい （４）消費電力が少ない （５）生産性が高く、価格が安い 等が挙げられる。
【０００３】従来までは磁性体や半導体を素材とした磁
気メモリー、半導体メモリーが主流であったが、近年レ
ーザー技術の進展に伴い、有機色素、フォトポリマーな
どの有機薄膜を用いた安価で高密度な記録媒体を用いた
光メモリー素子などが登場してきた。
気メモリー、半導体メモリーが主流であったが、近年レ
ーザー技術の進展に伴い、有機色素、フォトポリマーな
どの有機薄膜を用いた安価で高密度な記録媒体を用いた
光メモリー素子などが登場してきた。
【０００４】一方、最近導体の表面原子の電子構造を直
接観測できる走査型トンネル顕微鏡（以下「ＳＴＭ」と
記す）が開発され（ジー・ビーニッヒら，フェルベティ
カフィジィカ アクタ，５５，７２６（１９８２）．
）、単結晶、非晶質を問わず実空間像の高い分解能の測
定ができるようになり、しかも媒体に電流による損傷を
与えずに低電力で観測できる利点をも有し、更に大気中
でも動作させることが可能であるため広範囲な応用が期
待されている。
接観測できる走査型トンネル顕微鏡（以下「ＳＴＭ」と
記す）が開発され（ジー・ビーニッヒら，フェルベティ
カフィジィカ アクタ，５５，７２６（１９８２）．
）、単結晶、非晶質を問わず実空間像の高い分解能の測
定ができるようになり、しかも媒体に電流による損傷を
与えずに低電力で観測できる利点をも有し、更に大気中
でも動作させることが可能であるため広範囲な応用が期
待されている。
【０００５】ＳＴＭは金属の探針（プローブ電極）と導
電性物質の間に電圧を加えて１ｎｍ程度の距離まで近づ
けるとトンネル電流が流れることを利用している。この
電流は両者の距離変化に非常に敏感であり、トンネル電
流を一定に保つように探針を走査することにより実空間
の表面構造を描くことができると同時に表面原子の全電
子雲に関する種々の情報をも読みとることができる。こ
の際面内方向の分解能は１オングストローム程度である
。従って、ＳＴＭの原理を応用すれば十分に原子オーダ
ー（数オングストローム）での高密度記録再生を行なう
ことが可能である。この際の記録再生方法としては、粒
子線（電子線、イオン線）或はＸ線等の高エネルギー電
磁波及び可視・紫外光等のエネルギー線を用いて適当な
記録層の表面状態を変化させて記録を行ない、ＳＴＭで
再生する方法が提案されている。
電性物質の間に電圧を加えて１ｎｍ程度の距離まで近づ
けるとトンネル電流が流れることを利用している。この
電流は両者の距離変化に非常に敏感であり、トンネル電
流を一定に保つように探針を走査することにより実空間
の表面構造を描くことができると同時に表面原子の全電
子雲に関する種々の情報をも読みとることができる。こ
の際面内方向の分解能は１オングストローム程度である
。従って、ＳＴＭの原理を応用すれば十分に原子オーダ
ー（数オングストローム）での高密度記録再生を行なう
ことが可能である。この際の記録再生方法としては、粒
子線（電子線、イオン線）或はＸ線等の高エネルギー電
磁波及び可視・紫外光等のエネルギー線を用いて適当な
記録層の表面状態を変化させて記録を行ない、ＳＴＭで
再生する方法が提案されている。
【０００６】また、記録層として電圧電流のスイッチン
グ特性に対してメモリ効果をもつ材料、例えばπ電子系
有機化合物やカルコゲン化物類の薄膜層を用いて、記録
・再生をＳＴＭを用いて行なう方法等が提案されている
（特開昭６３−１６１５５２）。この方式の場合、電気
メモリー効果を持つ記録層に、ＳＴＭのプローブ電極か
ら直接電圧を印加することによって理想的には記録層を
原子オーダーの大きさでスイッチングさせて記録を行う
わけであり、光記録に比べてもはるかに高密度な記録及
び再生が可能となっている。
グ特性に対してメモリ効果をもつ材料、例えばπ電子系
有機化合物やカルコゲン化物類の薄膜層を用いて、記録
・再生をＳＴＭを用いて行なう方法等が提案されている
（特開昭６３−１６１５５２）。この方式の場合、電気
メモリー効果を持つ記録層に、ＳＴＭのプローブ電極か
ら直接電圧を印加することによって理想的には記録層を
原子オーダーの大きさでスイッチングさせて記録を行う
わけであり、光記録に比べてもはるかに高密度な記録及
び再生が可能となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の様な記録・再生
方法において、実際に多量の情報を記録・再生するため
には、プローブ電極のＸＹ方向（記録媒体面内方向）の
位置検出及び補正制御（トラッキング）が必要となる。 このトラッキングの方法としては、既に記録媒体基板の
原子配列を利用して、高密度かつ高精度に行なう方法が
提案されているが、原子配列の検出を極めて高精度に行
なう必要があるため、取扱上簡便とはいい難かった。
方法において、実際に多量の情報を記録・再生するため
には、プローブ電極のＸＹ方向（記録媒体面内方向）の
位置検出及び補正制御（トラッキング）が必要となる。 このトラッキングの方法としては、既に記録媒体基板の
原子配列を利用して、高密度かつ高精度に行なう方法が
提案されているが、原子配列の検出を極めて高精度に行
なう必要があるため、取扱上簡便とはいい難かった。
【０００８】そこで、トラッキングを簡便に行なうため
に、記録媒体の基板にあらかじめ凹凸を設けることによ
り案内溝（トラック）を形成し、そのトラックの凹状部
分或いは凸状部分にプローブ電極を追従させることによ
り、トラッキングを行なう方法が提案されている。
に、記録媒体の基板にあらかじめ凹凸を設けることによ
り案内溝（トラック）を形成し、そのトラックの凹状部
分或いは凸状部分にプローブ電極を追従させることによ
り、トラッキングを行なう方法が提案されている。
【０００９】この方法においては、プローブ電極による
トラックの検知において、２つの方法があり、それらは
、■プローブ電極と記録媒体の間に流れる電流を常に測
定し、記録媒体表面の形状変化に応じて、この電流値が
、一定になるようなフィードバックを、プローブ電極の
高さを制御している素子に与えるというプローブ電極と
媒体間の距離の制御を通じた表面形状の認識を行う方法
、及び、■このフィードバックを止めて、プローブ電極
と記録媒体の間に流れる電流値を変換してプローブ電極
と記録媒体の間の距離を測定する事により表面形状の認
識を行う方法、によってトラックの位置の検知をしてい
る。
トラックの検知において、２つの方法があり、それらは
、■プローブ電極と記録媒体の間に流れる電流を常に測
定し、記録媒体表面の形状変化に応じて、この電流値が
、一定になるようなフィードバックを、プローブ電極の
高さを制御している素子に与えるというプローブ電極と
媒体間の距離の制御を通じた表面形状の認識を行う方法
、及び、■このフィードバックを止めて、プローブ電極
と記録媒体の間に流れる電流値を変換してプローブ電極
と記録媒体の間の距離を測定する事により表面形状の認
識を行う方法、によってトラックの位置の検知をしてい
る。
【００１０】以上の従来の記録・再生方法を用いた場合
、上記の記録媒体に形成されていたトラックは、マスク
蒸着やフォトリソグラフィーにより形成されていた。 そのため、それらの方法によりトラックを形成した場合
、トラックパターンの微小化には限度があり、例えば、
マスク蒸着の場合には、せいぜい数１０μｍ程度、フォ
トリソグラフィーを用いても、せいぜい０．数μｍ程度
の大きさが限度であった。このため、高密度記録の対応
が困難であった。
、上記の記録媒体に形成されていたトラックは、マスク
蒸着やフォトリソグラフィーにより形成されていた。 そのため、それらの方法によりトラックを形成した場合
、トラックパターンの微小化には限度があり、例えば、
マスク蒸着の場合には、せいぜい数１０μｍ程度、フォ
トリソグラフィーを用いても、せいぜい０．数μｍ程度
の大きさが限度であった。このため、高密度記録の対応
が困難であった。
【００１１】また、前記電気メモリー効果の技術を用い
て実際に記録及び再生を行った後、記録した部分を消去
するには、記録したビットにプローブ電極をアクセスし
、１ビットずつ元の状態にスイッチングさせて消去する
方法をとらなければならず、例えば記録層全面或いはセ
クタ単位での消去等、広範囲にわたる消去を行う場合膨
大な時間が必要となり高速応答が困難になるという問題
点があった。また、係る状況において電圧値や記録媒体
・プローブ電極間距離など、高い制御性が要求される。 最適条件からのずれは、消去不十分を引き起こす。 従って、高い制御性を必要とせず、容易に、多数ビット
を同時に消去可能とする記録媒体及び消去方法が望まれ
ていた。
て実際に記録及び再生を行った後、記録した部分を消去
するには、記録したビットにプローブ電極をアクセスし
、１ビットずつ元の状態にスイッチングさせて消去する
方法をとらなければならず、例えば記録層全面或いはセ
クタ単位での消去等、広範囲にわたる消去を行う場合膨
大な時間が必要となり高速応答が困難になるという問題
点があった。また、係る状況において電圧値や記録媒体
・プローブ電極間距離など、高い制御性が要求される。 最適条件からのずれは、消去不十分を引き起こす。 従って、高い制御性を必要とせず、容易に、多数ビット
を同時に消去可能とする記録媒体及び消去方法が望まれ
ていた。
【００１２】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、プロ
ーブ電極により素子に流れる電流を検出する情報処理装
置に用いる記録媒体であって、プローブ電極と対向配置
する基板電極上に、有機化合物の単分子膜又は該単分子
膜を累積した累積膜からなり電気メモリー効果を有する
記録層を設け、該記録層上に有機化合物の単分子膜又は
該単分子膜を累積した累積膜からなる第２層を積層した
ことを特徴とする記録媒体を提供するものである。
ーブ電極により素子に流れる電流を検出する情報処理装
置に用いる記録媒体であって、プローブ電極と対向配置
する基板電極上に、有機化合物の単分子膜又は該単分子
膜を累積した累積膜からなり電気メモリー効果を有する
記録層を設け、該記録層上に有機化合物の単分子膜又は
該単分子膜を累積した累積膜からなる第２層を積層した
ことを特徴とする記録媒体を提供するものである。
【００１３】上記記録媒体においてさらに具体的には、
第１に上記記録層が導電率が異なる部分をトラックとし
て形成した第１の記録層であり、第２層が電気メモリー
効果を有する第２の記録層である記録媒体であり、第２
に、上記第２層が光導電性薄膜である記録媒体であり、
第３に、上記第２層が複数個の孤立した光導電性薄膜で
ある記録媒体である。
第１に上記記録層が導電率が異なる部分をトラックとし
て形成した第１の記録層であり、第２層が電気メモリー
効果を有する第２の記録層である記録媒体であり、第２
に、上記第２層が光導電性薄膜である記録媒体であり、
第３に、上記第２層が複数個の孤立した光導電性薄膜で
ある記録媒体である。
【００１４】さらに、本発明においては、第１の記録層
における導電性の異なる部分が、プローブ電極と第１の
記録層のみを積層した基板電極間に電圧を印加すること
によって形成することを特徴とする上記第１の記録媒体
の製造方法、及び上記第１の記録媒体を用いた情報処理
装置を提供するものである。
における導電性の異なる部分が、プローブ電極と第１の
記録層のみを積層した基板電極間に電圧を印加すること
によって形成することを特徴とする上記第１の記録媒体
の製造方法、及び上記第１の記録媒体を用いた情報処理
装置を提供するものである。
【００１５】また本発明は、上記第２の記録媒体と該記
録媒体に対向配置するプローブ電極を用いて、基板電極
とプローブ電極との間に電圧を印加することにより電気
特性を変化させて記録した記録領域に対して光照射を行
うことによって光導電性薄膜の導電性を一時的に高め、
該薄膜と該基板電極間に電圧を印加することにより記録
の消去を行うことを特徴とする消去方法を提供するもの
である。
録媒体に対向配置するプローブ電極を用いて、基板電極
とプローブ電極との間に電圧を印加することにより電気
特性を変化させて記録した記録領域に対して光照射を行
うことによって光導電性薄膜の導電性を一時的に高め、
該薄膜と該基板電極間に電圧を印加することにより記録
の消去を行うことを特徴とする消去方法を提供するもの
である。
【００１６】以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１７】先ず上記本発明第１の記録媒体に関して説
明する。
明する。
【００１８】ここで、図１に本発明の記録媒体製造方法
の一例を簡単に示す。先ず、基板１０１上に基板電極１
０２となる導電性材料の薄膜を形成し（ａ）、係る基板
電極１０２上に電気メモリー効果を有する第１の記録層
１０３を形成する（ｂ）。次に、プローブ電極２０１と
基板電極１０２間に電圧を加え、第１の記録層１０３に
、導電率が異なる部分をトラック１０４として形成する
（ｃ）。最後に係る第１の記録層上に電気メモリー効果
を有する第２の記録層１０５を堆積し、記録媒体１とし
た（ｄ）。
の一例を簡単に示す。先ず、基板１０１上に基板電極１
０２となる導電性材料の薄膜を形成し（ａ）、係る基板
電極１０２上に電気メモリー効果を有する第１の記録層
１０３を形成する（ｂ）。次に、プローブ電極２０１と
基板電極１０２間に電圧を加え、第１の記録層１０３に
、導電率が異なる部分をトラック１０４として形成する
（ｃ）。最後に係る第１の記録層上に電気メモリー効果
を有する第２の記録層１０５を堆積し、記録媒体１とし
た（ｄ）。
【００１９】本発明で用いる第１・第２の記録層１０３
および１０５は、第１の記録層１０３のみが積層された
状態、及び第１・第２の記録層１０３および１０５がと
もに積層された状態のいずれでも、プローブ電極２０１
と基板電極１０２間に電圧を加え、膜面に垂直な方向に
プローブ電極２０１から直接電流を流すことにより、従
来公知の非線形電流電圧特性を発現することができる。
および１０５は、第１の記録層１０３のみが積層された
状態、及び第１・第２の記録層１０３および１０５がと
もに積層された状態のいずれでも、プローブ電極２０１
と基板電極１０２間に電圧を加え、膜面に垂直な方向に
プローブ電極２０１から直接電流を流すことにより、従
来公知の非線形電流電圧特性を発現することができる。
【００２０】本発明においては、第１の記録層１０３に
プローブ電極２０１から直接電流を流すことによって周
囲に対して導電率の差を付けることが出来る効果を利用
し、係る導電率が異なる部分をトラックとして使用して
いる。このプローブ電極２０１を利用した記録層への導
電性部分の形成の大きさは、１０ｎｍ以下程度と極めて
小さくできるため、記録密度として光記録を上回る高密
度記録に対応することができる。
プローブ電極２０１から直接電流を流すことによって周
囲に対して導電率の差を付けることが出来る効果を利用
し、係る導電率が異なる部分をトラックとして使用して
いる。このプローブ電極２０１を利用した記録層への導
電性部分の形成の大きさは、１０ｎｍ以下程度と極めて
小さくできるため、記録密度として光記録を上回る高密
度記録に対応することができる。
【００２１】以上述べたように本発明第１の記録媒体の
主な特徴は、■記録媒体にプローブ電極から電気的に記
録及び再生を行う方式を取るため、記録層自身に光メモ
リー媒体では使用できない耐光性を持った材料を使用す
ることができ、なお且つ、記録部位に光を照射すること
がないので、耐光性・安定性に優れた記録媒体であるこ
と、及び、■従来の光メモリーでは得られない極めて微
小なトラック及び記録点であることによる高密度記録媒
体であること、である。
主な特徴は、■記録媒体にプローブ電極から電気的に記
録及び再生を行う方式を取るため、記録層自身に光メモ
リー媒体では使用できない耐光性を持った材料を使用す
ることができ、なお且つ、記録部位に光を照射すること
がないので、耐光性・安定性に優れた記録媒体であるこ
と、及び、■従来の光メモリーでは得られない極めて微
小なトラック及び記録点であることによる高密度記録媒
体であること、である。
【００２２】本発明の第１の記録媒体に用いられる基板
１０１としては、後述する第１及び第２の記録層１０３
及び１０５となる有機化合物絶縁層、基板電極１０２を
支持するために用いるので、表面が平滑であれば、どの
様な材料を用いても良いが、記録層となる有機化合物絶
縁層、基板電極の形成法によってある程度利用できる基
板材料は限定される。
１０１としては、後述する第１及び第２の記録層１０３
及び１０５となる有機化合物絶縁層、基板電極１０２を
支持するために用いるので、表面が平滑であれば、どの
様な材料を用いても良いが、記録層となる有機化合物絶
縁層、基板電極の形成法によってある程度利用できる基
板材料は限定される。
【００２３】この様な基板上に形成する基板電極３の材
料としては、高い導電性を有するものであればよく、例
えばＡｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ
，Ｗなどの金属やこれらの合金、さらにはグラファイト
やシリサイド、またさらにはＩＴＯなどの導電性酸化物
を始めとして数多くの材料が挙げられ、これらの本発明
への適用が考えられる。係る材料を用いた電極形成法と
しても従来公知の薄膜技術で十分である。但し、基板電
極の材料は表面が記録層形成の際、絶縁性の酸化物をつ
くらない導電性材料、例えば貴金属やＩＴＯなどの酸化
物導電体を用いることが望ましく、なおかつ何れの材料
・成膜方法を用いるにしてもその表面が平滑であること
が好ましい。
料としては、高い導電性を有するものであればよく、例
えばＡｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ
，Ｗなどの金属やこれらの合金、さらにはグラファイト
やシリサイド、またさらにはＩＴＯなどの導電性酸化物
を始めとして数多くの材料が挙げられ、これらの本発明
への適用が考えられる。係る材料を用いた電極形成法と
しても従来公知の薄膜技術で十分である。但し、基板電
極の材料は表面が記録層形成の際、絶縁性の酸化物をつ
くらない導電性材料、例えば貴金属やＩＴＯなどの酸化
物導電体を用いることが望ましく、なおかつ何れの材料
・成膜方法を用いるにしてもその表面が平滑であること
が好ましい。
【００２４】本発明で用いる記録層としては、電流−電
圧特性においてメモリースイッチング現象（電気メモリ
ー効果）を有する材料、例えば、π電子準位をもつ群と
σ電子準位のみを有する群を併有する分子を電極上に積
層した有機単分子膜あるいはその累積膜を用いることが
可能となる。
圧特性においてメモリースイッチング現象（電気メモリ
ー効果）を有する材料、例えば、π電子準位をもつ群と
σ電子準位のみを有する群を併有する分子を電極上に積
層した有機単分子膜あるいはその累積膜を用いることが
可能となる。
【００２５】一般に有機材料のほとんどは絶縁性もしく
は半絶縁性を示すことから係る本発明において、適用可
能なπ電子準位を持つ群を有する有機材料は著しく多岐
にわたる。
は半絶縁性を示すことから係る本発明において、適用可
能なπ電子準位を持つ群を有する有機材料は著しく多岐
にわたる。
【００２６】本発明に好適なπ電子系を有する色素の構
造として例えば、フタロシアニン、テトラフェニルポル
フィリン等のポルフィリン骨格を有する色素、スクアリ
リウム基及びクロコニックメチン基を結合鎖として持つ
アズレン系色素及びキノリン、ベンゾチアゾール、ベン
ゾオキサゾール等の２個の含窒素複素環をスクアリリウ
ム基及びクロコニックメチン基により結合したシアニン
系類似の色素、またはシアニン色素、アントラセン及び
ピレン等の縮合多環芳香族、及び芳香環及び複素環化合
物が重合した鎖状化合物及びジアセチレン基の重合体、
さらにはテトラシアノキノジメタンまたはテトラチアフ
ルバレンの誘導体およびその類縁体およびその電荷移動
錯体、またさらにはフェロセン、トリスビピリジンルテ
ニウム錯体等の金属錯体化合物が挙げられる。
造として例えば、フタロシアニン、テトラフェニルポル
フィリン等のポルフィリン骨格を有する色素、スクアリ
リウム基及びクロコニックメチン基を結合鎖として持つ
アズレン系色素及びキノリン、ベンゾチアゾール、ベン
ゾオキサゾール等の２個の含窒素複素環をスクアリリウ
ム基及びクロコニックメチン基により結合したシアニン
系類似の色素、またはシアニン色素、アントラセン及び
ピレン等の縮合多環芳香族、及び芳香環及び複素環化合
物が重合した鎖状化合物及びジアセチレン基の重合体、
さらにはテトラシアノキノジメタンまたはテトラチアフ
ルバレンの誘導体およびその類縁体およびその電荷移動
錯体、またさらにはフェロセン、トリスビピリジンルテ
ニウム錯体等の金属錯体化合物が挙げられる。
【００２７】本発明に好適な高分子材料としては、例え
ばポリイミド、ポリアミド等の縮合重合体、バクテリオ
ロドプシン等の生体高分子が挙げられる。
ばポリイミド、ポリアミド等の縮合重合体、バクテリオ
ロドプシン等の生体高分子が挙げられる。
【００２８】有機記録層の形成に関しても、具体的には
蒸着法やクラスターイオンビーム法等の適用も可能であ
るが、制御性、容易性そして再現性から公知の従来技術
の中では前述したＬＢ法が極めて好適である。
蒸着法やクラスターイオンビーム法等の適用も可能であ
るが、制御性、容易性そして再現性から公知の従来技術
の中では前述したＬＢ法が極めて好適である。
【００２９】疎水性部位を構成する基としては、一般に
広く知られている飽和及び不飽和炭化水素基や縮合多環
芳香族基及び鎖状多環フェニル基等の各種疎水基が挙げ
られる。これらは各々単独又はその複数が組み合わされ
て疎水性部位を構成する。一方、親水性部位の構成要素
として最も代表的なものは、例えばカルボキシル基、エ
ステル基、酸アミド基、イミド基、ヒドロキシル基、更
にはアミノ基（１，２，３級及び４級）等の親水性基等
が挙げられる。これらも各々単独又はその複数が組み合
わされて上記分子の親水性部分を構成する。
広く知られている飽和及び不飽和炭化水素基や縮合多環
芳香族基及び鎖状多環フェニル基等の各種疎水基が挙げ
られる。これらは各々単独又はその複数が組み合わされ
て疎水性部位を構成する。一方、親水性部位の構成要素
として最も代表的なものは、例えばカルボキシル基、エ
ステル基、酸アミド基、イミド基、ヒドロキシル基、更
にはアミノ基（１，２，３級及び４級）等の親水性基等
が挙げられる。これらも各々単独又はその複数が組み合
わされて上記分子の親水性部分を構成する。
【００３０】これらの疎水性基と親水性基をバランス良
く併有し、かつ適度な大きさを持つπ電子系を有する有
機分子であれば、水面上で単分子膜を形成することが可
能であり、本発明に対して極めて好適な材料となる。
く併有し、かつ適度な大きさを持つπ電子系を有する有
機分子であれば、水面上で単分子膜を形成することが可
能であり、本発明に対して極めて好適な材料となる。
【００３１】具体例としては、例えば下記の如き分子等
が挙げられる。 Ａ．有機材料 ［Ｉ］クロコニックメチン色素
が挙げられる。 Ａ．有機材料 ［Ｉ］クロコニックメチン色素
【００３２】
【化１】
【００３３】
【化２】
【００３４】
【化３】
【００３５】
【化４】
【００３６】
【化５】
【００３７】
【化６】
【００３８】
【化７】
【００３９】
【化８】
【００４０】
【化９】
ここで、Ｒ１は水面上で単分子膜を形成し易くするため
に導入された長鎖アルキル基で、その炭素数ｎは５≦ｎ
≦３０が好適である。
に導入された長鎖アルキル基で、その炭素数ｎは５≦ｎ
≦３０が好適である。
【００４１】また、Ｒ５は短鎖アルキル基であり、炭素
数ｎは１≦ｎ≦４が好適である。重合度ｍは１００≦ｍ
≦５０００が好適である。
数ｎは１≦ｎ≦４が好適である。重合度ｍは１００≦ｍ
≦５０００が好適である。
【００４２】以上、具体例として挙げた化合物は基本構
造のみであり、これら化合物の種々の置換体も本発明に
おいて好適であることは言うにおよばない。
造のみであり、これら化合物の種々の置換体も本発明に
おいて好適であることは言うにおよばない。
【００４３】尚、上記以外でもＬＢ法に適している有機
材料、有機高分子材料であれば、本発明に好適なのは言
うまでもない。例えば近年研究が盛んになりつつある生
体材料（例えばバクテリオロドプシンやチトクロームＣ
）や合成ポリペプチド（ＰＢＬＧ）等も適用が可能であ
る。
材料、有機高分子材料であれば、本発明に好適なのは言
うまでもない。例えば近年研究が盛んになりつつある生
体材料（例えばバクテリオロドプシンやチトクロームＣ
）や合成ポリペプチド（ＰＢＬＧ）等も適用が可能であ
る。
【００４４】これらのπ電子準位を有する化合物の電気
メモリー効果は数１０μｍ以下の膜厚のもので観測され
ているが、記録・再生時にプローブ電極と基板電極間に
流れるトンネル電流を用いるため、プローブ電極と基板
電極間にトンネル電流が流れるよう両者間の距離を近づ
けなければならないので、本発明の第１及び第２の記録
層を加えた膜厚は、０．数ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ま
しくは、０．数ｎｍ以上３ｎｍ以下である。
メモリー効果は数１０μｍ以下の膜厚のもので観測され
ているが、記録・再生時にプローブ電極と基板電極間に
流れるトンネル電流を用いるため、プローブ電極と基板
電極間にトンネル電流が流れるよう両者間の距離を近づ
けなければならないので、本発明の第１及び第２の記録
層を加えた膜厚は、０．数ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ま
しくは、０．数ｎｍ以上３ｎｍ以下である。
【００４５】また、プローブ電極２０１の材料は、導電
性を示すものであれば何を用いてもよく、例えばＰｔ，
Ｐｔ−Ｉｒ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ等が挙げられる。プローブ
電極２０１の先端は、記録・再生・消去の分解能を上げ
るためできるだけ尖らせる必要がある。本発明では、針
状の導電性材料を電解研磨法を用い先端形状を制御して
、プローブ電極２０１を作製しているが、プローブ電極
２０１の作製方法及び形状は何らこれに限定するもので
はない。
性を示すものであれば何を用いてもよく、例えばＰｔ，
Ｐｔ−Ｉｒ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ等が挙げられる。プローブ
電極２０１の先端は、記録・再生・消去の分解能を上げ
るためできるだけ尖らせる必要がある。本発明では、針
状の導電性材料を電解研磨法を用い先端形状を制御して
、プローブ電極２０１を作製しているが、プローブ電極
２０１の作製方法及び形状は何らこれに限定するもので
はない。
【００４６】さらにはプローブ電極２０１の本数も一本
に限る必要もなく、位置検出用と記録、再生用とを分け
る等、複数のプローブ電極を用いても良い。
に限る必要もなく、位置検出用と記録、再生用とを分け
る等、複数のプローブ電極を用いても良い。
【００４７】次に、本発明の記録媒体を用いる情報処理
装置を図２のブロック図を用いて説明する。２０１は、
記録媒体１に電圧を印加するためのプローブ電極であり
、このプローブ電極２０１から第１・第２の記録層１０
３、１０５に電圧を印加することによって記録、再生を
行なう。
装置を図２のブロック図を用いて説明する。２０１は、
記録媒体１に電圧を印加するためのプローブ電極であり
、このプローブ電極２０１から第１・第２の記録層１０
３、１０５に電圧を印加することによって記録、再生を
行なう。
【００４８】対象となる記録媒体１は、ＸＹステージ２
０２上に載置される。２０３はプローブ電流増幅器で、
２０４は、プローブ電極２０１の記録媒体１からの高さ
が一定になるように圧電素子を用いたＺ方向微動制御機
構２０５を制御するＺ方向駆動回路である。２０６はプ
ローブ電極２０１と基板電極１０２との間に記録、再生
、消去用の電圧を印加するための電源である。
０２上に載置される。２０３はプローブ電流増幅器で、
２０４は、プローブ電極２０１の記録媒体１からの高さ
が一定になるように圧電素子を用いたＺ方向微動制御機
構２０５を制御するＺ方向駆動回路である。２０６はプ
ローブ電極２０１と基板電極１０２との間に記録、再生
、消去用の電圧を印加するための電源である。
【００４９】２０７は、プローブ電極２０１を、２０８
のＸＹ方向微動制御機構を用いてＸＹ方向に移動制御す
るためのＸＹ走査駆動回路である。２０９の粗動機構と
２１０の粗動駆動回路は、あらかじめ１０−９Ａ程度の
プローブ電流が得られるようにプローブ電極２０１と記
録媒体との距離を粗動制御したり、プローブ電極２０１
と記録媒体とのＸＹ方向相対変位を大きくとる（微動制
御機構の範囲外）のに用いられる。
のＸＹ方向微動制御機構を用いてＸＹ方向に移動制御す
るためのＸＹ走査駆動回路である。２０９の粗動機構と
２１０の粗動駆動回路は、あらかじめ１０−９Ａ程度の
プローブ電流が得られるようにプローブ電極２０１と記
録媒体との距離を粗動制御したり、プローブ電極２０１
と記録媒体とのＸＹ方向相対変位を大きくとる（微動制
御機構の範囲外）のに用いられる。
【００５０】これらの各機器は、全てマイクロコンピュ
ータ２１１により中央制御されている。また２１２は表
示装置を表している。
ータ２１１により中央制御されている。また２１２は表
示装置を表している。
【００５１】また、圧電素子を用いた移動制御における
機械的性能を下記に示す。
機械的性能を下記に示す。
【００５２】
Ｚ方向微動制御範囲 ：０．１ｎｍ〜１μｍＺ方向粗
動制御範囲 ：１０ｎｍ〜１０ｍｍＸＹ方向走査範囲
：０．１ｎｍ〜１μｍＸＹ方向粗動制御範囲：
１０ｎｍ〜１０ｍｍ計測、制御許容誤差 ：＜０．１
ｎｍ（微動制御時）計測、制御許容誤差 ：＜１ｎｍ
（粗動制御時）次に、本発明第２の記録媒体に
関して説明する。
動制御範囲 ：１０ｎｍ〜１０ｍｍＸＹ方向走査範囲
：０．１ｎｍ〜１μｍＸＹ方向粗動制御範囲：
１０ｎｍ〜１０ｍｍ計測、制御許容誤差 ：＜０．１
ｎｍ（微動制御時）計測、制御許容誤差 ：＜１ｎｍ
（粗動制御時）次に、本発明第２の記録媒体に
関して説明する。
【００５３】図６に本発明第２の記録媒体の一構成例を
示す。図６中、６０１は基板、６０２は基板上に設けた
基板電極、６０３は電気メモリー効果を持つ有機化合物
からなる記録層、６０４は本発明で特徴的な光導電性薄
膜を表わしており、光照射によって高導電性を示す材料
でできている。また、図６では、基板６０１上に基板電
極６０２を設けたが、基板自身が導電性を有するもので
あれば、基板そのものが基板電極を兼ねることができる
。
示す。図６中、６０１は基板、６０２は基板上に設けた
基板電極、６０３は電気メモリー効果を持つ有機化合物
からなる記録層、６０４は本発明で特徴的な光導電性薄
膜を表わしており、光照射によって高導電性を示す材料
でできている。また、図６では、基板６０１上に基板電
極６０２を設けたが、基板自身が導電性を有するもので
あれば、基板そのものが基板電極を兼ねることができる
。
【００５４】本記録媒体を用いた記録・再生・消去の基
本原理を説明する。先ず、記録・再生については、本発
明者等が提案した方法（特開昭６３−１６１５５２号）
と全く同じ方法である。つまり、プローブ電極と基板電
極間にトンネル電流が流れる程度までプローブ電極を記
録媒体に接近させた後、プローブ電極から記録層に記録
用電圧を印加することによって記録層の電気特性を変化
させて情報ビットを書き込む。記録層に所望の情報を記
録した後、プローブ電極をトンネル電流が流れる程度ま
で接近させたまま再生用電圧をプローブ電極に印加し、
プローブ電極を記録媒体表面上を走査させることによっ
て記録ビット部の電気特性の変化をプローブ電極による
検出電流の変化を読み出すことで再生を行う。
本原理を説明する。先ず、記録・再生については、本発
明者等が提案した方法（特開昭６３−１６１５５２号）
と全く同じ方法である。つまり、プローブ電極と基板電
極間にトンネル電流が流れる程度までプローブ電極を記
録媒体に接近させた後、プローブ電極から記録層に記録
用電圧を印加することによって記録層の電気特性を変化
させて情報ビットを書き込む。記録層に所望の情報を記
録した後、プローブ電極をトンネル電流が流れる程度ま
で接近させたまま再生用電圧をプローブ電極に印加し、
プローブ電極を記録媒体表面上を走査させることによっ
て記録ビット部の電気特性の変化をプローブ電極による
検出電流の変化を読み出すことで再生を行う。
【００５５】次に、消去方法について、図７を用いて説
明する。前述のようにして記録層６０３に情報を記録し
た後、消去したい記録ビット部上の光導電性薄膜６０４
（図７では全面を示している）に、光照射を行う。この
時、光導電性薄膜６０４の導電性が一時的に高まり、見
かけ上、光照射した消去したい部分の記録層だけを一対
の電極でサンドイッチした構成になる。ここで光照射と
同時に、消去用電源７０１から光導電性薄膜６０４と基
板電極６０２の間に消去用電圧を印加すると、光照射部
の所の記録層にのみ消去用電圧が印加され、光照射領域
の記録ビット全体の消去が行われる。即ち、消去したい
領域への光照射と消去用電圧印加により、所望領域の多
数ビットを同時にかつ容易に消去することができる。 尚、図７の例では、消去用電圧印加のために消去用電源
７０１を光導電性薄膜６０４と基板電極６０２の間に別
に設けて接続しているが、これに限ることはなく、例え
ば、プローブ電極から光導電性薄膜６０４を通して消去
用電圧を印加する方法を採っても構わない。
明する。前述のようにして記録層６０３に情報を記録し
た後、消去したい記録ビット部上の光導電性薄膜６０４
（図７では全面を示している）に、光照射を行う。この
時、光導電性薄膜６０４の導電性が一時的に高まり、見
かけ上、光照射した消去したい部分の記録層だけを一対
の電極でサンドイッチした構成になる。ここで光照射と
同時に、消去用電源７０１から光導電性薄膜６０４と基
板電極６０２の間に消去用電圧を印加すると、光照射部
の所の記録層にのみ消去用電圧が印加され、光照射領域
の記録ビット全体の消去が行われる。即ち、消去したい
領域への光照射と消去用電圧印加により、所望領域の多
数ビットを同時にかつ容易に消去することができる。 尚、図７の例では、消去用電圧印加のために消去用電源
７０１を光導電性薄膜６０４と基板電極６０２の間に別
に設けて接続しているが、これに限ることはなく、例え
ば、プローブ電極から光導電性薄膜６０４を通して消去
用電圧を印加する方法を採っても構わない。
【００５６】本発明で用いる記録層としては、電流−電
圧特性においてメモリースイッチング現象（電気メモリ
ー効果）を有する材料、例えば、π電子準位をもつ群と
σ電子準位のみを有する群を併有する分子を電極上に積
層した有機単分子膜或いはその累積膜を用いることが可
能となる。電気メモリー効果は前記の有機単分子膜、そ
の累積膜等の薄膜を一対の電極間に配置させた状態でそ
れぞれ異なる２つ以上の導電率を示す状態（図１３：Ｏ
Ｎ状態、ＯＦＦ状態）へ遷移させることが可能な閾値を
越えた電圧を印加することにより可逆的に低抵抗状態（
ＯＮ状態）および高抵抗状態（ＯＦＦ状態）へ遷移（ス
イッチング）させることができる。またそれぞれの状態
は電圧を印加しなくとも保持（メモリー）しておくこと
ができる。ただし、本発明の１つの特徴である消去方法
の点から鑑み、記録層材料として、光導電性を有する材
料は適さない。
圧特性においてメモリースイッチング現象（電気メモリ
ー効果）を有する材料、例えば、π電子準位をもつ群と
σ電子準位のみを有する群を併有する分子を電極上に積
層した有機単分子膜或いはその累積膜を用いることが可
能となる。電気メモリー効果は前記の有機単分子膜、そ
の累積膜等の薄膜を一対の電極間に配置させた状態でそ
れぞれ異なる２つ以上の導電率を示す状態（図１３：Ｏ
Ｎ状態、ＯＦＦ状態）へ遷移させることが可能な閾値を
越えた電圧を印加することにより可逆的に低抵抗状態（
ＯＮ状態）および高抵抗状態（ＯＦＦ状態）へ遷移（ス
イッチング）させることができる。またそれぞれの状態
は電圧を印加しなくとも保持（メモリー）しておくこと
ができる。ただし、本発明の１つの特徴である消去方法
の点から鑑み、記録層材料として、光導電性を有する材
料は適さない。
【００５７】一般に有機材料のほとんどは絶縁性もしく
は半絶縁性を示すことから係る本発明において、適用可
能なπ電子準位を持つ群を有し、光導電性を持たない有
機材料は著しく多岐にわたる。
は半絶縁性を示すことから係る本発明において、適用可
能なπ電子準位を持つ群を有し、光導電性を持たない有
機材料は著しく多岐にわたる。
【００５８】また、記録層の形成に関しては、具体的に
は蒸着法やクラスターイオンビーム法等の適用も可能で
あるが、制御性、容易性そして再現性から公知の従来技
術の中ではＬＢ法が極めて好適である。
は蒸着法やクラスターイオンビーム法等の適用も可能で
あるが、制御性、容易性そして再現性から公知の従来技
術の中ではＬＢ法が極めて好適である。
【００５９】このＬＢ法によれば、１分子中に疎水性部
位と親水性部位とを有する有機化合物の単分子膜又はそ
の累積膜を基板上に容易に形成することができ、分子オ
ーダーの厚みを有し、且つ大面積にわたって均一、均質
な有機超薄膜を安定に供給することができる。
位と親水性部位とを有する有機化合物の単分子膜又はそ
の累積膜を基板上に容易に形成することができ、分子オ
ーダーの厚みを有し、且つ大面積にわたって均一、均質
な有機超薄膜を安定に供給することができる。
【００６０】ＬＢ法は分子内に親水性部位と疎水性部位
とを有する構造の分子において、両者のバランス（両親
媒性のバランス）が適度に保たれているとき、分子は水
面上で親水性基を下に向けて単分子の層になることを利
用して単分子膜又はその累積膜を作成する方法である。
とを有する構造の分子において、両者のバランス（両親
媒性のバランス）が適度に保たれているとき、分子は水
面上で親水性基を下に向けて単分子の層になることを利
用して単分子膜又はその累積膜を作成する方法である。
【００６１】以上の点より、具体例として例えば、有機
材料としてクロコニックメチン色素や、有機高分子材料
として縮合重合体であるポリイミド等の材料が挙げられ
る。また、これら化合物の種々の置換体も本発明におい
て好適であることは言うにおよばない。
材料としてクロコニックメチン色素や、有機高分子材料
として縮合重合体であるポリイミド等の材料が挙げられ
る。また、これら化合物の種々の置換体も本発明におい
て好適であることは言うにおよばない。
【００６２】尚、上記以外でもＬＢ法に適している有機
材料、有機高分子材料であれば、本発明に好適なのは言
うまでもない。例えば近年研究が盛んになりつつある生
体材料（例えばバクテリオロドプシンやチトクロームＣ
）等も適用が可能である。
材料、有機高分子材料であれば、本発明に好適なのは言
うまでもない。例えば近年研究が盛んになりつつある生
体材料（例えばバクテリオロドプシンやチトクロームＣ
）等も適用が可能である。
【００６３】本発明に用いられる光導電性薄膜の形態は
、記録・再生時にプローブ電極と基板電極間にトンネル
電流を流さなければならないため、トンネル電流が流れ
る程度に充分に薄く、且つ均一である必要がある。また
、光導電性薄膜の材料としては、光導電性材料として代
表的なＳｉ、或いはＧａＡｓ、或いはＣｄＳｅ，ＣｄＳ
，ＺｎＳなどの無機半導体材料の他、種類が豊富で材料
設計の自由度の高い光導電性有機化合物などの適用が可
能である。また、形成方法に関しても、通常の蒸着法や
分子線エピタキシー法、スパッタ法、塗布法などの従来
公知の薄膜形成手段によって本発明の目的を達成するこ
とができる。
、記録・再生時にプローブ電極と基板電極間にトンネル
電流を流さなければならないため、トンネル電流が流れ
る程度に充分に薄く、且つ均一である必要がある。また
、光導電性薄膜の材料としては、光導電性材料として代
表的なＳｉ、或いはＧａＡｓ、或いはＣｄＳｅ，ＣｄＳ
，ＺｎＳなどの無機半導体材料の他、種類が豊富で材料
設計の自由度の高い光導電性有機化合物などの適用が可
能である。また、形成方法に関しても、通常の蒸着法や
分子線エピタキシー法、スパッタ法、塗布法などの従来
公知の薄膜形成手段によって本発明の目的を達成するこ
とができる。
【００６４】しかし、本発明の好適な態様においては、
係る薄膜は親水性部位と疎水性部位とを併有し、且つ光
導電性を示す有機分子からなる単分子膜又は単分子累積
膜によって構成される。係る単分子膜又は単分子累積膜
は、高度の秩序性を有し、均一で欠陥の無い超薄膜を簡
易に形成し得る点で本発明の適用に極めて好都合である
。有機分子として具体的には、親水性部位と疎水性部位
を併有した従来公知の有機色素分子がある。好適な色素
としては、例えば、シアニン色素、メロシアニン色素、
フタロシアニン色素、トリフェニルメタン色素、アズレ
ン色素等が挙げられる。また、クロロフィル、ローダミ
ン、チトクローム等の供給素タンパク質等の生体材料の
適用も可能である。
係る薄膜は親水性部位と疎水性部位とを併有し、且つ光
導電性を示す有機分子からなる単分子膜又は単分子累積
膜によって構成される。係る単分子膜又は単分子累積膜
は、高度の秩序性を有し、均一で欠陥の無い超薄膜を簡
易に形成し得る点で本発明の適用に極めて好都合である
。有機分子として具体的には、親水性部位と疎水性部位
を併有した従来公知の有機色素分子がある。好適な色素
としては、例えば、シアニン色素、メロシアニン色素、
フタロシアニン色素、トリフェニルメタン色素、アズレ
ン色素等が挙げられる。また、クロロフィル、ローダミ
ン、チトクローム等の供給素タンパク質等の生体材料の
適用も可能である。
【００６５】さらに、係る光導電性有機薄膜層を形成す
る好適な方法として、前述したＬＢ法を挙げることがで
きる。前述のように、トンネル電流の収量を大きくする
ために時として膜厚が数１０オングストローム以下で、
且つ均一であることが要求される場合があるが、ＬＢ法
であれば係る形態を容易に実現し得る。
る好適な方法として、前述したＬＢ法を挙げることがで
きる。前述のように、トンネル電流の収量を大きくする
ために時として膜厚が数１０オングストローム以下で、
且つ均一であることが要求される場合があるが、ＬＢ法
であれば係る形態を容易に実現し得る。
【００６６】尚、本発明における記録層及び光導電性薄
膜の膜厚であるが、記録層に用いる、π電子準位を有す
る化合物の電気メモリー効果は数１０μｍ以下の膜厚の
もので観測されているが、記録・再生時にプローブ電極
と基板電極間に流れるトンネル電流を用いるため、プロ
ーブ電極と基板電極間にトンネル電流が流れるよう両者
間の距離を近づけなければならないので、本発明の記録
層と光導電性薄膜を加えた膜厚は、好ましくは数オング
ストローム以上１００オングストローム以下、さらに好
ましくは、数オングストローム以上３０オングストロー
ム以下である。
膜の膜厚であるが、記録層に用いる、π電子準位を有す
る化合物の電気メモリー効果は数１０μｍ以下の膜厚の
もので観測されているが、記録・再生時にプローブ電極
と基板電極間に流れるトンネル電流を用いるため、プロ
ーブ電極と基板電極間にトンネル電流が流れるよう両者
間の距離を近づけなければならないので、本発明の記録
層と光導電性薄膜を加えた膜厚は、好ましくは数オング
ストローム以上１００オングストローム以下、さらに好
ましくは、数オングストローム以上３０オングストロー
ム以下である。
【００６７】本発明において、上記のごとき有機材料が
積層された薄膜を支持するための基板としては、表面が
平滑であれば、どの様な材料を用いても良く、例えば、
金属、ガラス、セラミックス、プラスチックス材料等が
挙げられ、さらに、耐熱性の著しく低い生体材料も使用
できる。
積層された薄膜を支持するための基板としては、表面が
平滑であれば、どの様な材料を用いても良く、例えば、
金属、ガラス、セラミックス、プラスチックス材料等が
挙げられ、さらに、耐熱性の著しく低い生体材料も使用
できる。
【００６８】本発明で用いられる基板電極の材料も高い
導電性を有するものであればよく、例えばＡｕ，Ｐｔ，
Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｗなどの金属や
これらの合金、さらにはグラファイトやシリサイド、ま
たさらにはＩＴＯなどの導電性酸化物を始めとして数多
くの材料が挙げられ、これらの本発明への適用が考えら
れる。係る材料を用いた電極形成法としても従来公知の
薄膜技術で十分である。但し、基板電極の材料は表面が
記録層形成の際、絶縁性の酸化物をつくらない導電材料
、例えば貴金属やＩＴＯなどの酸化物導電体を用いるこ
とが望ましく、なおかつ何れの材料を用いるにしてもそ
の表面が平滑であることが好ましい。
導電性を有するものであればよく、例えばＡｕ，Ｐｔ，
Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｗなどの金属や
これらの合金、さらにはグラファイトやシリサイド、ま
たさらにはＩＴＯなどの導電性酸化物を始めとして数多
くの材料が挙げられ、これらの本発明への適用が考えら
れる。係る材料を用いた電極形成法としても従来公知の
薄膜技術で十分である。但し、基板電極の材料は表面が
記録層形成の際、絶縁性の酸化物をつくらない導電材料
、例えば貴金属やＩＴＯなどの酸化物導電体を用いるこ
とが望ましく、なおかつ何れの材料を用いるにしてもそ
の表面が平滑であることが好ましい。
【００６９】また、プローブ電極の材料は、導電性を示
すものであれば何を用いてもよく、例えばＰｔ，Ｐｔ−
Ｉｒ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ等が挙げられる。プローブ電極の
先端は、記録・再生・消去の分解能を上げるためできる
だけ尖らせる必要がある。本発明では、針状の導電性材
料を電解研磨法を用い先端形状を制御し、プローブ電極
を作製しているが、プローブ電極の作製方法及び形状は
何らこれに限定するものではない。
すものであれば何を用いてもよく、例えばＰｔ，Ｐｔ−
Ｉｒ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ等が挙げられる。プローブ電極の
先端は、記録・再生・消去の分解能を上げるためできる
だけ尖らせる必要がある。本発明では、針状の導電性材
料を電解研磨法を用い先端形状を制御し、プローブ電極
を作製しているが、プローブ電極の作製方法及び形状は
何らこれに限定するものではない。
【００７０】さらにはプローブ電極の本数も一本に限る
必要もなく、位置検出用と記録・再生用とを分ける等、
複数のプローブ電極を用いても良い。
必要もなく、位置検出用と記録・再生用とを分ける等、
複数のプローブ電極を用いても良い。
【００７１】次に、本発明第２の記録媒体及び消去方法
について図８の情報処理装置ブロック図を用いて説明す
る。図８中、８０６は記録媒体に電圧を印加するための
プローブ電極であり、このプローブ電極から記録層６０
３に電圧を印加することによって記録・再生を行なう。 また、８０７は光照射装置であり、この光照射装置によ
り消去したい部分の記録媒体に光を照射しながらプロー
ブ電極８０６から消去用電圧を印加することによって消
去を行う。
について図８の情報処理装置ブロック図を用いて説明す
る。図８中、８０６は記録媒体に電圧を印加するための
プローブ電極であり、このプローブ電極から記録層６０
３に電圧を印加することによって記録・再生を行なう。 また、８０７は光照射装置であり、この光照射装置によ
り消去したい部分の記録媒体に光を照射しながらプロー
ブ電極８０６から消去用電圧を印加することによって消
去を行う。
【００７２】対象となる記録媒体は、ＸＹステージ８１
４上に載置される。８１２はバイアス電圧源およびプロ
ーブ電流増幅器で、８１１はプローブ電流を読み取りプ
ローブ電極の高さが一定になるように圧電素子を用いた
微動機構、８０９を制御するサーボ回路である。８１３
はプローブ電極８０６と基板電極６０２との間に記録・
消去用のパルス電圧を印加するための電源である。
４上に載置される。８１２はバイアス電圧源およびプロ
ーブ電流増幅器で、８１１はプローブ電流を読み取りプ
ローブ電極の高さが一定になるように圧電素子を用いた
微動機構、８０９を制御するサーボ回路である。８１３
はプローブ電極８０６と基板電極６０２との間に記録・
消去用のパルス電圧を印加するための電源である。
【００７３】パルス電圧を印加するときプローブ電流が
急激に変化するためサーボ回路８１１は、その間出力電
圧が一定になるように、ＨＯＬＤ回路をＯＮにするよう
に制御している。
急激に変化するためサーボ回路８１１は、その間出力電
圧が一定になるように、ＨＯＬＤ回路をＯＮにするよう
に制御している。
【００７４】８０８及び８１０はＸＹ方向にプローブ電
極８０６を移動制御するためのＸＹ方向微動制御機構及
びＸＹ走査駆動回路である。８１５と８１６は、あらか
じめ１０−９Ａ程度のプローブ電流が得られるようにプ
ローブ電極８０６と記録媒体との距離を粗動制御したり
、プローブ電極と基板とのＸＹ方向相対変位を大きくと
る（微動制御機構の範囲外）のに用いられる。
極８０６を移動制御するためのＸＹ方向微動制御機構及
びＸＹ走査駆動回路である。８１５と８１６は、あらか
じめ１０−９Ａ程度のプローブ電流が得られるようにプ
ローブ電極８０６と記録媒体との距離を粗動制御したり
、プローブ電極と基板とのＸＹ方向相対変位を大きくと
る（微動制御機構の範囲外）のに用いられる。
【００７５】これらの各機器は、全てマイクロコンピュ
ータ８１７により中央制御されている。また８１８は表
示装置を表している。
ータ８１７により中央制御されている。また８１８は表
示装置を表している。
【００７６】また、圧電素子を用いた移動制御における
機械的性能を下記に示す。
機械的性能を下記に示す。
【００７７】
Ｚ方向微動制御範囲 ：０．１ｎｍ〜１μｍＺ方向粗
動制御範囲 ：１０ｎｍ〜１０ｍｍＸＹ方向走査範囲
：０．１ｎｍ〜１μｍＸＹ方向粗動制御範囲：
１０ｎｍ〜１０ｍｍ計測、制御許容誤差 ：＜０．１
ｎｍ（微動制御時）計測、制御許容誤差 ：＜１ｎｍ
（粗動制御時）本発明第２の記録媒体を用いる
と、記録ビットを消去する際に、部分的或いは全体に光
照射を行って、消去したい領域の光導電性薄膜の導電性
を一時的に高め、プローブ電極から前記薄膜を通して電
圧を印加して消去するため、記録媒体の広範囲にわたる
所望領域を同時に、且つ容易に消去することが可能とな
る。
動制御範囲 ：１０ｎｍ〜１０ｍｍＸＹ方向走査範囲
：０．１ｎｍ〜１μｍＸＹ方向粗動制御範囲：
１０ｎｍ〜１０ｍｍ計測、制御許容誤差 ：＜０．１
ｎｍ（微動制御時）計測、制御許容誤差 ：＜１ｎｍ
（粗動制御時）本発明第２の記録媒体を用いる
と、記録ビットを消去する際に、部分的或いは全体に光
照射を行って、消去したい領域の光導電性薄膜の導電性
を一時的に高め、プローブ電極から前記薄膜を通して電
圧を印加して消去するため、記録媒体の広範囲にわたる
所望領域を同時に、且つ容易に消去することが可能とな
る。
【００７８】本発明第３の記録媒体の一構成例を図１０
に示す。図１中、１１１は基板、１１２は基板上に設け
た基板電極、１１３は電気メモリー効果を持つ有機化合
物からなる記録層、１１４は本発明で特徴的な光導電性
層をあらわしており、光照射によって高導電性を示す材
料でできており、あらかじめ所望の大きさおよび所望の
位置に孤立して形成され、セクタとしての機能をも果た
している。また、図１０では、基板１１１上に基板電極
１１２を設けたが、基板自身が導電性を有するものであ
れば、基板そのものが基板電極をかねることができる。
に示す。図１中、１１１は基板、１１２は基板上に設け
た基板電極、１１３は電気メモリー効果を持つ有機化合
物からなる記録層、１１４は本発明で特徴的な光導電性
層をあらわしており、光照射によって高導電性を示す材
料でできており、あらかじめ所望の大きさおよび所望の
位置に孤立して形成され、セクタとしての機能をも果た
している。また、図１０では、基板１１１上に基板電極
１１２を設けたが、基板自身が導電性を有するものであ
れば、基板そのものが基板電極をかねることができる。
【００７９】本発明における記録・再生・消去の基本原
理を説明する。先ず、記録・再生については、特開昭６
３−１６１５５２号と全く同じ方法である。つまり、プ
ローブ電極と基板電極間にトンネル電流が流れる程度ま
でプローブ電極を記録媒体に接近させた後、プローブ電
極から記録層に記録用電圧を印加することによって記録
層の電気特性を変化させて情報ビットを書き込む。記録
層に所望の情報を記録した後、プローブ電極をトンネル
電流が流れる程度まで接近させたまま再生用電圧をプロ
ーブ電極に印加し、プローブ電極を記録媒体表面上に走
査させることによって記録ビット部の電気特性の変化を
プローブ電極による検出電流の変化を読み出すことで再
生を行う。
理を説明する。先ず、記録・再生については、特開昭６
３−１６１５５２号と全く同じ方法である。つまり、プ
ローブ電極と基板電極間にトンネル電流が流れる程度ま
でプローブ電極を記録媒体に接近させた後、プローブ電
極から記録層に記録用電圧を印加することによって記録
層の電気特性を変化させて情報ビットを書き込む。記録
層に所望の情報を記録した後、プローブ電極をトンネル
電流が流れる程度まで接近させたまま再生用電圧をプロ
ーブ電極に印加し、プローブ電極を記録媒体表面上に走
査させることによって記録ビット部の電気特性の変化を
プローブ電極による検出電流の変化を読み出すことで再
生を行う。
【００８０】次に、本発明の消去方法について、図１１
を用いて説明する。前述のようにして記録層１１３に情
報を記録した後、消去したい記録ビット部上の光導電性
層１１４のセクタを含む領域に光照射を行う（図１１で
は全面を示している）。この時、光導電性層１１４の導
電性が一時的に高まり、見かけ上、光照射した部分の記
録層だけを一対の電極でサンドイッチした構成になる。 ここで光照射と同時に、消去用電源１１５から、消去し
たい光導電性層セクタと基板電極１１２の間に消去用電
圧を印加すると、消去したい光導電性層セクタの所の記
録層にのみ消去用電圧が印加され、この領域の記録ビッ
ト全体の消去が行われる。すなわち、消去したいセクタ
を含む領域への光照射と消去用電圧印加により、所望セ
クタの多数ビットを同時にかつ容易に消去することがで
きる。尚、図１１の例では、消去用電圧印加のために消
去用電源１１５を光導電性層１１４と基板電極１１２の
間に別に設けて接続しているが、これに限ることはなく
、例えば、プローブ電極から光導電性層１１４を通して
消去用電圧を印加する方法を採っても構わない。
を用いて説明する。前述のようにして記録層１１３に情
報を記録した後、消去したい記録ビット部上の光導電性
層１１４のセクタを含む領域に光照射を行う（図１１で
は全面を示している）。この時、光導電性層１１４の導
電性が一時的に高まり、見かけ上、光照射した部分の記
録層だけを一対の電極でサンドイッチした構成になる。 ここで光照射と同時に、消去用電源１１５から、消去し
たい光導電性層セクタと基板電極１１２の間に消去用電
圧を印加すると、消去したい光導電性層セクタの所の記
録層にのみ消去用電圧が印加され、この領域の記録ビッ
ト全体の消去が行われる。すなわち、消去したいセクタ
を含む領域への光照射と消去用電圧印加により、所望セ
クタの多数ビットを同時にかつ容易に消去することがで
きる。尚、図１１の例では、消去用電圧印加のために消
去用電源１１５を光導電性層１１４と基板電極１１２の
間に別に設けて接続しているが、これに限ることはなく
、例えば、プローブ電極から光導電性層１１４を通して
消去用電圧を印加する方法を採っても構わない。
【００８１】本発明第３の記録媒体の記録層、光導電性
層、及び本発明に係るプローブ電極の材質、形成方法、
形態は前記した本発明第２の記録媒体と同じである。
層、及び本発明に係るプローブ電極の材質、形成方法、
形態は前記した本発明第２の記録媒体と同じである。
【００８２】次に、本発明第３の記録媒体及び消去方法
について図１２の情報処理装置ブロック図を用いて説明
する。図１２中、１１６は記録媒体に電圧を印加するた
めのプローブ電極であり、このプローブ電極から記録層
１１３に電圧を印加することによって記録・再生を行な
う。また、１１７は光照射装置であり、この光照射装置
により消去したい部分の光導電性層セクタの記録媒体に
光を照射しながらプローブ電極１１６から消去用電圧を
印加することによって消去を行う。
について図１２の情報処理装置ブロック図を用いて説明
する。図１２中、１１６は記録媒体に電圧を印加するた
めのプローブ電極であり、このプローブ電極から記録層
１１３に電圧を印加することによって記録・再生を行な
う。また、１１７は光照射装置であり、この光照射装置
により消去したい部分の光導電性層セクタの記録媒体に
光を照射しながらプローブ電極１１６から消去用電圧を
印加することによって消去を行う。
【００８３】対象となる記録媒体は、ＸＹステージ１２
４上に載置される。１２２はバイアス電圧源およびプロ
ーブ電流増幅器で、１２１はプローブ電流を読み取りプ
ローブ電極の高さが一定になるように圧電素子を用いた
微動機構，１１９を制御するサーボ回路である。１２３
はプローブ電極１１６と基板電極１１２との間に記録・
消去用のパルス電圧を印加するための電源である。
４上に載置される。１２２はバイアス電圧源およびプロ
ーブ電流増幅器で、１２１はプローブ電流を読み取りプ
ローブ電極の高さが一定になるように圧電素子を用いた
微動機構，１１９を制御するサーボ回路である。１２３
はプローブ電極１１６と基板電極１１２との間に記録・
消去用のパルス電圧を印加するための電源である。
【００８４】パルス電圧を印加するときプローブ電流が
急激に変化するためサーボ回路１２１は、その間出力電
流が一定になるように、ＨＯＬＤ回路をＯＮにするよう
に制御している。
急激に変化するためサーボ回路１２１は、その間出力電
流が一定になるように、ＨＯＬＤ回路をＯＮにするよう
に制御している。
【００８５】１１８および１２０はＸＹ方向にプローブ
電極１１６を移動制御するためのＸＹ方向微動制御機構
及びＸＹ走査駆動回路である。１２５と１２６は、あら
かじめ１０−９Ａ程度のプローブ電流が得られるように
プローブ電極１１５と記録媒体との距離を粗動制御した
り、プローブ電極と基板とのＸＹ方向相対変位を大きく
とる（微動制御機構の範囲外）のに用いられる。
電極１１６を移動制御するためのＸＹ方向微動制御機構
及びＸＹ走査駆動回路である。１２５と１２６は、あら
かじめ１０−９Ａ程度のプローブ電流が得られるように
プローブ電極１１５と記録媒体との距離を粗動制御した
り、プローブ電極と基板とのＸＹ方向相対変位を大きく
とる（微動制御機構の範囲外）のに用いられる。
【００８６】これらの各機器は、全てマイクロコンピュ
ータ１２７により中央制御されている。また１２８は表
示装置を表している。
ータ１２７により中央制御されている。また１２８は表
示装置を表している。
【００８７】また、圧電素子を用いた移動制御における
機械的性能を下記に示す。
機械的性能を下記に示す。
【００８８】
Ｚ方向微動制御範囲 ：０．１ｎｍ〜１μｍＺ方向粗
動制御範囲 ：１０ｎｍ〜１０ｍｍＸＹ方向走査範囲
：０．１ｎｍ〜１μｍμｍＸＹ方向粗動制御範
囲：１０ｎｍ〜１０ｍｍ計測、制御許容誤差 ：＜０
．１ｎｍ（微動制御時）計測、制御許容誤差 ：＜１
ｎｍ （粗動制御時）本発明第３によると、記録
層上に複数個の孤立した光導電性層を積層してセクタを
設けた記録媒体を用い、また、記録ビットを消去する際
に、一括消去したい孤立光導電性層（セクタ）部分に光
照射を行って、所望の部分の光導電性層の導電性を一時
的に高め、プローブ電極から前記層を通して電圧を印加
して消去するため記録媒体の広範囲にわたる所望領域を
同時に、かつ容易に消去することが可能となる。また、
この時、光照射は消去したい孤立光導電性層部分を含む
領域に実行すれば良く、例えば記録媒体全面への照射で
も良いため、光照射位置の精密な制御は不必要となり、
より簡単に広範囲の一括消去が可能となる。
動制御範囲 ：１０ｎｍ〜１０ｍｍＸＹ方向走査範囲
：０．１ｎｍ〜１μｍμｍＸＹ方向粗動制御範
囲：１０ｎｍ〜１０ｍｍ計測、制御許容誤差 ：＜０
．１ｎｍ（微動制御時）計測、制御許容誤差 ：＜１
ｎｍ （粗動制御時）本発明第３によると、記録
層上に複数個の孤立した光導電性層を積層してセクタを
設けた記録媒体を用い、また、記録ビットを消去する際
に、一括消去したい孤立光導電性層（セクタ）部分に光
照射を行って、所望の部分の光導電性層の導電性を一時
的に高め、プローブ電極から前記層を通して電圧を印加
して消去するため記録媒体の広範囲にわたる所望領域を
同時に、かつ容易に消去することが可能となる。また、
この時、光照射は消去したい孤立光導電性層部分を含む
領域に実行すれば良く、例えば記録媒体全面への照射で
も良いため、光照射位置の精密な制御は不必要となり、
より簡単に広範囲の一括消去が可能となる。
【００８９】
【実施例】以下、本発明を実施例に従って説明する。
【００９０】実施例１
光学研磨したガラス基板（基板１０１）を中性洗剤及び
トリクレンを用いて洗浄した後、係る基板上に、Ｃｒを
下引き層として形成し、次にＡｕを真空蒸着法により１
００ｎｍ積層して基板電極１０２とした後、第１の記録
層１０３となるスクアリリュウムービス−６−オクチル
アズレン色素（以下「ＳＯＡＺ」と記す）ＬＢ膜を形成
した。以下に、このＬＢ膜の成膜方法を示す。
トリクレンを用いて洗浄した後、係る基板上に、Ｃｒを
下引き層として形成し、次にＡｕを真空蒸着法により１
００ｎｍ積層して基板電極１０２とした後、第１の記録
層１０３となるスクアリリュウムービス−６−オクチル
アズレン色素（以下「ＳＯＡＺ」と記す）ＬＢ膜を形成
した。以下に、このＬＢ膜の成膜方法を示す。
【００９１】ＳＯＡＺを濃度０．２ｍｇ／ｍｌで溶かし
たクロロホルム溶液を２０℃の水面上に展開し、水面上
に単分子膜を形成した。溶媒の蒸発を待ち、かかる単分
子膜の表面圧を２０ｍＮ／ｍまで高め、さらにこれを一
定に保ちながら前記の基板を水面を横切るように速度５
ｍｍ／ｍｉｎで静かに浸漬し、さらに引き上げ、係る累
積操作を繰り返し、４層のＹ形単分子膜の累積を行って
第１の記録層１０５を形成した。
たクロロホルム溶液を２０℃の水面上に展開し、水面上
に単分子膜を形成した。溶媒の蒸発を待ち、かかる単分
子膜の表面圧を２０ｍＮ／ｍまで高め、さらにこれを一
定に保ちながら前記の基板を水面を横切るように速度５
ｍｍ／ｍｉｎで静かに浸漬し、さらに引き上げ、係る累
積操作を繰り返し、４層のＹ形単分子膜の累積を行って
第１の記録層１０５を形成した。
【００９２】次に、この第１の記録層に、導電率の異な
る部分を形成することにより０．５ｍｍ×０．５ｍｍの
領域に０．０２μｍピッチで長さ０．５ｍｍ，幅０．０
１μｍのトラック１０４を形成した。以下にこの方法を
示す。
る部分を形成することにより０．５ｍｍ×０．５ｍｍの
領域に０．０２μｍピッチで長さ０．５ｍｍ，幅０．０
１μｍのトラック１０４を形成した。以下にこの方法を
示す。
【００９３】トラックの形成は、図２に示した情報処理
装置を用いて行なった。ただし、プローブ電極２０１と
して電界研磨法によって作成した白金／ロジウム製のプ
ローブ電極を用いた。このプローブ電極２０１は、直接
、記録・再生・消去を行うために用いることができる。 プローブ電極２０１と第１の記録層１０３の距離（Ｚ）
は、Ｚ方向駆動回路２０４からＺ方向微動制御機構２０
５に適度な電圧を与えることにより制御し、さらにこの
機能を保持したまま、プローブ電極２０１が面内（Ｘ，
Ｙ）方向にも移動制御できるようにＸＹ方向微動制御機
構２０８をＸＹ走査駆動回路２０７によって制御してい
る。また、記録媒体１は、高精度のＸＹステージ２０２
の上に置かれ、粗動駆動回路２１０から適当な電圧を与
えることにより粗動機構２０９により任意の位置に移動
させることができる。よって、これらの移動制御機構に
よりプローブ電極２０１で記録層を形成した基板の任意
の位置で記録・再生及び消去を行なうことができる。次
に、前述した第１の記録層１０３を持つ基板を情報処理
装置にセットし、基板電極１０２に対してプローブ電極
２０１に−１．０Ｖの電圧を印加し、第１の記録層１０
３に流れる電流をモニターしながらプローブ電極２０１
と基板電極１０２との距離（Ｚ）を調整した。その後、
Ｚ方向微動制御機構２０５を制御してプローブ電極２０
１と第１の記録層１０３表面までの距離を変えていくと
、図３に示すような電流特性が得られた。尚、プローブ
電流及び、プローブ電圧を変化させることでプローブ電
極２０１と記録層表面との距離Ｚを調整することができ
るが、距離Ｚを適当な値で一定に保持するためには、プ
ローブ電流ＩＰが１０−７Ａ≧ＩＰ≧１０−１２Ａ、好
適には１０−８Ａ≧ＩＰ≧１０−１０Ａになるようにプ
ローブ電圧を調整する必要がある。ここではプローブ電
圧を０．５Ｖとし、プローブ電流ＩＰを１０−９Ａ（図
３のｂ領域に相当する。）に設定して、プローブ電極２
０１と第１の記録層１０３表面との距離を制御した。次
にこの距離Ｚを一定に保ちながら、閾値電圧Ｖｔｈ Ｏ
Ｎ以上の電圧である図４に示した波形を持つ三角波パル
ス電圧を印加しながら、プローブ電極２０１をゆっくり
走査させ、ＯＮ状態を書き込んで、第１の記録層１０３
に所定のトラックを形成した。
装置を用いて行なった。ただし、プローブ電極２０１と
して電界研磨法によって作成した白金／ロジウム製のプ
ローブ電極を用いた。このプローブ電極２０１は、直接
、記録・再生・消去を行うために用いることができる。 プローブ電極２０１と第１の記録層１０３の距離（Ｚ）
は、Ｚ方向駆動回路２０４からＺ方向微動制御機構２０
５に適度な電圧を与えることにより制御し、さらにこの
機能を保持したまま、プローブ電極２０１が面内（Ｘ，
Ｙ）方向にも移動制御できるようにＸＹ方向微動制御機
構２０８をＸＹ走査駆動回路２０７によって制御してい
る。また、記録媒体１は、高精度のＸＹステージ２０２
の上に置かれ、粗動駆動回路２１０から適当な電圧を与
えることにより粗動機構２０９により任意の位置に移動
させることができる。よって、これらの移動制御機構に
よりプローブ電極２０１で記録層を形成した基板の任意
の位置で記録・再生及び消去を行なうことができる。次
に、前述した第１の記録層１０３を持つ基板を情報処理
装置にセットし、基板電極１０２に対してプローブ電極
２０１に−１．０Ｖの電圧を印加し、第１の記録層１０
３に流れる電流をモニターしながらプローブ電極２０１
と基板電極１０２との距離（Ｚ）を調整した。その後、
Ｚ方向微動制御機構２０５を制御してプローブ電極２０
１と第１の記録層１０３表面までの距離を変えていくと
、図３に示すような電流特性が得られた。尚、プローブ
電流及び、プローブ電圧を変化させることでプローブ電
極２０１と記録層表面との距離Ｚを調整することができ
るが、距離Ｚを適当な値で一定に保持するためには、プ
ローブ電流ＩＰが１０−７Ａ≧ＩＰ≧１０−１２Ａ、好
適には１０−８Ａ≧ＩＰ≧１０−１０Ａになるようにプ
ローブ電圧を調整する必要がある。ここではプローブ電
圧を０．５Ｖとし、プローブ電流ＩＰを１０−９Ａ（図
３のｂ領域に相当する。）に設定して、プローブ電極２
０１と第１の記録層１０３表面との距離を制御した。次
にこの距離Ｚを一定に保ちながら、閾値電圧Ｖｔｈ Ｏ
Ｎ以上の電圧である図４に示した波形を持つ三角波パル
ス電圧を印加しながら、プローブ電極２０１をゆっくり
走査させ、ＯＮ状態を書き込んで、第１の記録層１０３
に所定のトラックを形成した。
【００９４】最後に、第１の記録層上に第２の記録層を
第１の記録層と同様の方法でＳＯＡＺを４層形成し、記
録媒体とした。
第１の記録層と同様の方法でＳＯＡＺを４層形成し、記
録媒体とした。
【００９５】以上のようにして作成した記録媒体につい
て記録・再生・消去の実験を行った。次に、その方法を
示す。プローブ電極２０１をトラック１０４にそって走
査させながら、２０ｎｍピッチで情報の記録を行った。 トラッキングは、Ｚ方向駆動回路２０４の出力電圧を一
定（ＨＯＬＤ回路ＯＮ）でも、Ｚ方向駆動回路２０４を
動作させたまま（ＨＯＬＤ回路ＯＦＦ）でも行うことが
できる。この時トラックの検出は、Ｚ方向駆動回路２０
４の出力電圧を一定にした場合（ＨＯＬＤ回路ＯＮ）は
、プローブ電流の１桁以上の増加、Ｚ方向駆動回路２０
４を動作させたまま（ＨＯＬＤ回路ＯＦＦ）の場合は、
Ｚ方向駆動回路２０４の出力電圧の変化として、１Ｖ以
上の増加をもってトラックと認識した。係る情報の記録
は、図４と同様な波形を有する閾値電圧Ｖｔｈ ＯＮ以
上のパルス電圧を印加して、ＯＮ状態を書き込んだ。 尚、パルス電圧を印加する際は、Ｚ方向駆動回路２０４
の出力電圧を一定にしている。
て記録・再生・消去の実験を行った。次に、その方法を
示す。プローブ電極２０１をトラック１０４にそって走
査させながら、２０ｎｍピッチで情報の記録を行った。 トラッキングは、Ｚ方向駆動回路２０４の出力電圧を一
定（ＨＯＬＤ回路ＯＮ）でも、Ｚ方向駆動回路２０４を
動作させたまま（ＨＯＬＤ回路ＯＦＦ）でも行うことが
できる。この時トラックの検出は、Ｚ方向駆動回路２０
４の出力電圧を一定にした場合（ＨＯＬＤ回路ＯＮ）は
、プローブ電流の１桁以上の増加、Ｚ方向駆動回路２０
４を動作させたまま（ＨＯＬＤ回路ＯＦＦ）の場合は、
Ｚ方向駆動回路２０４の出力電圧の変化として、１Ｖ以
上の増加をもってトラックと認識した。係る情報の記録
は、図４と同様な波形を有する閾値電圧Ｖｔｈ ＯＮ以
上のパルス電圧を印加して、ＯＮ状態を書き込んだ。 尚、パルス電圧を印加する際は、Ｚ方向駆動回路２０４
の出力電圧を一定にしている。
【００９６】書き込まれた情報は、書き込みの際と同じ
条件でプローブ電極２０１と記録媒体１の表面の距離を
制御した後、Ｚ方向駆動回路２０４の出力を一定に保持
したままで、プローブ電極２０１を走査し、ＯＮ状態領
域とＯＦＦ状態領域とのプローブ電流の変化で直接読み
とるか、又は、Ｚ方向駆動回路２０４を動作させたまま
（ＨＯＬＤ回路ＯＦＦ）プローブ電極２０１を走査して
、ＯＮ状態領域とＯＦＦ状態領域とでのＺ方向駆動制御
機構２０５の出力電圧の変化で読みとることができる。 本例では、ＯＮ状態領域でのプローブ電流が記録前（又
はＯＦＦ状態領域）と比較して３桁以上変化していたこ
とを確認した。この時、先に述べたトラック１０４とＯ
Ｎ状態に記録した部分の区別をすることは、トラック１
０４がある部分の膜の垂直方向における導電性が、ＯＮ
状態に記録した部分と未記録部分の中間であることと、
またトラック１０４が直線的に形成されているのに対し
て、記録部分がドット状に形成されていることで、容易
に行うことができた。
条件でプローブ電極２０１と記録媒体１の表面の距離を
制御した後、Ｚ方向駆動回路２０４の出力を一定に保持
したままで、プローブ電極２０１を走査し、ＯＮ状態領
域とＯＦＦ状態領域とのプローブ電流の変化で直接読み
とるか、又は、Ｚ方向駆動回路２０４を動作させたまま
（ＨＯＬＤ回路ＯＦＦ）プローブ電極２０１を走査して
、ＯＮ状態領域とＯＦＦ状態領域とでのＺ方向駆動制御
機構２０５の出力電圧の変化で読みとることができる。 本例では、ＯＮ状態領域でのプローブ電流が記録前（又
はＯＦＦ状態領域）と比較して３桁以上変化していたこ
とを確認した。この時、先に述べたトラック１０４とＯ
Ｎ状態に記録した部分の区別をすることは、トラック１
０４がある部分の膜の垂直方向における導電性が、ＯＮ
状態に記録した部分と未記録部分の中間であることと、
またトラック１０４が直線的に形成されているのに対し
て、記録部分がドット状に形成されていることで、容易
に行うことができた。
【００９７】さらに書き込みの際と同じ条件でプローブ
電極２０１と記録媒体１の表面との距離を制御した後Ｚ
方向駆動回路２０４の出力を一定に保持し、プローブ電
極２０１と基板電極１０２の間の電圧を図５に示したよ
うなＶｔｈ ＯＦＦ以上の８Ｖに設定して、再びプロー
ブ電極２０１を走査して記録位置をゆっくりトレースし
た結果、全ての記録状態が消去され、ＯＦＦ状態に遷移
したことも確認した。以上の再生実験において、ビット
エラーレートは３×１０−６であった。
電極２０１と記録媒体１の表面との距離を制御した後Ｚ
方向駆動回路２０４の出力を一定に保持し、プローブ電
極２０１と基板電極１０２の間の電圧を図５に示したよ
うなＶｔｈ ＯＦＦ以上の８Ｖに設定して、再びプロー
ブ電極２０１を走査して記録位置をゆっくりトレースし
た結果、全ての記録状態が消去され、ＯＦＦ状態に遷移
したことも確認した。以上の再生実験において、ビット
エラーレートは３×１０−６であった。
【００９８】実施例２
実施例１に対して第１の記録層１０３として、ポリイミ
ド（以下Ｐ１と略記する）をＬＢ法による成膜方法で４
層形成した以外は同様に形成した記録媒体１を作成した
。以下Ｐ１の成膜方法を示す。
ド（以下Ｐ１と略記する）をＬＢ法による成膜方法で４
層形成した以外は同様に形成した記録媒体１を作成した
。以下Ｐ１の成膜方法を示す。
【００９９】先ず、実施例１と同様に洗浄したガラス基
板（基板１０１）上に、実施例１と同様に基板電極１０
２を形成した。次に、ポリアミック酸（以下ＰＡと略記
する）を繰り返し単位濃度１．０ｍｍｏｌ １／１で
溶かしたジメチルアセトアミドとベンゼンの混合溶液を
、２０℃の純水上に展開し、水面から溶媒を蒸発除去さ
せた後、その表面圧を２５ｍＮ／ｍに高めて水面上単分
子膜を形成させた。次に、この表面圧を一定に保持した
まま、前記基板を水面に横切るように速度５ｍｍ／分で
静かに浸漬し、さらに引き上げ、係る累積を繰り返し４
層のＹ形単分子膜の累積を行った。次に、係る基板を３
００℃で１０分間熱処理することによりＰＡ累積膜をイ
ミド化してＰＩ薄膜を形成し、第１の記録層１０３とし
た。係る第１の記録層１０３に対して、実施例１と同様
にトラック１０４を形成した。最後に係る第１の記録層
上にＳＯＡＺを４層形成し、第２の記録層１０５とし、
記録媒体１を得た。
板（基板１０１）上に、実施例１と同様に基板電極１０
２を形成した。次に、ポリアミック酸（以下ＰＡと略記
する）を繰り返し単位濃度１．０ｍｍｏｌ １／１で
溶かしたジメチルアセトアミドとベンゼンの混合溶液を
、２０℃の純水上に展開し、水面から溶媒を蒸発除去さ
せた後、その表面圧を２５ｍＮ／ｍに高めて水面上単分
子膜を形成させた。次に、この表面圧を一定に保持した
まま、前記基板を水面に横切るように速度５ｍｍ／分で
静かに浸漬し、さらに引き上げ、係る累積を繰り返し４
層のＹ形単分子膜の累積を行った。次に、係る基板を３
００℃で１０分間熱処理することによりＰＡ累積膜をイ
ミド化してＰＩ薄膜を形成し、第１の記録層１０３とし
た。係る第１の記録層１０３に対して、実施例１と同様
にトラック１０４を形成した。最後に係る第１の記録層
上にＳＯＡＺを４層形成し、第２の記録層１０５とし、
記録媒体１を得た。
【０１００】以上のように作成した記録媒体１について
、実施例１と同様に記録・再生・消去の実験を行ったと
ころ、ビットエラーレートは５×１０−６であり、消去
も可能であった。
、実施例１と同様に記録・再生・消去の実験を行ったと
ころ、ビットエラーレートは５×１０−６であり、消去
も可能であった。
【０１０１】実施例３
実施例１と同様に形成した記録媒体について、実施例１
と同様にして記録・再生の実験を行った。この時、記録
は、トラックの真上に１０ｎｍピッチで行った。その結
果、ビットエラーレートは５×１０−６であった。
と同様にして記録・再生の実験を行った。この時、記録
は、トラックの真上に１０ｎｍピッチで行った。その結
果、ビットエラーレートは５×１０−６であった。
【０１０２】実施例４
実施例１と同様にＰＩのＬＢ膜とＳＯＡＺのＬＢ膜を形
成した基板上にさらにポリイソブチルメタクリレート（
ＰＩＢＭ）を以下のように形成して、記録媒体を得た。 先ず、ＳＯＡＺが形成された基板を純水中に水面を横切
るように浸漬した後、ＰＩＢＭのクロロホルム溶液（濃
度１×１０−３Ｍ）を、２０℃の純水上に展開した。 水面から溶媒を蒸発除去させた後、その表面圧を１１ｍ
Ｎ／ｍまで高めて水面上単分子膜を形成させた。次にこ
の表面圧を一定に保持したまま、基板を速度５ｃｍ／ｍ
ｉｎで水面上単分子膜を横切る形で水相中から引き上げ
１層の積層膜を得た。
成した基板上にさらにポリイソブチルメタクリレート（
ＰＩＢＭ）を以下のように形成して、記録媒体を得た。 先ず、ＳＯＡＺが形成された基板を純水中に水面を横切
るように浸漬した後、ＰＩＢＭのクロロホルム溶液（濃
度１×１０−３Ｍ）を、２０℃の純水上に展開した。 水面から溶媒を蒸発除去させた後、その表面圧を１１ｍ
Ｎ／ｍまで高めて水面上単分子膜を形成させた。次にこ
の表面圧を一定に保持したまま、基板を速度５ｃｍ／ｍ
ｉｎで水面上単分子膜を横切る形で水相中から引き上げ
１層の積層膜を得た。
【０１０３】係る、記録媒体に対して実施例１と同様に
記録・再生・消去の実験を行ったところ、実施例１を上
回る良好な結果で、ビットエラーレートは、１×１０−
６であった。
記録・再生・消去の実験を行ったところ、実施例１を上
回る良好な結果で、ビットエラーレートは、１×１０−
６であった。
【０１０４】さらに、本実施例において記録・再生・消
去の実験を行った記録媒体と、実施例１において記録・
再生・消去の実験を行った記録媒体を比較のため、走査
型トンネル顕微鏡を用いてＳＯＡＺの累積層の分子の配
列を観察したところ、実施例１で使用した記録媒体のＳ
ＯＡＺの累積層には分子配列が乱れている部分が見られ
たのに対し、本実施例で使用した記録媒体には、分子配
列の乱れはなかった。
去の実験を行った記録媒体と、実施例１において記録・
再生・消去の実験を行った記録媒体を比較のため、走査
型トンネル顕微鏡を用いてＳＯＡＺの累積層の分子の配
列を観察したところ、実施例１で使用した記録媒体のＳ
ＯＡＺの累積層には分子配列が乱れている部分が見られ
たのに対し、本実施例で使用した記録媒体には、分子配
列の乱れはなかった。
【０１０５】以上述べてきた実施例中では、トラック形
成を、プローブ電極を用いた手法による、電気的な導電
率の差の形成方法を示したが、これに限定することはな
く、電気的な導電率の差を形成できれば、どんな方法を
用いてもよく、例えば半導体基板への部分的なドーピン
グによる形成の方法も考えられる。また、本実施例では
、周囲に対して導電率が高い部分をトラックとしたが、
これに限らず、周囲に対して導電率が低い部分をトラッ
クとしてもかまわない。また、トラックの形状について
も直線状のものについて述べてきたが、これに限ること
はなく、螺旋状、円状等他の形態であっても全く構わな
い。また、記録層の形成にＬＢ法を使用してきたが、極
めて薄く均一な膜が作成できる成膜法であればＬＢ法に
限らず使用可能であり、具体的にはＭＢＥやＣＶＤ法等
の成膜法が挙げられる。さらに基板材料やその形状も本
発明は何ら限定するものではない。さらには、本実施例
においてはプローブ電極を１本としたが、記録・再生用
のものとトラッキング用のものを各々分けて２本以上と
しても良い。
成を、プローブ電極を用いた手法による、電気的な導電
率の差の形成方法を示したが、これに限定することはな
く、電気的な導電率の差を形成できれば、どんな方法を
用いてもよく、例えば半導体基板への部分的なドーピン
グによる形成の方法も考えられる。また、本実施例では
、周囲に対して導電率が高い部分をトラックとしたが、
これに限らず、周囲に対して導電率が低い部分をトラッ
クとしてもかまわない。また、トラックの形状について
も直線状のものについて述べてきたが、これに限ること
はなく、螺旋状、円状等他の形態であっても全く構わな
い。また、記録層の形成にＬＢ法を使用してきたが、極
めて薄く均一な膜が作成できる成膜法であればＬＢ法に
限らず使用可能であり、具体的にはＭＢＥやＣＶＤ法等
の成膜法が挙げられる。さらに基板材料やその形状も本
発明は何ら限定するものではない。さらには、本実施例
においてはプローブ電極を１本としたが、記録・再生用
のものとトラッキング用のものを各々分けて２本以上と
しても良い。
【０１０６】実施例５
光学研磨したガラス基板（基板６０１）を中性洗剤及び
トリクレンを用いて洗浄した後、下引き層としてＣｒを
真空蒸着（抵抗加熱）法により厚さ３０オングストロー
ム堆積させ、さらにＡｕを同法により１０００オングス
トローム蒸着し、基板電極６０２を形成した。
トリクレンを用いて洗浄した後、下引き層としてＣｒを
真空蒸着（抵抗加熱）法により厚さ３０オングストロー
ム堆積させ、さらにＡｕを同法により１０００オングス
トローム蒸着し、基板電極６０２を形成した。
【０１０７】次にＳＯＡＺを濃度０．２ｍｇ／ｍｌで溶
かしたクロロホルム溶液を２０℃の水相上に展開し、水
面上に単分子膜を形成した。溶媒の蒸発を待ち係る単分
子膜の表面圧を２０ｍＮ／ｍまで高め、さらにこれを一
定に保ちながら前記の基板電極を形成した基板を水面に
横切るように速度５ｍｍ／分で静かに浸漬し、さらに引
き上げて、２層のＹ形単分子膜の累積を行ない、前記基
板電極６０２上に２層（厚さ３０オングストローム）の
累積膜を形成して、記録層６０３とした。尚、このＳＯ
ＡＺについて光照射して光導電性を調べたが、ＳＯＡＺ
は光導電性を有していなかった。
かしたクロロホルム溶液を２０℃の水相上に展開し、水
面上に単分子膜を形成した。溶媒の蒸発を待ち係る単分
子膜の表面圧を２０ｍＮ／ｍまで高め、さらにこれを一
定に保ちながら前記の基板電極を形成した基板を水面に
横切るように速度５ｍｍ／分で静かに浸漬し、さらに引
き上げて、２層のＹ形単分子膜の累積を行ない、前記基
板電極６０２上に２層（厚さ３０オングストローム）の
累積膜を形成して、記録層６０３とした。尚、このＳＯ
ＡＺについて光照射して光導電性を調べたが、ＳＯＡＺ
は光導電性を有していなかった。
【０１０８】記録層形成後、光導電性薄膜６０４として
６層のフタロシアニン誘導体（詳しくは、ｔｅｒｔ−ブ
チル・銅フタロシアニン）単分子累積膜を記録層６０３
上に積層した。尚、係る単分子累積膜の作成方法の詳細
は以下の通りである。
６層のフタロシアニン誘導体（詳しくは、ｔｅｒｔ−ブ
チル・銅フタロシアニン）単分子累積膜を記録層６０３
上に積層した。尚、係る単分子累積膜の作成方法の詳細
は以下の通りである。
【０１０９】粉末状のフタロシアニン誘導体を濃度０．
２ｍｇ／ｍｌでクロロホルム溶液に溶かし、水温２０℃
の水相上に展開し水面上に単分子膜を形成した。溶媒の
蒸発除去を待って係る単分子膜の表面圧を２０ｍＮ／ｍ
まで高め、次に表面圧を一定に保った状態下で記録層６
０３及び基板電極６０２が積層された基板を水面を横切
る方向に速度１０ｍｍ／分で静かに浸漬し、続いて５ｍ
ｍ／分で静かに引き上げ２層のＹ型単分子膜を係る基板
上に累積した。累積操作を３回繰り返すことによって、
該基板上に６層の単分子累積膜を形成した。
２ｍｇ／ｍｌでクロロホルム溶液に溶かし、水温２０℃
の水相上に展開し水面上に単分子膜を形成した。溶媒の
蒸発除去を待って係る単分子膜の表面圧を２０ｍＮ／ｍ
まで高め、次に表面圧を一定に保った状態下で記録層６
０３及び基板電極６０２が積層された基板を水面を横切
る方向に速度１０ｍｍ／分で静かに浸漬し、続いて５ｍ
ｍ／分で静かに引き上げ２層のＹ型単分子膜を係る基板
上に累積した。累積操作を３回繰り返すことによって、
該基板上に６層の単分子累積膜を形成した。
【０１１０】以上の様な方法により作成した記録媒体に
、図８に示した情報処理装置を用いて記録・再生、消去
の実験を行なった。ただし、プローブ電極８０６として
電解研磨法によって作成した白金／ロジウム製のプロー
ブ電極を用いており、このプローブ電極８０６は、記録
層６０３に電圧を印加できるように、圧電素子により、
その距離（Ｚ）が制御されている。さらに上記機能を持
ったままプローブ電極８０６が面内（Ｘ，Ｙ）方向にも
移動制御できるように微動制御機構系が設計されている
。
、図８に示した情報処理装置を用いて記録・再生、消去
の実験を行なった。ただし、プローブ電極８０６として
電解研磨法によって作成した白金／ロジウム製のプロー
ブ電極を用いており、このプローブ電極８０６は、記録
層６０３に電圧を印加できるように、圧電素子により、
その距離（Ｚ）が制御されている。さらに上記機能を持
ったままプローブ電極８０６が面内（Ｘ，Ｙ）方向にも
移動制御できるように微動制御機構系が設計されている
。
【０１１１】また、プローブ電極８０６は直接記録・再
生・消去を行うことができる。また、記録媒体は高精度
のＸＹステージ８１４の上に置かれ、任意の位置に移動
させることができる。よって、この移動制御機構により
プローブ電極８０６で任意の位置上に記録・再生及び消
去を行なうことができる。
生・消去を行うことができる。また、記録媒体は高精度
のＸＹステージ８１４の上に置かれ、任意の位置に移動
させることができる。よって、この移動制御機構により
プローブ電極８０６で任意の位置上に記録・再生及び消
去を行なうことができる。
【０１１２】前述したＳＯＡＺ２層からなる記録層６０
３及びｔｅｒｔ−ブチル・銅フタロシアニン６層からな
る光導電性薄膜６０４を持つ記録媒体を記録・再生装置
にセットした。次に、プローブ電極８０６と記録媒体の
基板電極６０２との間に＋１Ｖの電圧を印加し、両電極
間に流れる電流をモニターしながらプローブ電極８０６
と基板電極６０２との距離（Ｚ）を調整した。この時、
距離Ｚを制御するためのプローブ電流ＩＰを１０−８Ａ
≧ＩＰ≧１０−１０Ａになるように設定した。
３及びｔｅｒｔ−ブチル・銅フタロシアニン６層からな
る光導電性薄膜６０４を持つ記録媒体を記録・再生装置
にセットした。次に、プローブ電極８０６と記録媒体の
基板電極６０２との間に＋１Ｖの電圧を印加し、両電極
間に流れる電流をモニターしながらプローブ電極８０６
と基板電極６０２との距離（Ｚ）を調整した。この時、
距離Ｚを制御するためのプローブ電流ＩＰを１０−８Ａ
≧ＩＰ≧１０−１０Ａになるように設定した。
【０１１３】次に、プローブ電極を走査させながら、１
００オングストロームピッチで情報の記録を行った。係
る情報の記録は、プローブ電極８０６を＋側、基板電極
６０２を−側にして、電気メモリー材料（ＳＯＡＺ−Ｌ
Ｂ膜２層）が初期の高抵抗状態（ＯＦＦ状態）から低抵
抗状態（ＯＮ状態）に変化する様に、図９に示す閾値電
圧Ｖｔｈ−ＯＮ以上の三角波パルス電圧を印加した。そ
の後、プローブ電極を記録開始点に戻し、再び記録媒体
上を走査させた。その結果、記録ビットにおいては０．
７ｍＡ程度のプローブ電流が流れ、ＯＮ状態となってい
ることが示された。以上の実験により、光導電性薄膜と
記録層を積層した記録媒体においても、超高密度な記録
が可能であることがわかった。
００オングストロームピッチで情報の記録を行った。係
る情報の記録は、プローブ電極８０６を＋側、基板電極
６０２を−側にして、電気メモリー材料（ＳＯＡＺ−Ｌ
Ｂ膜２層）が初期の高抵抗状態（ＯＦＦ状態）から低抵
抗状態（ＯＮ状態）に変化する様に、図９に示す閾値電
圧Ｖｔｈ−ＯＮ以上の三角波パルス電圧を印加した。そ
の後、プローブ電極を記録開始点に戻し、再び記録媒体
上を走査させた。その結果、記録ビットにおいては０．
７ｍＡ程度のプローブ電流が流れ、ＯＮ状態となってい
ることが示された。以上の実験により、光導電性薄膜と
記録層を積層した記録媒体においても、超高密度な記録
が可能であることがわかった。
【０１１４】次に、光照射装置８０７により、先ほど記
録を行った記録媒体にたいして、中心波長が６５０ｎｍ
の光を照射しながらプローブ電極から消去用電圧（波高
値１０Ｖのパルス電圧）を印加した。その後、先ほど消
去操作を行った領域についてプローブ電極を操作させて
再生を行ったところ、先ほど記録した記録ビット全てが
ＯＮ状態からＯＦＦ状態へと戻っており、一度に全ての
記録ビットを消去できたことがわかった。
録を行った記録媒体にたいして、中心波長が６５０ｎｍ
の光を照射しながらプローブ電極から消去用電圧（波高
値１０Ｖのパルス電圧）を印加した。その後、先ほど消
去操作を行った領域についてプローブ電極を操作させて
再生を行ったところ、先ほど記録した記録ビット全てが
ＯＮ状態からＯＦＦ状態へと戻っており、一度に全ての
記録ビットを消去できたことがわかった。
【０１１５】尚、上記の操作を繰り返し行っても、記録
媒体を損傷することなく記録・再生、及び一括消去を容
易に行うことができた。
媒体を損傷することなく記録・再生、及び一括消去を容
易に行うことができた。
【０１１６】実施例６
実施例５と全く同様の方法で、ガラス基板６０１（コー
ニング社製＃７０５９）上に基板電極６０２を形成した
。
ニング社製＃７０５９）上に基板電極６０２を形成した
。
【０１１７】次に、基板電極上に４，４’−ジアミノジ
フェニルエーテル及び無水ピロメリット酸からなるＰＩ
単分子累積膜（４層）を記録層６０３としてＬＢ法によ
り形成し、その後１，６−ジアミノカルバゾール及び無
水ピロメリット酸からなるＰＩ単分子累積膜（８層）を
光導電性薄膜６０４としてＬＢ法により積層し記録媒体
を作成した。尚、記録層として用いたＰＩの光導電性に
ついて調べたが、このＰＩは光導電性を有していなかっ
た。
フェニルエーテル及び無水ピロメリット酸からなるＰＩ
単分子累積膜（４層）を記録層６０３としてＬＢ法によ
り形成し、その後１，６−ジアミノカルバゾール及び無
水ピロメリット酸からなるＰＩ単分子累積膜（８層）を
光導電性薄膜６０４としてＬＢ法により積層し記録媒体
を作成した。尚、記録層として用いたＰＩの光導電性に
ついて調べたが、このＰＩは光導電性を有していなかっ
た。
【０１１８】係る記録媒体を用い、実施例５と同様にし
て、記録・再生実験を行ったところ、超高密度な記録・
再生が可能であることがわかった。また、記録後、実施
例５と同じく記録領域に光照射しながら消去用電圧をプ
ローブ電極から印加することにより消去実験を行ったと
ころ、記録ビット全てを一度に消去することが可能であ
った。
て、記録・再生実験を行ったところ、超高密度な記録・
再生が可能であることがわかった。また、記録後、実施
例５と同じく記録領域に光照射しながら消去用電圧をプ
ローブ電極から印加することにより消去実験を行ったと
ころ、記録ビット全てを一度に消去することが可能であ
った。
【０１１９】実施例７
実施例６と全く同様の方法で、ガラス基板６０１（コー
ニング社製＃７０５９）上に基板電極６０２を形成した
後、基板電極上に４，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル及び無水ピロメリット酸からなるＰＩ単分子累積膜（
４層）を記録層６０３としてＬＢ法により積層した。
ニング社製＃７０５９）上に基板電極６０２を形成した
後、基板電極上に４，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル及び無水ピロメリット酸からなるＰＩ単分子累積膜（
４層）を記録層６０３としてＬＢ法により積層した。
【０１２０】その後、記録層６０３上に、プラズマＣＶ
Ｄ法により膜厚約５０オングストロームのアモルファス
シリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと記す）からなる光導電
性薄膜６０４を形成して記録媒体を作成した。尚、ａ−
Ｓｉ：Ｈ膜の形成方法を以下に示す。
Ｄ法により膜厚約５０オングストロームのアモルファス
シリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと記す）からなる光導電
性薄膜６０４を形成して記録媒体を作成した。尚、ａ−
Ｓｉ：Ｈ膜の形成方法を以下に示す。
【０１２１】先ず、記録層及び基板電極が積層された基
板をプラズマＣＶＤ装置の真空容器内にセットした。次
に、基板温度を２００℃、ＳｉＨ４ガスの流量を１０ｓ
ｃｃｍに設定し、圧力０．４Ｔｏｏｒに保ちながら、Ｒ
Ｆパワー４．０Ｗでａ−Ｓｉ：Ｈ膜の形成を行った。
板をプラズマＣＶＤ装置の真空容器内にセットした。次
に、基板温度を２００℃、ＳｉＨ４ガスの流量を１０ｓ
ｃｃｍに設定し、圧力０．４Ｔｏｏｒに保ちながら、Ｒ
Ｆパワー４．０Ｗでａ−Ｓｉ：Ｈ膜の形成を行った。
【０１２２】係る記録媒体を用い、実施例５と同様にし
て、記録・再生実験を行ったところ、超高密度な記録・
再生が可能であることがわかった。また、記録後、実施
例５と同じく記録領域に光照射しながら消去用電圧をプ
ローブ電極から印加することにより消去実験を行ったと
ころ、記録ビット全てを一度に消去することが可能であ
った。
て、記録・再生実験を行ったところ、超高密度な記録・
再生が可能であることがわかった。また、記録後、実施
例５と同じく記録領域に光照射しながら消去用電圧をプ
ローブ電極から印加することにより消去実験を行ったと
ころ、記録ビット全てを一度に消去することが可能であ
った。
【０１２３】即ち、本発明における記録層として、４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル及び無水ピロメリッ
ト酸からなるＰＩＬＢ膜（４層）を、光導電性薄膜とし
てａ−Ｓｉ：Ｈ膜を用いても良いことがわかった。
４’−ジアミノジフェニルエーテル及び無水ピロメリッ
ト酸からなるＰＩＬＢ膜（４層）を、光導電性薄膜とし
てａ−Ｓｉ：Ｈ膜を用いても良いことがわかった。
【０１２４】以上述べてきた実施例中では、特に、光を
照射する領域に関して限定はしなかったが、記録媒体全
面を消去するときは記録媒体全面に光を照射しながら消
去用電圧を印加すれば良いし、部分的に消去したいとき
は、消去したい部分にのみ光を照射しながら、消去用電
圧を印加すれば良い。また、記録ビットを１ビットづつ
消去したい場合は、従来通りの方法で消去することも可
能である。また、本実施例では消去用電圧をプローブ電
極から印加する方法を用いたが、この方法に限定するも
のではなく、別に消去用電源を設けても構わない。
照射する領域に関して限定はしなかったが、記録媒体全
面を消去するときは記録媒体全面に光を照射しながら消
去用電圧を印加すれば良いし、部分的に消去したいとき
は、消去したい部分にのみ光を照射しながら、消去用電
圧を印加すれば良い。また、記録ビットを１ビットづつ
消去したい場合は、従来通りの方法で消去することも可
能である。また、本実施例では消去用電圧をプローブ電
極から印加する方法を用いたが、この方法に限定するも
のではなく、別に消去用電源を設けても構わない。
【０１２５】また、記録層の形成にＬＢ法を使用してき
たが、極めて薄く均一な膜が作成できる成膜法であれば
ＬＢ法に限らず使用可能であり、具体的にはＭＢＥやＣ
ＶＤ法等の成膜法が挙げられる。更に基板材料やその形
状も本発明は何ら限定するものではない。さらには、本
実施例においてはプローブ電極を１本としたが、記録・
再生用のものと位置検出用のものを各々分けて２本以上
としても良い。
たが、極めて薄く均一な膜が作成できる成膜法であれば
ＬＢ法に限らず使用可能であり、具体的にはＭＢＥやＣ
ＶＤ法等の成膜法が挙げられる。更に基板材料やその形
状も本発明は何ら限定するものではない。さらには、本
実施例においてはプローブ電極を１本としたが、記録・
再生用のものと位置検出用のものを各々分けて２本以上
としても良い。
【０１２６】実施例８
光学研磨したガラス基板（基板１１１）を中性洗剤およ
びトリクレンを用いて洗浄した後、下引き層としてＣｒ
を真空蒸着（抵抗加熱）法により厚さ３０オングストロ
ーム堆積させ、更にＡｕを同法により１０００オングス
トローム蒸着し、基板電極１１２を形成した。
びトリクレンを用いて洗浄した後、下引き層としてＣｒ
を真空蒸着（抵抗加熱）法により厚さ３０オングストロ
ーム堆積させ、更にＡｕを同法により１０００オングス
トローム蒸着し、基板電極１１２を形成した。
【０１２７】次にＳＯＡＺを濃度０．２ｍｇ／ｍｌで溶
かしたクロロホルム溶液を２０℃の水相上に展開し、水
面上に単分子膜を形成した。溶媒の蒸発を待ち係る単分
子膜の表面圧を２０ｍＮ／ｍまで高め、更にこれを一定
に保ちながら前記の基板電極を形成した基板を水面に横
切るように速度５ｍｍ／分で静かに浸漬し、更に引き上
げて、２層のＹ形単分子膜の累積を行ない、前記基板電
極１１２上に２層（厚さ３０オングストローム）の累積
膜を形成して、記録層１１３とした。尚、このＳＯＡＺ
について光照射して光導電性を調べたが、ＳＯＡＺは光
導電性を有していなかった。
かしたクロロホルム溶液を２０℃の水相上に展開し、水
面上に単分子膜を形成した。溶媒の蒸発を待ち係る単分
子膜の表面圧を２０ｍＮ／ｍまで高め、更にこれを一定
に保ちながら前記の基板電極を形成した基板を水面に横
切るように速度５ｍｍ／分で静かに浸漬し、更に引き上
げて、２層のＹ形単分子膜の累積を行ない、前記基板電
極１１２上に２層（厚さ３０オングストローム）の累積
膜を形成して、記録層１１３とした。尚、このＳＯＡＺ
について光照射して光導電性を調べたが、ＳＯＡＺは光
導電性を有していなかった。
【０１２８】記録層形成後、光導電性薄膜１１４として
６層のフタロシアニン誘導体（詳しくは、ｔ−ブチル・
銅フタロシアニン）単分子累積膜を記録層１１３上に積
層した。なお、係る単分子累積膜の作成方法の詳細は以
下の通りである。
６層のフタロシアニン誘導体（詳しくは、ｔ−ブチル・
銅フタロシアニン）単分子累積膜を記録層１１３上に積
層した。なお、係る単分子累積膜の作成方法の詳細は以
下の通りである。
【０１２９】粉末状のフタロシアニン誘導体を濃度０．
２ｍｇ／ｍｌでクロロホルム溶液に溶かし、水温２０℃
の水相上に展開し水面上に単分子膜を形成した。溶媒の
蒸発除去を待って係る単分子膜の表面圧を２０ｍＮ／ｍ
まで高め、次に表面圧を一定に保った状態下で記録層１
１３及び基板電極１１２が積層された基板を水面を横切
る方向に速度１０ｍｍ／分で静かに浸漬し、続いて５ｍ
ｍ／分で静かに引き上げ２層のＹ型単分子膜を係る基板
上に累積した。累積操作を３回繰り返すことによって、
該基板上に６層の単分子累積膜を形成した。
２ｍｇ／ｍｌでクロロホルム溶液に溶かし、水温２０℃
の水相上に展開し水面上に単分子膜を形成した。溶媒の
蒸発除去を待って係る単分子膜の表面圧を２０ｍＮ／ｍ
まで高め、次に表面圧を一定に保った状態下で記録層１
１３及び基板電極１１２が積層された基板を水面を横切
る方向に速度１０ｍｍ／分で静かに浸漬し、続いて５ｍ
ｍ／分で静かに引き上げ２層のＹ型単分子膜を係る基板
上に累積した。累積操作を３回繰り返すことによって、
該基板上に６層の単分子累積膜を形成した。
【０１３０】次に、記録層上全面に積層された光導電性
層上に、ビーム径１００オングストローム、加速電圧１
００ＫＶ、ビーム電流５ｐＡで電子ビームを２０００オ
ングストロームピッチ、長さ１μｍに渡って横方向およ
び縦方向に網の目状に順次照射することにより光導電性
層を部分的に除去して、１μｍ角内に合計２５個のセク
タを形成した。また、この時電子ビームのドーズ量が約
１Ｃ／ｃｍ２になる様に走査速度を調節した。
層上に、ビーム径１００オングストローム、加速電圧１
００ＫＶ、ビーム電流５ｐＡで電子ビームを２０００オ
ングストロームピッチ、長さ１μｍに渡って横方向およ
び縦方向に網の目状に順次照射することにより光導電性
層を部分的に除去して、１μｍ角内に合計２５個のセク
タを形成した。また、この時電子ビームのドーズ量が約
１Ｃ／ｃｍ２になる様に走査速度を調節した。
【０１３１】以上の様な方法により作成した記録媒体に
、図１２に示した情報処理装置を用いて記録・再生、消
去の実験を行なった。ただし、プローブ電極１１６とし
て電解研磨法によって作成した白金／ロジウム製のプロ
ーブ電極を用いており、このプローブ電極１１６は、記
録層１１３に電圧を印加できるように、圧電素子により
、その距離（Ｚ）が制御されている。さらに上記機能を
持ったままプローブ電極１１６が面内（Ｘ，Ｙ）方向に
も移動制御できるように微動制御機構系が設計されてい
る。
、図１２に示した情報処理装置を用いて記録・再生、消
去の実験を行なった。ただし、プローブ電極１１６とし
て電解研磨法によって作成した白金／ロジウム製のプロ
ーブ電極を用いており、このプローブ電極１１６は、記
録層１１３に電圧を印加できるように、圧電素子により
、その距離（Ｚ）が制御されている。さらに上記機能を
持ったままプローブ電極１１６が面内（Ｘ，Ｙ）方向に
も移動制御できるように微動制御機構系が設計されてい
る。
【０１３２】また、プローブ電極１１６は直接記録・再
生・消去を行うことができる。また、記録媒体は高精度
のＸＹステージ１２４の上に置かれ、任意の位置に移動
させることができる。よって、この移動制御機構により
プローブ電極１１６で任意のセクタおよび任意の位置に
記録・再生及び消去を行なうことができる。
生・消去を行うことができる。また、記録媒体は高精度
のＸＹステージ１２４の上に置かれ、任意の位置に移動
させることができる。よって、この移動制御機構により
プローブ電極１１６で任意のセクタおよび任意の位置に
記録・再生及び消去を行なうことができる。
【０１３３】前述したＳＯＡＺ２層からなる記録層１１
３及びｔ−ブチル・銅フタロシアニン６層からなる光導
電性薄膜１１４を持つ記録媒体を記録・再生装置にセッ
トした。次に、プローブ電極１１６と記録媒体の基板電
極１１２との間に＋１Ｖの電圧を印加し、両電極間に流
れる電流をモニターしながらプローブ電極１１６と基板
電極１１２との距離（Ｚ）を調整した。この時、距離Ｚ
を制御するためのプローブ電流ＩＰを１０−８Ａ≧ＩＰ
≧１０−１０Ａになるように設定した。
３及びｔ−ブチル・銅フタロシアニン６層からなる光導
電性薄膜１１４を持つ記録媒体を記録・再生装置にセッ
トした。次に、プローブ電極１１６と記録媒体の基板電
極１１２との間に＋１Ｖの電圧を印加し、両電極間に流
れる電流をモニターしながらプローブ電極１１６と基板
電極１１２との距離（Ｚ）を調整した。この時、距離Ｚ
を制御するためのプローブ電流ＩＰを１０−８Ａ≧ＩＰ
≧１０−１０Ａになるように設定した。
【０１３４】次に、プローブ電極を走査しながら、プロ
ーブ電極と基板電極間に電気メモリー効果を生じる閾値
電圧を越えていない電圧である０．５Ｖ読み取り電圧を
印加して電流値を測定したところ、μＡ以下で走査領域
全面にわたってＯＦＦ状態を示した。この後、プローブ
電極を走査させながら、第１のセクタに１００オングス
トロームピッチで情報の記録を行った。かかる情報の記
録は、プローブ電極１１６を＋側、基板電極１１２を−
側にして、電気メモリー材料（ＳＯＡＺ−ＬＢ膜２層）
が先ほどの高抵抗状態（ＯＦＦ状態）から低抵抗状態（
ＯＮ状態）に変化する様に、図４に示す閾値電圧Ｖｔｈ
−ＯＮ以上の三角波パルス電圧を印加した。なお、パル
ス電圧を印加する際は、サーボ回路の出力電圧を一定に
している。その後、プローブ電極を記録開始点に戻し、
再び読み取り電圧０．５Ｖを印加しながら記録媒体上を
走査させた。その結果、記録ビットにおいては０．３ｍ
Ａ程度のプローブ電流が流れ、ＯＮ状態となっているこ
とが示された。以上の実験により、光導電性層と記録層
を積層した記録媒体においても、超高密度な記録が可能
であることがわかった。また、同様の方法で、第２のセ
クタにも情報の記録および再生を実行し、記録できてい
ることを確認した。
ーブ電極と基板電極間に電気メモリー効果を生じる閾値
電圧を越えていない電圧である０．５Ｖ読み取り電圧を
印加して電流値を測定したところ、μＡ以下で走査領域
全面にわたってＯＦＦ状態を示した。この後、プローブ
電極を走査させながら、第１のセクタに１００オングス
トロームピッチで情報の記録を行った。かかる情報の記
録は、プローブ電極１１６を＋側、基板電極１１２を−
側にして、電気メモリー材料（ＳＯＡＺ−ＬＢ膜２層）
が先ほどの高抵抗状態（ＯＦＦ状態）から低抵抗状態（
ＯＮ状態）に変化する様に、図４に示す閾値電圧Ｖｔｈ
−ＯＮ以上の三角波パルス電圧を印加した。なお、パル
ス電圧を印加する際は、サーボ回路の出力電圧を一定に
している。その後、プローブ電極を記録開始点に戻し、
再び読み取り電圧０．５Ｖを印加しながら記録媒体上を
走査させた。その結果、記録ビットにおいては０．３ｍ
Ａ程度のプローブ電流が流れ、ＯＮ状態となっているこ
とが示された。以上の実験により、光導電性層と記録層
を積層した記録媒体においても、超高密度な記録が可能
であることがわかった。また、同様の方法で、第２のセ
クタにも情報の記録および再生を実行し、記録できてい
ることを確認した。
【０１３５】次に、光照射装置１１７により、先ほど記
録を行った記録媒体にたいして、中心波長が６５０ｎｍ
の光を全面に照射しながら、第１のセクタにプローブ電
極から消去用電圧（図５参照）を印加した。その後、先
ほど消去操作を行った第１のセクタ領域についてプロー
ブ電極を操作させて再生を行ったところ、第１のセクタ
領域全面に渡って、先ほど記録した記録ビット全てがＯ
Ｎ状態からＯＦＦ状態（プローブ電流値がμＡ以下）へ
と戻っており、一度に第１セクタの全ての記録ビットを
消去できたことがわかった。また、光照射したが消去用
電圧を印加しなかった第２のセクタについてプローブ電
極を走査させて再生を行ったところ、記録ビットは消去
されることなくＯＮ状態（プローブ電流値は０．３ｍＡ
）のまま保存されており、本方法によれば、希望した特
定のセクタだけを消去可能であることが分かった。
録を行った記録媒体にたいして、中心波長が６５０ｎｍ
の光を全面に照射しながら、第１のセクタにプローブ電
極から消去用電圧（図５参照）を印加した。その後、先
ほど消去操作を行った第１のセクタ領域についてプロー
ブ電極を操作させて再生を行ったところ、第１のセクタ
領域全面に渡って、先ほど記録した記録ビット全てがＯ
Ｎ状態からＯＦＦ状態（プローブ電流値がμＡ以下）へ
と戻っており、一度に第１セクタの全ての記録ビットを
消去できたことがわかった。また、光照射したが消去用
電圧を印加しなかった第２のセクタについてプローブ電
極を走査させて再生を行ったところ、記録ビットは消去
されることなくＯＮ状態（プローブ電流値は０．３ｍＡ
）のまま保存されており、本方法によれば、希望した特
定のセクタだけを消去可能であることが分かった。
【０１３６】尚、上記の操作を繰り返し行っても、記録
媒体を損傷することなく記録・再生、及び一括消去を容
易に行うことができた。
媒体を損傷することなく記録・再生、及び一括消去を容
易に行うことができた。
【０１３７】実施例９
実施例８と全く同様の方法で、ガラス基板１１１（コー
ニング社製＃７０５９）上に基板電極１１２を形成した
。
ニング社製＃７０５９）上に基板電極１１２を形成した
。
【０１３８】次に、基板電極上に４，４’−ジアミノジ
フェニルエーテル及び無水ピロメリット酸からなるＰＩ
単分子累積膜（４層）を記録層１１３としてＬＢ法によ
り形成し、その後１，６−ジアミノカルバゾール及び無
水ピロメリット酸からなるＰＩ単分子累積膜（８層）を
光導電性層１１４としてＬＢ法により積層し、実施例８
と全く同様にして電子ビーム照射によりセクタ分けされ
た記録媒体を作成した。尚、記録層として用いたＰＩの
光導電性について調べたが、このＰＩは光導電性を有し
ていなかった。
フェニルエーテル及び無水ピロメリット酸からなるＰＩ
単分子累積膜（４層）を記録層１１３としてＬＢ法によ
り形成し、その後１，６−ジアミノカルバゾール及び無
水ピロメリット酸からなるＰＩ単分子累積膜（８層）を
光導電性層１１４としてＬＢ法により積層し、実施例８
と全く同様にして電子ビーム照射によりセクタ分けされ
た記録媒体を作成した。尚、記録層として用いたＰＩの
光導電性について調べたが、このＰＩは光導電性を有し
ていなかった。
【０１３９】係る記録媒体を用い、実施例８と同様にし
て、記録・再生実験を行ったところ、超高密度な記録・
再生が可能であることがわかった。また、記録後、実施
例８と同じく所望の記録セクタ領域に光照射しながら消
去用電圧をプローブ電極から印加することにより消去実
験を行ったところ、所望のセクタ内だけの記録ビット全
てを一度に消去することが可能であった。
て、記録・再生実験を行ったところ、超高密度な記録・
再生が可能であることがわかった。また、記録後、実施
例８と同じく所望の記録セクタ領域に光照射しながら消
去用電圧をプローブ電極から印加することにより消去実
験を行ったところ、所望のセクタ内だけの記録ビット全
てを一度に消去することが可能であった。
【０１４０】実施例１０
実施例９と全く同様の方法で、ガラス基板１１１（コー
ニング社製＃７０５９）上に基板電極１１２を形成した
後、基板電極上に４，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル及び無水ピロメリット酸からなるＰＩ単分子累積膜（
４層）を記録層１１３としてＬＢ法により積層した。
ニング社製＃７０５９）上に基板電極１１２を形成した
後、基板電極上に４，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル及び無水ピロメリット酸からなるＰＩ単分子累積膜（
４層）を記録層１１３としてＬＢ法により積層した。
【０１４１】係るＰＩ記録層の上にネガ型レジスト材料
（商標名ＲＤ−２０００Ｎ−１０）をスピナー塗布し、
プリベークを行なう。この時膜厚は０．７μｍおきに大
きさ１μｍの孤立光導電性層セクタが格子点状に形成で
きるようにレジストパターンを作成した。
（商標名ＲＤ−２０００Ｎ−１０）をスピナー塗布し、
プリベークを行なう。この時膜厚は０．７μｍおきに大
きさ１μｍの孤立光導電性層セクタが格子点状に形成で
きるようにレジストパターンを作成した。
【０１４２】係る基板上に、プラズマＣＶＤ法により膜
厚約５０オングストロームのａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導
電性層１１４を形成した。尚、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の形成方
法を以下に示す。
厚約５０オングストロームのａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導
電性層１１４を形成した。尚、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の形成方
法を以下に示す。
【０１４３】先ず、記録層および基板電極が積層された
基板をプラズマＣＶＤ装置の真空容器内にセットした。 次に、基板温度を２００℃、ＳｉＨ４ガスの流量を１０
ｓｃｃｍに設定し、圧力０．４Ｔｏｏｒに保ちながら、
ＲＦパワー４．０Ｗでａ−Ｓｉ：Ｈ膜の形成を行った。
基板をプラズマＣＶＤ装置の真空容器内にセットした。 次に、基板温度を２００℃、ＳｉＨ４ガスの流量を１０
ｓｃｃｍに設定し、圧力０．４Ｔｏｏｒに保ちながら、
ＲＦパワー４．０Ｗでａ−Ｓｉ：Ｈ膜の形成を行った。
【０１４４】次に、係る基板をアセトン超音波処理、Ｄ
ＭＦ超音波処理、純水洗浄、ベーキングを行ない、リフ
トオフにより大きさ１μｍの複数個からなる孤立光導電
性層セクタを形成して、記録媒体を作成した。
ＭＦ超音波処理、純水洗浄、ベーキングを行ない、リフ
トオフにより大きさ１μｍの複数個からなる孤立光導電
性層セクタを形成して、記録媒体を作成した。
【０１４５】係る記録媒体を用い、実施例８と同様にし
て、記録・再生を行ったところ、超高密度な記録・再生
が可能であることがわかった。また、記録後、実施例８
と同じく所望の記録セクタ領域に光照射しながら消去用
電圧をプローブ電極から印加することにより消去実験を
行ったところ、所望のセクタ内だけの記録ビット全てを
一度に消去することが可能であった。
て、記録・再生を行ったところ、超高密度な記録・再生
が可能であることがわかった。また、記録後、実施例８
と同じく所望の記録セクタ領域に光照射しながら消去用
電圧をプローブ電極から印加することにより消去実験を
行ったところ、所望のセクタ内だけの記録ビット全てを
一度に消去することが可能であった。
【０１４６】即ち、本発明における記録層として、４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル及び無水ピロメリッ
ト酸からなるＰＩＬＢ膜（４層）を、光導電性層として
ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を用いても良いことがわかった。
４’−ジアミノジフェニルエーテル及び無水ピロメリッ
ト酸からなるＰＩＬＢ膜（４層）を、光導電性層として
ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を用いても良いことがわかった。
【０１４７】前記実施例８〜１０中では、特に、光を照
射する領域に関して限定はしなかったが、消去したい光
導電性層セクタを全て含む領域で有れば良く、記録媒体
全面に光を照射しながら消去用電圧を印加しても良い。 また、光導電性層セクタ内の記録ビットを部分的に消去
したいときは、消去したい部分にのみ光を照射しながら
、消去用電圧を印加すれば良い。また、記録ビットを１
ビットづつ消去したい場合は、従来通りの方法で消去す
ることも可能である。また、本実施例では消去用電圧を
プローブ電極から印加する方法を用いたが、この方法に
限定するものではなく、別に消去用電源を設けても構わ
ない。
射する領域に関して限定はしなかったが、消去したい光
導電性層セクタを全て含む領域で有れば良く、記録媒体
全面に光を照射しながら消去用電圧を印加しても良い。 また、光導電性層セクタ内の記録ビットを部分的に消去
したいときは、消去したい部分にのみ光を照射しながら
、消去用電圧を印加すれば良い。また、記録ビットを１
ビットづつ消去したい場合は、従来通りの方法で消去す
ることも可能である。また、本実施例では消去用電圧を
プローブ電極から印加する方法を用いたが、この方法に
限定するものではなく、別に消去用電源を設けても構わ
ない。
【０１４８】また、記録層の形成にＬＢ法を使用してき
たが、極めて薄く均一な膜が作成できる成膜法であれば
ＬＢ法に限らず使用可能であり、具体的にはＭＢＥやＣ
ＶＤ法等の成膜法が挙げられる。更に基板材料やその形
状も本発明は何ら限定するものではない。さらには、本
実施例においてはプローブ電極を１本としたが、記録・
再生用のものと位置検出用のものを各々分けて２本以上
としても良い。
たが、極めて薄く均一な膜が作成できる成膜法であれば
ＬＢ法に限らず使用可能であり、具体的にはＭＢＥやＣ
ＶＤ法等の成膜法が挙げられる。更に基板材料やその形
状も本発明は何ら限定するものではない。さらには、本
実施例においてはプローブ電極を１本としたが、記録・
再生用のものと位置検出用のものを各々分けて２本以上
としても良い。
【０１４９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明第１の記録媒
体は、光記録に比べて、はるかに高密度な記録が可能で
、製造が容易な記録媒体を提供できる。また、記録・再
生・消去において、トラックと記録場所の識別が容易で
あり、再生時の読み誤り率が少ない。
体は、光記録に比べて、はるかに高密度な記録が可能で
、製造が容易な記録媒体を提供できる。また、記録・再
生・消去において、トラックと記録場所の識別が容易で
あり、再生時の読み誤り率が少ない。
【０１５０】また、本発明第２の記録媒体によれば、超
高密度記録が可能な記録媒体において、情報を記録した
領域の所望の一部あるいは全面に渡って、１度に且つ容
易に消去することが可能になった。
高密度記録が可能な記録媒体において、情報を記録した
領域の所望の一部あるいは全面に渡って、１度に且つ容
易に消去することが可能になった。
【０１５１】さらに本発明第３の記録媒体によれば、超
高密度記録が可能な記録媒体において、情報を記録した
所望のセクタだけを、１度にかつ容易に消去することが
可能となった。
高密度記録が可能な記録媒体において、情報を記録した
所望のセクタだけを、１度にかつ容易に消去することが
可能となった。
【図１】本発明第１の記録媒体の製造方法の一例を示す
図である。
図である。
【図２】本発明第１の記録媒体を用いた情報処理装置の
構成のブロック図である。
構成のブロック図である。
【図３】本発明第１の記録媒体表面とプローブ電極との
距離と電流の関係を示す図である。
距離と電流の関係を示す図である。
【図４】本発明第１の記録媒体に記録を行う際に加える
パルス信号波形である。
パルス信号波形である。
【図５】本発明第１の記録媒体の消去を行う際に加える
パルス信号波形である。
パルス信号波形である。
【図６】本発明第２の記録媒体の構成の一例を示す図で
ある。
ある。
【図７】本発明第２の記録媒体の消去方法を示す図であ
る。
る。
【図８】本発明第２の記録媒体を用いる情報処理装置の
構成のブロック図である。
構成のブロック図である。
【図９】本発明第２の記録媒体に記録を行う際に加える
パルス信号波形である。
パルス信号波形である。
【図１０】本発明第３の記録媒体の構成の一例を示す図
である。
である。
【図１１】本発明の第３の記録媒体の消去方法を示す図
である。
である。
【図１２】本発明第３の記録媒体を用いる情報処理装置
の構成のブロック図である。
の構成のブロック図である。
【図１３】電気メモリー効果の説明図である。
１ 記録媒体
１０１ 基板
１０２ 基板電極
１０３ 第１記録層
１０４ トラック
１０５ 第２記録層
１１１ 基板
１１２ 基板電極
１１３ 記録層
１１４ 光導電性薄膜
１１５ 消去用電源
１１６ プローブ電極
１１７ 光照射装置
１１８ ＸＹ方向微動制御機構
１１９ Ｚ方向微動制御機構
１２０ ＸＹ方向走査駆動回路
１２１ サーボ回路
１２２ バイアス電圧源及びプローブ電流増幅器１２
３ 記録消去用電源 １２４ ＸＹステージ １２５ 粗動機構 １２６ 粗動駆動回路 １２７ マイクロコンピュータ １２８ 表示装置 ２０１ プローブ電極 ２０２ ＸＹステージ ２０３ プローブ電流増幅器 ２０４ Ｚ方向駆動回路 ２０５ Ｚ方向微動制御機構 ２０６ 電源 ２０７ ＸＹ走査駆動回路 ２０８ ＸＹ方向微動制御機構 ２０９ 粗動機構 ２１０ 粗動駆動回路 ２１１ マイクロコンピュータ ２１２ 表示素子 ６０１ 基板 ６０２ 基板電極 ６０３ 記録層 ６０４ 光導電性薄膜 ７０１ 消去用電源 ８０６ プローブ電極 ８０７ 光照射装置 ８０８ ＸＹ方向微動制御機構 ８０９ Ｚ方向微動制御機構 ８１０ ＸＹ走査駆動回路 ８１１ サーボ回路 ８１２ バイアス電圧源及びプローブ電流増幅器８１
３ 記録消去用電源 ８１４ ＸＹステージ ８１５ 粗動機構 ８１６ 粗動駆動回路 ８１７ マイクロコンピュータ ８１８ 表示装置
３ 記録消去用電源 １２４ ＸＹステージ １２５ 粗動機構 １２６ 粗動駆動回路 １２７ マイクロコンピュータ １２８ 表示装置 ２０１ プローブ電極 ２０２ ＸＹステージ ２０３ プローブ電流増幅器 ２０４ Ｚ方向駆動回路 ２０５ Ｚ方向微動制御機構 ２０６ 電源 ２０７ ＸＹ走査駆動回路 ２０８ ＸＹ方向微動制御機構 ２０９ 粗動機構 ２１０ 粗動駆動回路 ２１１ マイクロコンピュータ ２１２ 表示素子 ６０１ 基板 ６０２ 基板電極 ６０３ 記録層 ６０４ 光導電性薄膜 ７０１ 消去用電源 ８０６ プローブ電極 ８０７ 光照射装置 ８０８ ＸＹ方向微動制御機構 ８０９ Ｚ方向微動制御機構 ８１０ ＸＹ走査駆動回路 ８１１ サーボ回路 ８１２ バイアス電圧源及びプローブ電流増幅器８１
３ 記録消去用電源 ８１４ ＸＹステージ ８１５ 粗動機構 ８１６ 粗動駆動回路 ８１７ マイクロコンピュータ ８１８ 表示装置
Claims (17)
- 【請求項１】 プローブ電極により素子に流れる電流
を検出する情報処理装置に用いる記録媒体であって、プ
ローブ電極と対向配置する基板電極上に、有機化合物の
単分子膜又は該単分子膜を累積した累積膜からなり電気
メモリー効果を有する記録層を設け、該記録層上に有機
化合物の単分子膜又は該単分子膜を累積した累積膜から
なる第２層を積層したことを特徴とする記録媒体。 - 【請求項２】 上記記録層が導電率が異なる部分をト
ラックとして形成した第１の記録層であり、第２層が電
気メモリー効果を有する第２の記録層であることを特徴
とする請求項１記載の記録媒体。 - 【請求項３】 第１及び第２の記録層を、同じ材料で
構成することを特徴とする請求項２記載の記録媒体。 - 【請求項４】 第１及び第２の記録層を、異なる材料
で構成することを特徴とする請求項２記載の記録媒体。 - 【請求項５】 第１及び第２の記録層がＬＢ法により
形成されていることを特徴とする請求項２〜４記載の記
録媒体。 - 【請求項６】 第１及び第２の記録層を形成する有機
化合物が、分子中にπ電子準位を持つ群と、σ電子準位
を持つ群とを有することを特徴とする請求項２〜５記載
の記録媒体。 - 【請求項７】 第２層が光導電性薄膜であることを特
徴とする請求項１記載の記録媒体。 - 【請求項８】 第２層が複数個の孤立した光導電性薄
膜であることを特徴とする請求項１記載の記録媒体。 - 【請求項９】 記録層と光導電性薄膜を加えた膜厚が
、５オングストローム以上１００オングストローム以下
であることを特徴とする請求項７又は８記載の記録媒体
。 - 【請求項１０】 記録層と光導電性薄膜を加えた膜厚
が、５オングストローム以上３０オングストローム以下
であることを特徴とする請求項７又は８記載の記録媒体
。 - 【請求項１１】 記録層がＬＢ法により形成されてい
ることを特徴とする請求項７〜１０記載の記録媒体。 - 【請求項１２】 光導電性薄膜がＬＢ法により形成さ
れていることを特徴とする請求項７〜１１記載の記録媒
体。 - 【請求項１３】 記録層を形成する有機化合物が分子
中にπ電子準位を持つ群とσ電子準位を持つ群とを有す
ることを特徴とする請求項７〜１２記載の記録媒体。 - 【請求項１４】 請求項２〜６記載の記録媒体の製造
方法であって、第１の記録層における導電性の異なる部
分が、プローブ電極と第１の記録層のみを積層した基板
電極間に電圧を印加することによって形成することを特
徴とする記録媒体の製造方法。 - 【請求項１５】 請求項２〜６記載の記録媒体を有す
ることを特徴とする情報処理装置。 - 【請求項１６】 記録場所が第１の記録層に形成され
たトラックに接していることを特徴とする請求項１５記
載の情報処理装置。 - 【請求項１７】 請求項７〜１３記載の記録媒体と該
記録媒体に対向配置するプローブ電極を用いて、基板電
極とプローブ電極との間に電圧を印加することにより電
気特性を変化させて記録した記録領域に対して光照射を
行うことによって光導電性薄膜の導電性を一時的に高め
、該薄膜と該基板電極間に電圧を印加することにより記
録の消去を行うことを特徴とする消去方法。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09511863A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-11-25 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | ローカル・プローブ・アレイの大容量記憶装置 |
Families Citing this family (77)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06195772A (ja) * | 1992-12-21 | 1994-07-15 | Canon Inc | 画像信号処理機構およびその適用機器 |
| EP0615235B9 (en) * | 1993-03-09 | 2003-11-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Information recording method and information recording apparatus |
| JP2923190B2 (ja) * | 1993-12-16 | 1999-07-26 | シャープ株式会社 | 高密度記録媒体及びその記録再生装置 |
| KR950024146A (ko) * | 1994-01-31 | 1995-08-21 | 모리시타 요이찌 | 정보기록재생장치 및 정보기록재생방법 |
| US6337479B1 (en) * | 1994-07-28 | 2002-01-08 | Victor B. Kley | Object inspection and/or modification system and method |
| US5751683A (en) * | 1995-07-24 | 1998-05-12 | General Nanotechnology, L.L.C. | Nanometer scale data storage device and associated positioning system |
| US6339217B1 (en) * | 1995-07-28 | 2002-01-15 | General Nanotechnology Llc | Scanning probe microscope assembly and method for making spectrophotometric, near-field, and scanning probe measurements |
| US6507553B2 (en) | 1995-07-24 | 2003-01-14 | General Nanotechnology Llc | Nanometer scale data storage device and associated positioning system |
| JPH11504749A (ja) | 1996-02-16 | 1999-04-27 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 共役ポリマーまたはオリゴマーのライトワンスリードメニー電気的記憶素子 |
| WO1997044780A1 (en) * | 1996-05-20 | 1997-11-27 | International Business Machines Corporation | Shape memory alloy recording medium, storage devices based thereon, and method for using these storage devices |
| US7102982B1 (en) * | 1997-05-30 | 2006-09-05 | International Business Machines Corporation | Storage apparatus and method utilizing a charge storage layer having discrete conductive charge-storing elements |
| JPH1183870A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-26 | Canon Inc | 微細加工方法 |
| US6787768B1 (en) | 2001-03-08 | 2004-09-07 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for tool and tip design for nanomachining and measurement |
| US6923044B1 (en) | 2001-03-08 | 2005-08-02 | General Nanotechnology Llc | Active cantilever for nanomachining and metrology |
| US7196328B1 (en) | 2001-03-08 | 2007-03-27 | General Nanotechnology Llc | Nanomachining method and apparatus |
| US6802646B1 (en) * | 2001-04-30 | 2004-10-12 | General Nanotechnology Llc | Low-friction moving interfaces in micromachines and nanomachines |
| US6752008B1 (en) | 2001-03-08 | 2004-06-22 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for scanning in scanning probe microscopy and presenting results |
| US6160257A (en) * | 1998-07-06 | 2000-12-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Hybridized biological microbolometer |
| US6259096B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-07-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Guanine Cytosine (GC)-rich DNA/PNA microbolometer |
| US7260051B1 (en) * | 1998-12-18 | 2007-08-21 | Nanochip, Inc. | Molecular memory medium and molecular memory integrated circuit |
| EP1196939A4 (en) * | 1999-07-01 | 2002-09-18 | Gen Nanotechnology Llc | DEVICE AND METHOD FOR EXAMINING AND / OR CHANGING OBJECT |
| JP3688530B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 記録媒体、記録装置および記録方法 |
| KR100331451B1 (ko) * | 2000-05-10 | 2002-04-09 | 윤종용 | 탄소 함유 물질을 이용한 재기록 가능한 데이타 스토리지및 그 기록/재생 방법 |
| US6931710B2 (en) * | 2001-01-30 | 2005-08-23 | General Nanotechnology Llc | Manufacturing of micro-objects such as miniature diamond tool tips |
| US7253407B1 (en) | 2001-03-08 | 2007-08-07 | General Nanotechnology Llc | Active cantilever for nanomachining and metrology |
| US20020138301A1 (en) * | 2001-03-22 | 2002-09-26 | Thanos Karras | Integration of a portal into an application service provider data archive and/or web based viewer |
| US7053369B1 (en) | 2001-10-19 | 2006-05-30 | Rave Llc | Scan data collection for better overall data accuracy |
| US6813937B2 (en) | 2001-11-28 | 2004-11-09 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for micromachines, microstructures, nanomachines and nanostructures |
| JP2003317237A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Tdk Corp | 光記録媒体判別装置及び光記録媒体判別方法 |
| JP2003317238A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Tdk Corp | 光記録媒体判別装置及び光記録媒体判別方法 |
| JP2003317240A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Tdk Corp | 光記録媒体判別装置及び光記録媒体判別方法 |
| JP2005538855A (ja) | 2002-09-09 | 2005-12-22 | ジェネラル ナノテクノロジー エルエルシー | 走査型プローブ顕微鏡の流体送達 |
| US6985377B2 (en) * | 2002-10-15 | 2006-01-10 | Nanochip, Inc. | Phase change media for high density data storage |
| US20040150472A1 (en) * | 2002-10-15 | 2004-08-05 | Rust Thomas F. | Fault tolerant micro-electro mechanical actuators |
| US7233517B2 (en) * | 2002-10-15 | 2007-06-19 | Nanochip, Inc. | Atomic probes and media for high density data storage |
| US6982898B2 (en) * | 2002-10-15 | 2006-01-03 | Nanochip, Inc. | Molecular memory integrated circuit utilizing non-vibrating cantilevers |
| US20050243592A1 (en) * | 2004-04-16 | 2005-11-03 | Rust Thomas F | High density data storage device having eraseable bit cells |
| US20050243660A1 (en) * | 2004-04-16 | 2005-11-03 | Rust Thomas F | Methods for erasing bit cells in a high density data storage device |
| US7379412B2 (en) | 2004-04-16 | 2008-05-27 | Nanochip, Inc. | Methods for writing and reading highly resolved domains for high density data storage |
| US7301887B2 (en) * | 2004-04-16 | 2007-11-27 | Nanochip, Inc. | Methods for erasing bit cells in a high density data storage device |
| US20050232061A1 (en) * | 2004-04-16 | 2005-10-20 | Rust Thomas F | Systems for writing and reading highly resolved domains for high density data storage |
| US7190048B2 (en) * | 2004-07-19 | 2007-03-13 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory device and method of fabrication |
| KR101067582B1 (ko) * | 2005-01-20 | 2011-09-27 | 삼성전자주식회사 | 메모리 소자의 다중 상태 구동 방법 |
| WO2006085634A1 (en) * | 2005-02-10 | 2006-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| CN100546034C (zh) | 2005-02-10 | 2009-09-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
| TWI395321B (zh) * | 2005-03-31 | 2013-05-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其驅動方法 |
| US7791066B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof and method for writing memory element |
| US7700984B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device including memory cell |
| US7367119B2 (en) * | 2005-06-24 | 2008-05-06 | Nanochip, Inc. | Method for forming a reinforced tip for a probe storage device |
| US20060291271A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Nanochip, Inc. | High density data storage devices having servo indicia formed in a patterned media |
| US7463573B2 (en) * | 2005-06-24 | 2008-12-09 | Nanochip, Inc. | Patterned media for a high density data storage device |
| US20070008867A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-11 | Nanochip, Inc. | High density data storage devices with a lubricant layer comprised of a field of polymer chains |
| US20070008865A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-11 | Nanochip, Inc. | High density data storage devices with polarity-dependent memory switching media |
| US20070008866A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-11 | Nanochip, Inc. | Methods for writing and reading in a polarity-dependent memory switch media |
| US7309630B2 (en) * | 2005-07-08 | 2007-12-18 | Nanochip, Inc. | Method for forming patterned media for a high density data storage device |
| US7605410B2 (en) * | 2006-02-23 | 2009-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US20080001075A1 (en) * | 2006-06-15 | 2008-01-03 | Nanochip, Inc. | Memory stage for a probe storage device |
| US7495947B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-02-24 | Sandisk 3D Llc | Reverse bias trim operations in non-volatile memory |
| US7499355B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-03-03 | Sandisk 3D Llc | High bandwidth one time field-programmable memory |
| US7522448B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-04-21 | Sandisk 3D Llc | Controlled pulse operations in non-volatile memory |
| US7499304B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-03-03 | Sandisk 3D Llc | Systems for high bandwidth one time field-programmable memory |
| US7719874B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-05-18 | Sandisk 3D Llc | Systems for controlled pulse operations in non-volatile memory |
| US7492630B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-02-17 | Sandisk 3D Llc | Systems for reverse bias trim operations in non-volatile memory |
| SG175569A1 (en) * | 2006-10-04 | 2011-11-28 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7782651B2 (en) | 2006-10-24 | 2010-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including storage device and method for driving the same |
| KR101416876B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2014-07-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법 |
| US20080175033A1 (en) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Nanochip, Inc. | Method and system for improving domain stability in a ferroelectric media |
| US20080174918A1 (en) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Nanochip, Inc. | Method and system for writing and reading a charge-trap media with a probe tip |
| US7994607B2 (en) * | 2007-02-02 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP5525694B2 (ja) | 2007-03-14 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| US20080233672A1 (en) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Nanochip, Inc. | Method of integrating mems structures and cmos structures using oxide fusion bonding |
| FR2923320B1 (fr) * | 2007-11-06 | 2011-04-22 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement ferroelectrique, son procede de fabrication et systeme d'enregistrement par micro-pointes l'incorporant |
| US20090129246A1 (en) * | 2007-11-21 | 2009-05-21 | Nanochip, Inc. | Environmental management of a probe storage device |
| US20090294028A1 (en) * | 2008-06-03 | 2009-12-03 | Nanochip, Inc. | Process for fabricating high density storage device with high-temperature media |
| US20100039729A1 (en) * | 2008-08-14 | 2010-02-18 | Nanochip, Inc. | Package with integrated magnets for electromagnetically-actuated probe-storage device |
| US20100039919A1 (en) * | 2008-08-15 | 2010-02-18 | Nanochip, Inc. | Cantilever Structure for Use in Seek-and-Scan Probe Storage |
| WO2016189451A1 (en) * | 2015-05-22 | 2016-12-01 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Multilayer mems cantilevers |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0291836A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Canon Inc | 記録・再生装置及び方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3833894A (en) * | 1973-06-20 | 1974-09-03 | Ibm | Organic memory device |
| GB2150946B (en) * | 1983-11-05 | 1987-08-19 | Canon Kk | Magneto-optical recording medium |
| ATE172047T1 (de) * | 1986-07-08 | 1998-10-15 | Canon Kk | Magnetoptisches aufzeichnungsmedium mit der möglichkeit des überschreibens mit zwei oder mehr magnetschichten und dieses medium verwendende aufzeichnungsmethode |
| JPS6346639A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-02-27 | Sony Corp | 焦電体記録再生方式 |
| DE3638838A1 (de) * | 1986-11-13 | 1988-05-19 | Nicolas Schnur | Aufzeichnungstraeger und verfahren zum schreiben, lesen und loeschen einer information in diesem traeger |
| US4972402A (en) * | 1986-11-20 | 1990-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical card |
| DE3789373T2 (de) * | 1986-12-24 | 1994-06-23 | Canon Kk | Aufnahmegerät und Wiedergabegerät. |
| JP2556491B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1996-11-20 | キヤノン株式会社 | 記録装置及び記録法 |
| ATE99445T1 (de) * | 1987-07-31 | 1994-01-15 | Canon Kk | Aufnahmegeraet und wiedergabegeraet. |
| JP2851855B2 (ja) * | 1988-08-12 | 1999-01-27 | キヤノン株式会社 | 記録再生装置 |
| DE68919481T2 (de) * | 1988-01-24 | 1995-04-06 | Victor Company Of Japan | Bildaufnahmegerät. |
| EP0363147B1 (en) * | 1988-10-04 | 1996-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording and reproducing apparatus and recording and reproducing method and recording medium for the recording and reproducing method |
| US5235542A (en) * | 1989-04-03 | 1993-08-10 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus for converting optical information into electrical information signal, information storage element and method for storing information in the information storage element |
| US5053994A (en) * | 1989-07-31 | 1991-10-01 | Radiant Corporation | Method and apparatus for applying a potential difference across a selected region of a substrate |
| CA2022929C (en) * | 1989-08-10 | 1995-02-07 | Hisaaki Kawade | Organic recording medium with electrodes |
| US5161147A (en) * | 1989-08-30 | 1992-11-03 | Hoechst Celanese Corp. | High speed information system utilizing scanning tunneling microscopy in conjunction with a modulated light source |
| DE69127381T2 (de) * | 1990-01-19 | 1998-01-22 | Canon Kk | Informationsverarbeitungssystem und Informationsverarbeitungsmethode |
| JP2744338B2 (ja) * | 1990-08-01 | 1998-04-28 | キヤノン株式会社 | 情報読取り及び／又は入力を行なう装置及び方法 |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP3175856A patent/JP2794348B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-06-18 US US07/900,313 patent/US5389475A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-06-19 DE DE69225530T patent/DE69225530T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-06-19 CA CA002071726A patent/CA2071726C/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-06-19 AT AT92305665T patent/ATE166483T1/de not_active IP Right Cessation
- 1992-06-19 EP EP92305665A patent/EP0519745B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0291836A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Canon Inc | 記録・再生装置及び方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09511863A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-11-25 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | ローカル・プローブ・アレイの大容量記憶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69225530D1 (de) | 1998-06-25 |
| ATE166483T1 (de) | 1998-06-15 |
| EP0519745A2 (en) | 1992-12-23 |
| JP2794348B2 (ja) | 1998-09-03 |
| US5389475A (en) | 1995-02-14 |
| EP0519745B1 (en) | 1998-05-20 |
| CA2071726C (en) | 1998-02-10 |
| DE69225530T2 (de) | 1998-10-15 |
| CA2071726A1 (en) | 1992-12-22 |
| EP0519745A3 (en) | 1994-08-24 |
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