JP2744338B2 - 情報読取り及び／又は入力を行なう装置及び方法 - Google Patents
情報読取り及び／又は入力を行なう装置及び方法Info
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- G—PHYSICS
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- G11B11/002—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by perturbation of the physical or electrical structure
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- G11B19/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
- G11B19/04—Arrangements for preventing, inhibiting, or warning against double recording on the same blank or against other recording or reproducing malfunctions
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- G—PHYSICS
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- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/50—Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、情報読取り及び／又は入力を行なう装置及
び方法、特に情報読取り又は入力時に記録媒体に電圧を
印加する事によって読取り又は入力を行なう装置及び方
法に関する。
び方法、特に情報読取り又は入力時に記録媒体に電圧を
印加する事によって読取り又は入力を行なう装置及び方
法に関する。
本発明は特に走査型トンネル顕微鏡（STM）の原理を
応用した記録再生装置に好適に用いられる。
応用した記録再生装置に好適に用いられる。
近年メモリ材料の用途は、コンピユータおよびその関
連機器、ビデオデイスク、デイジタルオーデイオデイス
ク等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、
その材料開発も極めて活発に進んでいる。メモリ材料に
要求される性能は用途により異なるが、一般的には 高密度で記録容量が大きい 記録再生の応答速度が速い 消費電力が少ない 生産性が高く価格が安い 等が挙げられる。
連機器、ビデオデイスク、デイジタルオーデイオデイス
ク等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、
その材料開発も極めて活発に進んでいる。メモリ材料に
要求される性能は用途により異なるが、一般的には 高密度で記録容量が大きい 記録再生の応答速度が速い 消費電力が少ない 生産性が高く価格が安い 等が挙げられる。
従来までは磁性体や半導体を素材とした半導体メモリ
や磁気メモリが主であったが、近年レーザー技術の進展
に伴い有機色素、フオトポリマーなどの有機薄膜を用い
た光メモリによる安価で高密度な記録媒体が登場してき
た。
や磁気メモリが主であったが、近年レーザー技術の進展
に伴い有機色素、フオトポリマーなどの有機薄膜を用い
た光メモリによる安価で高密度な記録媒体が登場してき
た。
一方、最近、導体の表面原子の電子構造を直接観察で
きる走査型トンネル顕微鏡（以後STMと略す）が開発さ
れ［G.Binnig et al.,Helvetica Physica Acta,55,726
（1982）］、単結晶、非晶質を問わず実空間像の高い分
解能の測定ができるようになり、しかも媒体に電流によ
る損傷を与えずに低電力で観測できる利点をも有し、さ
らに大気中でも動作し種々の材料に対して用いることが
できるため広範囲な応用が期待されている。
きる走査型トンネル顕微鏡（以後STMと略す）が開発さ
れ［G.Binnig et al.,Helvetica Physica Acta,55,726
（1982）］、単結晶、非晶質を問わず実空間像の高い分
解能の測定ができるようになり、しかも媒体に電流によ
る損傷を与えずに低電力で観測できる利点をも有し、さ
らに大気中でも動作し種々の材料に対して用いることが
できるため広範囲な応用が期待されている。
STMは金属の探針（プローブ電極）と導電性物質の間
に電圧を加えて1nm程度の距離まで近づけるとトンネル
電流が流れることを利用している。この電流は両者の距
離変化に非常に敏感であり、トンネル電流を一定に保つ
ように探針を走査することにより実空間の表面構造を描
くことができると同時に表面原子の全電子雲に関する種
々の情報をも読み取ることができる。この際、面内方向
の分解能は１Å程度である。従って、STMの原理を応用
すれば十分に原子オーダー（数Å）での高密度記録再生
を行なうことが可能である。この際の記録再生方法とし
ては、粒子線（電子線、イオン線）或はＸ線等の高エネ
ルギー電磁波及び可視・紫外光等のエネルギー線を用い
て適当な記録層の表面状態を変化させて記録を行ない、
STMで再生する方法や、記録層として電圧電流のスイツ
チング特性に対してメモリ効果をもつ材料、例えばπ電
子系有機化合物やカルコゲン化物類の薄膜層を用いて、
記録・再生をSTMを用いて行なう方法等が提案されてい
る。
に電圧を加えて1nm程度の距離まで近づけるとトンネル
電流が流れることを利用している。この電流は両者の距
離変化に非常に敏感であり、トンネル電流を一定に保つ
ように探針を走査することにより実空間の表面構造を描
くことができると同時に表面原子の全電子雲に関する種
々の情報をも読み取ることができる。この際、面内方向
の分解能は１Å程度である。従って、STMの原理を応用
すれば十分に原子オーダー（数Å）での高密度記録再生
を行なうことが可能である。この際の記録再生方法とし
ては、粒子線（電子線、イオン線）或はＸ線等の高エネ
ルギー電磁波及び可視・紫外光等のエネルギー線を用い
て適当な記録層の表面状態を変化させて記録を行ない、
STMで再生する方法や、記録層として電圧電流のスイツ
チング特性に対してメモリ効果をもつ材料、例えばπ電
子系有機化合物やカルコゲン化物類の薄膜層を用いて、
記録・再生をSTMを用いて行なう方法等が提案されてい
る。
しかしながら、従来のSTMの原理を用いた方法では、
記録時又は再生時に、探針から媒体に対して一定方向の
電圧を断続、あるいは連続して印加しつづける為に、例
えば媒体が導電性を持たない、有機薄膜等を有している
場合には、それにより媒体表面に電荷が蓄積され、この
電荷によって媒体表面に浮遊分子が吸着したり有機薄膜
等が劣化、変質する原因になる可能性がある。
記録時又は再生時に、探針から媒体に対して一定方向の
電圧を断続、あるいは連続して印加しつづける為に、例
えば媒体が導電性を持たない、有機薄膜等を有している
場合には、それにより媒体表面に電荷が蓄積され、この
電荷によって媒体表面に浮遊分子が吸着したり有機薄膜
等が劣化、変質する原因になる可能性がある。
特にSTMの原理を用いた記録再生方法では、従来とは
ケタはずれにせまい分子オーダーでの領域における記録
・再生を行なうために通常のフロツピーデイスク型磁気
あるいは光磁気記録再生装置等では問題とならない程度
の記録媒体表面への分子吸着や非常にわずかな膜質の劣
化や変質でも、書き込みの失敗や読み取りエラーの原因
となりうる。
ケタはずれにせまい分子オーダーでの領域における記録
・再生を行なうために通常のフロツピーデイスク型磁気
あるいは光磁気記録再生装置等では問題とならない程度
の記録媒体表面への分子吸着や非常にわずかな膜質の劣
化や変質でも、書き込みの失敗や読み取りエラーの原因
となりうる。
本願発明者は情報入力時に電圧を印加する事によって
媒体自身の特性ないし形状が変化する効果、或は情報読
出し時に電圧印加によって前記特性ないし形状の変化を
検出できる効果（本明細書ではこれらを電気メモリー効
果と称する）を有する媒体に電圧印加によって電気メモ
リ効果をおこして記録を行なう場合、あるいはこの電気
メモリ効果によって行なわれた記録情報を電圧印加によ
って再生する場合、本来これらの記録再生には全く関係
のないこの様な電荷が発生し、これが記録再生に上述の
悪影響を及ぼす可能性がある事を発見した。
媒体自身の特性ないし形状が変化する効果、或は情報読
出し時に電圧印加によって前記特性ないし形状の変化を
検出できる効果（本明細書ではこれらを電気メモリー効
果と称する）を有する媒体に電圧印加によって電気メモ
リ効果をおこして記録を行なう場合、あるいはこの電気
メモリ効果によって行なわれた記録情報を電圧印加によ
って再生する場合、本来これらの記録再生には全く関係
のないこの様な電荷が発生し、これが記録再生に上述の
悪影響を及ぼす可能性がある事を発見した。
本発明は前述従来例の欠点に鑑み、この様な電気メモ
リー効果を有する媒体に電圧印加によって情報の読取り
又は入力を行なう装置において、分子吸着、媒体劣化、
変質等を防止して読取り入力エラーを防ぐ事を可能にす
る事を目的としている。
リー効果を有する媒体に電圧印加によって情報の読取り
又は入力を行なう装置において、分子吸着、媒体劣化、
変質等を防止して読取り入力エラーを防ぐ事を可能にす
る事を目的としている。
上述目的達成する為、本発明は、電気メモリー効果を
有する情報媒体上から情報を読取るため及び／又は情報
媒体上に情報を入力するためのプローブ電極と、該プロ
ーブ電極によって情報媒体上を走査すべく前記プローブ
電極と情報媒体とを相対移動させるための走査手段と、
前記走査手段による相対移動中の前記プローブ電極と情
報媒体との間に情報の読取り及び／又は入力を行なうべ
き電圧を印加する電圧印加手段と、前記情報媒体に除電
処理を行なう除電手段とを設けている。
有する情報媒体上から情報を読取るため及び／又は情報
媒体上に情報を入力するためのプローブ電極と、該プロ
ーブ電極によって情報媒体上を走査すべく前記プローブ
電極と情報媒体とを相対移動させるための走査手段と、
前記走査手段による相対移動中の前記プローブ電極と情
報媒体との間に情報の読取り及び／又は入力を行なうべ
き電圧を印加する電圧印加手段と、前記情報媒体に除電
処理を行なう除電手段とを設けている。
又、電気メモリー効果を有する情報媒体上から情報を
読取るため及び／又は情報媒体上に情報を入力するため
のプローブ電極によって情報媒体上を走査すべく前記プ
ローブ電極と情報媒体とを相対移動させる過程と、前記
相対移動中の前記プローブ電極と情報媒体との間に情報
の読取り及び／又は入力を行なうべく電圧を印加する過
程と、前記情報媒体に除電処理を行なう過程とを有して
いる。
読取るため及び／又は情報媒体上に情報を入力するため
のプローブ電極によって情報媒体上を走査すべく前記プ
ローブ電極と情報媒体とを相対移動させる過程と、前記
相対移動中の前記プローブ電極と情報媒体との間に情報
の読取り及び／又は入力を行なうべく電圧を印加する過
程と、前記情報媒体に除電処理を行なう過程とを有して
いる。
第１図は、本発明の第１実施例の記録再生装置の構成
を示す図であり、第１図において、10はプローブ電極、
22は基板側電極、21は該プローブ電極10と基板側電極22
によって挾まれている電気メモリー効果を有する記録媒
体である。基板側電極22と記録媒体21とは基板23上に一
体的に形成される。15は該プローブ電極10と基板側電極
22間に電圧を印加する電圧印加手段であり、電圧VBを発
生する。17はプローブ電極10と記録媒体21間に流れる電
流を検知する電流検知手段、12はプローブ電極10をＺ方
向に微駆動する為のＺ方向微動制御機構、16は電流検知
手段17の測定値に基づいて、プローブ電極10と記録媒体
21間の距離（Ｚ方向）をＺ方向微動制御機構12を用いて
制御するためのサーボ回路であり、サーボ回路16、電流
検知手段17、Ｚ方向微動制御機構12はプローブ電極10と
記録媒体21間の距離を制御する間隔制御手段の一部をな
す。電流検出手段17中で、201はプローブ電極10と基板
側電極22間の抵抗に比べて十分小さな内部抵抗γを有す
る初段の電流−電圧変換回路であり、検出した電流値を
対応した、十分大きな電圧信号に変換して、出力する。
また、202は電流−電圧変換回路201から受け取った正負
の付合を有する電流（JT）情報を含む電圧信号を該JTの
絶対値の対数値となるようにlog|JT|に対応した信号に
変換する変換回路であり、これからの出力の差分器203
に伝えられる。差分器203は、プローブ電極10と記録媒
体21の間隔を所定の値にすべく設定されたトンネル電流
の設定値の対数に対応した信号206とlog|JT|に対応した
信号の差分を出力し、この差分信号は周波数フイルター
204に伝えられ、ここで記録情報に対応した高周波信号
をカツトする。205はフイルター204を通過した信号を増
幅する増幅回路である。増幅回路205を通過した信号
は、プローブ電極10と記録媒体21の平均間隔（記録情報
ビツトよりも充分大きな範囲内での平均間隔）情報信号
となり、一旦マイクロコンピユータ19に送られた後、こ
の信号に基づいてマイクロコンピユータ19からサーボ回
路16へプローブ電極10と記録媒体21の平均間隔を一定に
すべく指令信号が送られる。
を示す図であり、第１図において、10はプローブ電極、
22は基板側電極、21は該プローブ電極10と基板側電極22
によって挾まれている電気メモリー効果を有する記録媒
体である。基板側電極22と記録媒体21とは基板23上に一
体的に形成される。15は該プローブ電極10と基板側電極
22間に電圧を印加する電圧印加手段であり、電圧VBを発
生する。17はプローブ電極10と記録媒体21間に流れる電
流を検知する電流検知手段、12はプローブ電極10をＺ方
向に微駆動する為のＺ方向微動制御機構、16は電流検知
手段17の測定値に基づいて、プローブ電極10と記録媒体
21間の距離（Ｚ方向）をＺ方向微動制御機構12を用いて
制御するためのサーボ回路であり、サーボ回路16、電流
検知手段17、Ｚ方向微動制御機構12はプローブ電極10と
記録媒体21間の距離を制御する間隔制御手段の一部をな
す。電流検出手段17中で、201はプローブ電極10と基板
側電極22間の抵抗に比べて十分小さな内部抵抗γを有す
る初段の電流−電圧変換回路であり、検出した電流値を
対応した、十分大きな電圧信号に変換して、出力する。
また、202は電流−電圧変換回路201から受け取った正負
の付合を有する電流（JT）情報を含む電圧信号を該JTの
絶対値の対数値となるようにlog|JT|に対応した信号に
変換する変換回路であり、これからの出力の差分器203
に伝えられる。差分器203は、プローブ電極10と記録媒
体21の間隔を所定の値にすべく設定されたトンネル電流
の設定値の対数に対応した信号206とlog|JT|に対応した
信号の差分を出力し、この差分信号は周波数フイルター
204に伝えられ、ここで記録情報に対応した高周波信号
をカツトする。205はフイルター204を通過した信号を増
幅する増幅回路である。増幅回路205を通過した信号
は、プローブ電極10と記録媒体21の平均間隔（記録情報
ビツトよりも充分大きな範囲内での平均間隔）情報信号
となり、一旦マイクロコンピユータ19に送られた後、こ
の信号に基づいてマイクロコンピユータ19からサーボ回
路16へプローブ電極10と記録媒体21の平均間隔を一定に
すべく指令信号が送られる。
又変換回路202の出力の１部は、記録情報に対応した
高周波信号を通過させ、かつプローブ電極10と記録媒体
21の平均間隔情報に対応する様な低周波の信号をカツト
する周波数フイルタ207を介して直接マイクロコンピユ
ータ19へ送られる。情報再生時には、この信号が記録情
報信号となり、マイクロコンピユータ19で信号処理され
て再生が実行される。
高周波信号を通過させ、かつプローブ電極10と記録媒体
21の平均間隔情報に対応する様な低周波の信号をカツト
する周波数フイルタ207を介して直接マイクロコンピユ
ータ19へ送られる。情報再生時には、この信号が記録情
報信号となり、マイクロコンピユータ19で信号処理され
て再生が実行される。
11はプローブ電極10及び微動制御機構12をxy方向に微
駆動するXY方向微動制御機構であり、プローブ電極10を
記録媒体21の表面に沿って微動させる。13、14はxy方向
微動制御機構11にそれぞれｙ方向駆動制御電圧VY、ｘ方
向駆動制御電圧VXを印加するｙ軸方向走査駆動回路とｘ
軸方向走査駆動回路である。xy方向微動制御機構11は回
路13、14からそれぞれ印加される電圧値に応じてプロー
ブ電極10をｘ、ｙ方向に変位させる。24は基板23のXY方
向の粗動用のxyステージであり、25はxyステージ24をＺ
方向に粗動する為の粗動機構であり、18はマイクロコン
ピユータ19からの指令信号によりxyステージ24、粗動機
構25に制御信号を送る粗動駆動回路であり、26は支持台
である。
駆動するXY方向微動制御機構であり、プローブ電極10を
記録媒体21の表面に沿って微動させる。13、14はxy方向
微動制御機構11にそれぞれｙ方向駆動制御電圧VY、ｘ方
向駆動制御電圧VXを印加するｙ軸方向走査駆動回路とｘ
軸方向走査駆動回路である。xy方向微動制御機構11は回
路13、14からそれぞれ印加される電圧値に応じてプロー
ブ電極10をｘ、ｙ方向に変位させる。24は基板23のXY方
向の粗動用のxyステージであり、25はxyステージ24をＺ
方向に粗動する為の粗動機構であり、18はマイクロコン
ピユータ19からの指令信号によりxyステージ24、粗動機
構25に制御信号を送る粗動駆動回路であり、26は支持台
である。
以上の様な構成において記録及び再生がいかに行なわ
れるかについて説明する。
れるかについて説明する。
第２図は情報記録時におけるｘ及びｙ方向駆動制御電
圧VX、YYと電圧印加手段15による印加電圧VBの時間ｔ毎
の変化即ちマイクロコンピユータ19によって指令を受け
た回路13、14と手段15の出力状態と、その時の記録のさ
れ方を説明する為の図で、同図（ａ）上段は、プローブ
電極10を、記録媒体21の表面に沿って移動させるxy方向
微動制御機構11へのＹ軸方向の駆動制御電圧VYの時間毎
の波形を示し、同図（ａ）中段は、xy方向微動制御機構
11へのＸ軸方向の駆動制御電圧VXの時間毎の波形を示
し、同図（ａ）下段は、プローブ電極10と、基板側電極
22間に印加される電圧VBの時間毎の波形を示し、同図
（ａ）は、記録時の電圧印加のタイムチヤートをなし、
同図（ｂ）は同図（ａ）のタイムチヤートを例とする記
録媒体への情報の書き込まれ方を模式的に示したもので
ある。
圧VX、YYと電圧印加手段15による印加電圧VBの時間ｔ毎
の変化即ちマイクロコンピユータ19によって指令を受け
た回路13、14と手段15の出力状態と、その時の記録のさ
れ方を説明する為の図で、同図（ａ）上段は、プローブ
電極10を、記録媒体21の表面に沿って移動させるxy方向
微動制御機構11へのＹ軸方向の駆動制御電圧VYの時間毎
の波形を示し、同図（ａ）中段は、xy方向微動制御機構
11へのＸ軸方向の駆動制御電圧VXの時間毎の波形を示
し、同図（ａ）下段は、プローブ電極10と、基板側電極
22間に印加される電圧VBの時間毎の波形を示し、同図
（ａ）は、記録時の電圧印加のタイムチヤートをなし、
同図（ｂ）は同図（ａ）のタイムチヤートを例とする記
録媒体への情報の書き込まれ方を模式的に示したもので
ある。
電圧VXと電圧VYとを第２図（ａ）上段、中段に示した
様に与える事で、プローブ電極10の先端は第２図（ｂ）
で示した記録媒体21上の○印の位置を矢印に沿って順次
移動する。プローブ電極10の移動はほぼ瞬時に行なわ
れ、又○印の位置でプローブ電極10は一定期間停止す
る。第２図（ａ）下段においてこの一定期間を各○印位
置毎に31〜40で示し、又各○印位置の内、所定電圧を印
加して記録媒体21に変化（例えば特開昭63−161552号公
報に示される様なメモリースイツチング特性を示す記録
媒体におけるOFF状態からON状態への変化）をおこさせ
た位置を第２図（ｂ）では○印に斜線で示す。更に該変
化をおこさせる電圧を印加した期間を第２図（ａ）でon
と表示し、それ以外の期間をoffで表示した。以下、後
で説明する他の実施例もこれと同様にon、offで表示す
る。
様に与える事で、プローブ電極10の先端は第２図（ｂ）
で示した記録媒体21上の○印の位置を矢印に沿って順次
移動する。プローブ電極10の移動はほぼ瞬時に行なわ
れ、又○印の位置でプローブ電極10は一定期間停止す
る。第２図（ａ）下段においてこの一定期間を各○印位
置毎に31〜40で示し、又各○印位置の内、所定電圧を印
加して記録媒体21に変化（例えば特開昭63−161552号公
報に示される様なメモリースイツチング特性を示す記録
媒体におけるOFF状態からON状態への変化）をおこさせ
た位置を第２図（ｂ）では○印に斜線で示す。更に該変
化をおこさせる電圧を印加した期間を第２図（ａ）でon
と表示し、それ以外の期間をoffで表示した。以下、後
で説明する他の実施例もこれと同様にon、offで表示す
る。
第２図（ａ）下段において破線41は記録媒体21上の電
位レベル（ゼロレベルとする）、破線42は破線41で示し
た電位レベルにある記録媒体21に変化（ON状態への変
化）をおこさせる為の閾値電位をそれぞれ示す。本実施
例では各記録ビツト位置それぞれ、即ち各期間31〜40そ
れぞれにおいて記録媒体への印加電圧（媒体21とプロー
ブ電極10間の電圧）VBの時間積分値［∫VB（ｔ）dt］が
略ゼロである。即ちVBの各期間毎の平均値が略ゼロにな
っている。具体的には、offで示した媒体変化電圧非印
加時には、各期間の半分の時点で印加電圧VBの絶対値を
等しくして正負を反転させてやる。この時の印加電圧VB
の絶対値は、前述したプローブ電極10と記録媒体21との
間の距離を制御する間隔制御手段で両者の平均的間隔を
一定に制御する為にトンネル電流JTを検出するのに適し
た値にする。この値は媒体21に変化をおこす（ON状態に
変化する）閾値より小さくしておく。印加電圧VBの符号
が変化しても絶対値が等しければ前述変換回路202から
の出力は実質的に変化がなく、この期間を通して前述平
均間隔制御は電圧VBの符号変化の影響をほとんど受けず
に実行される。又onで示した媒体変化電圧印加時には、
offで示した期間中と電圧VBの絶対値が等しい状態を期
間内の大部分の間維持し、最後の短期間だけ電圧VBの符
号を反転しかつ電圧VBの値が前述閾値を超える様にす
る。この時［∫VB（ｔ）dt］０となる様に電圧値を調
整する。閾値を超える様な大電圧を印加すると、この間
トンネル電流JTの値が増大するが、この変化は充分短期
間なので、このトンネル電流JT値変化によって前述間隔
制御手段がプローブ電極10のＺ方向位置を変化させる事
は実質的にないと考え得る。即ち媒体変化電圧印加時
も、前述平均間隔制御は大電圧印加の影響をほとんど受
けずに連続して実行される。
位レベル（ゼロレベルとする）、破線42は破線41で示し
た電位レベルにある記録媒体21に変化（ON状態への変
化）をおこさせる為の閾値電位をそれぞれ示す。本実施
例では各記録ビツト位置それぞれ、即ち各期間31〜40そ
れぞれにおいて記録媒体への印加電圧（媒体21とプロー
ブ電極10間の電圧）VBの時間積分値［∫VB（ｔ）dt］が
略ゼロである。即ちVBの各期間毎の平均値が略ゼロにな
っている。具体的には、offで示した媒体変化電圧非印
加時には、各期間の半分の時点で印加電圧VBの絶対値を
等しくして正負を反転させてやる。この時の印加電圧VB
の絶対値は、前述したプローブ電極10と記録媒体21との
間の距離を制御する間隔制御手段で両者の平均的間隔を
一定に制御する為にトンネル電流JTを検出するのに適し
た値にする。この値は媒体21に変化をおこす（ON状態に
変化する）閾値より小さくしておく。印加電圧VBの符号
が変化しても絶対値が等しければ前述変換回路202から
の出力は実質的に変化がなく、この期間を通して前述平
均間隔制御は電圧VBの符号変化の影響をほとんど受けず
に実行される。又onで示した媒体変化電圧印加時には、
offで示した期間中と電圧VBの絶対値が等しい状態を期
間内の大部分の間維持し、最後の短期間だけ電圧VBの符
号を反転しかつ電圧VBの値が前述閾値を超える様にす
る。この時［∫VB（ｔ）dt］０となる様に電圧値を調
整する。閾値を超える様な大電圧を印加すると、この間
トンネル電流JTの値が増大するが、この変化は充分短期
間なので、このトンネル電流JT値変化によって前述間隔
制御手段がプローブ電極10のＺ方向位置を変化させる事
は実質的にないと考え得る。即ち媒体変化電圧印加時
も、前述平均間隔制御は大電圧印加の影響をほとんど受
けずに連続して実行される。
この様に媒体変化（ON状態への変化）をおこすおこさ
ないにかかわらず、すべての記録ビツト位置（○印位
置）各々において印加電圧VBの時間積分値を略ゼロにす
る事で各記録位置を中心とした微小領域では１方向に印
加された電圧によって１度蓄積された電荷が逆方向に印
加された電圧によって放散し、最終的にほぼ記録前の電
位状態にもどる（除電される）。従って記録した領域全
域にわたり記録媒体上の電位状態は実質的に変化しな
い。なお閾値を超える電圧の設定は各期間内の最後でな
く、最初であっても良い。
ないにかかわらず、すべての記録ビツト位置（○印位
置）各々において印加電圧VBの時間積分値を略ゼロにす
る事で各記録位置を中心とした微小領域では１方向に印
加された電圧によって１度蓄積された電荷が逆方向に印
加された電圧によって放散し、最終的にほぼ記録前の電
位状態にもどる（除電される）。従って記録した領域全
域にわたり記録媒体上の電位状態は実質的に変化しな
い。なお閾値を超える電圧の設定は各期間内の最後でな
く、最初であっても良い。
特に、実施例１は第１図（ａ）下段に示す如くプロー
ブ電極10を記録媒体21の表面に沿って移動させる手段11
により選択される区間、即ち各記録ビツト位置を中心と
した微小領域において前記プローブ電極10と基板側電極
22間に印加されるoffで表示した期間の印加電圧波形が
点対称性を有している。offで表示した期間と対応した
印加電圧波形として点対称性を有する波形を用いること
により、この期間内での［∫VB（ｔ）dt］０が容易に
行なえるだけでなく、点対称のパルスとすることで媒体
変化をおこさない領域内で部分的に極端に強い電圧が印
加されることが避けられる。
ブ電極10を記録媒体21の表面に沿って移動させる手段11
により選択される区間、即ち各記録ビツト位置を中心と
した微小領域において前記プローブ電極10と基板側電極
22間に印加されるoffで表示した期間の印加電圧波形が
点対称性を有している。offで表示した期間と対応した
印加電圧波形として点対称性を有する波形を用いること
により、この期間内での［∫VB（ｔ）dt］０が容易に
行なえるだけでなく、点対称のパルスとすることで媒体
変化をおこさない領域内で部分的に極端に強い電圧が印
加されることが避けられる。
また、特に、実施例１は、onで示した期間の印加電圧
波形において第１図（ａ）下段に示す如く、プローブ電
極10を記録媒体21の表面に沿って移動させる手段11によ
り選択される区間、即ち各記録ビツト位置を中心とした
微小領域において前記プローブ電極10と基板側電極22間
に印加される電圧の波形が区間内のどの点に対しても非
対称性を有している。
波形において第１図（ａ）下段に示す如く、プローブ電
極10を記録媒体21の表面に沿って移動させる手段11によ
り選択される区間、即ち各記録ビツト位置を中心とした
微小領域において前記プローブ電極10と基板側電極22間
に印加される電圧の波形が区間内のどの点に対しても非
対称性を有している。
onで示した期間と対応した印加電圧波形として、どの
点に対しても非対称性を有する波形を用いることによ
り、この期間内での［∫VB（ｔ）dt］０の条件下で部
分的に極端に強い電圧を印加することが容易となり、媒
体変化（on状態への変化）を起こさせる事を従来よりも
確実に行なうことが可能となる。
点に対しても非対称性を有する波形を用いることによ
り、この期間内での［∫VB（ｔ）dt］０の条件下で部
分的に極端に強い電圧を印加することが容易となり、媒
体変化（on状態への変化）を起こさせる事を従来よりも
確実に行なうことが可能となる。
記録媒体21としては特開昭63−161552号公報に示され
る様なメモリースイツチング特性を有する有機薄膜が考
えられる。
る様なメモリースイツチング特性を有する有機薄膜が考
えられる。
ここで約3V以上の閾値印加電圧に対して、on状態とな
り、約3V以下の印加電圧に対して、on状態の変化が認め
られず、off状態を保持する記録媒体の例を考える。
り、約3V以下の印加電圧に対して、on状態の変化が認め
られず、off状態を保持する記録媒体の例を考える。
第２図（ａ）の期間31、33、34、36、39に示したon状
態に対応した印加電圧波形において、例えば各期間の前
部の正極性期間８ΔＴ（ただしΔＴは１期間内の1/10の
時間）の印加電圧VBを＋1V、後部の負極性期間２ΔＴの
印加電圧VBを−4Vとすることにより８ΔＴ×1V＋２ΔＴ
×（−４）Ｖ＝０となり、各記録ビツトを中心とした微
小領域における印加電圧の時間積分値を０とした状態で
媒体21へのon状態に対応した電圧印加が実現される。
態に対応した印加電圧波形において、例えば各期間の前
部の正極性期間８ΔＴ（ただしΔＴは１期間内の1/10の
時間）の印加電圧VBを＋1V、後部の負極性期間２ΔＴの
印加電圧VBを−4Vとすることにより８ΔＴ×1V＋２ΔＴ
×（−４）Ｖ＝０となり、各記録ビツトを中心とした微
小領域における印加電圧の時間積分値を０とした状態で
媒体21へのon状態に対応した電圧印加が実現される。
また第２図（ａ）の期間32、35、37、38、40に示した
off状態に対応した印加電圧波形において、例えば各期
間の前部の正極性期間５ΔＴの印加電圧VBを＋1V、後部
の負極性期間５ΔＴの印加電圧VBを−Ｖとすることによ
り、５ΔＴ×1V＋５ΔＴ×（−１）Ｖ＝０となり、各記
録ビツトを中心とした微小領域における印加電圧の時間
積分値を０とした状態で媒体21へのoff状態に対応した
電圧印加（ここでは特に、媒体の状態を変化させない電
圧印加）が実現される。
off状態に対応した印加電圧波形において、例えば各期
間の前部の正極性期間５ΔＴの印加電圧VBを＋1V、後部
の負極性期間５ΔＴの印加電圧VBを−Ｖとすることによ
り、５ΔＴ×1V＋５ΔＴ×（−１）Ｖ＝０となり、各記
録ビツトを中心とした微小領域における印加電圧の時間
積分値を０とした状態で媒体21へのoff状態に対応した
電圧印加（ここでは特に、媒体の状態を変化させない電
圧印加）が実現される。
次に情報再生について説明する。
第３図は、情報再生時におけるｘ及びｙ方向駆動制御
電圧VX、VYと電圧印加手段15による印加電圧VBの時間ｔ
毎の変化を説明する為の図で、本図は第２図（ａ）と同
様のタイムチヤートで示してある。プローブ電極10を含
むxy方向微動制御機構11部のｘ、ｙ方向駆動については
情報記録時と同様なので説明を省略する。
電圧VX、VYと電圧印加手段15による印加電圧VBの時間ｔ
毎の変化を説明する為の図で、本図は第２図（ａ）と同
様のタイムチヤートで示してある。プローブ電極10を含
むxy方向微動制御機構11部のｘ、ｙ方向駆動については
情報記録時と同様なので説明を省略する。
情報記録時と同様プローブ電極10の停止期間をそれぞ
れ131〜140で示す。再生時も各記録ビツト位置それぞれ
即ち各期間131〜140それぞれにおいて記録媒体への印加
電圧VBの時間積分値［∫VB（ｔ）dt］が略ゼロになって
いる。具体的には、各期間の半分の時点で印加電圧VBの
絶対値を等しくして正負を反転させてやる。この時の印
加電圧VBの絶対値は、前述したプローブ電極10と記録媒
体21との間の距離を制御する間隔制御手段で両者の平均
的間隔を一定に制御する為及び記録情報を再生する為に
トンネル電流JTを検出するのに適した値にする。この値
が媒体21に変化をおこす閾値より小さいのは言うまでも
ない。印加電圧VBの符号が変化しても絶対値が等しけれ
ば前述変換回路202からの出力は実質的に変化がなく、
この期間を通して前述平均間隔制御及び記録情報の再生
は電圧VBの符号変化の影響をほとんど受けずに実行され
る。
れ131〜140で示す。再生時も各記録ビツト位置それぞれ
即ち各期間131〜140それぞれにおいて記録媒体への印加
電圧VBの時間積分値［∫VB（ｔ）dt］が略ゼロになって
いる。具体的には、各期間の半分の時点で印加電圧VBの
絶対値を等しくして正負を反転させてやる。この時の印
加電圧VBの絶対値は、前述したプローブ電極10と記録媒
体21との間の距離を制御する間隔制御手段で両者の平均
的間隔を一定に制御する為及び記録情報を再生する為に
トンネル電流JTを検出するのに適した値にする。この値
が媒体21に変化をおこす閾値より小さいのは言うまでも
ない。印加電圧VBの符号が変化しても絶対値が等しけれ
ば前述変換回路202からの出力は実質的に変化がなく、
この期間を通して前述平均間隔制御及び記録情報の再生
は電圧VBの符号変化の影響をほとんど受けずに実行され
る。
情報再生動作は、くりかえし行なわれる為に印加電圧
による電荷が累積され、記録媒体表面への分子吸着や膜
質の劣化や変質が、情報記録時よりもいっそう発生しや
すく、各記録ビツト位置で［∫VB（ｔ）dt］＝０とする
効果は特に大きい。
による電荷が累積され、記録媒体表面への分子吸着や膜
質の劣化や変質が、情報記録時よりもいっそう発生しや
すく、各記録ビツト位置で［∫VB（ｔ）dt］＝０とする
効果は特に大きい。
また、各期間で印加電圧波形が点対称性を有すること
で部分的に極端に強い電圧が印加されることが避けられ
る点も、情報再生動作のくりかえし性のために特に効果
的である。
で部分的に極端に強い電圧が印加されることが避けられ
る点も、情報再生動作のくりかえし性のために特に効果
的である。
第４図は本発明の第２実施例の記録再生装置の情報記
録時の各電圧VX、VY、VBの時間ｔ毎の印加状態を示すタ
イムチヤートである。装置構成は第１図に示したものと
同様であり、情報再生時の各電圧VX、VY、VBの時間ｔ毎
の印加状態は第３図に示したものと同様であり、更にプ
ローブ電極10のxy方向駆動については第２図で説明した
ものと同様なので図面、説明は省略する。
録時の各電圧VX、VY、VBの時間ｔ毎の印加状態を示すタ
イムチヤートである。装置構成は第１図に示したものと
同様であり、情報再生時の各電圧VX、VY、VBの時間ｔ毎
の印加状態は第３図に示したものと同様であり、更にプ
ローブ電極10のxy方向駆動については第２図で説明した
ものと同様なので図面、説明は省略する。
本実施例では第４図下段で示すonの期間における前述
閾値を超える様な大電圧印加前あるいは後あるいは前後
（本図では前のみ示す）に、一旦逆符号のかつトンネル
電流JTを検出する為の電圧よりやや大きな電圧（ただし
閾値は超えない）のパルスを加えてやる（このパルス電
圧を以後補助パルスと呼ぶ）事を特徴としている。
閾値を超える様な大電圧印加前あるいは後あるいは前後
（本図では前のみ示す）に、一旦逆符号のかつトンネル
電流JTを検出する為の電圧よりやや大きな電圧（ただし
閾値は超えない）のパルスを加えてやる（このパルス電
圧を以後補助パルスと呼ぶ）事を特徴としている。
即ちここでは、特に図中onと表示した期間の印加電圧
波形において、閾値を超える電圧パルス（以下書き込み
パルスと呼ぶ）部51〜56の前部に61〜66で示した書き込
みパルスとは反対極性方向に電圧の絶対値が強められた
補助パルスを有する事を特徴とし、これによって、この
期間内における［∫VB（ｔ）dt］＝０の条件下で書き込
みパルス電圧の絶対値を大きくとることが容易となり、
媒体変化（on状態への変化）をいっとう確実に行なう事
が可能となる。補助パルスは充分短期間にして補助パル
ス印加時のトンネル電流JTの変化が前述間隔制御手段に
よるプローブ電極10、記録媒体21間平均間隔の一定化制
御に影響を与えない様にする。ただし前述間隔制御手段
がやや強めのフイードバツクを有していて書き込みパル
スや補助パルス印加時のトンネル電流JTの変化にプロー
ブ電極10が少し追従して動いてしまう場合、この補助パ
ルス61〜66を加える事により、書き込みパルス印加前に
プローブ電極10と記録媒体21との間隔が一旦大きくでき
る。この様に間隔をあらかじめ大きくしておけば書き込
みパルス印加時のトンネル電流JT変化を小さくでき、前
述間隔制御手段が不安定になるのを防ぐ効果がある。
波形において、閾値を超える電圧パルス（以下書き込み
パルスと呼ぶ）部51〜56の前部に61〜66で示した書き込
みパルスとは反対極性方向に電圧の絶対値が強められた
補助パルスを有する事を特徴とし、これによって、この
期間内における［∫VB（ｔ）dt］＝０の条件下で書き込
みパルス電圧の絶対値を大きくとることが容易となり、
媒体変化（on状態への変化）をいっとう確実に行なう事
が可能となる。補助パルスは充分短期間にして補助パル
ス印加時のトンネル電流JTの変化が前述間隔制御手段に
よるプローブ電極10、記録媒体21間平均間隔の一定化制
御に影響を与えない様にする。ただし前述間隔制御手段
がやや強めのフイードバツクを有していて書き込みパル
スや補助パルス印加時のトンネル電流JTの変化にプロー
ブ電極10が少し追従して動いてしまう場合、この補助パ
ルス61〜66を加える事により、書き込みパルス印加前に
プローブ電極10と記録媒体21との間隔が一旦大きくでき
る。この様に間隔をあらかじめ大きくしておけば書き込
みパルス印加時のトンネル電流JT変化を小さくでき、前
述間隔制御手段が不安定になるのを防ぐ効果がある。
また、特にこの第２実施例は、offで表示した期間に
対応した印加電圧波形において、VBの符号の入れ換わる
境界の前後において71〜74及び81〜84で示した点対称性
の比較的大きなパルス電圧（補助パルス）を有すること
を特徴としている。前述間隔制御手段がやや強めのフイ
ードバツクを有している場合にはonで示した期間の時と
同様、これによって、プローブ電極10を媒体表面に対し
てやや遠ざけた状態で電圧の極性を変化させる事ができ
る。記録媒体の材質によっては急激な印加電圧極性反転
によって変質等の悪影響が見られるものがあるが、この
様に間隔を一旦大きくしてから極性を反転させる事で、
記録媒体21内の電界が変化し、トンネル電流の非線形性
も手伝って記録媒体21内の電界を比較的おだやかに変化
させる効果がある。
対応した印加電圧波形において、VBの符号の入れ換わる
境界の前後において71〜74及び81〜84で示した点対称性
の比較的大きなパルス電圧（補助パルス）を有すること
を特徴としている。前述間隔制御手段がやや強めのフイ
ードバツクを有している場合にはonで示した期間の時と
同様、これによって、プローブ電極10を媒体表面に対し
てやや遠ざけた状態で電圧の極性を変化させる事ができ
る。記録媒体の材質によっては急激な印加電圧極性反転
によって変質等の悪影響が見られるものがあるが、この
様に間隔を一旦大きくしてから極性を反転させる事で、
記録媒体21内の電界が変化し、トンネル電流の非線形性
も手伝って記録媒体21内の電界を比較的おだやかに変化
させる効果がある。
第５図は本発明の第３実施例を示す図である。
本実施例は以下に述べる部分を除き第１実施例と同様
なので第２図（ａ）と同様のタイムチヤートでのみ示
す。特に第３実施例は、offで表示した期間に対応した
印加電圧波形において、第１実施例の様に印加電圧VBを
絶対値を等しくして正負を反転させる際に、この反転部
の前後で電圧VBが一定である少なくとも３つ以上の複数
期間を有し、該複数期間において相対電圧レベルが徐々
に減少または増加する部分を有する事を特徴とする。
なので第２図（ａ）と同様のタイムチヤートでのみ示
す。特に第３実施例は、offで表示した期間に対応した
印加電圧波形において、第１実施例の様に印加電圧VBを
絶対値を等しくして正負を反転させる際に、この反転部
の前後で電圧VBが一定である少なくとも３つ以上の複数
期間を有し、該複数期間において相対電圧レベルが徐々
に減少または増加する部分を有する事を特徴とする。
上述の如く相対電圧レベルを徐々に変化させることに
より、この期間内における［∫VB（ｔ）dt］０の条件
下でおだやかにVBの符号を変化させることが可能とな
り、印加電圧極性を急激に反転させた時に蓄積電荷によ
って発生する大きめの電流により、前述間隔制御手段の
制御が不安定となるのを防ぐと共に極性の急激な反転に
よる記録媒体の変質等をおさえることが可能となった。
より、この期間内における［∫VB（ｔ）dt］０の条件
下でおだやかにVBの符号を変化させることが可能とな
り、印加電圧極性を急激に反転させた時に蓄積電荷によ
って発生する大きめの電流により、前述間隔制御手段の
制御が不安定となるのを防ぐと共に極性の急激な反転に
よる記録媒体の変質等をおさえることが可能となった。
即ち、第３実施例は、offで表示した期間の印加電圧
波形においてVBの符号の入れ換わる境界の前後におい
て、|VB|を小さくする方向の補助パルスを有していると
言える。この補助パルスは前述間隔制御手段のフイード
バツクが弱い（ゲインが小さい）場合に有効である。
波形においてVBの符号の入れ換わる境界の前後におい
て、|VB|を小さくする方向の補助パルスを有していると
言える。この補助パルスは前述間隔制御手段のフイード
バツクが弱い（ゲインが小さい）場合に有効である。
また、第３実施例は、onで表示した期間の印加電圧波
形において、書き込みパルス部91〜96の後部に101〜106
で示した書き込みパルスとは反対極性方向に電圧の絶対
値が強められた補助パルスを有することを特徴とする。
これによって第２実施例の補助パルスと同様に、この期
間内における［∫VB（ｔ）dt］０の条件下で書き込み
パルス電圧の絶対値を大きくとることが容易となり、媒
体変化（on状態への変化）をいっそう確実に行うことが
可能となった。
形において、書き込みパルス部91〜96の後部に101〜106
で示した書き込みパルスとは反対極性方向に電圧の絶対
値が強められた補助パルスを有することを特徴とする。
これによって第２実施例の補助パルスと同様に、この期
間内における［∫VB（ｔ）dt］０の条件下で書き込み
パルス電圧の絶対値を大きくとることが容易となり、媒
体変化（on状態への変化）をいっそう確実に行うことが
可能となった。
第６図は本発明の第４実施例を示す図である。本実施
例も第１実施例とは以下述べる点を除き同様なので、第
３図と同様のタイムチヤートでのみ示す。第５実施例
は、情報記録、再生時に記録媒体21の表面に沿ってプロ
ーブ電極10を複数フレーム（第２図（ｂ）に示した○印
の横一列を１フレームとする）走査させる際、前記プロ
ーブ電極と基板側電極間に印加される電圧の前記複数フ
レーム走査における積算平均が略ゼロとなるように前記
プローブ電極と記録媒体間への印加電圧を設定すること
を特徴とする記録再生方式である。
例も第１実施例とは以下述べる点を除き同様なので、第
３図と同様のタイムチヤートでのみ示す。第５実施例
は、情報記録、再生時に記録媒体21の表面に沿ってプロ
ーブ電極10を複数フレーム（第２図（ｂ）に示した○印
の横一列を１フレームとする）走査させる際、前記プロ
ーブ電極と基板側電極間に印加される電圧の前記複数フ
レーム走査における積算平均が略ゼロとなるように前記
プローブ電極と記録媒体間への印加電圧を設定すること
を特徴とする記録再生方式である。
特にここでは、記録媒体の表面に沿ったプローブ電極
の偶数回、即ち2N回（Ｎは任意の自然数）のフレーム走
査である情報ブロツクの記録、再生を行なうこと、及び
前記偶数回（2N）フレーム走査のうちＮ回のフレーム走
査の時と残りのＮ回のフレーム走査の時で、プローブ電
極10と記録媒体21間への印加電圧を絶対値を等しくして
互いに電圧極性（正負）を入れ換える（この入れ換えは
例えば奇数回目と偶数回目とで行なう）ことによってブ
ロツク全体として印加電圧VBの時間積分値を略ゼロとす
ることを特徴とする。
の偶数回、即ち2N回（Ｎは任意の自然数）のフレーム走
査である情報ブロツクの記録、再生を行なうこと、及び
前記偶数回（2N）フレーム走査のうちＮ回のフレーム走
査の時と残りのＮ回のフレーム走査の時で、プローブ電
極10と記録媒体21間への印加電圧を絶対値を等しくして
互いに電圧極性（正負）を入れ換える（この入れ換えは
例えば奇数回目と偶数回目とで行なう）ことによってブ
ロツク全体として印加電圧VBの時間積分値を略ゼロとす
ることを特徴とする。
特にここでは２回のフレーム走査である情報ブロツク
の記録、再生を行なう事、及び前記２回のフレーム走査
中のプローブ電極と記録媒体間への印加電圧を、各回走
査毎に絶対値を等しくして互いに電圧極性を入れ換える
事によって２フレーム毎に印加電圧VBの時間積分値を略
ゼロとすることを特徴とする。
の記録、再生を行なう事、及び前記２回のフレーム走査
中のプローブ電極と記録媒体間への印加電圧を、各回走
査毎に絶対値を等しくして互いに電圧極性を入れ換える
事によって２フレーム毎に印加電圧VBの時間積分値を略
ゼロとすることを特徴とする。
第６図（ａ）は情報再生時の、第６図（ｂ）は情報記
録時のタイムチヤートである。
録時のタイムチヤートである。
第６図（ａ）、（ｂ）において、301は第１回目のフ
レーム走査期間を示し、302は第２回目のフレーム走査
期間を示す。また同図において、VY、VXは第２図（ａ）
に示したのと同様のプローブ電極を表面に沿って移動さ
せる手段11の駆動波形を示し、第１回目のフレーム走査
部と第２回目のフレーム走査部では、記録媒体上を同一
軌道を描いて逆向きに移動するように設定されている。
この時の記録、再生の行なわれ方、即ちプローブ電極10
の移動の仕方を第２図（ｂ）と同様の模式図で第６図
（ｃ）に示す。
レーム走査期間を示し、302は第２回目のフレーム走査
期間を示す。また同図において、VY、VXは第２図（ａ）
に示したのと同様のプローブ電極を表面に沿って移動さ
せる手段11の駆動波形を示し、第１回目のフレーム走査
部と第２回目のフレーム走査部では、記録媒体上を同一
軌道を描いて逆向きに移動するように設定されている。
この時の記録、再生の行なわれ方、即ちプローブ電極10
の移動の仕方を第２図（ｂ）と同様の模式図で第６図
（ｃ）に示す。
第６図（ａ）においてVBは第１回目のフレーム走査期
間がVB＝＋VB0（VB0は定数）であり、第２回目のフレー
ム走査期間がVB＝−VB0である。
間がVB＝＋VB0（VB0は定数）であり、第２回目のフレー
ム走査期間がVB＝−VB0である。
第６図（ｂ）において、電圧VBはフレーム走査期間30
1中のoffで示した期間中は、VBの値を、前述したプロー
ブ電極10と記録媒体21との間の距離を制御する間隔制御
手段で両者の平均的間隔を一定に制御する為にトンネル
電流JTを検出するのに適した値にする。この値は媒体21
に変化をおこす（ON状態に変化する）閾値より小さくし
ておく。
1中のoffで示した期間中は、VBの値を、前述したプロー
ブ電極10と記録媒体21との間の距離を制御する間隔制御
手段で両者の平均的間隔を一定に制御する為にトンネル
電流JTを検出するのに適した値にする。この値は媒体21
に変化をおこす（ON状態に変化する）閾値より小さくし
ておく。
又onで示した媒体変化電圧印加期間には、offで示し
た期間中と電圧VBの値が等しい状態を期間内の大部分の
間維持し、最後の短期間だけ電圧VBの値が前述閾値を超
える様にする。そして、第１回目の走査終了後のフレー
ム走査期間301では、フレーム走査期間301中の各位置に
おける電圧印加を、おのおのの印加電圧波形の極性を反
転させたのみで、同じ位置で同様に繰り返す。
た期間中と電圧VBの値が等しい状態を期間内の大部分の
間維持し、最後の短期間だけ電圧VBの値が前述閾値を超
える様にする。そして、第１回目の走査終了後のフレー
ム走査期間301では、フレーム走査期間301中の各位置に
おける電圧印加を、おのおのの印加電圧波形の極性を反
転させたのみで、同じ位置で同様に繰り返す。
第４実施例では、複数フレーム走査における積算平均
が各位置で略ゼロとなるように前記プローブ電極と記録
媒体間への印加電圧を設定することによって、記録媒体
表面に表面電荷が蓄積されることを防止している。
が各位置で略ゼロとなるように前記プローブ電極と記録
媒体間への印加電圧を設定することによって、記録媒体
表面に表面電荷が蓄積されることを防止している。
また、特にここでは、複数フレーム走査によって読取
りを行なうことによって、データの読取りが正しく実行
されているかどうかを検査できる。例えば１つの情報ブ
ロツク内にエラー検出用の情報を入れておき、再生時に
複数の読取りのうちで最もエラーの少なかった読取り情
報を正しい再生情報として出力する様にしても良い。
りを行なうことによって、データの読取りが正しく実行
されているかどうかを検査できる。例えば１つの情報ブ
ロツク内にエラー検出用の情報を入れておき、再生時に
複数の読取りのうちで最もエラーの少なかった読取り情
報を正しい再生情報として出力する様にしても良い。
同様に記録媒体に複数回（２回）書き込みを行なうこ
とによって、特に書き損じの少ない記録再生装置が実現
される。
とによって、特に書き損じの少ない記録再生装置が実現
される。
第７図及び第８図を用いて本発明の第５実施例を説明
する。
する。
第７図は第５実施例の記録再生装置の構成を示す図で
ある。第５実施例は、記録媒体表面に沿って移動させる
主段を有する複数のプローブ電極を用いて記録再生また
は消去を行なう装置である。図中、401、402は第１図の
プローブ電極10と同様のプローブ電極である。プローブ
電極401には第１図と同様xy方向微動制御機構11a、ｚ方
向微動制御機構12a、ｙ軸方向走査駆動回路13a、ｘ軸方
向走査駆動回路14a、電圧印加手段15a、サーボ回路16
a、電流検出手段17aが設けられ、それぞれの動作は第１
実施例で説明したのとほぼ同様である。
ある。第５実施例は、記録媒体表面に沿って移動させる
主段を有する複数のプローブ電極を用いて記録再生また
は消去を行なう装置である。図中、401、402は第１図の
プローブ電極10と同様のプローブ電極である。プローブ
電極401には第１図と同様xy方向微動制御機構11a、ｚ方
向微動制御機構12a、ｙ軸方向走査駆動回路13a、ｘ軸方
向走査駆動回路14a、電圧印加手段15a、サーボ回路16
a、電流検出手段17aが設けられ、それぞれの動作は第１
実施例で説明したのとほぼ同様である。
プローブ電極402にも第１図と同様xy方向微動制御機
構11b、ｚ方向微動制御機構12b、ｙ軸方向走査駆動回路
13b、ｘ軸方向走査駆動回路14b、電圧印加手段15b、サ
ーボ回路16b、電流検出手段17bが設けられ、それぞれの
動作は第１実施例で説明したのと、ほぼ同様である。プ
ローブ401及び402は互いにX0（一定）だけ離れ、それぞ
れxy方向微動駆動電圧VX1、VX2とVY1、VY2によって、個
々にあるブロツクに相当する領域の移動を行ない、粗動
駆動回路18によって、xyステージ24を駆動させて各プロ
ーブ電極を一様にX0づつ移動させて記録再生を行なう。
本実施例は、前記複数プローブ電極と基板側電極間に印
加される電圧の記録媒体上の各ビツトにおけるある期間
の積算平均が略ゼロであることを特徴とする記録再生装
置である。
構11b、ｚ方向微動制御機構12b、ｙ軸方向走査駆動回路
13b、ｘ軸方向走査駆動回路14b、電圧印加手段15b、サ
ーボ回路16b、電流検出手段17bが設けられ、それぞれの
動作は第１実施例で説明したのと、ほぼ同様である。プ
ローブ401及び402は互いにX0（一定）だけ離れ、それぞ
れxy方向微動駆動電圧VX1、VX2とVY1、VY2によって、個
々にあるブロツクに相当する領域の移動を行ない、粗動
駆動回路18によって、xyステージ24を駆動させて各プロ
ーブ電極を一様にX0づつ移動させて記録再生を行なう。
本実施例は、前記複数プローブ電極と基板側電極間に印
加される電圧の記録媒体上の各ビツトにおけるある期間
の積算平均が略ゼロであることを特徴とする記録再生装
置である。
ここでは、特にプローブ電極と基板側電極間の絶対値
が各ブロツク領域毎に等しく互いに逆極性を有する電圧
を印加する一体のプローブ電極401、402を用いて、記録
媒体のあるブロツクに記録されているデータを読出す事
を特徴とする。この一対のプロブ電極は同様のものを複
数対設けても良い。
が各ブロツク領域毎に等しく互いに逆極性を有する電圧
を印加する一体のプローブ電極401、402を用いて、記録
媒体のあるブロツクに記録されているデータを読出す事
を特徴とする。この一対のプロブ電極は同様のものを複
数対設けても良い。
第７図において、プローブ電極401及び402は、それぞ
れ電圧印加手段15a、15bによってプローブ電極と基板側
電極間に絶対値が等しく、互いに逆極性を有する電圧V
B1及びVB2を印加するプローブ電極である。すなわち、
例えば情報再生時にはVB1＝＋VB0（＞０）、VB2＝−VB0
（＜０）（ただしVB0＞０は実数）である。
れ電圧印加手段15a、15bによってプローブ電極と基板側
電極間に絶対値が等しく、互いに逆極性を有する電圧V
B1及びVB2を印加するプローブ電極である。すなわち、
例えば情報再生時にはVB1＝＋VB0（＞０）、VB2＝−VB0
（＜０）（ただしVB0＞０は実数）である。
第８図（ａ）は情報再生時に与えられる各電圧を第２
図（ａ）と同様のタイムチヤートでプローブ電極401、4
02 2本についてまとめて示したものである。
図（ａ）と同様のタイムチヤートでプローブ電極401、4
02 2本についてまとめて示したものである。
ここでプローブ電極401、402は、記録媒体上での中心
位置が異なることを除いて同様な軌道で記録媒体上を走
査され、印加電圧については、互いに逆極性で絶対値の
等しい電圧で走査される。
位置が異なることを除いて同様な軌道で記録媒体上を走
査され、印加電圧については、互いに逆極性で絶対値の
等しい電圧で走査される。
第８図（ｂ）はある時点での各情報ブロツク領域と各
プローブ電極の位置関係を模式的に示した図である。
プローブ電極の位置関係を模式的に示した図である。
第８図（ｂ）の時点では、プローブ電極402を記録媒
体上のブロツク領域403に対峙させ、プローブ電極401を
記録媒体上の隣接する別のブロツク領域404に対峙さ
せ、互いに逆極性で絶対値が等しいバイアス電圧VB1、V
B2を印加してブロツク領域403と404のデータを、それぞ
れのブロツク領域上で第２図（ｂ）に示した様に○印の
位置を矢印に沿って順次移動しながら読み出す。
体上のブロツク領域403に対峙させ、プローブ電極401を
記録媒体上の隣接する別のブロツク領域404に対峙さ
せ、互いに逆極性で絶対値が等しいバイアス電圧VB1、V
B2を印加してブロツク領域403と404のデータを、それぞ
れのブロツク領域上で第２図（ｂ）に示した様に○印の
位置を矢印に沿って順次移動しながら読み出す。
次に、第８図（ｃ）は、第８図（ｂ）同様の模式図
で、第８図（ｂ）の状態で読み出し過程が終了した後
に、粗動駆動回路18によってxyステージ24でプローブ電
極401、402を記録媒体表面に対して同方向にX0だけ移動
させた時点を示し、この移動によって、プローブ電極40
2をブロツク領域404に対峙させ、プローブ電極401を記
録媒体上の隣接する他のブロツク領域405に対峙させ、
第８図（ｂ）と同様に第８図（ａ）に示した駆動波形
で、ブロツク領域404と405のデータを読み出すことを示
す図である。
で、第８図（ｂ）の状態で読み出し過程が終了した後
に、粗動駆動回路18によってxyステージ24でプローブ電
極401、402を記録媒体表面に対して同方向にX0だけ移動
させた時点を示し、この移動によって、プローブ電極40
2をブロツク領域404に対峙させ、プローブ電極401を記
録媒体上の隣接する他のブロツク領域405に対峙させ、
第８図（ｂ）と同様に第８図（ａ）に示した駆動波形
で、ブロツク領域404と405のデータを読み出すことを示
す図である。
以上の操作によって、ブロツク領域404は、例えば第
１段階でマイナス、次の第２段階でプラスと互いに逆極
性の絶対値が等しいバイアス電圧で同様の軌道をもって
走査されるため、記録媒体21に蓄積される電荷が相殺さ
れる。そして各ブロツク領域のデータの読み出しはプロ
ーブ電極401、402により２度ずつ行なわれることとな
る。なおブロツク領域403は、例えば第１段階でプロー
ブ電極401でマイナス、第２段階でプローブ電極402でプ
ラスの電圧印加がなされる。
１段階でマイナス、次の第２段階でプラスと互いに逆極
性の絶対値が等しいバイアス電圧で同様の軌道をもって
走査されるため、記録媒体21に蓄積される電荷が相殺さ
れる。そして各ブロツク領域のデータの読み出しはプロ
ーブ電極401、402により２度ずつ行なわれることとな
る。なおブロツク領域403は、例えば第１段階でプロー
ブ電極401でマイナス、第２段階でプローブ電極402でプ
ラスの電圧印加がなされる。
次に第８図（ｄ）は情報記録時に与えられる各電圧を
第８図（ａ）と同様のタイムチヤートで示したものであ
る。VBの値はoffで表示した期間中は各プローブ電極と
記録媒体21との間の距離を制御する間隔制御手段で両者
の平均的間隔を一定に制御する為にトンネル電流JTを検
出するのに適した値にする。この値は媒体21に変化をお
こす（ON状態に変化する）閾値より小さくしておく。
第８図（ａ）と同様のタイムチヤートで示したものであ
る。VBの値はoffで表示した期間中は各プローブ電極と
記録媒体21との間の距離を制御する間隔制御手段で両者
の平均的間隔を一定に制御する為にトンネル電流JTを検
出するのに適した値にする。この値は媒体21に変化をお
こす（ON状態に変化する）閾値より小さくしておく。
又onで示した媒体変化電圧印加期間には、offで示し
た期間中電圧VBの値が等しい状態を期間内の大部分の間
維持し、最後の短時間だけ電圧VBの値が前述閾値を超え
る様にする。
た期間中電圧VBの値が等しい状態を期間内の大部分の間
維持し、最後の短時間だけ電圧VBの値が前述閾値を超え
る様にする。
そして各プローブ電極401、402は前述情報再生時と同
様に記録媒体21に対して相対的に駆動され、両プローブ
電極が同じブロツク領域を走査する時には第８図（ｄ）
に示したVB1とVB2の様に極性が反転した点のみ異なる波
形の電圧を印加する様にする。これを各ブロツク領域毎
に行なうことで再生時と同様の効果が得られる。又特に
記録媒体上の同じブロツク領域に複数回（２回）書き込
みを行なうことによって、書き損じの少ない記録再生装
置が実現される。
様に記録媒体21に対して相対的に駆動され、両プローブ
電極が同じブロツク領域を走査する時には第８図（ｄ）
に示したVB1とVB2の様に極性が反転した点のみ異なる波
形の電圧を印加する様にする。これを各ブロツク領域毎
に行なうことで再生時と同様の効果が得られる。又特に
記録媒体上の同じブロツク領域に複数回（２回）書き込
みを行なうことによって、書き損じの少ない記録再生装
置が実現される。
この様に本実施例は、極性が異なり絶対値が等しい一
対のプローブを、前述の如く、X0ずつ移動させては、ブ
ロツク領域を走査して情報再生を行なうことを、次々と
くりかえすことによって、記録媒体全面にわたって、蓄
積される電荷を相殺したものである。
対のプローブを、前述の如く、X0ずつ移動させては、ブ
ロツク領域を走査して情報再生を行なうことを、次々と
くりかえすことによって、記録媒体全面にわたって、蓄
積される電荷を相殺したものである。
又、複数のプローブを利用して除電することによって
読み取り、書き込み時間を長くすることなく記録媒体に
対して複数回（２回）書き込み、読み取りを行なえ、書
き損じ、読み取りエラーの少ない記録再生装置が実現で
きる効果を有する。
読み取り、書き込み時間を長くすることなく記録媒体に
対して複数回（２回）書き込み、読み取りを行なえ、書
き損じ、読み取りエラーの少ない記録再生装置が実現で
きる効果を有する。
第９図は本発明の第６実施例を示す部分構成図であ
る。本実施例の装置構成は以下に説明する点を除き第１
図と同様なので第９図では部分構成のみを示す。
る。本実施例の装置構成は以下に説明する点を除き第１
図と同様なので第９図では部分構成のみを示す。
第６実施例は、電気メモリー効果を有する記録媒体21
上に基板側電極と接続されてアース接地された光導電性
超薄膜層501を配置し、該光導電性層を高抵抗状態とし
てプローブ電極10で記録再生を行なった後、光源502に
よって光照射を行ない前記光導電性層を低抵抗状態とす
ることを特徴とする。
上に基板側電極と接続されてアース接地された光導電性
超薄膜層501を配置し、該光導電性層を高抵抗状態とし
てプローブ電極10で記録再生を行なった後、光源502に
よって光照射を行ない前記光導電性層を低抵抗状態とす
ることを特徴とする。
第９図において、504は外部に対する遮光カバーを示
し、503は光導電性超薄膜層501と基板側電極22のアース
接地を示す。プローブ電極10による記録、再生によって
記録媒体内または表面に電荷が蓄積されるが、これらの
終了後、上述した光導電性層501を光源502で光照射する
ことによって低抵抗状態にして、基板側電極と共に接続
してあるアース接地によって、記録媒体内または表面に
蓄積された電荷を放電し、電荷の残留を相殺することが
可能である。本実施例においては記録、再生は特開昭63
−161552号公報、特開昭63−161553号公報等でよく知ら
れている方法により行なえる。
し、503は光導電性超薄膜層501と基板側電極22のアース
接地を示す。プローブ電極10による記録、再生によって
記録媒体内または表面に電荷が蓄積されるが、これらの
終了後、上述した光導電性層501を光源502で光照射する
ことによって低抵抗状態にして、基板側電極と共に接続
してあるアース接地によって、記録媒体内または表面に
蓄積された電荷を放電し、電荷の残留を相殺することが
可能である。本実施例においては記録、再生は特開昭63
−161552号公報、特開昭63−161553号公報等でよく知ら
れている方法により行なえる。
第10図は本発明の第７実施例の記録再生装置を示す図
である。
である。
本実施例も下記の構成以外は第１図の装置構成と同様
なので部分構成のみ図示する。第７実施例は、基板側電
極22に接続されてアース接地された任意に、記録媒体に
対して電気的に非接続状態及び、接続状態を選択できる
アース手段を有することを特徴とする。
なので部分構成のみ図示する。第７実施例は、基板側電
極22に接続されてアース接地された任意に、記録媒体に
対して電気的に非接続状態及び、接続状態を選択できる
アース手段を有することを特徴とする。
特にここでは、表面に沿って移動して、任意の記録媒
体表面上で密着可能な可動アース板601を前記アース手
段として用いた。ここで可動アース板601は基板側電極2
2に接続され、602に示す如くアース接続されている。
体表面上で密着可能な可動アース板601を前記アース手
段として用いた。ここで可動アース板601は基板側電極2
2に接続され、602に示す如くアース接続されている。
本実施例は、プローブ電極10により第７実施例同様よ
く知られている方法で記録再生を行なった後、可動アー
ス板601を記録媒体表面に密着させることによって、前
記記録再生プロセス中に記録媒体の表面または内部に蓄
積された電荷を放電させたものである。
く知られている方法で記録再生を行なった後、可動アー
ス板601を記録媒体表面に密着させることによって、前
記記録再生プロセス中に記録媒体の表面または内部に蓄
積された電荷を放電させたものである。
第11図は、本発明の第８実施例を示す図である。
本実施例も下記の構成以外は第１図の装置構成と同様
なので部分構成のみ図示する。本実施例は、記録媒体の
内部または表面に蓄積された電荷を荷電粒子を記録媒体
の表面に散布することによって中和することを特徴とす
る。
なので部分構成のみ図示する。本実施例は、記録媒体の
内部または表面に蓄積された電荷を荷電粒子を記録媒体
の表面に散布することによって中和することを特徴とす
る。
第11図において701はコロナ放電ユニツトを示す。す
なわち、本実施例は、プローブ電極10で第１実施例同様
良く知られている方法で記録再生を行なった後、コロナ
放電ユニット701を用いて、VBによる印加電圧による蓄
積電荷を打ち消す極性の荷電粒子を適当量だけコロナ放
電させるものである。
なわち、本実施例は、プローブ電極10で第１実施例同様
良く知られている方法で記録再生を行なった後、コロナ
放電ユニット701を用いて、VBによる印加電圧による蓄
積電荷を打ち消す極性の荷電粒子を適当量だけコロナ放
電させるものである。
上述実施例の説明では記録媒体21としてメモリースイ
ツチング特性を有する有機膜を例としてあげたが、本願
発明はこれに限定するものではなく、電気メモリー効果
を有する媒体として例えば金薄膜に形状変化をおこさせ
るものでも良く、この媒体に記録を行ない、この記録時
の形状を検出して情報再生を行なう場合も適用できる。
金薄膜でも場合により電荷が表面のごく近傍に蓄積され
ることがありうるのでこれが問題となる様な時には本発
明を用いることで前述の効果は期待できる。
ツチング特性を有する有機膜を例としてあげたが、本願
発明はこれに限定するものではなく、電気メモリー効果
を有する媒体として例えば金薄膜に形状変化をおこさせ
るものでも良く、この媒体に記録を行ない、この記録時
の形状を検出して情報再生を行なう場合も適用できる。
金薄膜でも場合により電荷が表面のごく近傍に蓄積され
ることがありうるのでこれが問題となる様な時には本発
明を用いることで前述の効果は期待できる。
なお、上述第１〜第６実施例は特に、Ｙ軸方向への駆
動電圧VYが階段型の電圧波形を有すること、及びＸ軸方
向への駆動電圧VXがVYに同期した周期の異なる段階型の
電圧波形を有すること及び記録媒体への印加電圧波形が
VX、VYに同期した状態で（VX、VY）の印加状態で選択さ
れる期間、即ち○印位置での停止期間での印加電圧平均
が０であることを特徴とするが、本発明は、これに限定
されるものではない。
動電圧VYが階段型の電圧波形を有すること、及びＸ軸方
向への駆動電圧VXがVYに同期した周期の異なる段階型の
電圧波形を有すること及び記録媒体への印加電圧波形が
VX、VYに同期した状態で（VX、VY）の印加状態で選択さ
れる期間、即ち○印位置での停止期間での印加電圧平均
が０であることを特徴とするが、本発明は、これに限定
されるものではない。
例えば、Ｙ軸方向への駆動電圧VYを三角波型の電圧波
型としＸ軸方向への駆動電圧VXをVYに同期した周期の異
なる三角波型の電圧波形としても良い。これによっても
記録媒体への印加加電圧波形がVX、VYに同期した状態で
移動中のプローブ電極が１ないし複数ビツト分の領域を
走査する期間での印加電圧平均を０とできる。
型としＸ軸方向への駆動電圧VXをVYに同期した周期の異
なる三角波型の電圧波形としても良い。これによっても
記録媒体への印加加電圧波形がVX、VYに同期した状態で
移動中のプローブ電極が１ないし複数ビツト分の領域を
走査する期間での印加電圧平均を０とできる。
又、上述実施例は記録再生装置であったが、記録又は
再生のみを行なう装置であってもよい。
再生のみを行なう装置であってもよい。
又、情報読み取り装置としてのSTM装置及びその応用
装置にも本発明は好適に用いられる。
装置にも本発明は好適に用いられる。
以上述べた様に本発明により、電圧印加による電荷蓄
積の悪影響を情報媒体に与えずに常に高精度な情報読取
りないし入力を行なうことが可能になった。
積の悪影響を情報媒体に与えずに常に高精度な情報読取
りないし入力を行なうことが可能になった。
第１図は本発明の第１実施例の情報記録再生装置の構成
概略図、 第２図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、同装置における情報
記録時の駆動電圧及び印加電圧のタイムチヤート及び該
電圧状態における情報記録の仕方の模式図、 第３図は同装置における情報再生時の駆動電圧及び印加
電圧のタイムチヤート、 第４図は本発明の第２実施例の情報記録再生装置の情報
記録時の駆動電圧及び印加電圧のタイムチヤート、 第５図は本発明の第３実施例の情報記録再生装置の情報
記録時の駆動電圧及び印加電圧のタイムチヤート、 第６図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明の第４実施例
の情報記録再生装置の情報再生時の駆動電圧及び印加電
圧のタイムチヤート及び情報記録時の駆動電圧及び印加
電圧のタイムチヤート、 第６図（ｃ）は同装置における情報記録、再生の仕方の
模式図、 第７図は本発明の第５実施例の情報記録再生装置の構成
概略図、 第８図（ａ）は同装置における情報再生時の駆動電圧及
び印加電圧のタイムチヤート、 第８図（ｂ）、（ｃ）は同装置における各プローブと各
ブロツク領域の位置関係を示す模式図、 第８図（ｄ）は同装置における情報記録時の駆動電圧及
び印加電圧のタイムチヤート、 第９図は本発明の第６実施例の情報記録再生装置の部分
構成概略図、 第10図は本発明の第７実施例の情報記録再生装置の部分
構成概略図、 第11図は本発明の第８実施例の情報記録再生装置の部分
構成概略図である。 図中、 10、401、402……プローブ電極 11、11a、11b……xy方向微動制御機構 12、12a、12b……微動制御機構 15、15a、15b……電圧印加手段 17、17a、17b……電流検出手段 19……マイクロコンピユータ 21……記録媒体 22……基板側電極 24……xyステージ 501……光導電性超薄膜層 502……光源 503、602……アース設置 601……可動アース板 701……コロナ放電ユニツト である。
概略図、 第２図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、同装置における情報
記録時の駆動電圧及び印加電圧のタイムチヤート及び該
電圧状態における情報記録の仕方の模式図、 第３図は同装置における情報再生時の駆動電圧及び印加
電圧のタイムチヤート、 第４図は本発明の第２実施例の情報記録再生装置の情報
記録時の駆動電圧及び印加電圧のタイムチヤート、 第５図は本発明の第３実施例の情報記録再生装置の情報
記録時の駆動電圧及び印加電圧のタイムチヤート、 第６図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明の第４実施例
の情報記録再生装置の情報再生時の駆動電圧及び印加電
圧のタイムチヤート及び情報記録時の駆動電圧及び印加
電圧のタイムチヤート、 第６図（ｃ）は同装置における情報記録、再生の仕方の
模式図、 第７図は本発明の第５実施例の情報記録再生装置の構成
概略図、 第８図（ａ）は同装置における情報再生時の駆動電圧及
び印加電圧のタイムチヤート、 第８図（ｂ）、（ｃ）は同装置における各プローブと各
ブロツク領域の位置関係を示す模式図、 第８図（ｄ）は同装置における情報記録時の駆動電圧及
び印加電圧のタイムチヤート、 第９図は本発明の第６実施例の情報記録再生装置の部分
構成概略図、 第10図は本発明の第７実施例の情報記録再生装置の部分
構成概略図、 第11図は本発明の第８実施例の情報記録再生装置の部分
構成概略図である。 図中、 10、401、402……プローブ電極 11、11a、11b……xy方向微動制御機構 12、12a、12b……微動制御機構 15、15a、15b……電圧印加手段 17、17a、17b……電流検出手段 19……マイクロコンピユータ 21……記録媒体 22……基板側電極 24……xyステージ 501……光導電性超薄膜層 502……光源 503、602……アース設置 601……可動アース板 701……コロナ放電ユニツト である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河田 春紀 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−161552（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−222347（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−161553（ＪＰ，Ａ)
Claims (10)
- 【請求項１】電気メモリー効果を有する情報媒体上から
情報を読取るため及び／又は情報媒体上に情報を入力す
るためのプローブ電極と、該プローブ電極によって情報
媒体上を走査すべく前記プローブ電極と情報媒体とを相
対移動させるための走査手段と、前記走査手段による相
対移動中の前記プローブ電極と情報媒体との間に情報の
読取り及び／又は入力を行なうべく電圧を印加する電圧
印加手段と、前記情報媒体に除電処理を行なう除電手段
とを有することを特徴とする情報読取り及び／又は入力
装置。 - 【請求項２】前記除電手段は、前記電圧印加手段に対し
前記情報媒体上の前記プローブ電極による所定走査区間
毎に印加電圧の積分値が略ゼロになるように電圧印加制
御を行なう制御手段を有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の情報読取り及び／又は入力装置。 - 【請求項３】前記制御手段は前記情報媒体上の情報１ビ
ツト分の走査区間毎に印加電圧の積分値が略ゼロになる
ように電圧印加制御を行なうことを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の情報読取り及び／又は入力装置。 - 【請求項４】前記制御手段は電圧の極性を反転させる前
あるいは後に、前記情報読取り及び／又は入力用の電圧
とは電圧値が異なる様な電圧を印加するように電圧印加
制御を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第２項記
載の情報読取り及び／又は入力装置。 - 【請求項５】前記走査手段は前記プローブ電極に前記情
報媒体上の所定領域を複数回走査させ、前記制御手段は
前記複数回走査中の少なくとも一部の走査時に前記プロ
ーブ電極と情報媒体との間に情報を読取り及び／又は入
力時に印加される電圧を他の走査時と逆極性とすること
を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の情報読取り及
び／又は入力装置。 - 【請求項６】前記除電手段は、前記プローブ電極によっ
て走査された領域を再度走査するための第二プローブ電
極と、前記電圧印加手段によって前記プローブ電極と情
報媒体との間に情報の読取り及び／又は入力時に印加さ
れた電圧とは逆極性の電圧を前記第二プローブと情報媒
体との間に印加する第二電圧印加手段とを有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の情報読取り及び
／又は入力装置。 - 【請求項７】前記情報媒体上には光導電性薄膜が形成さ
れ、前記除電手段は該光導電性薄膜に光を照射する手段
を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
情報読取り及び／又は入力装置。 - 【請求項８】前記除電手段は前記情報媒体に着脱可能な
アース手段を有することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の情報読取り及び／又は入力装置。 - 【請求項９】前記除電手段は前記情報媒体に荷電粒子を
散布する手段を有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の情報読取り及び／又は入力装置。 - 【請求項１０】電気メモリー効果を有する情報媒体上か
ら情報を読取るため及び／又は情報媒体上に情報を入力
するためのプローブ電極によって情報媒体上を走査すべ
く前記プローブ電極と情報媒体とを相対移動させる過程
と、前記相対移動中の前記プローブ電極と情報媒体との
間に情報の読取り及び／又は入力を行なうべく電圧を印
加する過程と、前記情報媒体に除電処理を行なう過程と
を有することを特徴とする情報読取り及び／又は入力方
法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2205831A JP2744338B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 情報読取り及び／又は入力を行なう装置及び方法 |
| DE69123656T DE69123656T2 (de) | 1990-08-01 | 1991-07-30 | Gerät zum Auslesen und/oder Eingeben von Information |
| EP91112832A EP0469565B1 (en) | 1990-08-01 | 1991-07-30 | Apparatus for reading and/or inputting information |
| AT91112832T ATE146620T1 (de) | 1990-08-01 | 1991-07-30 | Gerät zum auslesen und/oder eingeben von information |
| US07/738,113 US5204851A (en) | 1990-08-01 | 1991-07-30 | Apparatus for reading and/or inputting information |
| CA002048194A CA2048194C (en) | 1990-08-01 | 1991-07-31 | Apparatus for reading and/or inputting information |
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|---|---|---|---|
| JP2205831A JP2744338B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 情報読取り及び／又は入力を行なう装置及び方法 |
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|---|---|
| JPH0490150A JPH0490150A (ja) | 1992-03-24 |
| JP2744338B2 true JP2744338B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=16513435
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2205831A Expired - Fee Related JP2744338B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 情報読取り及び／又は入力を行なう装置及び方法 |
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| AT (1) | ATE146620T1 (ja) |
| CA (1) | CA2048194C (ja) |
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| JP3126409B2 (ja) * | 1991-06-05 | 2001-01-22 | キヤノン株式会社 | 情報記録再生方法 |
| JP2794348B2 (ja) * | 1991-06-21 | 1998-09-03 | キヤノン株式会社 | 記録媒体、その製造方法、情報処理装置 |
| US5323377A (en) * | 1992-11-27 | 1994-06-21 | Chen Zhi Q | Electrical data recording and retrieval based on impedance variation |
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| EP0615235B9 (en) * | 1993-03-09 | 2003-11-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Information recording method and information recording apparatus |
| JPH09320133A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-12-12 | Canon Inc | 記録再生装置、並びに、記録再生方法及びビット検出方法 |
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| US6195313B1 (en) * | 1997-08-29 | 2001-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Tracking mechanism and method using probes for information recording/reproducing apparatus |
| JP2003045042A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Toshiba Corp | 情報記録媒体の厚みムラ補正方法および厚みムラ補正方法を用いた情報記録再生装置 |
| KR100519752B1 (ko) | 2002-05-10 | 2005-10-07 | 삼성전자주식회사 | 시분할 다중 방식을 채용한 고속 고밀도 정보저장 장치 및이를 이용한 정보기록방법 및 정보재생방법 |
| KR100519772B1 (ko) * | 2002-10-14 | 2005-10-07 | 삼성전자주식회사 | 스핀 분극된 전자를 이용한 자성매체 및 자성매체를이용한 정보기록장치 및 기록방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| GB896691A (en) * | 1958-06-09 | 1962-05-16 | Armour Res Found | Improvements in or relating to a transducer system and method |
| NL275419A (ja) * | 1962-02-28 | |||
| US3202973A (en) * | 1963-04-18 | 1965-08-24 | Ht Res Inst | Electrostatic reproducing apparatus |
| JPS57133534A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-18 | Toshiba Corp | Electrostatic recording system |
| US4829507A (en) * | 1984-09-14 | 1989-05-09 | Xerox Corporation | Method of and system for atomic scale readout of recorded information |
| US4862414A (en) * | 1986-06-11 | 1989-08-29 | Kuehnle Manfred R | Optoelectronic recording tape or strip comprising photoconductive layer on thin, monocrystalline, flexible sapphire base |
| JP2556492B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1996-11-20 | キヤノン株式会社 | 再生装置及び再生法 |
| JP2556491B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1996-11-20 | キヤノン株式会社 | 記録装置及び記録法 |
| EP0307210A3 (en) * | 1987-09-10 | 1991-05-15 | Seiko Instruments Inc. | Memory writing apparatus |
| US4956714A (en) * | 1988-01-24 | 1990-09-11 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Image pickup apparatus |
-
1990
- 1990-08-01 JP JP2205831A patent/JP2744338B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-07-30 DE DE69123656T patent/DE69123656T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-30 EP EP91112832A patent/EP0469565B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-30 AT AT91112832T patent/ATE146620T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-07-30 US US07/738,113 patent/US5204851A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-31 CA CA002048194A patent/CA2048194C/en not_active Expired - Fee Related
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| ATE146620T1 (de) | 1997-01-15 |
| CA2048194A1 (en) | 1992-02-02 |
| EP0469565A3 (en) | 1992-12-09 |
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