JP3044421B2

JP3044421B2 - 記録媒体製造方法

Info

Publication number: JP3044421B2
Application number: JP4141923A
Authority: JP
Inventors: 芳浩柳沢; 有二笠貫; 春紀河田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-05-08
Filing date: 1992-05-08
Publication date: 2000-05-22
Anticipated expiration: 2015-05-22
Also published as: JPH05314551A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、走査型トンネル顕微鏡
の技術を応用した情報処理装置に用いられる記録媒体の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、メモリー素子の用途はコンピュー
タ及びその関連機器、ビデオディスク、ディジタルオー
ディオディスク等のエレクトロニクス産業の中核をなす
ものであり、その開発も活発に進んでいる。メモリー素
子に要求される性能は一般的には（１）高密度で、記録容量が大きい（２）記録・再生の応答速度が速い（３）エラーレートが小さい（４）消費電力が少ない（５）生産性が高く、価格が安い等が挙げられる。

【０００３】従来までは磁性体や半導体を素材とした半
導体メモリや磁気メモリが主であったが、近年レーザー
技術の進展に伴い、有機色素、フォトポリマーなどの有
機薄膜を用いた光メモリによる安価で高密度な記録媒体
が登場してきた。

【０００４】一方、最近、導体の表面原子の電子構造を
直接観察できる走査型トンネル顕微鏡（以後、ＳＴＭと
略す）が開発され［Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇｅｔａｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ，４９，５７（１９８
２）］、単結晶、非晶質を問わず実空間像の高い分解能
の測定ができるようになり、しかも試料に電流による損
傷を与えずに低電力で観測できる利点も有し、さらに大
気中でも動作し、種々の材料に対して用いることができ
るため広範囲な応用が期待されている。

【０００５】かかるＳＴＭは、金属の探針（プローブ電
極）と導電性物質間に電圧を加えて１ｎｍ程度の距離ま
で近づけるとトンネル電流が流れることを利用してい
る。この電流は両者の距離変化に非常に敏感であり、ト
ンネル電流を一定に保つように探針を走査することによ
り、実空間の表面構造を描くことができると同時に表面
原子の全電子雲に関する種々の情報をも読みとることが
できる。この際面内方向の分解能は０．１ｎｍ程度であ
る。従って、ＳＴＭの原理を応用すれば十分に原子オー
ダー（０．数ｎｍ）での高密度記録再生を行うことが可
能である。この際の記録再生方法としては、プローブ電
極と基板電極間に局所的電界を加えることにより、基板
電極の表面形状を局所的に変化させる方法や、粒子線
（電子線、イオン線）或はＸ線等の高エネルギー電磁波
及び可視・紫外光等のエネルギー線を用いて適当な記録
層の表面状態を変化させて記録を行い、ＳＴＭで再生す
る方法や、記録層として電圧・電流のスイッチング特性
に対してメモリ効果（電気メモリー効果）をもつ材料、
例えばπ電子系有機化合物やカルコゲン化物類の薄膜層
を用いて、記録・再生をＳＴＭを用いて行う方法等が提
案されている。この方法によれば、記録のビットサイズ
を１０ｎｍとすれば、１０¹²ｂｉｔ／ｃｍ²もの高密度
で大容量記録再生が可能である。

【０００６】このような大容量高密度記録装置を用い
て、実際に多量の情報を記録・再生する為には、プロー
ブ電極のＸＹ方向（記録媒体面内方向）の位置検出及び
補正制御（トラッキング）が必要となる。このトラック
の形成方法としては、既に記録媒体基板の原子配列を利
用して、高密度かつ高精度に行う方法が提案されている
が、原子配列の検出を極めて高精度に行う必要があるた
め、取扱上簡便とはいい難かった。

【０００７】そこで、トラッキングを簡便に行うため
に、記録媒体の基板にあらかじめ凹凸を設けることによ
り案内溝（トラック）を形成し、そのトラックの凹状部
分あるいは凸状部分にプローブ電極を追従させることに
より、トラッキングを行う方法が提案されている。

【０００８】係る基板上に凹型または、凸型の段差を形
成する方法としては、従来のレジストを用いたリソグラ
フィー技術を利用した金属、無機物、有機物等のエッチ
ングやリフトオフ、或いはレジストそのものを段差とし
て利用することも可能である。また、電子ビームやイオ
ンビーム等の高エネルギーの放射線を照射することによ
り基板電極や基板を加工して、これらに直接段差を形成
することも考えられる。

【０００９】この、イオンビームによって電極を加工す
る方法は、一般には、集束させたビームを利用するため
に、集束イオンビーム法と呼ばれ、ビームで直接、電極
などに所定のトラックパターンの描画をするだけの工程
であるため、極めて簡便なトラック形成方法であるとい
える。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の集束イオンビーム法によるトラックの形成にお
いては、イオンビームを照射した影響がイオンビームの
径の外側にも生じ、記録媒体の記録面となるところの電
極表面の平滑性を悪化させる場合があるため、記録・再
生時のビットエラーレートが増加するという問題があっ
た。

【００１１】即ち、本発明の目的は、上記従来技術の問
題点に鑑みなされたものであり、記録媒体に集束イオン
ビーム法によりトラックを形成する際に生じていた記録
媒体表面のダメージを無くし、平滑性、Ｓ／Ｎ比の高い
記録媒体の製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段及び作用】上記目的は、以
下の本発明により達成される。

【００１３】即ち、本発明は、トンネル電流を検知して
情報の記録再生を行う情報処理装置に用いられ基板電極
上に記録層を有する記録媒体の製造方法において、該基
板電極に対して直接集束イオンビーム法でトラックを形
成した後にエッチングにより該基板電極表面を平滑化す
ることを特徴とする記録媒体の製造方法である。

【００１４】上記本発明によれば、基板電極に直接集束
イオンビーム法でトラックを形成した際に生じたダメー
ジをエッチングにより除去することにより、基板表面を
平滑にすることが可能であり、プローブ電極を用いた電
気的な高密度記録再生を再現性良く行うことができる。

【００１５】次に、図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。

【００１６】図１は基板電極に直接集束イオンビーム法
でトラックを形成した際に生じたダメージをエッチング
で除去する本発明の記録媒体製造方法の工程図の一例で
ある。

【００１７】図１（ａ）に示すように、まず、基板１上
に基板電極２を形成する。

【００１８】基板１は、後述する記録層５となる有機化
合物絶縁層と、トラック４が形成された基板電極２を支
持するために用いるので、表面が平滑であれば、どの様
な材料を用いても良いが、記録層５となる有機化合物絶
縁層、トラック４、基板電極２の形成法によってある程
度利用できる基板材料は限定される。

【００１９】基板電極２の材料は、高い導電性を有する
ものであればよく、例えばＡｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａ
ｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｗなどの金属やこれらの合金、
さらにはグラファイトやシリサイド、またさらにはＩＴ
Ｏなどの導電性酸化物を始めとして数多くの材料が挙げ
られ、これらの本発明への適用が考えられる。これらの
材料を用いた基板電極２の形成法としては従来公知の薄
膜技術で十分である。但し、基板電極２の材料は表面が
記録層形成の際、絶縁性の酸化物をつくらない導電材
料、例えば貴金属やＩＴＯなどの導電性酸化物を用いる
ことが望ましく、なおかつ何れの材料を用いるにしても
その表面が平滑であることが好ましい。

【００２０】次に、図１（ｂ）に示すように、基板電極
２にトラック４となる凹型の溝をＦＩＢ法により形成す
る。

【００２１】このＦＩＢ法において、イオン種は、基板
電極２をエッチングできれば良く、元素としては、Ａ
ｕ，Ｓｉ，Ｂｅ等の数多くの種類を挙げることができ
る。但し、この時イオンの重量により、溝を形成する際
のドーズ量を適当に選択する必要がある。

【００２２】次に、図１（ｃ）に示すように、ＦＩＢ法
により基板電極２にトラック４を形成した際に、ＦＩＢ
のビーム径外の基板電極面に生じた荒れをエッチングに
よって取り除いている。このエッチングの方法として
は、ドライ・ウエットの何れでも可能であるが、本発明
においては、エッチングは、単にＦＩＢによって生じた
表面の凹凸をならすためだけに行うので、極めて、簡単
に行うだけでよい。

【００２３】最後に、図１（ｄ）に示すように、記録層
５を、基板電極２上に形成する。

【００２４】記録層５として用いる有機化合物絶縁層の
材料としては、絶縁性を示す有機材料であれば何を用い
ても良い。

【００２５】有機化合物絶縁層の形成には、具体的に
は、蒸着法やクラスターイオンビーム法等の適用も可能
であるが、制御性、容易性そして再現性から公知の従来
技術の中ではＬＢ法が極めて好適である。

【００２６】このＬＢ法によれば、１分子中に疎水性部
位と親水性部位とを有する有機化合物の単分子膜または
その累積膜を基板上に容易に形成することができ、分子
オーダーの厚みを有し、かつ大面積にわたって均一、均
質な有機超薄膜を安定に供給することができる。

【００２７】ＬＢ法は分子内に親水性部位と疎水性部位
とを有する構造の分子において、両者のバランス（両親
媒性のバランス）が適度に保たれているとき、分子は水
面上で親水性基を下に向けて単分子の層になることを利
用して単分子膜またはその累積膜を作成する方法であ
る。

【００２８】疎水性部位を構成する基としては、一般に
広く知られている飽和及び不飽和炭化水素基や縮合多環
芳香族基及び鎖状多環フェニル基等の各種疎水基が挙げ
られる。これらは各々単独又はその複数が組み合わされ
て疎水性部位を構成する。一方、親水性部位の構成要素
として最も代表的なものは、例えばカルボキシル基、エ
ステル基、酸アミド基、イミド基、ヒドロキシル基、更
にはアミノ基（１，２，３級及び４級）等の親水性基等
が挙げられる。これらも各々単独又はその複数が組み合
わされて上記分子の親水性部分を構成する。

【００２９】これらの疎水性基と親水性基をバランス良
く併有し、絶縁性を有する有機分子であれば、水面上で
単分子膜を形成することが可能であり、本発明に対して
極めて好適な材料となる。

【００３０】本発明で用いる記録層としては、さらに特
開昭６３−１６１５５２及び６３−１６１５５３に於い
て開示したような、電流−電圧特性に於いてメモリース
イッチング現象（電気メモリー効果）を有する材料、例
えば、π電子準位をもつ群とσ電子準位を持つ群とを有
する分子を電極上に積層した有機単分子膜あるいはその
累積膜を用いることが可能となる。

【００３１】一般に有機材料のほとんどは絶縁性もしく
は半絶縁性を示すことから、本発明に適用可能なπ電子
準位を持つ群を有する有機材料は著しく多岐にわたる。

【００３２】本発明に好適なπ電子系を有する色素の構
造として、例えば、フタロシアニン、テトラフェニルポ
ルフィリン等のポルフィリン骨格を有する色素、スクア
リリウム基及びクロコニックメチン基を結合鎖として持
つアズレン系色素及びキノリン、ベンゾチアゾール、ベ
ンゾオキサゾール等の２個の含窒素複素環をスクアリリ
ウム基及びクロコニックメチン基により結合したシアニ
ン系類似の色素、またはシアニン色素、アントラセン及
びピレン等の縮合多環芳香族、及び芳香環及び複素環化
合物が重合した鎖状化合物及びジアセチレン基の重合
体、さらにはテトラシアノキノジメタンまたはテトラチ
アフルバレンの誘導体およびその類縁体およびその電荷
移動錯体、またさらにはフェロセン、トリスビピリジン
ルテニウム錯体等の金属錯体化合物が挙げられる。

【００３３】また本発明で用いる記録層に好適な高分子
材料としては、例えばポリアクリル酸誘導体等の付加重
合体、ポリイミド等の縮合重合体、ナイロン等の開環重
合体、バクテリオロドプシン等の生体高分子が挙げられ
る。

【００３４】上述の、本発明で用いられる記録層として
極めて好適な材料の具体例としては、例えば下記のよう
な分子等が挙げられる。＜有機材料＞［Ｉ］クロコニックメチン色素

【００３５】

【化１】

【００３６】

【化２】ここでＲ₁は前述のσ電子準位をもつ群に相当したもの
で、しかも水面上で単分子膜を形成し易くするために導
入された長鎖アルキル基で、その炭素数ｎは５≦ｎ≦３
０が好適である。［ＩＩ］スクアリリウム色素［Ｉ］で挙げた化合物のクロコニックメチン基を下記の
構造を持つスクアリリウム基で置き換えた化合物。

【００３７】

【化３】［ＩＩＩ］ポルフィリン系色素化合物

【００３８】

【化４】

【００３９】

【化５】

【００４０】

【化６】Ｒは単分子膜を形成しやすくするために導入されたもの
で、ここで挙げた置換基に限るものではない。又、Ｒ₁
〜Ｒ₄，Ｒは前述したσ電子準位をもつ群に相当してい
る。［ＩＶ］縮合多環芳香族化合物

【００４１】

【化７】［Ｖ］ジアセチレン化合物

【００４２】

【化８】Ｘは親水基で一般的には−ＣＯＯＨが用いられるが−Ｏ
Ｈ，−ＣＯＮＨ₂等も使用できる。［ＶＩ］その他

【００４３】

【化９】＜有機高分子材料＞［Ｉ］付加重合体

【００４４】

【化１０】［ＩＩ］縮合重合体

【００４５】

【化１１】［ＩＩＩ］開環重合体

【００４６】

【化１２】前記化学式中、Ｒ₁は水面上で単分子膜を形成し易くす
るために導入された長鎖アルキル基で、その炭素数ｎは
５≦ｎ≦３０が好適である。

【００４７】また、Ｒ₅は短鎖アルキル基であり、炭素
数ｎは１≦ｎ≦４が好適である。重合度ｍは１００≦ｍ
≦５０００が好適である。

【００４８】以上、具体例として挙げた化合物は基本構
造のみであり、これら化合物の種々の置換体も本発明に
於いて好適である。

【００４９】尚、上記以外でもＬＢ法に適している有機
材料、有機高分子材料であれば、本発明に好適であり、
例えば近年研究が盛んになりつつある生体材料（例えば
バクテリオロドプシンやチトクロームＣ）や合成ポリペ
プチド（ＰＢＬＧ）等も適用が可能である。

【００５０】これらのπ電子準位を有する化合物の電気
メモリー効果は数１０μｍ以下の膜厚のもので観測され
ているが、記録・再生時にプローブ電極と基板電極間に
流れるトンネル電流を用いるため、プローブ電極と基板
電極間にトンネル電流が流れるよう両者間の距離を近づ
けなければならないので、本発明の記録層と有機化合物
絶縁層を加えた膜厚は、好ましくは０．数ｎｍ以上１０
ｎｍ以下、より好ましくは、０．数ｎｍ以上３ｎｍ以下
である。

【００５１】

【実施例】次に、本発明を実施例を用いて詳細に説明す
る。

【００５２】実施例１本実施例は図１に示したような製造方法により記録媒体
を作製し、情報の記録・再生・消去の実験を行ったもの
である。

【００５３】まず、光学研磨したガラス基板（基板１）
を中性洗剤およびトリクレンを用いて洗浄した後、蒸着
法によりＣｒを５ｎｍ、Ａｕを１００ｎｍ順次積層し
た。

【００５４】次に、この基板１上にＡｕ側から集束イオ
ンビーム照射装置を用いてイオン・ビームを照射して、
トラック４となる溝を形成した。この時のイオン・ビー
ムの描画条件は、加速電圧４０ｋＶ、イオン電流３０ｐ
Ａ、ドーズ量５．０×１０¹¹ｉｏｎｓ／ｃｍで行い、
１．０ｍｍ×０．５ｍｍの領域に２．０μｍピッチで幅
約０．５μｍの溝を形成した。

【００５５】次に、この基板電極上の荒れをウエットエ
ッチングを行って取り除いた。この時の条件は、Ｉ₂が
０．０２５Ｎで、ＫＩが０．２５Ｎである水溶液を用
い、１秒間行った。この基板電極の表面をＳＴＭで観察
したところ、荒れは除去され、平滑性は、全体的に通常
の蒸着面程度に回復した。

【００５６】最後に、記録層となるポリイミドＬＢ膜を
形成した。以下に、このＬＢ膜の成膜方法を示す。

【００５７】ポリアミック酸（以下ＰＡと略す）を繰り
返し単位濃度１．０ｍｏｌ／ｌで溶かしたジメチルアセ
トアミドとベンゼンの混合溶液を、２０℃の純水上に展
開し、水面から溶媒を蒸発除去させた後、その表面圧を
２５ｍＮ／ｍに高めて水面上単分子膜を形成させた。次
に、この表面圧を一定に保持したまま、前記基板を水面
に横切るように速度５ｍｍ／分で静かに浸漬し、更に引
き上げて２層のＹ形単分子膜の累積を行った。次に、係
る基板を３００℃で１０分間熱処理する事によりＰＡ累
積膜をイミド化してポリイミド（以下ＰＩと略す）薄膜
を形成し、記録層とした。

【００５８】以上の様な方法により作製したすべての記
録媒体に対して、図２に示した記録・再生装置を用いて
記録・再生・消去の実験を行った。

【００５９】図２中、４１は記録媒体に電圧を印加する
ためのプローブ電極であり、このプローブ電極４１から
記録層５に電圧を印加することによって記録・再生を行
う。

【００６０】記録媒体は、ＸＹステージ４２上に載置さ
れる。このＸＹステージ４２により、記録媒体上で記録
・再生を行う、大まかな場所が設定される。４３はプロ
ーブ電流増幅器で、４４は、プローブ電極の記録媒体か
らの高さが一定になるように圧電素子を用いたＺ方向微
動制御機構４５を制御するサーボ回路である。４６はプ
ローブ電極４１と基板電極２との間に記録・消去用のパ
ルス電圧を印加するための電源である。なお、パルス電
圧を印加するときに、プローブ電流が急激に変化するた
めサーボ回路４４は、その間出力電圧が一定になるよう
に、ＨＯＬＤ回路をＯＮにするように制御している。

【００６１】４７は、プローブ電極４１を、４８のＸＹ
方向微動制御機構を用いてＸＹ方向に移動制御するため
のＸＹ走査駆動回路である。４９の粗動機構と５０の粗
動駆動回路は、あらかじめ１０^-9Ａ程度のプローブ電流
が得られるようにプローブ電極４１と記録媒体との距離
を粗動制御したり、プローブ電極４１と基板１とのＸＹ
方向相対変位を大きくとる（微動制御機構の範囲外）の
に用いられる。

【００６２】これらの各機器は、全てマイクロコンピュ
ータ５１により中央制御されている。また５２は表示装
置を表している。

【００６３】本実施例では、プローブ電極４１として、
電界研磨法によって作製した白金／ロジウム製のプロー
ブ電極を用いた。

【００６４】プローブ電極４１の材料は、導電性を示す
ものであれば何を用いてもよく、例えばＰｔ，Ｐｔ−Ｉ
ｒ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ等が挙げられる。またプローブ電極
の先端は、記録・再生・消去の分解能を上げるためでき
るだけ尖らせる必要があるがその作成方法及び形状は、
本実施例に限定されない。

【００６５】また、プローブ電極の本数も一本に限る必
要はなく、位置検出用と記録・再生用とを分ける等、複
数のプローブ電極を用いても良い。

【００６６】また、本装置の圧電素子を用いた移動制御
における機械的性能を下記に示す。

【００６７】Ｚ方向微動制御範囲：０．１ｎｍ〜１μｍＺ方向粗動制御範囲：１０ｎｍ〜１０ｍｍＸＹ方向走査範囲：０．１ｎｍ〜１μｍＸＹ方向粗動制御範囲：１０ｎｍ〜１０ｍｍ計測、制御許容誤差：＜０．１ｎｍ（微動制御
時）計測、制御許容誤差：＜１ｎｍ（粗動制御
時）本装置において、プローブ電極４１と記録層５の距離
（Ｚ）は、サーボ回路４４からＺ方向微動制御機構４５
に適度な電圧を与えることにより制御し、さらにこの機
能を保持したまま、プローブ電極４１が面内（Ｘ，Ｙ）
方向にも移動制御できるようにＸＹ方向微動制御機構４
８をＸＹ走査駆動回路４７によって制御している。ま
た、記録媒体は高精度のＸＹステージ４２の上に置か
れ、任意の位置に移動させることができる。よって、こ
れらの移動制御機構によりプローブ電極４１で記録媒体
の任意の位置で記録・再生及び消去を行うことができ
る。

【００６８】前述したＰＩ２層を累積した記録層５を持
つ記録媒体を記録・再生装置にセットした。この時、ト
ラックの長さ方向と記録・再生装置のＹ方向がほぼ平行
となる様に設置した。次に、記録媒体の基板電極２に対
してプローブ電極４１に−１．０Ｖの電圧を印加し、記
録層５に流れる電流をモニターしながらプローブ電極４
１と基板電極２との距離（Ｚ）を調整した。その後、Ｚ
方向微動制御機構４５を制御してプローブ電極４１と記
録層５の表面までの距離を変えていくと、図３に示すよ
うな電流特性が得られた。なお、プローブ電流及び、プ
ローブ電圧を変化させることでプローブ電極４１と記録
層５の表面との距離（Ｚ）を調整することができるが、
距離（Ｚ）を適当な値で一定に保持するためには、プロ
ーブ電流Ｉ_Pが１０^-7Ａ≧Ｉ_P≧１０^-12Ａ、好適には１
０^-8Ａ≧Ｉ_P≧１０^-10Ａになるようにプローブ電圧を調
整する必要がある。ここではプローブ電圧を０．５Ｖと
し、プローブ電流Ｉ_Pを１０^-9Ａ（図３のｂ領域に相当
する。）に設定して、プローブ電極４１と記録層５の表
面までの距離（Ｚ）を制御した。次にこの距離（Ｚ）を
一定に保ちながら、プローブ電極４１をＸ方向、即ちト
ラック４を横切る方向に走査させ、記録媒体にトラック
が形成されていることを確認した後、プローブ電極４１
を任意の隣合う２本のトラックの間（記録面）で保持し
た。

【００６９】次に、プローブ電極４１をトラック４にそ
って走査させながら、１０ｎｍピッチで情報の記録を行
った。トラッキングは、サーボ回路４４の出力電圧を一
定（ＨＯＬＤ回路ＯＮ）でも、サーボ回路４４を動作さ
せたまま（ＨＯＬＤ回路ＯＦＦ）でも行うことができ
る。この時トラックの検出は、サーボ回路４４の出力電
圧を一定にした場合（ＨＯＬＤ回路ＯＮ）は、プローブ
電流が測定限界までの減少、サーボ回路４４を動作させ
たまま（ＨＯＬＤ回路ＯＦＦ）の場合は、サーボ回路の
出力電圧の変化として、０．１Ｖの減少をもってトラッ
クと認識した。かかる情報の記録は、図４に示すような
波形を有するしきい値電圧Ｖ_thＯＮ以上のパルス電圧
（Ｖ_max＝−１５Ｖ）を印加して、ＯＮ状態を書き込ん
だ。なお、パルス電圧を印加する際は、サーボ回路４４
の出力電圧を一定にしている。書き込まれた情報は、書
き込みの際と同じ条件でプローブ電極４１と記録層５の
表面までの距離を制御した後、サーボ回路４４の出力を
一定に保持したままで、プローブ電極４１を走査し、Ｏ
Ｎ状態領域とＯＦＦ状態領域とのプローブ電流の変化で
直接読みとるか、または、サーボ回路４４を動作させた
まま（ＨＯＬＤ回路ＯＦＦ）プローブ電極４１を走査し
て、ＯＮ状態領域とＯＦＦ状態領域とでのサーボ回路４
４の出力電圧の変化で読みとることができる。本実施例
では、ＯＮ状態領域でのプローブ電流が記録前（または
ＯＦＦ状態領域）と比較して３桁以上変化していたこと
を確認した。

【００７０】更に書き込みの際と同じ条件でプローブ電
極４１と記録層５の表面までの距離を制御した後サーボ
回路４４の出力を一定に保持し、プローブ電圧をＶ_thＯ
ＦＦ以上の８Ｖに設定して、再びプローブ電極４１を走
査して記録位置に図５に示すような波形を有するパルス
電圧を印加した結果、全ての記録状態が消去され、ＯＦ
Ｆ状態に遷移したことも確認した。以上の再生実験に於
いて、ビットエラーレートは３×１０^-6程度であった。

【００７１】実施例２本実施例は、実施例１の他の態様を示すものである。

【００７２】実施例１に対して、ＦＩＢによって生じた
基板電極上の荒れを取り除く際に、ドライエッチングに
よって行った以外は、同様に形成した記録媒体に対して
実施例３と同様の記録・再生・消去の実験を行った。そ
の結果、ビットエラーレートは３×１０^-6であり、消去
も可能であった。この時のドライエッチングの条件は、
使用ガスとして、ＣＦ₄を用いて、圧力４Ｐａ、パワー
デンシティー４７０Ｗ／ｃｍ²、エッチングレート６．
５ｎｍ／ｍｉｎで行った。

【００７３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明による記録
媒体では、集束イオンビーム法でトラックを形成する際
に生じていたダメージの除去をして、記録媒体表面の平
滑性を高めることにより、情報の記録再生時においてＳ
／Ｎ比が高く、ビットエラーレートが非常に小さい信頼
性の高い記録媒体となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の記録媒体の製造方法の工程図の一例で
ある。

【図２】本発明の記録媒体に対して情報の記録再生の実
験を行った記録・再生装置のブロック構成図である。

【図３】プローブ電極と記録層表面との距離と、流れる
電流の関係を示す図である。

【図４】本発明の記録媒体に対して記録を行う際に加え
るパルス信号波形である。

【図５】本発明の記録媒体に対して記録の消去を行う際
に加えるパルス信号波形である。

【符号の説明】

１基板２基板電極４トラック５記録層４１プローブ電極４２ＸＹステージ４３プローブ電流増幅器４４サーボ回路４５Ｚ方向微動制御機構４６パルス電源４７ＸＹ走査駆動回路４８ＸＹ方向微動制御機構４９粗動機構５０粗動駆動回路５１マイクロコンピューター５２表示装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平４−1947（ＪＰ，Ａ) 特開昭60−57935（ＪＰ，Ａ) 特開平４−97521（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 9/14 H01L 21/302

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】トンネル電流を検知して情報の記録再生
を行う情報処理装置に用いられ基板電極上に記録層を有
する記録媒体の製造方法において、該基板電極に対して
直接集束イオンビーム法でトラックを形成した後、エッ
チングにより該基板電極表面を平滑化することを特徴と
する記録媒体製造方法。
【請求項２】前記記録層として、電気メモリー効果を
有する記録層を設けることを特徴とする請求項１に記載
の記録媒体製造方法。
【請求項３】前記記録層が、有機化合物の単分子膜又
は該単分子膜を累積した累積膜を有することを特徴とす
る請求項２に記載の記録媒体製造方法。
【請求項４】前記単分子膜又は累積膜を、ＬＢ法によ
り成膜することを特徴とする請求項３に記載の記録媒体
製造方法。
【請求項５】前記有機化合物が、分子中にπ電子準位
を持つ群とσ電子準位を持つ群とを有することを特徴と
する請求項３に記載の記録媒体製造方法。
【請求項６】前記エッチングが、ウエットエッチング
或いはドライエッチングであることを特徴とする請求項
１に記載の記録媒体製造方法。