KR100679604B1 - 정보 처리 장치의 제조 방법 - Google Patents

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배병재
최석헌
허장은
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삼성전자주식회사
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Abstract

향상된 내구성을 갖는 정보 처리 장치의 제조 방법이 개시된다. 대상체 상에 전극과 예비 분극층을 형성한 후, 예비 분극층의 표면을 저압 및 저속의 연마 조건 하에서 화학 기계적 연마 공정으로 연마하여 개선된 표면을 갖는 분극층을 형성한다. 분극층 상에 반응 방지층 및 반도체층을 형성한 후, 그 상부에 탐침을 배치한다. 저온 및 저속의 연마 조건 하에서 화학 기계적 연마 공정을 통하여 극히 작은 RMS값 및 P-V값을 갖는 분극층을 형성함으로써, 이러한 분극층을 포함하는 기록 매체에 접촉되어 데이터를 기록하거나 기록된 독취하는 탐침의 마모를 크게 감소시킬 수 있으므로, 기록 매체의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있는 동시에 정보 처리 장치의 전체적인 내구성을 현저하게 향상시킬 수 있다.

Description

정보 처리 장치의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING A INFORMATION PROCESSING APPARATUS}
도 1은 종래의 강유전체 불휘발성 메모리 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 정보 처리 장치의 제조 방법을 성명하기 위한 단면도들이다.
도 3a는 본 발명에 따른 예비 강유전체층의 표면을 원자 힘 현미경(AFM)을 이용하여 측정한 사진이다.
도 3b는 도 3a의 예비 강유전체층의 표면을 주사 전자 현미경(SEM)을 이용하여 측정한 사진이다.
도 4a 및 도 4b는 종래의 강유전체 메모리 장치에서 강유전체 기록 매체에 데이터를 기록하거나 기록된 데이터를 독취하는 과정을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
도 5a는 본 발명에 따라 화학 기계적 연마 공정으로 형성된 분극층의 표면을 원자 힘 현미경을 사용하여 측정한 사진이다.
도 5b는 도 5a의 분극층의 표면을 주사 전자 현미경을 사용하여 측정한 사진이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따라 화학 기계적 연마 공정으로 연마된 분극층 을 갖는 기록 매체에 데이터를 기록하거나 기록된 데이터를 독취하는 과정을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
도 7은 본 발명에 따라 화학 기계적 연마 공정을 실시한 강유전층들과 화학 기계적 연마 공정을 실시하지 않은 강유전체층의 분극-전기장(P-E) 이력곡선들을 나타내는 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100：대상체 105：전극
110：예비 분극층 115：분극층
120：반응 방지층 125：반도체층
130：탐침
본 발명은 기록 매체 및 탐침을 구비하는 정보 처리 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 분극층의 표면 처리를 통하여 탐침의 내구성을 향상시킬 수 있는 정보 처리 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
PZT(PbTiO3) 및 SBT(SiBi2Ta2O9)와 같은 강유전체가 발견된 후로, 이러한 강유전체를 이용한 기억 소자 및 전기적 소자 개발에 대한 연구가 계속되어 왔다. 근래 들어, 반도체 제조 기술의 획기적 발전과 특히 박막 성장 기술의 발전에 힘입어 상기 강유전체를 이용한 불휘발성 기억 소자인 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 소자를 개발하고자 많은 노력을 기울이고 있다. 따라서, 향후 불휘발성 기억 소자, 휴대 통신 장치 및 정보 통신 기기에서 중요한 역할을 할 것으로 예상되는 FRAM 소자의 개발에 있어서, 반도체 기억 소자에서 요구되는 특성을 만족하는 가장 적합한 강유전체를 선택하고 일반적인 실리콘 집적 회로와 호환 가능한 박막 성장, 식각 및 회로 설계 기술을 확립하는 것이다.
상기 FRAM 소자는 전원의 계속적인 공급이 없어도 저장된 기억이 지워지지 않는 불휘발성 특성과 더불어 빠른 동작 속도, 저 전압 동작 및 방사선에 강한 면이 큰 장점이다. FRAM 소자는 종래의 플로피 디스크나 하드 디스크 등과 같은 자기 메모리 등의 대체할 수 있을 뿐만 아니라 각종 정기권, 전화기용 메모리, 비접촉식 식별기(smart tag) 등과 같이 다양한 용도로 사용될 수 있으며, 아날로그 신호를 축적 및 병렬 처리하여 신경 회로망(neural network)소자의 구현이 가능하므로 인공 지능을 갖는 연산 처리 분야로도 적용 가능성을 확대할 수 있다. 특히, FRAM 소자는 낮은 소비 전력과 소형화 실현이 최대 과제인 차세대 휴대 정보 통신 기기의 메모리로서 급속하게 부상하고 있다. 대한민국 공개 특허 제2005-0022243호에는 이러한 강유전체 불휘발성 메모리 소자가 개시되어 있다.
도 1은 종래의 강유전체 불휘발성 메모리 장치의 개략적인 단면도를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 종래의 강유전체 불휘발성 메모리 장치는, 대체로 강유전체층(5), 강유전체층(5)의 하면에 형성된 하부 전극(10), 강유전체층(5) 상에 형성 된 장벽층(15), 장벽층(1) 상에 형성된 반도체층(20), 그리고 반도체층(20)에 접촉되는 탐침(35)을 포함한다. 탐침(35)은 반도체층(20)에 접촉되는 접촉부(25) 및 접촉부(25)를 지지하는 지지부(30)로 구성된다.
도 1에 도시한 종래의 강유전체 불휘발성 메모리 장치에 있어서, 하부 전극(10)에 소정의 전압을 인가하고 탐침(35)을 반도체층(20)의 표면에 접촉 이동시키면서 강유전체층(5)의 분극 방향에 따라 기록된 데이터를 독취하거나 데이터를 강유전체층(5)에 기록하게 된다.
그러나, 상술한 종래의 강유전체 불휘발성 메모리 장치에 있어서, 주로 금속 유기 화학 기상 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 공정으로 형성되는 강유전체층(5)의 표면이 매우 거칠기 때문에 탐침(35)의 마모가 촉진되어 결국 강유전체 불휘발성 메모리 장치의 내구성을 크게 저하시키는 문제점이 있다.
전술한 문제점을 해결하기 위하여 일본공개특허 제1997-198729호에는 화학적 및 기계적 연마를 통하여 강유전체 박막의 표면을 평탄화시키는 방법이 개시되어 있다. 상기 일본공개특허에 따르면, 강알칼리(alkali) 수용액 중에 콜로이드 실리카(colloidal silica)를 분산시킨 연마제와 연마포를 사용하여 강유전체 박막의 표면을 연마한다. 여기서, 상기 강유전체 박막은 알칼리에 의하여 화학적으로 연마되고 실리카에 의하여 기계적으로 연마된다. 그러나, 상기 일본공개특허는 강유전체 박막의 표면 연마를 위한 화학 기계적 연마 공정에 대해서는 전술한 연마제 이외에 주요한 공정 변수가 되는 연마 압력 및 연마 속도에 대해서는 언급하고 있지 않다.
본 발명의 목적은 표면이 개선된 분극층을 갖는 기록 매체를 통하여 탐침의 마모를 감소시켜 크게 향상된 내구성을 갖는 정보 처리 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정보 처리 장치의 제조 방법에 있어서, 대상체 상에 전극 및 예비 분극층을 형성한 후, 상기 예비 분극층의 표면을 화학 기계적 공정으로 연마하여 상기 전극 상에 분극층을 형성한다. 상기 분극층 상에 반응 방지층 및 반도체층을 형성한 다음, 상기 반도체층 상에 탐침을 배치한다. 상기 예비 분극층은 유기 금속 화학 기상 증착 공정, 졸-겔 공정, 액상 에피택셜 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정 또는 원자층 적층 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 예비 분극층은 강유전체, 전도성 폴리머, 게르마늄-안티몬 텔룰라이드와 같은 상전이 물질 또는 니켈 산화물과 같은 저항 메모리 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 예비 분극층은 제1 RMS값 및 제1 P-V값을 가지고, 상기 분극층은 제2 RMS값 및 제2 P-V값을 가진다. 이 때, 상기 제1 RMS값에 대한 상기 제2 RMS값의 비는 약 1:0.002 정도이고, 상기 제1 P-V 값에 대한 상기 제2 P-V값의 비는 약 1.0:0.07∼0.15 정도가 된다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 화학 기계적 연마 공정은 상기 대상체가 장착되는 캐리어 및 상기 예비 강유전체층의 표면에 접촉되는 연마 패드를 구비하는 화학 기계적 연마 장치를 사용하여 수행된다. 여기서, 상기 대상체를 상기 연 마 패드에 접촉시키는 압력은 약 0.5∼3.0psi 정도이며, 상기 연마 패드의 회전 속도는 약 5∼25rpm 정도가 된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 전극층을 형성한 후 상기 전극층을 열처리할 수 있다. 이 경우, 상기 전극층은 질소 및 산소 분위기 하에서 약 500∼700℃의 온도에서 열처리 된다.
본 발명에 따르면, 저온 및 저속의 연마 조건 하에서 화학 기계적 연마 공정을 통하여 극히 작은 RMS값 및 P-V값을 갖는 분극층을 형성함으로써, 이러한 분극층을 포함하는 기록 매체에 접촉되어 데이터를 기록하거나 기록된 독취하는 탐침의 마모를 크게 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 기록 매체의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있는 동시에 정보 처리 장치의 전체적인 내구성을 현저하게 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예들에 따른 정보 처리 장치의 제조 방법에 대하여 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 기판, 층(막), 전극, 탐침 또는 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 층(막), 전극 또는 구조물들이 대상체, 기판, 각 층(막), 전극 또는 구조물들의 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 층(막), 전극, 탐침 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막), 전극, 탐침 또는 구조물들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 전극 또는 다른 구조물들이 대상체 또는 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 정보 처리 장치의 제조 방법을 성명하기 위한 단면도들을 도시한 것이다.
도 2a를 참조하면, 대상체(100) 상에 전극(105)을 형성한 다음, 전극(105) 상에 예비 분극층(110)을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 대상체(100)로는 실리콘 웨이퍼 또는 SOI 기판 등과 같은 반도체 기판을 이용한다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 대상체(100)로 알루미늄 산화물(Al2O3) 단결정 기판, 스트론튬 티타늄 산화물(SrTiO3) 단결정 기판 또는 마그네슘 산화물(MgO) 단결정 기판과 같은 금속 산화물 단결정 기판을 사용할 수 있다. 대상체(100)가 상기 금속 산화물 단결정 기판일 경우, 대상체(100)와 예비 분극층(110) 사이에 전극(105)을 형성하지 않고 대상체(100) 상에 직접 예비 분극층(110)을 형성할 수 있다.
대상체(100) 상에 제1 전극층 및 제2 전극층을 순차적으로 형성하여 전극(105)을 완성한다.
상기 제1 전극층은 예비 분극층(110)으로부터 원소가 확산되는 것을 방지하는 장벽층의 기능을 수행한다. 상기 제1 전극층은 금속 질화물을 사용하여 형성된다. 예를 들면, 상기 제1 전극층은 티타늄 질화물(TiN), 티타늄 알루미늄 질화물 (TiAlN), 알루미늄 질화물(AlN), 탄탈륨 질화물(TaN), 티타늄 실리콘 질화물(TiSiN), 탄탈륨 실리콘 질화물(TaSiN) 또는 텅스텐 질화물(WN)을 사용하여 형성된다. 상기 제1 전극층은 화학 기상 증착(CVD) 공정, 원자층 적층(ALD) 공정, 스퍼터링 공정 또는 전자-빔 증착(E-beam evaporation) 공정을 사용하여 형성된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극층은 대상체(100) 상에 티타늄 알루미늄 질화물을 스퍼터링 공정으로 증착하여 형성된다.
상기 제2 전극층은 예비 분극층(110)의 결정성을 향상시키는 역할을 한다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 전극층은 금속막 혹은 금속 산화물막으로 이루어진 단일막 구조를 가진다. 예를 들면, 상기 금속막은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 루테늄(Ru) 또는 이리듐-루테늄 합금(IrXRu1-X)으로 구성되며, 상기 금속 산화물막은 이리듐 산화물(IrO2) 또는 루테늄 산화물(RuO3)으로 이루어진다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 전극층은 금속 산화물막 및 금속막을 포함하는 이중막 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극층은 스트론튬-루테늄 산화물(SRO)막 및 이리듐(Ir)막 또는 이리듐 산화물(IrO2)막 및 이리듐(Ir)막으로 이루어진다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 전극(105)이 전술한 금속 산화물을 포함할 경우, 전극(105)이 형성된 대상체(100)를 열처리하여 전극(105)의 결정성을 향상시킨다. 이 경우, 상기 열처리 공정은 산소 및 질소 분위기 하에서 약 500∼700℃ 정도의 온도에서 수행된다.
상기 제2 전극층은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 전자-빔 증착 공정 또는 원자층 적층 공정을 이용하여 형성된다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 전극층은 상기 제1 전극층 상에 이리듐을 스퍼터링 공정으로 증착하여 형성한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 대상체(100) 상에 적어도 하나의 절연층을 포함하는 절연 구조물을 형성한 후, 상기 절연 구조물 상에 전극(105)을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 절연 구조물은 BPSG, PSG, USG, SOG, FOX, PE-TEOS 또는 HDP-CVD 산화물 등과 같은 산화물을 사용하여 형성된다. 또한, 상기 절연 구조물은 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 원자층 적층 공정 또는 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정을 이용하여 형성된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 대상체(100)와 전극(105) 사이 또는 상기 절연 구조물과 전극(105) 사이에 대상체(100)와 전극(105) 간의 접착력 혹은 상기 절연 구조물과 전극(105) 간의 접착력을 향상시키기 위하여 접착층을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 접착층은 금속 또는 도전성 금속 질화물을 사용하여 형성된다. 예를 들면, 상기 접착층은 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiN), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaN), 알루미늄(Al), 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W) 또는 텅스텐 질화물(WN) 등을 사용하여 형성된다. 또한, 상기 접착층은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 전자-빔 증착 공정 또는 원자층 적층 공정을 이용하여 형성된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 대상체(100)와 전극(105) 사이 또는 상기 절연 구조물과 전극(105) 사이에 상기 접착층이 형성되지 않을 경우, 전극(105)의 상기 제1 전극층은 상기 절연 구조물과 상기 제2 전극층 사이의 접착력 또는 대 상체(100)와 상기 제2 전극층 사이의 접착력을 향상시키는 기능을 수행한다. 즉, 상기 제1 전극층은 확산 장벽층 및 접착층의 역할을 함께 수행할 수 있다.
예비 분극층(110)은 유전 분극을 일으킬 수 있는 물질을 사용하여 전극(105) 상에 형성된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 예비 분극층(110)은 PZT, SBT, BLT[(Bi, La)TiO3], PLZT[Pb(La, Zr)TiO3] 또는 BST[(Bi, Sr)TiO3]와 같은 강유전체를 사용하여 형성된다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 예비 분극층(110)은 칼슘(Ca), 란탄(La), 망간(Mn) 내지 비스무스(Bi)와 같은 불순물이 도핑된 PZT, SBT, BLT, PLZT 또는 BST 등의 강유전체를 사용하여 형성할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 예비 분극층(110)은 티타늄 산화물(TiO2), 탄탈륨 산화물(TaO2), 알루미늄 산화물(Al2O3), 아연 산화물(ZnO2) 또는 하프늄 산화물(HfO2) 등과 같은 큰 유전 상수를 갖는 금속 산화물이나 실리콘 질화물 등의 질화물을 사용하여 형성할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 예비 분극층(110)은 폴리 아세틸렌과 같은 전도성 폴리머를 사용하여 형성될 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서, 예비 분극층(110)은 게르마늄-안티몬 텔룰라이드와 같은 상전이 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서, 예비 분극층(110)은 니켈 산화물과 같은 저항 메모리 물질을 사용하여 형성할 수 있다.
예비 분극층(110)은 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD) 공정, 졸-겔(sol-gel) 공정, 화학 기상 증착 공정, 액상 에피택셜(Liquid Phase Epitaxy; LPE) 공정, 스퍼터링 공정, 펄스 레이저 증착(Pulsed Laser Deposition; PLD) 공정 또는 원자층 적층 공정을 이용하여 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 예비 분극층(110)은 전극(105) 상에 PZT를 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD) 공정으로 증착하여 형성된다. 이와 같은 예비 분극층(110)을 형성하는 공정을 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
먼저, 전극(105)이 형성된 대상체(100)를 금속 유기 화학 기상 증착 장치의 공정 챔버 내에 위치시킨다. 전극(105) 상에 예비 분극층(110)을 형성하는 동안, 상기 공정 챔버는 약 350∼650℃ 정도의 온도 및 약 1∼10Torr 정도의 압력으로 유지된다. 예비 분극층(110)의 형성을 위한 유기 금속 전구체는 캐리어 가스와 함께 대상체(100) 상으로 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유기 금속 전구체는 납이나 납을 포함하는 제1 화합물, 지르코늄이나 지르코늄을 포함하는 제2 화합물, 그리고 티타늄이나 티타늄을 포함하는 제3 화합물로 이루어진다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 유기 금속 전구체는 납, 지르코늄 및 티타늄을 함유하는 화합물로 구성될 수 있다. 상기 캐리어 가스는 질소(N2) 가스, 헬륨(He) 가스 또는 아르곤(Ar) 가스 등과 같은 불활성 가스를 포함한다.
이어서, 산소(O2), 오존(O3), 이산화질소(NO2) 또는 산화이질소(N2O)를 포함하는 산화제를 상기 공정 챔버 내로 도입한다. 상기 유기 금속 전구체와 상기 산화제의 반응에 따라 전극(105) 상에는 금속 유기 화학 기상 증착 공정으로 형성된 PZT로 이루어진 예비 분극층(110)이 형성된다.
상술한 금속 유기 화학 기상 증착 공정으로 형성된 PZT로 이루어진 예비 분극층(110)의 표면 상태를 설명하면 다음과 같다.
도 3a는 예비 강유전체층(110)의 표면을 원자 힘 현미경(AFM)을 이용하여 측정한 사진이며, 도 3b는 예비 강유전체층(110)의 표면을 주사 전자 현미경(SEM)을 이용하여 측정한 사진이다.
도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 전술한 금속 유기 화학 기상 증착 공정을 통해 형성된 PZT를 포함하는 예비 분극층(110)의 표면은 상당히 큰 거칠기(roughness)를 가진다. 예를 들면, 예비 분극층(110) 표면의 제1 RMS값은 약 50Å 이상이 되며, 예비 분극층(110)의 최고점과 최저점 사이의 높이 차를 나타내는 제1 P-V(Peak-to-Valley)값은 약 400∼600Å 정도까지 된다. 이와 같이 매우 거친 표면을 갖는 예비 분극층(110) 상에 반응 방지층(120)과 반도체층(125)(도 2b 참조)을 형성할 경우, 반응 방지층(120) 및 반도체층(125)도 예비 분극층(110)의 표면을 따라 매우 거친 표면을 가지게 된다. 이로 인하여, 반도체층(125)에 접촉되어 데이터를 쓰거나 저장된 데이터를 읽는 탐침(130)(도 2c 참조)의 단부가 급속하게 마모되는 현상이 유발된다.
도 4a 및 도 4b는 종래의 강유전체 메모리 장치에서 강유전체 기록 매체에 데이터를 기록하거나 기록된 데이터를 독취하는 과정을 설명하기 위한 개략적인 단면도들을 도시한 것이다. 도 4a 및 도 4b에 있어서, 종래의 강유전체 메모리 장치는, 일반적으로 전극(150), 전극(150) 상에 형성된 강유전체 기록 매체(155) 및 강유전체 기록 매체(155)에 접촉되는 탐침(160)을 구비한다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 강유전체 기록 매체(155)의 매우 거친 표면에 접촉 이동하면서 데이터의 기록 및/또는 독취 과정을 수행하는 탐침(160)의 단부는 초기에는 충분히 예리하기 때문에, 강유전체 기록 매체(155)에 대하여 데이터의 기록 및/또는 독취 과정을 원활하게 수행할 수 있다. 그러나, 도 4b에 도시한 바와 같이, 시간의 경과에 따라 탐침(160)의 단부가 강유전체 기록 매체(155)의 매우 거친 표면에 급속하게 마모되어 데이터의 기록 및/또는 독취 과정을 정확하게 수행하지 못하게 되며, 결국 이러한 강유전체 메모리 장치의 신뢰성을 크게 저하시키게 된다.
또한, 예비 분극층(110)이 전술한 바와 같이 매우 거친 표면을 가질 경우, 예비 분극층(110)의 데이터 보존력 또는 분극 보존력이 저하될 뿐만 아니라 예비 분극층(110)을 통하여 누설 전류가 증가하게 되는 문제점도 발생한다.
이에 따라서, 예비 분극층(110)의 표면을 연마함으로써, 전극(105) 상에 거칠기가 현저하게 개선된 표면을 갖는 분극층(115)을 형성한다.
도 2b를 참조하면, 저속 및 저압의 연마 공정 조건 하에서 예비 분극층(110)의 표면을 화학 기계적 연마(CMP) 공정을 이용하여 연마한다. 예비 분극층(110)의 표면을 연마하여 전극(105) 상에 분극층(115)을 형성하는 공정을 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
예비 분극층(110)의 표면은, 연마 패드를 갖는 회전 테이블, 상기 회전 테이블을 소정의 방향으로 회전시키는 회전축, 대상체(100)를 수용하는 캐리어, 그리고 상기 연마 패드의 표면 상태를 개선하는 컨디셔닝 패드를 구비하는 화학 기계적 연 마 장치를 이용하여 연마된다.
상기 화학 기계적 연마 장치에 있어서, 상기 캐리어는 상기 회전 테이블의 일측 상부에 배치되며, 상기 컨디셔닝 패드는 상기 회전 테이블의 타측 상부에 배치된다. 예비 분극층(110)이 형성된 대상체(100)는 예비 분극층(110)이 하방을 향하도록 상기 캐리어에 장착된다. 즉, 예비 분극층(110)의 거친 표면이 상기 연마 패드에 접촉되도록 대상체(100)를 상기 캐리어에 장착한다. 상기 캐리어에 장착된 대상체(100)는 상기 회전 테이블의 연마 패드에 접촉되도록 배치된다. 대상체(100)가 수용된 상기 캐리어는 상기 회전축과 실질적으로 동일한 방향으로 회전하지만, 상기 회전축과 상기 캐리어는 서로 상이한 회전 속도를 갖도록 조절된다.
상기 회전 테이블의 상부에 위치하는 공급 노즐로부터 상기 연마 패드의 중앙부로 공급되는 연마용 슬러리는 상기 회전축에 의하여 회전하는 상기 회전 테이블 상에 발생되는 원심력에 따라 상기 연마 패드의 주변부로 이송된다. 이에 따라 상기 연마 패드와 예비 분극층(110) 사이로 상기 연마용 슬러리가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 예비 분극층(110)이 강유전체로 이루어질 경우, 예비 분극층(110)을 화학 기계적으로 연마하기 위한 상기 연마용 슬러리는 산성 실리카(SiO2), 알칼리성 실리카 또는 세리아(CeO2) 등의 산화물을 함유하는 연마제를 포함한다. 이 경우, 상기 산성 실리카의 pH는 약 2∼3 정도이며, 상기 알칼리성 실리카의 pH는 약 10∼12 정도이다. 한편, 상기 세리아의 pH는 약 7∼8 정도로 실질적으로 중성을 나타낸다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 연마용 슬러 리는 금속 산화물을 함유하는 연마제를 포함한다. 예를 들면, 상기 연마용 슬러리는 알루미나(Al2O3) 또는 티타니아(TiO2) 등을 함유하는 연마제를 포함한다.
상기 연마용 슬러리를 사용하여 예비 분극층(110)의 표면을 연마하는 화학 기계적 연마 공정에 있어서, 예비 분극층(110)의 연마 속도를 결정하는 주된 공정 변수(process parameter)는 상기 캐리어를 통하여 대상체(100)에 가해지는 하방 압력(즉, 상기 연마 패드에 대상체(100)를 누르는 압력)과 상기 연마 패드의 회전 속도(즉, 상기 연마 패드가 장착된 상기 회전 테이블의 회전 속도)이다. 이 때, 상기 캐리어의 회전 속도는 실질적으로 일정하게 유지된다.
일반적으로 강유전체층, 특히 PZT층의 두께가 감소할 경우에는 Dead Layer Effect가 증가하게 되어 PZT층의 강유전성이 열화되는 현상이 발생한다. 다르게 말하면, PZT층의 두께가 감소할 경우에는 PZT층의 2Pr값이 감소하는 동시에 PZT층의 항전압 특성이 증가하게 된다. 그러나, 본 발명에 따르면, 화학 기계적 연마 공정을 도입하여 예비 분극층(110)의 표면을 연마함으로써, 분극층(115)이 매우 얇은 두께를 가지면서도 극히 평탄한 표면을 갖도록 형성한다. 이에 따라, 분극층(115)에 대한 Dead Layer Effect를 감소시킴으로써, 분극층(110)의 분극 특성을 크게 개선할 수 있다.
본 발명에 있어서, 대상체(100)에는 종래의 화학 기계적 연마 공정의 경우보다 낮은 약 0.5∼3.0psi 정도의 저압의 하방 압력이 가해진다. 또한, 상기 연마 패드도 종래의 화학 기계적 연마 공정의 경우보다 느린 약 5∼25rpm 정도의 낮은 저 속의 속도로 회전한다. 이에 따라, 예비 분극층(110)에 표면에 연마로 인한 스트레스의 발생을 최소화하면서 분극층(110)의 표면 특성을 개선할 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 저압 및 저속으로 예비 분극층(110)의 표면을 연마할 경우, 예비 분극층(110)의 연마 속도를 용이하게 조절할 수 있기 때문에, 상기 표면 연마 공정의 공정 마진을 충분하게 확보하면서 전극(105) 상에 분극층(115)을 형성할 수 있다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따라 화학 기계적 연마 공정으로 형성된 분극층의 표면을 원자 힘 현미경을 사용하여 측정한 사진이며, 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따라 화학 기계적 연마 공정으로 형성된 분극층의 표면을 주사 전자 현미경을 사용하여 측정한 사진이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 예비 분극층(110)에 대하여 상술한 화학 기계적 연마 공정과 같은 표면 연마 공정을 수행하여 형성된 분극층(115)은 약 2Å 이하의 제2 RMS값 및 약 40∼60Å 정도의 제2 P-V값을 가진다. 이에 따라, 예비 분극층(110)의 제1 RMS값에 대한 분극층(115)의 제2 RMS값의 비는 약 1.0：0.04 정도가 되며, 된다. 또한, 예비 분극층(110)의 제1 P-V값에 대한 분극층(115)의 제2 P-V값의 비는 약 1.0：0.07∼1.0：0.15 정도가 된다. 그러므로, 상기 화학 기계적 연마 공정을 통하여 분극층(115)의 표면 거칠기가 현저하게 개선됨으로써, 탐침(130)의 내구성을 크게 향상시킬 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따라 화학 기계적 연마 공정으로 연마된 분극층을 갖는 기록 매체에 데이터를 기록하거나 기록된 데이터를 독취하는 과정을 설명하기 위한 개략적인 단면도들을 도시한 것이다. 도 6a 및 도 6b에 있어서, 본 발명 에 따른 정보 처리 장치는, 전극(170), 전극(170) 상에 형성된 기록 매체(175) 및 기록 매체(175)에 접촉되는 탐침(108)을 구비한다.
도 6a 및 도 6b에 도시한 바와 같이, 기록 매체(170)의 표면에 탐침(108)을 접촉 이동시키면서 데이터의 기록 과정 및/또는 독취 과정을 수행하더라도, 화학 기계적 연마 공정을 통하여 극히 평탄한 표면을 갖는 분극층을 구비하는 기록 매체(170)의 표면이 매끄럽기 때문에 탐침(108), 특히 탐침(108)의 단부가 마모 되는 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 정보 처리 메모리 장치의 내구성을 크게 향상시킬 수 있는 동시에 그 신뢰성도 개선할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 화학 기계적 연마 공정을 실시한 강유전층들과 화학 기계적 연마 공정을 실시하지 않은 강유전체층의 분극-전기장(P-E) 이력곡선들을 나타내는 그래프이다. 도 7에 있어서, "A" 및 "B"은 각기 약 30초 및 약 60초 동안 화학 기계적 연마 공정을 수행한 강유전체층들의 분극-전기장 이력곡선들을 나타내며, "C"는 화학 기계적 연마 공정을 실시하지 않은 강유전체층의 분극-전기장 이력곡선을 나타낸다.
도 7을 참조하면, 낮은 하방 압력 및 낮은 회전 속도 하에서 화학 기계적 연마 공정을 약 30초 정도 실시한 강유전체층(A)에 있어서, +2Pr값은 약 40.05μC/cm2 정도이며, -2Pr값은 약 -41.5μC/cm2 정도이다. 또한, 화학 기계적 연마 공정을 약 60초 정도 실시한 강유전체층(B)에 있어서, +2Pr값은 약 42.3μC/cm2 정도이고, -2Pr값은 약 -43.7μC/cm2 정도이다. 이에 비하여, 화학 기계적 연마 공정을 수행하지 않은 강유전체층(C)에 있어서, +2Pr값은 약 40.1μC/cm2 정도이며, -2Pr값은 약 -40.8μC/cm2 정도이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 화학 기계적 연마 공정을 통하여 표면이 연마된 강유전체층들(A, B)의 강유전적 특성을 화학 기계적 연마 공정을 수행하지 않은 강유전체층(C)에 비하여 실질적으로 동일하거나 오히려 개선됨을 알 수 있다. 즉, 본 발명에 따라 저속 및 저압 하에서 화학 기계적 연마 공정을 수행할 경우, 분극층(115)의 표면 평탄도는 현저하게 개선되면서도 분극층(115)의 분극 특성에는 영향을 미치지 않음을 확인할 수 있다.
다시 도 2b를 참조하면, 전술한 바와 같이 현저하게 개선된 표면 거칠기를 갖는 분극층(115)을 세정한다. 상기 화학 기계적 연마 공정에 있어서, 연마용 슬러리를 사용하여 예비 분극층(110)의 표면을 연마할 경우, 슬러리 잔류물 및 연마 잔류물이 분극층(115)의 표면상에 존재할 뿐만 아니라 분극층(115)의 표면에 화학 기계적 연마 공정에 기인하는 손상이 발생할 수 있다. 이와 같은 슬러리 잔류물 및 연마 잔류물을 제거하는 동시에 분극층(115) 표면의 손상을 큐어링하기 위하여 세정액을 사용하는 세정 공정을 수행한다. 여기서, 상기 세정 공정은 암모니아(NH4OH), 탈이온수(DI water), SMC 용액, SMF 용액 또는 SC1 용액을 함유하는 세정액을 사용하여 약 30∼90초 동안 진행된다.
이어서, 상기 화학 기계적 연마 공정 동안 분극층(115)의 표면에 발생된 손상을 제거하기 위하여 세정된 분극층(115)을 열처리한다. 예를 들면, 약 500∼600℃ 정도의 온도에서 약 30∼90초 동안 급속 열처리 공정(RTA)으로 분극층(115)을 열처리함으로써, 분극층(115)의 표면에 존재하는 표면 연마에 기인하는 손상을 완전히 제거한다. 이러한 분극층(115)의 열처리 공정은 질소 가스, 헬륨 가스, 아르곤 가스 또는 네온 가스 등을 포함하는 불활성 가스 분위기 하에서 진행된다.
도 2c를 참조하면, 분극층(115) 상에 반응 방지층(120) 및 반도체층(125)을 순차적으로 형성한 후, 반도체층(125) 상부에 반도체층(125)에 접촉되는 탐침(130)을 배치한다.
반응 방지층(120)은 분극층(115)이 산화되는 것을 방지하는 역할을 수행하며, 금속 산화물 또는 질화물을 사용하여 형성된다. 또한, 반응 방지층(120)은 분극층(115)과 반도체층(125) 사이에 반응이 일어나는 것을 방지한다. 반도체층(125)은 탐침(130)과 쇼트키(Schottkey) 접합을 형성할 수 있는 물질로 이루어진다. 예를 들면, 반도체층(125)은 불순물이 도핑된 실리콘과 같은 반도체 물질을 사용하여 형성된다. 탐침(130)은 금(Au)이나 백금(Pt)과 같은 금속 혹은 실리콘 등의 반도체 물질을 사용하여 형성됨으로써, 반도체층(1250과 쇼트키 접합을 형성한다.
본 발명에 따르면, 저온 및 저속의 연마 조건 하에서 화학 기계적 연마 공정을 통하여 극히 작은 RMS값 및 P-V값을 갖는 분극층을 형성함으로써, 이러한 분극층을 포함하는 기록 매체에 접촉되어 데이터를 기록하거나 기록된 독취하는 탐침의 마모를 크게 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 기록 매체의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있는 동시에 정보 처리 장치의 전체적인 내구성을 현저하게 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (9)

  1. 대상체 상에 전극을 형성하는 단계;
    상기 전극 상에 예비 분극층을 형성하는 단계;
    상기 예비 분극층의 표면을 화학 기계적 공정으로 연마하여 상기 전극 상에 분극층을 형성하는 단계;
    상기 분극층 상에 반응 방지층을 형성하는 단계;
    상기 반응 방지층 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및
    상기 반도체층 상에 탐침을 배치하는 단계를 포함하는 정보 처리 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 예비 분극층은 유기 금속 화학 기상 증착 공정, 졸-겔 공정, 액상 에피택셜 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정 또는 원자층 적층 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 정보 처리 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 예비 분극층은 강유전체, 상전이 물질, 저항 메모리 물질, 금속 산화물 및 전도성 폴리머로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 정보 처리 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 예비 분극층은 제1 RMS값 및 제1 P-V값을 가지고, 상 기 분극층은 제2 RMS값 및 제2 P-V값을 가지며, 상기 제1 RMS값에 대한 상기 제2 RMS값의 비는 1:0.002이고, 상기 제1 P-V 값에 대한 상기 제2 P-V값의 비는 1.0:0.07∼0.15인 것을 특징으로 하는 장보 처리 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 분극층은 50∼1,000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 정보 처리 장치의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 화학 기계적 연마 공정은 상기 대상체가 장착되는 캐리어 및 상기 예비 강유전체층의 표면에 접촉되는 연마 패드를 구비하는 화학 기계적 연마 장치를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 정보 처리 장치의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 대상체를 상기 연마 패드에 접촉시키는 압력은 0.5∼3.0psi이며, 상기 연마 패드의 회전 속도는 5∼25rpm인 것을 특징으로 하는 정보 처리 장치의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 전극층을 형성한 후 상기 전극층을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정보 처리 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전극층은 질소 및 산소 분위기 하에서 500∼700℃의 온도에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 정보 처리 장치의 제조 방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05282717A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Canon Inc 記録媒体の製造方法、及び記録媒体、及び情報処理装置
JPH05314551A (ja) * 1992-05-08 1993-11-26 Canon Inc 記録媒体製造方法及び記録媒体
KR19990027308A (ko) * 1997-09-29 1999-04-15 윤종용 다층막 강유전체 고밀도 데이터 저장 매체 및 그 기록과 재생방법
KR20010073306A (ko) * 2000-01-13 2001-08-01 구자홍 강유전체 기록 매체 및 그 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05282717A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Canon Inc 記録媒体の製造方法、及び記録媒体、及び情報処理装置
JPH05314551A (ja) * 1992-05-08 1993-11-26 Canon Inc 記録媒体製造方法及び記録媒体
KR19990027308A (ko) * 1997-09-29 1999-04-15 윤종용 다층막 강유전체 고밀도 데이터 저장 매체 및 그 기록과 재생방법
KR20010073306A (ko) * 2000-01-13 2001-08-01 구자홍 강유전체 기록 매체 및 그 제조 방법

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