JPH04359173A - 直流特性試験回路 - Google Patents

直流特性試験回路

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JPH04359173A
JPH04359173A JP3135038A JP13503891A JPH04359173A JP H04359173 A JPH04359173 A JP H04359173A JP 3135038 A JP3135038 A JP 3135038A JP 13503891 A JP13503891 A JP 13503891A JP H04359173 A JPH04359173 A JP H04359173A
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義博 前崎
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス試験の
内、直流特性試験を容易に行なう方式に関する。
【0002】半導体デバイス試験は、直流特性試験と交
流特性試験とに分けることができる。その内、直流特性
試験には、入力電流テスト、VOH・VOLテスト、I
CCテストなどがある。
【0003】VOH・VOLテストを行なうには、半導
体デバイスの各端子に“H”または“L”の電位を設定
しなければならないが、近年の半導体デバイスの高集積
化と共にその設定が複雑かつ困難になってきた。そのた
め、各端子に“H”または“L”の電位を容易に設定す
るための有効な手段が望まれている。
【0004】
【従来の技術】試験対象の半導体デバイスが有するある
出力端子に、“H”または“L”の電位を設定するには
、まず入力端子に対して予め決められたタイミング及び
波形モードを設定する。それから、半導体デバイス毎に
特有の測定パターンを次々と流すことによって、目的の
出力端子を“H”または“L”の電位にさせていく。 VOH・VOLテストでは、この“H”または“L”の
状態における電圧値を測定して、規程内であるかを検証
する。
【0005】また、別の出力端子に、“H”または“L
”の電位を設定するには、再び試験に係る半導体デバイ
スに特有の測定パターンを次々と流す。すなわち、出力
端子が変わるたびに個々の測定パターンを流して出力端
子の電位を設定する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は、
1つの出力端子ごとに、半導体デバイスの入力側の設定
をいろいろと変化させながら、VOH・VOLテストを
行なっていた。そのため、入力端子数が増加すると、目
的の出力端子を設定するための条件が複雑になる。同時
に、出力端子数が増加すると、“H”または“L”の電
位の設定時間が増加数だけ余計にかかる。そして、特に
、近年の半導体デバイスの高集積化により、VOH・V
OLテストに要する時間が飛躍的に増大しているという
問題点がある。
【0007】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
、半導体デバイスの出力端子に“H”または“L”の電
位を容易に設定するための有効な手段を提供することを
目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上述の
目的は前記特許請求の範囲に記載の手段により達成され
る。すなわち、本発明は、半導体デバイス試験において
、半導体デバイスの内部回路部と出力部との間に設けら
れ、入力信号に対して予め定められた信号を出力する試
験回路であって、2つの制御信号を受けて、1の制御信
号のパルスを検出した時に初期化状態となり、内部回路
部から受ける入力信号がどのようなものであるかにかか
わらず、高レベルあるいは低レベルのいずれか定められ
た方の信号を出力部へ出力すると共に、他の制御信号の
パルスを検出するごとに、出力部への出力を高レベルか
ら低レベルへあるいは低レベルから高レベルへ反転する
直流特性試験回路である。
【0009】
【作用】図1は、本発明の原理説明図である。図1(a
)は、本発明による直流特性試験回路1を示しており、
これは、2つの制御信号CaおよびCbを受ける端子と
、入力信号Ia〜Inを受ける端子と、入力信号Ia〜
Inに対する出力信号Oa〜Onを送出する端子とを有
する。
【0010】図1(b)は、図1(a)の直流特性試験
回路1の動作を説明するためのタイミングチャートの図
である。図1(b)において、2つの制御信号が共に“
L”の間は、入力信号Ia,Ibがそのまま出力信号O
a,Obとなって表われている。また、2つの制御信号
が共に“H”になると、出力信号Oa,Obはその時の
直流特性試験回路1の状態によって定まり、ここでは“
H”か“L”かは不定である。
【0011】図1(b)の英字符T1で示すタイミング
で、制御信号Caにパルスが表われている。この時、直
流特性試験回路1は初期状態となり、各出力信号Oa〜
Onを強制的に“H”あるいは“L”とする。図2(b
)では、出力信号Oa,Obをみてわかるとおり、初期
状態では“L”になっている。また、続いて他の制御信
号Cbにパルスが表われるたびに、各出力信号Oa〜O
nは“H”から“L”または“L”から“H”に強制的
に反転している。図1(b)の英字符T2で示すタイミ
ングで、出力信号Oa,Obは“L”から“H”に反転
し、英字符T3で示すタイミングで出力信号Oa,Ob
は“H”から“L”に反転している。
【0012】当然のことながら、図1(b)のタイミン
グチャートにおいて、制御信号CaおよびCbの論理を
逆にしても回路構成をその逆論理に合わせれば、入力信
号と出力信号との間に同一の関係を容易に生じさせるこ
とができるのは言うまでもない。
【0013】
【実施例】図2は、本発明の実施例について説明する図
である。図2(a)は、半導体デバイス内のどこに本発
明による直流特性試験回路9を設けるのかを説明してい
る。半導体デバイスを入力ピンを含む入力部7と出力ピ
ンを含む出力部10と、内部回路部8とに大きく分けた
場合において、図2(a)に示すように、直流特性試験
回路9は出力部10の前段に設ける。
【0014】図2(b)は、本発明による直流特性試験
回路9の構成例と、半導体デバイスであるLSI11の
概略構成とを示している。直流特性試験回路9へは、2
つの入力ピン12,13から2つの制御信号が、内部回
路部8から4つの入力信号が送られていると同時に、直
流特性試験回路9から出力ピン14〜17へ、各入力信
号に対する出力信号が送出されている。
【0015】2つの制御信号が共に“L”の場合は、A
ND回路20の出力が“1”、AND回路21の出力が
“0”なので、直流特性試験回路9への入力信号は、そ
のまま出力信号となる。また、2つの制御信号が共に“
H”となり、その後入力ピン12へ“L”のパルス信号
が伝わると、2つのFF回路18,19がクリアされて
初期状態となる。このとき、AND回路20の出力が“
0”なので4つのAND回路22〜25の出力は“0”
であり、同時にAND回路21の出力も“0”なので、
結局4つのOR回路26〜29の出力も“0”である。
【0016】以後、2つの制御信号が共に“L”になら
ない限りAND回路20の出力が“1”とならないので
、4つのAND回路22〜25の出力は“0”の状態を
保つ。そのため、直流特性試験回路9の出力信号を決め
るのはAND回路21の出力となる。
【0017】図示するように、2つのFF回路18,1
9の反転動作によってAND回路21は、出力を“0”
から“1”にまたは“1”から“0”に変化する。2つ
のFF回路18,19は入力ピン13に加えられるパル
ス信号を受けるたびに反転するので、直流特性試験回路
9の各出力信号は、入力ピン13にパルス信号を伝える
ことにより、“H”または“L”にすることができる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体デバイスの出力端子に“H”レベルおよび“L”
レベルの電位を容易に設定することができるので、VO
H・VOL試験を容易かつ短時間で行なうことができる
という利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理説明図である。
【図2】本発明の実施例について説明する図である。
【符号の説明】
1,2,18,19    FF回路 3〜5,20〜25    AND回路6,26〜29
    OR回路 7    入力部 8    内部回路部 9    直流特性試験回路 10    出力部 11    LSI 12,13    入力ピン 14〜17    出力ピン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  半導体デバイス試験において、半導体
    デバイスの内部回路部と出力部との間に設けられ、入力
    信号に対して予め定められた信号を出力する試験回路で
    あって、2つの制御信号を受けて、1の制御信号のパル
    スを検出した時に初期化状態となり、内部回路部から受
    ける入力信号がどのようなものであるかにかかわらず、
    高レベルあるいは低レベルのいずれか定められた方の信
    号を出力部へ出力すると共に、他の制御信号のパルスを
    検出するごとに、出力部への出力を高レベルから低レベ
    ルへあるいは低レベルから高レベルへ反転することを特
    徴とする直流特性試験回路。
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