JP2896955B2 - 集積回路装置のテスト方法 - Google Patents

集積回路装置のテスト方法

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JP2896955B2
JP2896955B2 JP5146431A JP14643193A JP2896955B2 JP 2896955 B2 JP2896955 B2 JP 2896955B2 JP 5146431 A JP5146431 A JP 5146431A JP 14643193 A JP14643193 A JP 14643193A JP 2896955 B2 JP2896955 B2 JP 2896955B2
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channel transistor
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行雄 石崎
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NIPPON PURESHIJON SAAKITSUTSU KK
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路装置のテスト方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在、集積回路装置の評価方法として、
この集積回路装置に所定の評価信号を入力し、個々の出
力端子よりの出力が予定通りの出力で有るか否かにより
行なわれており、上記評価としては、集積回路装置の実
際の使用目的に応じた動作の模擬評価と、集積回路装置
の電気特性等の緒評価とがある。前者は、実際に使用さ
れる出力端子よりの出力により行なわれ、後者は実際に
使用される出力端子以外に設けられた評価用出力端子よ
りの出力を得て行なわれることが一般的である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述の集積回路装置の
評価方法では、実際に使用される出力端子以外に評価用
出力端子を設けるため、集積回路装置の回路規模が必要
以上に大きくなる。また、評価時における端子のモニタ
数も増大し、評価に手間を要する。
【0004】本発明の目的は、集積回路装置の回路規模
の増大を招かず、手間のかからない集積回路装置の評価
方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】集積回路内に当該集積回
路装置内で生成される第1の論理出力がゲートに入力さ
れるとともにソースがローレベルに保持されたNチャン
ネル型トランジスタと、上記集積回路装置内で生成され
る第2の論理出力がゲートに入力されるとともにソース
がハイレベルに保持されたPチャンネル型トランジスタ
とを形成する。また、上記Nチャンネル型トランジスタ
およびPチャンネル型トランジスタのドレイン同士の接
続点に接続された外部回路への接続端子を形成する。さ
らに、上記Nチャンネル型トランジスタおよびPチャン
ネル型トランジスタが共にオンとなる状態および共にオ
フとなる状態において上記接続端子の電圧をハイレベル
とローレベルとの中間レベルとし、上記Nチャンネル型
トランジスタのみがオンとなる状態では上記接続端子の
電圧をローレベルとし、上記Pチャンネル型トランジス
タのみがオンとなる状態では上記接続端子の電圧をハイ
レベルとするレベル設定回路とを設ける。以上により、
上記第1の論理出力及び上記第2の論理出力の組み合わ
せに応じて上記ローレベル、上記ハイレベルまたは上記
中間レベルとなる上記接続端子から出力される信号を所
定の信号と比較することにより上記第1の論理出力およ
び上記第2の論理出力を同時にテストすることにより上
記目的を達成する。
【0006】
【実施例】本発明の一実施例の集積回路装置のテスト方
法を図を参照しながら説明する。図1aは本例の構成を
示す説明図であり、同図において、1は集積回路装置と
してのICであり、様々の論理出力を生成する。
【0007】2はIC1内に設けられたNチャンネル型
トランジスタであり、ゲートに第1の論理出力として、
IC1が実際の用途に用いられた場合と同様の通常出力
を受ける。また、ソースは接地されている。
【0008】3はIC内に設けられたPチャンネル型ト
ランジスタであり、ゲートに第2の論理出力として、I
C評価用のテスト出力を受ける。また、このソースはV
DDに接続されている。
【0009】4は接続端子としてのパッドであり、Nチ
ャンネル型トランジスタ2およびPチャンネル型トラン
ジスタ3のドレインどうしの接続点に接続されている。
【0010】5はレベル設定回路であり、パッド4に接
続されるプルアップ抵抗R1と、同じくリレーrを介し
て接続されるプルダウン抵抗R2とよりなる。このレベ
ル設定回路5はプルアップ抵抗R1およびプルダウン抵
抗R2の値を適宜に決め、Nチャンネル型トランジスタ
およびPチャンネル型トランジスタのオン、オフ状態に
応じてパッド4の電圧をハイレベル、ローレベルまたは
ハイレベルとローレベルとの中間レベルに設定する。な
お、リレーrは上記通常出力および上記テスト出力を用
いてIC評価がおこなわれる時にオンとされるものであ
り、上記通常出力のみを用いてIC評価がおこなわれる
時にはオフとされる。
【0011】6は記憶回路であり、所定のタイミングに
て行なわれるIC評価操作における、テスト出力および
通常出力の理論値より決定されるパッド4の出力の理論
値を予め納めており、IC評価操作と同期してこれを出
力する。
【0012】7は比較回路であり、パッド4の出力と記
憶回路6の出力とを比較し出力を発する。ここでは両者
の出力の一致、不一致により出力を反転することとす
る。
【0013】次に以上の様に構成される本例の動作につ
いて図1bに示すタミングチャートを参照しながら説明
する。IC評価操作が開始され、Nチャンネル型トラン
ジスタ2のゲートには、通常出力として図1b“A”に
示すような信号が加えられ、Pチャンネル型トランジス
タ2のゲートには、テスト出力として図1b“B”に示
すような信号が加えられているとする。
【0014】まず、信号Aが“0”で信号Bが“1”の
場合には、パッド4に現れる信号Cは、Nチャンネル型
トランジスタ2とPチャンネル型トランジスタ3とがと
もにオフなので、プルアップ抵抗R1およびプルダウン
抵抗R2によりハイレベルとローレベルとの中間レベル
に保持される。なお、ここで言う中間レベルとはハイレ
ベルとローレベルとの間のレベル(電圧)を指し、本実
施例ではVDD/2としているが、プルアップ抵抗R1
とプルダウン抵抗R2との抵抗比で決まるものであり、
必ずしもVDD/2ではなくともよい。
【0015】信号Aが“1”で信号Bが“1”の場合
に、Nチャンネル型トランジスタ2がオンとなり、Pチ
ャンネル型トランジスタ3がオフとなるので、パッド4
はローレベルに保持される。
【0016】また、信号Aが“1”で信号Bが“0”の
場合には、Nチャンネル型トランジスタ2とPチャンネ
ル型トランジスタ3とがともにオンなので、ハイレベル
とローレベルとの中間レベルに保持される。なお、ここ
で言う中間レベルとはハイレベルとローレベルとの間の
レベル(電圧)を指し、本実施例ではVDD/2として
いるが、Nチャンネル型トランジスタ2とPチャンネル
型トランジスタ3とのオン抵抗の比で決まるものであ
り、必ずしもVDD/2ではなくともよい。
【0017】また、信号Aが“0”で信号Bが“0”と
なると、Nチャンネル型トランジスタ2がオフとなり、
Pチャンネル型トランジスタ3がオンとなるので、パッ
ド4はハイレベルに保持される。
【0018】以上により、信号A、Bに対応して信号C
は図1b“C”に示すように変化する。
【0019】このとき、記憶回路6は図1b“D”に示
すように、上述したパッド4の出力の理論値をIC評価
操作と同期して順次出力している。比較回路7は、パッ
ド4からの信号と記憶回路6からの信号Dとを受け、図
1b“E”に示すように、これらが一致している場合
は、“0”を出力している。
【0020】ここで、例えば、テスト出力に誤信号B1
が生ずると、パッド4からの信号Cに誤信号C1が生じ
る。これを受けた比較回路7は出力を“1”とし、誤信
号E1を出力する。このように、テスト出力、通常出力
のいずれかに誤りを生じた場合には、信号Cと信号Dと
が相違し、比較回路7より誤信号E1が発生する。これ
により、通常出力とテスト出力を評価することとなる。
【0021】なお、以上の評価動作時において、リレー
rはオンとされ、通常出力のみの評価時ではオフとす
る。また、常に通常出力とテスト出力の同時評価を行な
う場合は、リレーrを設けず、プルダウン抵抗を直接パ
ッド4に接続してもよい。
【0022】以上のように、ローレベル、ハイレベル、
中間レベルという3つの異なるレベルを用いることで、
通常出力とテスト出力の評価を同時に行なう事が可能と
なる。また、個々の通常出力に対して必要であったテス
ト出力端子を通常出力の端子により兼用することで集積
回路装置の回路規模の縮小が可能となる。
【0023】
【発明の効果】本発明の集積回路装置のテスト方法によ
れば、集積回路装置について2種類のテストを行うため
にそれぞれ当該集積回路装置内で第1、第2の論理出力
を発生させ、第1、第2の論理出力をそれぞれNチャネ
ル型トランジスタ、Pチャネル型トランジスタのゲート
に与え、これらトランジスタのドレイン同士の接続点に
外部回路への接続端子を設け、上記Nチャンネル型トラ
ンジスタおよびPチャンネル型トランジスタが共にオン
となる状態および共にオフとなる状態において上記接続
端子の電圧をハイレベルとローレベルとの中間レベルと
し、上記Nチャンネル型トランジスタのみがオンとなる
状態では上記接続端子の電圧をローレベルとし、上記P
チャンネル型トランジスタのみがオンとなる状態では上
記接続端子の電圧をハイレベルとするレベル設定回路を
設けてある。これにより、上記第1の論理出力及び上記
第2の論理出力の組み合わせに応じて上記ローレベル、
上記ハイレベルまたは上記中間レベルとなる信号が上記
接続端子から出力され、この信号を所定の信号と比較す
ることにより、上記第1の論理出力および上記第2の論
理出力を同時にテストする。このため、それぞれのテス
トのための第1、第2の論理出力別の外部端子を設ける
必要がなく、集積回路装置の回路規模の増大を招かず、
2種類のテストが可能となる。また、2種類のテストを
別に行うことによる手間を省くことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の集積回路装置のテスト方法
の構成を示す説明図。
【符号の説明】
1 集積回路 2 Nチャンネル型トランジスタ 3 Pチャンネル型トランジスタ 4 接続端子 5 レベル設定回路

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 積回路装置内に形成され、上記集積回
    路装置内で生成される第1の論理出力がゲートに入力さ
    れるとともにソースがローレベルに保持されたNチャン
    ネル型トランジスタと、 上記集積回路装置内に形成され、上記集積回路装置内で
    生成される第2の論理出力がゲートに入力されるととも
    にソースがハイレベルに保持されたPチャンネル型トラ
    ンジスタと、 上記Nチャンネル型トランジスタおよびPチャンネル型
    トランジスタのドレインどうしの接続点に接続された外
    部回路への接続端子と、 上記Nチャンネル型トランジスタおよびPチャンネル型
    トランジスタが共にオンとなる状態および共にオフとな
    る状態において上記接続端子の電圧をハイレベルとロー
    レベルとの中間レベルとし、上記Nチャンネル型トラン
    ジスタのみがオンとなる状態では上記接続端子の電圧を
    ローレベルとし、上記Pチャンネル型トランジスタのみ
    がオンとなる状態では上記接続端子の電圧をハイレベル
    とするレベル設定回路とを用い、 上記第1の論理出力及び上記第2の論理出力の組み合わ
    せに応じて上記ローレベル、上記ハイレベルまたは上記
    中間レベルとなる上記接続端子から出力される信号を所
    定の信号と比較することにより 上記第1の論理出力およ
    び上記第2の論理出力を同時にテストすることを特徴と
    する集積回路装置のテスト方法。
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