JPH043426A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH043426A JPH043426A JP2103856A JP10385690A JPH043426A JP H043426 A JPH043426 A JP H043426A JP 2103856 A JP2103856 A JP 2103856A JP 10385690 A JP10385690 A JP 10385690A JP H043426 A JPH043426 A JP H043426A
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置製造工程中の、薬液処理を行う装
置に関し、特に、ウェハーキャリアを自動搬送する搬送
機に関する。
置に関し、特に、ウェハーキャリアを自動搬送する搬送
機に関する。
フッ素樹脂製のウェハーキャリアを薬液槽から引き上げ
る際には、キャリアが、大きな静電気を帯びることが広
く知られている。そこで従来は第３図（ａ）〜（Ｃ）の
工程図に示すようにして、この静電気を除去しておった
。すなわち第３図（ａ）において、半導体ウェハーの処
理薬液を満たした薬液槽１に、処理すべき半導体ウェハ
ーを収容したウェハーキャリア２が浸漬されている。し
かして、処理が終り、キャリア２を引上げるための搬送
アーム７の一双の釣手が両側に開いて薬液槽ｌ内に入れ
られている。つぎに第３図（ｂ）のように、−双の釣手
を閉じてキャリア２の上級に引掛ける。
る際には、キャリアが、大きな静電気を帯びることが広
く知られている。そこで従来は第３図（ａ）〜（Ｃ）の
工程図に示すようにして、この静電気を除去しておった
。すなわち第３図（ａ）において、半導体ウェハーの処
理薬液を満たした薬液槽１に、処理すべき半導体ウェハ
ーを収容したウェハーキャリア２が浸漬されている。し
かして、処理が終り、キャリア２を引上げるための搬送
アーム７の一双の釣手が両側に開いて薬液槽ｌ内に入れ
られている。つぎに第３図（ｂ）のように、−双の釣手
を閉じてキャリア２の上級に引掛ける。
次に第３図（ｃ）のように、キャリア２を薬液槽１から
引上げ、それから、イオナイザ８から供給されるイオン
化空気９をキャリア２に吹き付け、キャリア２の帯電を
逆極性の電荷で中和し除去していた。
引上げ、それから、イオナイザ８から供給されるイオン
化空気９をキャリア２に吹き付け、キャリア２の帯電を
逆極性の電荷で中和し除去していた。
上述した従来の帯電除去方法では、完全に除電されるま
でには数十秒の時間が必要であり、十分に除電されない
まま、次工程に進んでしまうという欠点がある。又、イ
オナイザからの発塵も避けられず問題となる。
でには数十秒の時間が必要であり、十分に除電されない
まま、次工程に進んでしまうという欠点がある。又、イ
オナイザからの発塵も避けられず問題となる。
上記課題に対し本発明では、ウェハーキャリアが薬液槽
から引上げられた直後に、このウェハーキャリアを取囲
む接地電位の金属板を設けておき、この金属板によるキ
ャリアの包囲で両者の間に静電容量を形成し、帯電して
いる電荷の量Ｑ、電位ｖ１静電容量Ｃの間に成り立つ、
Ｑ＝ＣＶまたは■＝−の関係式から、前記の金属板によ
る静電容量の電位低下作用でもって電位Ｖを下げ、キャ
リ第１図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施例に係るウ
ェハーキャリアの帯電除去を説明するための説明断面図
である。まず第１図（ａ）において、薬液の入った薬液
槽１の中に、キャリア２が浸漬されていて、キャリア２
を引き上げる為、搬送アーム３の先端釣手でキャリア２
をはさみこんでいる。
から引上げられた直後に、このウェハーキャリアを取囲
む接地電位の金属板を設けておき、この金属板によるキ
ャリアの包囲で両者の間に静電容量を形成し、帯電して
いる電荷の量Ｑ、電位ｖ１静電容量Ｃの間に成り立つ、
Ｑ＝ＣＶまたは■＝−の関係式から、前記の金属板によ
る静電容量の電位低下作用でもって電位Ｖを下げ、キャ
リ第１図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施例に係るウ
ェハーキャリアの帯電除去を説明するための説明断面図
である。まず第１図（ａ）において、薬液の入った薬液
槽１の中に、キャリア２が浸漬されていて、キャリア２
を引き上げる為、搬送アーム３の先端釣手でキャリア２
をはさみこんでいる。
つぎに同図（ｂ）のように、搬送アーム３が上昇し、キ
ャリア２が薬液から離されている。つぎに同図（ｃ）の
ように、引き上げが終了すると、釣手部の外側に設けで
ある接地電位の金属板４が両側から間隔をせばめ、キャ
リア２のまわりを取り囲む。
ャリア２が薬液から離されている。つぎに同図（ｃ）の
ように、引き上げが終了すると、釣手部の外側に設けで
ある接地電位の金属板４が両側から間隔をせばめ、キャ
リア２のまわりを取り囲む。
そしてこの取り囲んだ状態で、次の薬液槽または乾燥機
へと搬送される。かくして金属板４とキャリア２の間に
形成される静電容量により、キャリアの電位は低下され
て帯電による障害は低減される。
へと搬送される。かくして金属板４とキャリア２の間に
形成される静電容量により、キャリアの電位は低下され
て帯電による障害は低減される。
第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施例に係る帯
電除去の説明用断面図である。第２図（ａ）において、
搬送アームは静容量形成の金属板６と一体化されてキャ
リア２を引上げるために薬液槽１の中に入れられている
。金属板６は図示されていないが耐薬品性の高い樹脂で
コーティングするなどの、腐食防止の手段が施されてい
る。第２図（ｂ）においては、金属板と一体の搬送アー
ム５の釣手部の間隔をせばめてキャリア２の上級に引掛
け、つぎに同図（ｃ）のように、薬液槽ｌからキャリア
２は引上げられる。本例は、金属板６が釣手部と一体で
あるために、第１図の例に比べて構造簡単となる利点が
ある。
電除去の説明用断面図である。第２図（ａ）において、
搬送アームは静容量形成の金属板６と一体化されてキャ
リア２を引上げるために薬液槽１の中に入れられている
。金属板６は図示されていないが耐薬品性の高い樹脂で
コーティングするなどの、腐食防止の手段が施されてい
る。第２図（ｂ）においては、金属板と一体の搬送アー
ム５の釣手部の間隔をせばめてキャリア２の上級に引掛
け、つぎに同図（ｃ）のように、薬液槽ｌからキャリア
２は引上げられる。本例は、金属板６が釣手部と一体で
あるために、第１図の例に比べて構造簡単となる利点が
ある。
以上説明したように、本発明は、薬液処理装置の搬送過
程において、キャリア中のウェノ１−の帯電を低減する
ことができ、ウェハーへの異物の付着、半導体装置の特
性の劣化などの、静電気による弊害を抑えることができ
る。しかして、これにより半導体装置の歩留り、信頼度
を向上させ、特に微細化の進んだパターンを有する超Ｌ
ＳＩに於いては、大きな効果が得られる。
程において、キャリア中のウェノ１−の帯電を低減する
ことができ、ウェハーへの異物の付着、半導体装置の特
性の劣化などの、静電気による弊害を抑えることができ
る。しかして、これにより半導体装置の歩留り、信頼度
を向上させ、特に微細化の進んだパターンを有する超Ｌ
ＳＩに於いては、大きな効果が得られる。
図、第３図（ａ）〜（ｃ）は従来の半導体装置の製造装
置偏けるつ、・・−キ・リアの帯電除去を説明する工程
断面図である。
置偏けるつ、・・−キ・リアの帯電除去を説明する工程
断面図である。
ｌ・・・・・・薬液槽、２・・・・・・ウェハーキャリ
ア、３゜５．７・・・・・・搬送アーム、４，６・・・
・・・容量形成金属板、８・・・・・・イオナイザ、９
・・・・・・イオン化空気。
ア、３゜５．７・・・・・・搬送アーム、４，６・・・
・・・容量形成金属板、８・・・・・・イオナイザ、９
・・・・・・イオン化空気。
代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 薬液処理対象の半導体ウェハーがウェハーキャリアに
収容されて浸漬される薬液槽と、この薬液槽から前記ウ
ェハーキャリアを引上げるための搬送アームとを有し、
さらに前記搬送アームにより前記ウェハーキャリアを前
記薬液槽から引上げる際に前記ウェハーキャリアの周り
を囲むように接近して位置される接地電位の金属板を備
えていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10385690A JP2885473B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10385690A JP2885473B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043426A true JPH043426A (ja) | 1992-01-08 |
| JP2885473B2 JP2885473B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=14365091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10385690A Expired - Fee Related JP2885473B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2885473B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133644A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハ搬送フオ−ク |
| JPH0245928A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-15 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| JPH0380535A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-05 | Fujitsu Ltd | 洗浄ホルダ |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10385690A patent/JP2885473B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133644A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハ搬送フオ−ク |
| JPH0245928A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-15 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| JPH0380535A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-05 | Fujitsu Ltd | 洗浄ホルダ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2885473B2 (ja) | 1999-04-26 |
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