JPH0245928A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH0245928A JPH0245928A JP63196961A JP19696188A JPH0245928A JP H0245928 A JPH0245928 A JP H0245928A JP 63196961 A JP63196961 A JP 63196961A JP 19696188 A JP19696188 A JP 19696188A JP H0245928 A JPH0245928 A JP H0245928A
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- JP
- Japan
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- air flow
- liquid tank
- blower
- tank
- semiconductor substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
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Landscapes
- Electrostatic Separation (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に半導体基板
を薬液又は純水で処理する半導体装置の製造装置に関す
る。
を薬液又は純水で処理する半導体装置の製造装置に関す
る。
従来、この種の半導体装置の製造装置においては、薬液
槽又は純水槽（以下処理液槽という）で半導体基板の所
定の処理を終了すると、半導体基板はカセット−ケース
により大気中を経て、次の槽へ持ち運ばれるように構成
されていた。
槽又は純水槽（以下処理液槽という）で半導体基板の所
定の処理を終了すると、半導体基板はカセット−ケース
により大気中を経て、次の槽へ持ち運ばれるように構成
されていた。
上述した従来の半導体装置の製造装置は、高比抵抗の薬
液又は純水中から半導体基板を収納した絶縁性のカセッ
トケースを引上げる際、このカセットケースは高比抵抗
（≧１０１５Ω、・ｃｍ）の薬液又は純水との間で剥離
帯電を起こし、５ｋＶ〜１０ｋＶの高電圧に帯電する。
液又は純水中から半導体基板を収納した絶縁性のカセッ
トケースを引上げる際、このカセットケースは高比抵抗
（≧１０１５Ω、・ｃｍ）の薬液又は純水との間で剥離
帯電を起こし、５ｋＶ〜１０ｋＶの高電圧に帯電する。
このため、半導体基板上に誘起される表面電位により、
半導体基板の内部素子の絶縁膜の絶縁耐圧を劣化させ、
半導体装置の信頼性を低下させるという欠点を有してい
た。
半導体基板の内部素子の絶縁膜の絶縁耐圧を劣化させ、
半導体装置の信頼性を低下させるという欠点を有してい
た。
本発明の半導体装置の製造装置は、半導体基板を処理す
るための処理液槽と、前記処理液槽上にインオン気流を
形成するためのコロナ発生装置と送風機とを含んで構成
される。
るための処理液槽と、前記処理液槽上にインオン気流を
形成するためのコロナ発生装置と送風機とを含んで構成
される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１図において、薬液又は純水からなる処理液２は処理
液槽１に入れられ、その中で半導体基板用のカセットケ
ース１２に収納された半導体基板３は浸漬されて処理さ
れる。そしてこの処理液槽１の上部には送風機４Ａによ
り空気が送られ、０．２μｍのフィルター６を通り、気
流５が生ずる。そして５〜１０ｋＶの交流又は直流の高
電圧発生器７と５〜１０ｍｍの電極間隔を有する電極８
と対向電極９からなるコロナ発生装置によるコロナ放電
により、この気流５は、イオン化された気流１０となっ
て、処理液槽１の上部を流れ、排気用の送風機４Ｂによ
って引かれ、排気ダクト１１より外部へ排出される。
液槽１に入れられ、その中で半導体基板用のカセットケ
ース１２に収納された半導体基板３は浸漬されて処理さ
れる。そしてこの処理液槽１の上部には送風機４Ａによ
り空気が送られ、０．２μｍのフィルター６を通り、気
流５が生ずる。そして５〜１０ｋＶの交流又は直流の高
電圧発生器７と５〜１０ｍｍの電極間隔を有する電極８
と対向電極９からなるコロナ発生装置によるコロナ放電
により、この気流５は、イオン化された気流１０となっ
て、処理液槽１の上部を流れ、排気用の送風機４Ｂによ
って引かれ、排気ダクト１１より外部へ排出される。
このように構成された本実施例によれば、半導体基板用
のカセットケース１２は槽外へ引き出されると同時に、
カセットケース１２の帯電電荷と反対極性のイオンによ
って、電気的に中和され、見かけ上表面電位は１０■以
下となる。その結果、カセットケース１２内の半導体基
板３の内部素子の絶縁膜の絶縁破壊電界強度は、第３図
に示す様に、第４図に示した従来例のものに比べてウィ
ークスポットが少なくなり、平均絶縁破壊電界強度は１
０％程度上昇した。
のカセットケース１２は槽外へ引き出されると同時に、
カセットケース１２の帯電電荷と反対極性のイオンによ
って、電気的に中和され、見かけ上表面電位は１０■以
下となる。その結果、カセットケース１２内の半導体基
板３の内部素子の絶縁膜の絶縁破壊電界強度は、第３図
に示す様に、第４図に示した従来例のものに比べてウィ
ークスポットが少なくなり、平均絶縁破壊電界強度は１
０％程度上昇した。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。第１の
実施例では、気流の流れが水平方向であったが、この第
２の実施例では、気流が垂直方向である点が異なる。
実施例では、気流の流れが水平方向であったが、この第
２の実施例では、気流が垂直方向である点が異なる。
すなわち、送風ｆｉ４Ａからの気流５は、フィルター６
を通過したのち、高電圧発生器７や電極８等からなるコ
ロナ発生装置によりイオン気流１０となり、処理液槽１
の上部を通って排気ダクト１１により排出されるように
構成されている。
を通過したのち、高電圧発生器７や電極８等からなるコ
ロナ発生装置によりイオン気流１０となり、処理液槽１
の上部を通って排気ダクト１１により排出されるように
構成されている。
この第２の実施例では、気流が垂直方向に形成されるた
めに、イオン化される領域を広くすることが可能となり
、除電効率を高く出来る利点がある。
めに、イオン化される領域を広くすることが可能となり
、除電効率を高く出来る利点がある。
以上説明したように本発明は、半導体装置の製造装置を
、処理液槽とこの処理液槽上にイオン気流を形成するた
めのコロナ発生装置と送風機とで構成することにより、
処理液槽より引き上げられた絶縁性の半導体基板用のカ
セットケースが剥離帯電により帯電するのを防止するこ
とができるため、半導体基板の絶縁膜の絶縁破壊電界強
度を向上させることができる効果がある。
、処理液槽とこの処理液槽上にイオン気流を形成するた
めのコロナ発生装置と送風機とで構成することにより、
処理液槽より引き上げられた絶縁性の半導体基板用のカ
セットケースが剥離帯電により帯電するのを防止するこ
とができるため、半導体基板の絶縁膜の絶縁破壊電界強
度を向上させることができる効果がある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の断
面図、第３図及び第４図は本発明の実施例及び従来例に
よって処理された半導体基板の絶縁膜の絶縁破壊電圧と
頻度との関係を示す図である。 １・・・処理液槽、２・・・処理液、３・・・半導体基
板、４Ａ、４Ｂ・・・送風機、５・・・気流、６・・・
フィルター ７・・・高電圧発生器、８・・・電極、９
・・・対向電極、１０・・・イオン気流、１１・・・排
気ダクト、１２・・・カセットケース。 あ′ｌ仄 ホυ剥彫良＠圧（／ＩＶ／ｃｔｒｔ） 第３図 第４閃
面図、第３図及び第４図は本発明の実施例及び従来例に
よって処理された半導体基板の絶縁膜の絶縁破壊電圧と
頻度との関係を示す図である。 １・・・処理液槽、２・・・処理液、３・・・半導体基
板、４Ａ、４Ｂ・・・送風機、５・・・気流、６・・・
フィルター ７・・・高電圧発生器、８・・・電極、９
・・・対向電極、１０・・・イオン気流、１１・・・排
気ダクト、１２・・・カセットケース。 あ′ｌ仄 ホυ剥彫良＠圧（／ＩＶ／ｃｔｒｔ） 第３図 第４閃
Claims (1)
- 半導体基板を処理するための処理液槽と、前記処理液槽
上にインオン気流を形成するためのコロナ発生装置と送
風機とを含むことを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196961A JPH0245928A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196961A JPH0245928A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245928A true JPH0245928A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16366526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63196961A Pending JPH0245928A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH043426A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-08 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| KR100734216B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2007-07-02 | (주)포텍건축사사무소 | 위치이동이 가능한 공동주택 주차장의 차량 진입방지볼라드 |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP63196961A patent/JPH0245928A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH043426A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-08 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| KR100734216B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2007-07-02 | (주)포텍건축사사무소 | 위치이동이 가능한 공동주택 주차장의 차량 진입방지볼라드 |
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