JPS5812830Y2 - エッチング処理装置 - Google Patents
エッチング処理装置Info
- Publication number
- JPS5812830Y2 JPS5812830Y2 JP4506276U JP4506276U JPS5812830Y2 JP S5812830 Y2 JPS5812830 Y2 JP S5812830Y2 JP 4506276 U JP4506276 U JP 4506276U JP 4506276 U JP4506276 U JP 4506276U JP S5812830 Y2 JPS5812830 Y2 JP S5812830Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- ions
- electrode
- gas
- etching processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はエツチング処理装置に関するものであり、さら
に詳しく述べるならば半導体処理装置に使用される半導
体、絶縁物又は金属薄膜などをガスプラズマによりエツ
チングする装置に関するものである。
に詳しく述べるならば半導体処理装置に使用される半導
体、絶縁物又は金属薄膜などをガスプラズマによりエツ
チングする装置に関するものである。
従来のガスプラズマエツチングあるいはスパッタエツチ
ングによると、被処理物体はガスプラズマの中に浸され
ているか又はプラズマの中のイオンの衝突を受けてエツ
チングされていた。
ングによると、被処理物体はガスプラズマの中に浸され
ているか又はプラズマの中のイオンの衝突を受けてエツ
チングされていた。
この方法によるとガスプラズマの中に含まれる多種の活
性な化学種又はイオンがエツチング反応に関与する。
性な化学種又はイオンがエツチング反応に関与する。
例えばＣＦ４ガスをプラズマ化により活性化してエツチ
ングを行う場合は、活性化により発生する各種化学種又
はイオンが全体として反応に関与するために例えばシリ
コン（Ｓｉ）が二酸化シリコン（Ｓｉｏｚ）より迅速に
エツチングされ、このエツチング速度比を逆転する等こ
とは困難である。
ングを行う場合は、活性化により発生する各種化学種又
はイオンが全体として反応に関与するために例えばシリ
コン（Ｓｉ）が二酸化シリコン（Ｓｉｏｚ）より迅速に
エツチングされ、このエツチング速度比を逆転する等こ
とは困難である。
したがって、本考案はガスプラズマ中の化学種又はイオ
ンを選択的に取出して被処理物体の任意の物質を選択的
に除去しつるエツチング処理装置を提供することを目的
とする。
ンを選択的に取出して被処理物体の任意の物質を選択的
に除去しつるエツチング処理装置を提供することを目的
とする。
本考案に係るエツチング処理装置は、容器の内部に含ま
れるガスをプラズマ化するための例えば高周波電圧を印
加する電極、これによち発生せしめられたプラズマに含
１れるイオン及び化学種の成分の一部を選択的にプラズ
マから取出す電極、及びこの電極によって選択された成
分を磁場中で分離してさらに選択された成分のみを被処
理物体に導びく偏向手段を含んでなるものである。
れるガスをプラズマ化するための例えば高周波電圧を印
加する電極、これによち発生せしめられたプラズマに含
１れるイオン及び化学種の成分の一部を選択的にプラズ
マから取出す電極、及びこの電極によって選択された成
分を磁場中で分離してさらに選択された成分のみを被処
理物体に導びく偏向手段を含んでなるものである。
本考案において高周波電流印加手段は高周波電源に接続
されているコイル又は電極などを含む。
されているコイル又は電極などを含む。
イオン及び化学種を取出す電極は、直流電源に接続され
ている一対の極板であって、その極板には電気的に選択
された成分が通過し得る間隙が設けられている如き電極
を含む。
ている一対の極板であって、その極板には電気的に選択
された成分が通過し得る間隙が設けられている如き電極
を含む。
このような高周波電源印加手段は通常絶縁性材料からな
る容器の内部又は外部に配置され、容器に送入されるガ
スを電離してプラズマを発生させる。
る容器の内部又は外部に配置され、容器に送入されるガ
スを電離してプラズマを発生させる。
引出電蔭は通常容器内に配置され、プラズマに含筐れる
正もしくは負のイオン及び中性の化学種を定められた方
向に移動させる。
正もしくは負のイオン及び中性の化学種を定められた方
向に移動させる。
このようにして移動しているイオン及び化学種は異なっ
た質量及び電荷を有する多種の成分を含んでいると考え
られる。
た質量及び電荷を有する多種の成分を含んでいると考え
られる。
この質量及び電荷の相違を利用してイオン及び化学種の
進行方向を成分毎に曲げるために、質量分離装置におい
て公知の磁場印加構造からなる偏向手段が設けられてい
る。
進行方向を成分毎に曲げるために、質量分離装置におい
て公知の磁場印加構造からなる偏向手段が設けられてい
る。
磁場印加手段は引出電極と被処理物体の間に配置されて
いる。
いる。
磁場の強さは選択的に取出さるべきイオン又は化学種の
質量及び電荷に基づいて定められ、また取出さるべきイ
オン又は化学種はその寿命及び被処理物体の材質に基い
て定められる。
質量及び電荷に基づいて定められ、また取出さるべきイ
オン又は化学種はその寿命及び被処理物体の材質に基い
て定められる。
以下、本考案の具体例を図面に基いて説明する１エツチ
ング処理装置１は一端に開放せる容器２を含んでおり、
装置１は図示されていない減圧容器に内蔵されている。
ング処理装置１は一端に開放せる容器２を含んでおり、
装置１は図示されていない減圧容器に内蔵されている。
高周波電源ＲＦに接続された一対の電極板３ｉ、３ｂが
容器２の内部に向かい合って配置され、そしてプラズマ
を発生させる電極３を構成している。
容器２の内部に向かい合って配置され、そしてプラズマ
を発生させる電極３を構成している。
図示されていないガス入口から容器１の内部に送入され
たガスは電極３ａ３ｂ間の電位によってプラズマ４とな
る。
たガスは電極３ａ３ｂ間の電位によってプラズマ４とな
る。
直流電源に接続された一対の電極板５ａ、５ｂがプラズ
マ４を引き出すように容器１の内部に配置されている。
マ４を引き出すように容器１の内部に配置されている。
電極板５ ａ ｔ ５ ｂは共に多数の間隙６を有する
。
。
プラズマ化されたガス成分の一部は電極板５ａ 、ｓｂ
により吸引されその間隙６を通り抜は矢印Ｉの方向に進
む。
により吸引されその間隙６を通り抜は矢印Ｉの方向に進
む。
容器２の出口に磁場を加えるコイル８が固着されておシ
、ガス成分をその質量と電荷に依存して偏向させ且つ加
速する。
、ガス成分をその質量と電荷に依存して偏向させ且つ加
速する。
コイル８はリング状を呈しその中心孔をガス成分が通過
する。
する。
ガス成分はコイル８によって異なった曲率で曲げられる
が図面には一つ進路のみが示されている。
が図面には一つ進路のみが示されている。
曲げられたガス成分は金属板９のスリット１０を通過す
る。
る。
金属板１０はコイル８と被処理物体１１の中間に配置さ
れている。
れている。
金属板９がコイル８に近くまたスリット１００幅が狭い
ほどエネルギ幅の狭い化学種及びイオンが選択される。
ほどエネルギ幅の狭い化学種及びイオンが選択される。
選択された化学種及びイオンは被処理物体１１に衝突し
選択的に該被処理物体をエツチングする。
選択的に該被処理物体をエツチングする。
本考案の実施例によって、高周波電圧３（ＫＶ）、周波
数１３．５６ＣＭＨ２）、引出電極間電圧１０（ＫＶ）
、磁場５０００（Ｏｅ）、ガス種類ＣＦ４．容器内圧力
０−５（Ｔｏｒ、ｒ）の条件にてシリコン半導体基板上
の二酸化シリコンをフォトレジスタをマスクとして選択
的にエツチングした。
数１３．５６ＣＭＨ２）、引出電極間電圧１０（ＫＶ）
、磁場５０００（Ｏｅ）、ガス種類ＣＦ４．容器内圧力
０−５（Ｔｏｒ、ｒ）の条件にてシリコン半導体基板上
の二酸化シリコンをフォトレジスタをマスクとして選択
的にエツチングした。
この結果、二酸化シリコンは５００ ＣＡ／ｍ ｉ ｎ
）の被エツチング速度を有し、シリコンは５Ｏ（Ａ／
ｍ１ｎ）以下の被エツチング速度にとどまり、二酸化シ
リコンに窓開けがなされた後もシリコンはほとんど過剰
エツチングされなかった。
）の被エツチング速度を有し、シリコンは５Ｏ（Ａ／
ｍ１ｎ）以下の被エツチング速度にとどまり、二酸化シ
リコンに窓開けがなされた後もシリコンはほとんど過剰
エツチングされなかった。
図面は本考案に係るエツチング処理装置の具体例を示す
断面図である。
断面図である。
Claims (1)
- 容器の内部に導入されるガスをプラズマ化する電極、こ
れにより発生せしめられたプラズマに含ｌれるイオン及
び化学種の成分の一部を選択的にプラズマから取出す電
極、及びこの電極によって選択された成分を磁場中で分
離してさらに選択された成分のみを被処理物体に導びく
偏向手段を含んでなるエツチング処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4506276U JPS5812830Y2 (ja) | 1976-04-13 | 1976-04-13 | エッチング処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4506276U JPS5812830Y2 (ja) | 1976-04-13 | 1976-04-13 | エッチング処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52136919U JPS52136919U (ja) | 1977-10-18 |
| JPS5812830Y2 true JPS5812830Y2 (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=28504125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4506276U Expired JPS5812830Y2 (ja) | 1976-04-13 | 1976-04-13 | エッチング処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812830Y2 (ja) |
-
1976
- 1976-04-13 JP JP4506276U patent/JPS5812830Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52136919U (ja) | 1977-10-18 |
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