JPH04316016A - 強誘電性液晶素子の駆動装置および駆動方法 - Google Patents
強誘電性液晶素子の駆動装置および駆動方法Info
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- JPH04316016A JPH04316016A JP3108185A JP10818591A JPH04316016A JP H04316016 A JPH04316016 A JP H04316016A JP 3108185 A JP3108185 A JP 3108185A JP 10818591 A JP10818591 A JP 10818591A JP H04316016 A JPH04316016 A JP H04316016A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶（以下、
ＦＬＣともいう）を用いたパネルやシャッター・アレイ
・プリンターなどの液晶装置およびその駆動方法に関し
、詳しくは、耐久性を改善した強誘電性液晶素子の駆動
装置および駆動方法に関する。
ＦＬＣともいう）を用いたパネルやシャッター・アレイ
・プリンターなどの液晶装置およびその駆動方法に関し
、詳しくは、耐久性を改善した強誘電性液晶素子の駆動
装置および駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電性液晶を用いた表示素子に関して
は特開昭６１−９４０２３号公報などに示されているよ
うに、１〜３μｍ位のセルギャップを保って２枚の内面
に透明な電極を形成し配向処理を施したガラス基板を向
かい合わせて構成した液晶セルに強誘電液晶を注入した
ものが知られている。
は特開昭６１−９４０２３号公報などに示されているよ
うに、１〜３μｍ位のセルギャップを保って２枚の内面
に透明な電極を形成し配向処理を施したガラス基板を向
かい合わせて構成した液晶セルに強誘電液晶を注入した
ものが知られている。
【０００３】強誘電液晶を用いた上記表示素子の特徴は
、強誘電液晶が自発分極を持つことにより、外部電界と
自発分極の結合力をスイッチングに使えることと、強誘
電液晶分子の長軸方向が自発分極の分極方向と１対１に
対応しているため外部電界の極性によってスイッチング
できることである。
、強誘電液晶が自発分極を持つことにより、外部電界と
自発分極の結合力をスイッチングに使えることと、強誘
電液晶分子の長軸方向が自発分極の分極方向と１対１に
対応しているため外部電界の極性によってスイッチング
できることである。
【０００４】強誘電液晶としては一般にカイラル・スメ
クチック液晶（Ｓｍｃ＊、ＳｍＨ＊）を用いるので、バ
ルク状態では液晶分子長軸がねじれた配向を示すが、上
述の１〜３μｍ位のセルギャップのセルにいれることに
よって液晶分子長軸のねじれを解消することが出来る（
Ｎ．Ａ．ＣＬＡＲＫ ｅｔ ａｌ，ＭＣＬＣ（１９
８３，ｖｏｌ．９４，Ｐ２１３−Ｐ２３４）。
クチック液晶（Ｓｍｃ＊、ＳｍＨ＊）を用いるので、バ
ルク状態では液晶分子長軸がねじれた配向を示すが、上
述の１〜３μｍ位のセルギャップのセルにいれることに
よって液晶分子長軸のねじれを解消することが出来る（
Ｎ．Ａ．ＣＬＡＲＫ ｅｔ ａｌ，ＭＣＬＣ（１９
８３，ｖｏｌ．９４，Ｐ２１３−Ｐ２３４）。
【０００５】図４は、このような強誘電液晶セルの構成
例を示す模式図である。ここでは、情報電極群Ｉと走査
電極群Ｓとを備えた単純マトリックス基板による強誘電
液晶パネル３０１として構成している。
例を示す模式図である。ここでは、情報電極群Ｉと走査
電極群Ｓとを備えた単純マトリックス基板による強誘電
液晶パネル３０１として構成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述従
来のセル構成を用いた場合には、液晶セルの耐久性に次
のような問題点がある。
来のセル構成を用いた場合には、液晶セルの耐久性に次
のような問題点がある。
【０００７】ＦＬＣ分子は、マトリックス駆動時の非選
択信号によってもある程度動くことが知られている。こ
れは、非選択信号を印加した画素の光学応答を調べると
、印加パルスと同期して光量に変動を生じていることな
どからも明らかである。いわゆるスプレイ配向（上下基
板間で分子長軸の角度に大きくねじれのある配向）では
、このような分子のゆらぎは、それによって分子の安定
位置が変化すること（スイッチング）がなければ表示内
容を保持できるので、若干のコントラストの低下以外に
は問題とはならない。
択信号によってもある程度動くことが知られている。こ
れは、非選択信号を印加した画素の光学応答を調べると
、印加パルスと同期して光量に変動を生じていることな
どからも明らかである。いわゆるスプレイ配向（上下基
板間で分子長軸の角度に大きくねじれのある配向）では
、このような分子のゆらぎは、それによって分子の安定
位置が変化すること（スイッチング）がなければ表示内
容を保持できるので、若干のコントラストの低下以外に
は問題とはならない。
【０００８】ところが、上下基板間での分子長軸方向の
角度の変化の比較的少ないユニホーム配向のセルにおい
ては、液晶分子が、電圧（例えば非選択信号）の印加に
よって、層内を移動するという現象が見られる。この現
象の顕著な例を図２を用いて詳しく説明する。
角度の変化の比較的少ないユニホーム配向のセルにおい
ては、液晶分子が、電圧（例えば非選択信号）の印加に
よって、層内を移動するという現象が見られる。この現
象の顕著な例を図２を用いて詳しく説明する。
【０００９】図２（ａ）は、電圧印加前のセル状態、同
図（ｂ）は電圧印加後のセル状態を示す。セルの配向層
としては、ポリイミド薄膜を用い、ラビングは、同図（
ａ），（ｂ）に示す場合とも矢印２１方向でかつ、上下
基板とも平行に行ってある。このようなラビング処理を
行ってある場合、図２（ａ）中の拡大表示部分に示すよ
うに、スメクチック層２３は、ラビング方向と直交した
方向に生成される。そして、セル厚をらせんピッチを解
除できる位に十分に薄くした場合においてはＦＬＣ分子
は２つの安定状態を取り得るが、そのうちの１つの状態
にセル内の全分子の方向を揃えておく。このとき、スメ
クチック層２３の法線ベクトルｈと液晶分子２５とのな
す角を＋θとすると、方線ベクトルに対してほぼ対称の
−θの位置に液晶分子の他の安定状態が存在する。
図（ｂ）は電圧印加後のセル状態を示す。セルの配向層
としては、ポリイミド薄膜を用い、ラビングは、同図（
ａ），（ｂ）に示す場合とも矢印２１方向でかつ、上下
基板とも平行に行ってある。このようなラビング処理を
行ってある場合、図２（ａ）中の拡大表示部分に示すよ
うに、スメクチック層２３は、ラビング方向と直交した
方向に生成される。そして、セル厚をらせんピッチを解
除できる位に十分に薄くした場合においてはＦＬＣ分子
は２つの安定状態を取り得るが、そのうちの１つの状態
にセル内の全分子の方向を揃えておく。このとき、スメ
クチック層２３の法線ベクトルｈと液晶分子２５とのな
す角を＋θとすると、方線ベクトルに対してほぼ対称の
−θの位置に液晶分子の他の安定状態が存在する。
【００１０】この状態（＋θ）下で、セル全面に電界（
例えば、１０Ｈｚ，±８ｖの矩形波）を印加すると、液
晶分子は、層法線ベクトルｈに対する傾き＋θを保った
まま図２（ａ）中の端部Ａから端部Ｂの方向へ層内を移
動し始める。その結果、電圧印加を長時間続けると、液
晶セルの厚さに変化を生じ、最終的には図２（ｂ）に示
すように、端部Ａには液晶のない部分Ｅを生じ、セル厚
は端部Ｂの方が端部Ａより厚くなってしまう。液晶分子
が−θ位置にある場合には、端部Ｂから端部Ａへ向って
層内を液晶が移動し、部分Ｅのような液晶のない空隙部
が端部Ｂに生じる。
例えば、１０Ｈｚ，±８ｖの矩形波）を印加すると、液
晶分子は、層法線ベクトルｈに対する傾き＋θを保った
まま図２（ａ）中の端部Ａから端部Ｂの方向へ層内を移
動し始める。その結果、電圧印加を長時間続けると、液
晶セルの厚さに変化を生じ、最終的には図２（ｂ）に示
すように、端部Ａには液晶のない部分Ｅを生じ、セル厚
は端部Ｂの方が端部Ａより厚くなってしまう。液晶分子
が−θ位置にある場合には、端部Ｂから端部Ａへ向って
層内を液晶が移動し、部分Ｅのような液晶のない空隙部
が端部Ｂに生じる。
【００１１】部分Ｅのような電気光学的にコントロール
の出来ない部分の存在が表示品質上望ましくないのはも
ちろんのこと、部分Ａと部分Ｂのセル厚が時間によって
変化するのでは、液晶パネル全体の駆動制御が難しく、
ＦＬＣを用いた光学素子としては、大きな問題となって
いる。
の出来ない部分の存在が表示品質上望ましくないのはも
ちろんのこと、部分Ａと部分Ｂのセル厚が時間によって
変化するのでは、液晶パネル全体の駆動制御が難しく、
ＦＬＣを用いた光学素子としては、大きな問題となって
いる。
【００１２】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、強誘電液晶素子において、液晶分子の移動
を実用上問題のない範囲に低減させることにある。
題点に鑑み、強誘電液晶素子において、液晶分子の移動
を実用上問題のない範囲に低減させることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明では、走査電極と情報電極から形成されたマトリ
クス電極を備えた一対の基板の間に強誘電性液晶を挟持
してなる強誘電性液晶素子において、液晶素子の素子温
度を検出し、該検出温度に応じて、駆動波形に休止時間
を設けるようにしている。すなわち、例えば、前記液晶
素子に印加する情報信号の一周期中に、休止時間として
電圧零である期間を設け、液晶素子温度が高温であるほ
ど、前記電圧零の期間を長く、低温であるほど電圧零の
期間を短かくあるいは無くするようにしている。前記強
誘電性液晶素子の配向状態は、例えば、ユニフォーム配
向状態である。
本発明では、走査電極と情報電極から形成されたマトリ
クス電極を備えた一対の基板の間に強誘電性液晶を挟持
してなる強誘電性液晶素子において、液晶素子の素子温
度を検出し、該検出温度に応じて、駆動波形に休止時間
を設けるようにしている。すなわち、例えば、前記液晶
素子に印加する情報信号の一周期中に、休止時間として
電圧零である期間を設け、液晶素子温度が高温であるほ
ど、前記電圧零の期間を長く、低温であるほど電圧零の
期間を短かくあるいは無くするようにしている。前記強
誘電性液晶素子の配向状態は、例えば、ユニフォーム配
向状態である。
【００１４】
【作用】本発明者らは、実験を繰返し行ったところ、前
述の液晶分子の移動には、以下の傾向がある事を見い出
した。
述の液晶分子の移動には、以下の傾向がある事を見い出
した。
【００１５】（１）液晶分子の移動は、情報信号のみに
よっても発生し、走査信号による影響は、情報信号によ
るそれと比較すると、ほとんど無視できる程小さい。
よっても発生し、走査信号による影響は、情報信号によ
るそれと比較すると、ほとんど無視できる程小さい。
【００１６】（２）液晶分子の移動は、駆動波形の休止
時間で移動の仕方が大きく異なり、情報信号の一周期中
に占める電圧零の時間比率が大きくなるほど上記移動現
象の程度は小さくなる。
時間で移動の仕方が大きく異なり、情報信号の一周期中
に占める電圧零の時間比率が大きくなるほど上記移動現
象の程度は小さくなる。
【００１７】（３）液晶分子の移動は、液晶素子の温度
で変化し、同一の情報信号波形および電圧で駆動させた
場合、上記現象の程度は、低温側で小さく、高温側で大
きくなる。
で変化し、同一の情報信号波形および電圧で駆動させた
場合、上記現象の程度は、低温側で小さく、高温側で大
きくなる。
【００１８】以上の現象を更に説明すると、液晶分子の
移動は、駆動波形によって分子がゆらぐ事に起因してい
る。一方、マトリクス電極での走査の場合、走査信号は
、走査信号線をｎ本とすると、一画素に印加される周期
は１／ｎ回であるのに対し、情報信号は常に画素に印加
される。従って分子のゆらぎに対しては、情報信号が支
配的である事がわかる。
移動は、駆動波形によって分子がゆらぐ事に起因してい
る。一方、マトリクス電極での走査の場合、走査信号は
、走査信号線をｎ本とすると、一画素に印加される周期
は１／ｎ回であるのに対し、情報信号は常に画素に印加
される。従って分子のゆらぎに対しては、情報信号が支
配的である事がわかる。
【００１９】また、分子のゆらぎが情報信号電圧の変化
に対応して変化する事は、光学応答の変化が印加パルス
と同期している事で裏付けられており、従って分子の安
定な状態つまり、情報信号電圧が零である期間（休止時
間）を設けることにより分子の移動は緩和される。
に対応して変化する事は、光学応答の変化が印加パルス
と同期している事で裏付けられており、従って分子の安
定な状態つまり、情報信号電圧が零である期間（休止時
間）を設けることにより分子の移動は緩和される。
【００２０】更に、液晶素子温度が変化した場合、駆動
電圧一定で液晶素子全面に表示を行なうためには、１ラ
イン走査時間を低温で長く、高温で短かくする必要があ
るため、分子のゆらぎの回数は高温で多くなる。また、
液晶自身の粘性等の特性も変化し、高温側で移動しやす
くなる為、結果として、液晶分子の移動に関して温度特
性が生じる。
電圧一定で液晶素子全面に表示を行なうためには、１ラ
イン走査時間を低温で長く、高温で短かくする必要があ
るため、分子のゆらぎの回数は高温で多くなる。また、
液晶自身の粘性等の特性も変化し、高温側で移動しやす
くなる為、結果として、液晶分子の移動に関して温度特
性が生じる。
【００２１】そこで、本発明では、駆動条件を最適化し
て液晶分子の移動現象を防止するために、液晶素子の素
子温度を検出し、該検出温度に応じて、例えば、前記液
晶素子に印加する情報信号の一周期中に、休止時間とし
て電圧零である期間を設け、さらに、液晶素子温度が高
温であるほど、前記電圧零の期間を長く、低温であるほ
ど電圧零の期間を短かくあるいは無くするようにしてい
るのである。
て液晶分子の移動現象を防止するために、液晶素子の素
子温度を検出し、該検出温度に応じて、例えば、前記液
晶素子に印加する情報信号の一周期中に、休止時間とし
て電圧零である期間を設け、さらに、液晶素子温度が高
温であるほど、前記電圧零の期間を長く、低温であるほ
ど電圧零の期間を短かくあるいは無くするようにしてい
るのである。
【００２２】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す。同図において
、１０７はグラフィックコントローラ、１０５は駆動制
御回路、１０４は走査信号制御回路、１０６は情報信号
制御回路、１０２は走査信号印加回路、１０３は情報信
号印加回路、１０１は液晶表示部、１０８は温度検知素
子、１０９は温度検知回路である。グラフィックコント
ローラ１０７から送られるデータは駆動制御回路１０５
を通して走査信号制御回路１０４と情報信号制御回路１
０６に入り、それぞれアドレスデータと表示データに変
換される。また、液晶表示部の温度が温度検知素子１０
８を介して温度検知回路１０９に入り温度データとして
駆動制御回路１０５を通して走査信号制御回路１０４に
入る。そしてアドレスデータと表示データに従って走査
信号印加回路１０２が走査信号を発生し、液晶表示部１
０１の走査電極に印加する。また表示データに従って情
報信号印加回路１０３が情報信号を発生し、液晶表示部
１０１の情報電極に印加する。
、１０７はグラフィックコントローラ、１０５は駆動制
御回路、１０４は走査信号制御回路、１０６は情報信号
制御回路、１０２は走査信号印加回路、１０３は情報信
号印加回路、１０１は液晶表示部、１０８は温度検知素
子、１０９は温度検知回路である。グラフィックコント
ローラ１０７から送られるデータは駆動制御回路１０５
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０６に入り、それぞれアドレスデータと表示データに変
換される。また、液晶表示部の温度が温度検知素子１０
８を介して温度検知回路１０９に入り温度データとして
駆動制御回路１０５を通して走査信号制御回路１０４に
入る。そしてアドレスデータと表示データに従って走査
信号印加回路１０２が走査信号を発生し、液晶表示部１
０１の走査電極に印加する。また表示データに従って情
報信号印加回路１０３が情報信号を発生し、液晶表示部
１０１の情報電極に印加する。
【００２３】図３は液晶表示部（液晶素子）１０１の拡
大図である。同図において、Ｓ１〜Ｓ６…Ｓｎは走査電
極、Ｉ１〜Ｉ６…Ｉｎは情報電極であり、マトリクスと
なる様に構成されている。図４は図３の走査電極Ｓ２を
含む断面を模式的に描いたものである。図４において、
４０１ａと４０１ｂはそれぞれＩｎ２Ｏ３やＩＴＯ（Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極４
０２ａと４０２ｂが対向面に設けられた対向する基板（
ガラス板）であり、その上に２００〜１０００オングス
トローム厚の絶縁膜４０３ａと４０３ｂ（ＳｉＯ２ 膜
、ＴｉＯ２ 膜、Ｔａ２ Ｏ５ 膜など）とポリイミド
で形成した５０〜１０００オングストローム厚の配向制
御膜４０４ａと４０４ｂがとがそれぞれ積層されている
。配向制御膜４０４ａと４０４ｂは、平行かつ同一向き
（第１図でいえばＡ方向）になるようラビング処理（矢
印方向）してある。基板４０１ａと４０１ｂとの間には
、強誘電性スメクチック液晶４０５が配置され、基板４
０１ａと４０１ｂとの間の距離は、強誘電性スメクチッ
ク液晶４０５のらせん配列構造の形成を制御するのに十
分に小さい距離（例えば０．１〜３μｍ）に設定され、
強誘電性スメクチック液晶４０５は双安定性配向状態を
生じている。上述の十分に小さい距離は、基板４０１ａ
と４０１ｂとの間に配置したビーズスペーサー４０６（
シリカビーズ、アルミナビーズ）によって保持される。
大図である。同図において、Ｓ１〜Ｓ６…Ｓｎは走査電
極、Ｉ１〜Ｉ６…Ｉｎは情報電極であり、マトリクスと
なる様に構成されている。図４は図３の走査電極Ｓ２を
含む断面を模式的に描いたものである。図４において、
４０１ａと４０１ｂはそれぞれＩｎ２Ｏ３やＩＴＯ（Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極４
０２ａと４０２ｂが対向面に設けられた対向する基板（
ガラス板）であり、その上に２００〜１０００オングス
トローム厚の絶縁膜４０３ａと４０３ｂ（ＳｉＯ２ 膜
、ＴｉＯ２ 膜、Ｔａ２ Ｏ５ 膜など）とポリイミド
で形成した５０〜１０００オングストローム厚の配向制
御膜４０４ａと４０４ｂがとがそれぞれ積層されている
。配向制御膜４０４ａと４０４ｂは、平行かつ同一向き
（第１図でいえばＡ方向）になるようラビング処理（矢
印方向）してある。基板４０１ａと４０１ｂとの間には
、強誘電性スメクチック液晶４０５が配置され、基板４
０１ａと４０１ｂとの間の距離は、強誘電性スメクチッ
ク液晶４０５のらせん配列構造の形成を制御するのに十
分に小さい距離（例えば０．１〜３μｍ）に設定され、
強誘電性スメクチック液晶４０５は双安定性配向状態を
生じている。上述の十分に小さい距離は、基板４０１ａ
と４０１ｂとの間に配置したビーズスペーサー４０６（
シリカビーズ、アルミナビーズ）によって保持される。
【００２４】この強誘電性液晶素子に第５図に示すよう
な黒表示部分５１および白表示部分５３を有する表示パ
ターンを所定の時間、連続表示を行なってから、液晶分
子の移動が発生した場合に最も良く検出できる項目であ
る、駆動マージン、セル厚、色調、および液晶空隙部の
発生の有無の観察を行なったところ、これら検出項目の
いずれについても変化が認められず、良好な結果が得ら
れている。ただし、駆動波形としては、第６図に示すよ
うな走査電極群Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…に対する波形、およ
び情報電極群Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３…に対する情報信号に休
止の無い波形用い、駆動電圧は１５ｖであった。また、
液晶パネルの表面温度は２０℃であった。
な黒表示部分５１および白表示部分５３を有する表示パ
ターンを所定の時間、連続表示を行なってから、液晶分
子の移動が発生した場合に最も良く検出できる項目であ
る、駆動マージン、セル厚、色調、および液晶空隙部の
発生の有無の観察を行なったところ、これら検出項目の
いずれについても変化が認められず、良好な結果が得ら
れている。ただし、駆動波形としては、第６図に示すよ
うな走査電極群Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…に対する波形、およ
び情報電極群Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３…に対する情報信号に休
止の無い波形用い、駆動電圧は１５ｖであった。また、
液晶パネルの表面温度は２０℃であった。
【００２５】また、駆動信号として、第７図に示すよう
な、情報信号に１／３の休止区間を有する波形を用いて
同様の測定を、液晶パネル表面温度が２０℃および３０
℃の２条件下で行なった場合も、同様に各測定項目とも
変化が認められず良好な結果であった。
な、情報信号に１／３の休止区間を有する波形を用いて
同様の測定を、液晶パネル表面温度が２０℃および３０
℃の２条件下で行なった場合も、同様に各測定項目とも
変化が認められず良好な結果であった。
【００２６】さらに、第８図に示すような、情報信号に
１／２の休止の有る波形を用い、液晶パネル表面温度が
２０℃、３０℃、および４０℃の３条件下で行なったい
ずれの結果も、同様に各項目共変化が認められず良好な
結果であった。
１／２の休止の有る波形を用い、液晶パネル表面温度が
２０℃、３０℃、および４０℃の３条件下で行なったい
ずれの結果も、同様に各項目共変化が認められず良好な
結果であった。
【００２７】これに対し、上述の第６図の駆動波形を用
い、液晶パネル表面温度を３０℃及び４０℃で連続表示
した後、同様の測定を行なった場合は、３０℃では、色
調の変化及び液晶空隙部の発生については異常は認めら
れなかったが、第５図に示すセル厚測定ポイント５５の
うち、黒表示部分５１の右端部及び白表示部分５３の左
端部においてセル厚が初期値に対し２〜３％上昇し、良
好な結果は得られなかった。また、駆動マージンについ
ても、上記ポイントのみ、セル厚変化に対応した閾値の
上昇が認められた。４０℃の場合も同様にセル厚変化が
６〜８％上昇し、それに伴って閾値の上昇とともにセル
厚上昇による色調の変化が認められ、良好な結果は得ら
れなかった。
い、液晶パネル表面温度を３０℃及び４０℃で連続表示
した後、同様の測定を行なった場合は、３０℃では、色
調の変化及び液晶空隙部の発生については異常は認めら
れなかったが、第５図に示すセル厚測定ポイント５５の
うち、黒表示部分５１の右端部及び白表示部分５３の左
端部においてセル厚が初期値に対し２〜３％上昇し、良
好な結果は得られなかった。また、駆動マージンについ
ても、上記ポイントのみ、セル厚変化に対応した閾値の
上昇が認められた。４０℃の場合も同様にセル厚変化が
６〜８％上昇し、それに伴って閾値の上昇とともにセル
厚上昇による色調の変化が認められ、良好な結果は得ら
れなかった。
【００２８】さらに、第７図の駆動波形を用い、液晶パ
ネル表面温度を４０℃として連続表示した後、同様の測
定を行なった場合も、セル厚が初期値に対し１〜２％上
昇し、閾値の上昇も認められ、良好な結果は得られなか
った。
ネル表面温度を４０℃として連続表示した後、同様の測
定を行なった場合も、セル厚が初期値に対し１〜２％上
昇し、閾値の上昇も認められ、良好な結果は得られなか
った。
【００２９】以上の測定結果を、表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【発明の効果】以上の説明したように本発明によれば、
液晶パネル面の温度を検出し、最適な駆動波形を選択す
るようにしたため、液晶分子の移動を実用上問題の無い
範囲内に低減させることができる。
液晶パネル面の温度を検出し、最適な駆動波形を選択す
るようにしたため、液晶分子の移動を実用上問題の無い
範囲内に低減させることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る液晶ディスプレイ装置
のブロック図である。
のブロック図である。
【図２】液晶分子の移動現象の説明図である。
【図３】図１の装置における液晶表示部の拡大図である
。
。
【図４】図１の装置における液晶表示部の断面図である
。
。
【図５】本発明の実施例において用いた表示パターン図
である。
である。
【図６】本発明の実施例において用いた駆動波形図であ
る。
る。
【図７】本発明の実施例において用いた他の駆動波形図
である。
である。
【図８】本発明の実施例において用いたさらに他の駆動
波形図である。
波形図である。
１０１ 液晶表示部
１０２ 走査信号印加回路
１０３ 情報信号印加回路
１０４ 走査信号制御回路
１０５ 駆動制御回路
１０６ 情報信号制御回路
１０７ グラフィックコントローラ
１０８ 温度検知素子
１０９ 温度検知回路
Claims (6)
- 【請求項１】 走査電極と情報電極から形成されたマ
トリクス電極を備えた一対の基板の間に強誘電性液晶を
挟持してなる強誘電性液晶素子の駆動装置において、液
晶素子の素子温度を検出する温度検出手段と、該温度検
出手段により検出した温度に応じて、駆動波形の形は変
えずに休止時間を変化させる駆動手段とを具備すること
を特徴とする強誘電性液晶素子の駆動装置。 - 【請求項２】 前記駆動手段は、液晶素子に印加する
情報信号の一周期中に休止時間として電圧零である期間
を設け、液晶素子温度が高温であるほど、前記電圧零の
期間を長く、低温であるほど電圧零の期間を短かくある
いは無くするものであることを特徴とする請求項１記載
の強誘電性液晶素子の駆動装置。 - 【請求項３】 前記強誘電性液晶素子の配向状態がユ
ニフォーム配向であることを特徴とする請求項１記載の
駆動装置。 - 【請求項４】 走査電極と情報電極から形成されたマ
トリクス電極を備えた一対の基板の間に強誘電性液晶を
挟持してなる強誘電性液晶素子の駆動方法において、液
晶素子の素子温度を検出し、該検出温度に応じて、駆動
波形に休止時間を設けることを特徴とする強誘電性液晶
素子の駆動方法。 - 【請求項５】 前記液晶素子に印加する情報信号の一
周期中に、休止時間として電圧零である期間を設け、液
晶素子温度が高温であるほど、前記電圧零の期間を長く
、低温であるほど電圧零の期間を短かくあるいは無くす
ることを特徴とする請求項４記載の強誘電性液晶素子の
駆動方法。 - 【請求項６】 前記強誘電性液晶素子の配向状態がユ
ニフォーム配向であることを特徴とする請求項４記載の
駆動方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3108185A JP2794226B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 強誘電性液晶素子の駆動装置および駆動方法 |
| US07/868,201 US5276542A (en) | 1991-04-15 | 1992-04-14 | Ferroelectric liquid crystal apparatus having temperature compensation control circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3108185A JP2794226B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 強誘電性液晶素子の駆動装置および駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04316016A true JPH04316016A (ja) | 1992-11-06 |
| JP2794226B2 JP2794226B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=14478157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3108185A Expired - Fee Related JP2794226B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 強誘電性液晶素子の駆動装置および駆動方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5276542A (ja) |
| JP (1) | JP2794226B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100418128C (zh) * | 2003-11-25 | 2008-09-10 | 夏普株式会社 | 显示装置及其驱动方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2632974B2 (ja) * | 1988-10-28 | 1997-07-23 | キヤノン株式会社 | 駆動装置及び液晶装置 |
| DE4221784A1 (de) * | 1992-07-03 | 1994-01-05 | Hoechst Ag | Elektrische Adressierung von ferroelektrischen Flüssigkristalldisplays |
| US5502584A (en) * | 1993-03-16 | 1996-03-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing ferroelectric liquid crystal device |
| CA2121776C (en) * | 1993-04-28 | 1999-05-25 | Yasuto Kodera | Liquid crystal device with a liquid crystal in an optical modulation region having a pretilt angle smaller than the liquid crystal in a peripheral region surrounding the optical modulation region |
| JP3286503B2 (ja) * | 1994-09-28 | 2002-05-27 | キヤノン株式会社 | 液晶素子の駆動法、及び該駆動法が用いられる液晶装置 |
| US6075511A (en) * | 1995-02-27 | 2000-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Drive voltages switched depending upon temperature detection of chiral smectic liquid crystal displays |
| US6122032A (en) * | 1996-07-31 | 2000-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Wedge shaped LCD with change in dispersion density of spacers |
| JP3347678B2 (ja) | 1998-06-18 | 2002-11-20 | キヤノン株式会社 | 液晶素子とその駆動方法 |
| US6670937B1 (en) | 1999-03-01 | 2003-12-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
| JP4043371B2 (ja) * | 2003-01-16 | 2008-02-06 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
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| US8907991B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-12-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
| JP6900279B2 (ja) | 2016-09-13 | 2021-07-07 | キヤノン株式会社 | トナー及びトナーの製造方法 |
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| JPH02157818A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-18 | Canon Inc | 強誘電性液晶パネルの駆動方法 |
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| JPS60220316A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-05 | Canon Inc | 液晶光学素子 |
| US4682858A (en) * | 1984-08-20 | 1987-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having reduced-pressure region in communication with ferroelectric liquid crystal |
| JPS6167829A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-08 | Canon Inc | カイラルスメクティック液晶素子 |
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| FR2581209B1 (fr) * | 1985-04-26 | 1993-11-05 | Canon Kk | Dispositif optique a cristal liquide |
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| US4778259A (en) * | 1985-07-17 | 1988-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal devices having reverse twist angle and stable states resulting from A.C. excitation |
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| US4796980A (en) * | 1986-04-02 | 1989-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal optical modulation device with regions within pixels to initiate nucleation and inversion |
| US4796979A (en) * | 1986-04-07 | 1989-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device having dual laminated alignment films |
| JP2505756B2 (ja) * | 1986-07-22 | 1996-06-12 | キヤノン株式会社 | 光学変調素子の駆動法 |
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| US5000545A (en) * | 1987-05-28 | 1991-03-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with metal electrode partially overlying transparent electrode |
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1991
- 1991-04-15 JP JP3108185A patent/JP2794226B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-04-14 US US07/868,201 patent/US5276542A/en not_active Expired - Fee Related
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| CN100418128C (zh) * | 2003-11-25 | 2008-09-10 | 夏普株式会社 | 显示装置及其驱动方法 |
Also Published As
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|---|---|
| JP2794226B2 (ja) | 1998-09-03 |
| US5276542A (en) | 1994-01-04 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |