JP2505745B2 - 表示装置 - Google Patents
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- JP2505745B2 JP2505745B2 JP61104177A JP10417786A JP2505745B2 JP 2505745 B2 JP2505745 B2 JP 2505745B2 JP 61104177 A JP61104177 A JP 61104177A JP 10417786 A JP10417786 A JP 10417786A JP 2505745 B2 JP2505745 B2 JP 2505745B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、強誘電性液晶を用いた表示装置に関するも
のである。
のである。
クラークとラガーウオルによって、特開昭56−107216
号公報あるいは米国特許第4367924号公報で高速応答性
とメモリー性を示す強誘電性液晶素子が提案されてい
る。
号公報あるいは米国特許第4367924号公報で高速応答性
とメモリー性を示す強誘電性液晶素子が提案されてい
る。
この強誘電性液晶は、例えば金子による特開昭59−12
9837号公報あるいは神辺らによる同59−193426号公報、
同59−193427号公報や同60−31121号公報などに開示さ
れた駆動法によって線順次書込みを行なうことができ
る。
9837号公報あるいは神辺らによる同59−193426号公報、
同59−193427号公報や同60−31121号公報などに開示さ
れた駆動法によって線順次書込みを行なうことができ
る。
又、神辺らは、特開昭60−33535号公報で強誘電性液
晶素子に線順次書込みを適用するに当って、非選択走査
線上の画素に閾値電圧以下の交流電圧を印加することに
よって、非選択走査線上の画素に印加される直流成分を
解消するための改善された駆動法を提案している。この
駆動法によれば、例えば非選択走査線上の白に書込まれ
た画素にデータ線から連続して黒の信号を印加した場合
であっても、その白の書込み状態を維持することができ
る点での改善がなされている。
晶素子に線順次書込みを適用するに当って、非選択走査
線上の画素に閾値電圧以下の交流電圧を印加することに
よって、非選択走査線上の画素に印加される直流成分を
解消するための改善された駆動法を提案している。この
駆動法によれば、例えば非選択走査線上の白に書込まれ
た画素にデータ線から連続して黒の信号を印加した場合
であっても、その白の書込み状態を維持することができ
る点での改善がなされている。
ところで、本発明者らは、強誘電性液晶素子に線順次
書込みを適用した際に、非選択走査線上の画素に閾値電
圧以下の交流電圧を印加したところ、画面にちらつきを
生じ、画面全体のコントラスト低下を生じる問題点が判
明した。
書込みを適用した際に、非選択走査線上の画素に閾値電
圧以下の交流電圧を印加したところ、画面にちらつきを
生じ、画面全体のコントラスト低下を生じる問題点が判
明した。
前述の現象、特に画面にちらつきを生じる現象は、非
選択走査線上の画素に閾値電圧以下であっても交流パル
スが印加されると、交流パルスの極性に応じて液晶分子
にゆらぎを生じ、そのため非選択走査線上の画素の透過
率が交流パルスの極性に応じて変動することが原因とな
っていることが判明した。
選択走査線上の画素に閾値電圧以下であっても交流パル
スが印加されると、交流パルスの極性に応じて液晶分子
にゆらぎを生じ、そのため非選択走査線上の画素の透過
率が交流パルスの極性に応じて変動することが原因とな
っていることが判明した。
第１図（ａ）に示す光学応答曲線11によれば、明レベ
ルに配向している強誘電性液晶に閾値電圧以下のV0パ
ルスを印加すると、液晶分子は一旦暗レベル側に配向
し、再びもとの明レベルに戻ることが判る。又、第１図
（ｂ）に示す光学応答曲線13によれば、暗レベルに配向
している強誘電性液晶に閾値電圧以下のV0パルスを印
加すると、液晶分子は一旦明レベル側に配向し、再びも
との暗レベルに戻ることが判る。従って非選択走査線上
の画素には、データ線からV0パルスとV0パルスと
が、交互に印加されるため、その画素では透過率がV0
とV0パルスに応じて変動し、ちらつきを生じた画面と
なっていた。
ルに配向している強誘電性液晶に閾値電圧以下のV0パ
ルスを印加すると、液晶分子は一旦暗レベル側に配向
し、再びもとの明レベルに戻ることが判る。又、第１図
（ｂ）に示す光学応答曲線13によれば、暗レベルに配向
している強誘電性液晶に閾値電圧以下のV0パルスを印
加すると、液晶分子は一旦明レベル側に配向し、再びも
との暗レベルに戻ることが判る。従って非選択走査線上
の画素には、データ線からV0パルスとV0パルスと
が、交互に印加されるため、その画素では透過率がV0
とV0パルスに応じて変動し、ちらつきを生じた画面と
なっていた。
〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕 従って本発明の目的は、前述の問題点、特にちらつき
の発生を防止し、表示コントラストを向上させた表示装
置を提供することにある。
の発生を防止し、表示コントラストを向上させた表示装
置を提供することにある。
本発明は、走査線群とデータ線群を有する一対の基板
間にカイラルスメクティック液晶が配された表示パネル
と、該表示パネルを駆動する為の駆動手段と、偏光子
と、を有する表示装置において、該駆動手段は、選択信
号電圧を選択された走査線上の画素に印加して該画素を
明状態又は暗状態にするとともに、非選択信号電圧が非
選択の走査線上の画素にかかるように、走査線に走査信
号を供給するとともにデータ線にデータ信号を供給する
手段であり、該非選択信号電圧は、非選択期間の時間平
均値における極性が選択された走査線上の画素を暗状態
とする電圧の極性と同一極性である交番波形の電圧であ
り、該選択信号電圧は、選択期間の時間平均値が零であ
る交番波形の電圧であることを特徴とし、これにより、
交番波形電圧による非選択の画素の暗レベルの透過率変
動が抑制され、ちらつきのない良好な表示画素が得られ
る。
間にカイラルスメクティック液晶が配された表示パネル
と、該表示パネルを駆動する為の駆動手段と、偏光子
と、を有する表示装置において、該駆動手段は、選択信
号電圧を選択された走査線上の画素に印加して該画素を
明状態又は暗状態にするとともに、非選択信号電圧が非
選択の走査線上の画素にかかるように、走査線に走査信
号を供給するとともにデータ線にデータ信号を供給する
手段であり、該非選択信号電圧は、非選択期間の時間平
均値における極性が選択された走査線上の画素を暗状態
とする電圧の極性と同一極性である交番波形の電圧であ
り、該選択信号電圧は、選択期間の時間平均値が零であ
る交番波形の電圧であることを特徴とし、これにより、
交番波形電圧による非選択の画素の暗レベルの透過率変
動が抑制され、ちらつきのない良好な表示画素が得られ
る。
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
本発明で用いる液晶材料として、特に適したものは、
カイラルスメクチツク液晶であって、強誘電性を有する
ものである。具体的にはカイラルスメクチツクＣ相（Sm
C＊）、カイラルスメクチツクＧ相（SmG＊）、カイラル
スメクチツクＦ相（SmF＊）、カイラルスメクチツクＩ
相（SmI＊）又はカイラルスメクチツクＨ相、（SmH＊）
の液晶を用いることができる。
カイラルスメクチツク液晶であって、強誘電性を有する
ものである。具体的にはカイラルスメクチツクＣ相（Sm
C＊）、カイラルスメクチツクＧ相（SmG＊）、カイラル
スメクチツクＦ相（SmF＊）、カイラルスメクチツクＩ
相（SmI＊）又はカイラルスメクチツクＨ相、（SmH＊）
の液晶を用いることができる。
強誘電性液晶の詳細については、たとえば“ル・ジュ
ルナール・ド・フイジイク・レットル”（“LE JOURNAL
DE PHYSIQUE LETTRE"36（Ｌ−69）1975年「フエロエレ
クトリック・リキツド・クリスタル」（Ferroelectric
Liquid Crystals;“アプライド・フイジイツクス・レタ
ーズ”（“Applied Physics Letters"）36（11）1980年
「サブミクロ・セカンド・バイステイブル・エレクトロ
オプテイツク・スイツチング・イン・リキツド・クリス
タルス」（「Submicro Second Bistable Electrooptic
Switching in Liquid Crystals」）；“固体物理”16
（141）1981「液晶」などに記載されている。強誘電性
液晶化合物の具体例としては、ｐ−デシロキシベンジリ
デン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメート
（DOBAMBC）、ｐ−ヘキシロキシベンジリデン−ｐ′−
アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（HOBACP
C）、ｐ−デシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２
−メチルブチル−α−シアノシンナメート（DOBAMBC
C）、ｐ−テトラデシロキシベンジリデン−ｐ′−アミ
ノ−２−メチルブチル−α−シアノシンナメート（TDOB
AMBCC）、ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチル−α−クロロシンナメート（OO
BAMBCC）、ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチル−α−メチルシンナメート、4,
4′−アソキシシンナミツクマシツドービス（２−メチ
ルブチル）エステル４−０−（２−メチル）−ブチルレ
ゾルシリデン−４′−オクチルアニリン（MBRA 8）、４
−（２′−メチルブチル）フエニル−４′−オクチルオ
キシビフエニル−４−カルボキシレート、４−ヘキシル
オキシフエニル−４−（２″−メチルブチル）ビフエニ
ル−４′−カルボキシレート、４−オクチルオキシフエ
ニル−４−（２″メチルブチル）ビフエニル−４′−カ
ルボキシレート、４−ヘプチルフエニル−４−（４″−
メチルヘキシル）ビフエニル−４′−カルボキシレー
ト、４−（２″−メチルブチル）フエニル−４−（４″
−メチルヘキシル）ビフエニル−４′−カルボキシレー
トなどを用いることができる。
ルナール・ド・フイジイク・レットル”（“LE JOURNAL
DE PHYSIQUE LETTRE"36（Ｌ−69）1975年「フエロエレ
クトリック・リキツド・クリスタル」（Ferroelectric
Liquid Crystals;“アプライド・フイジイツクス・レタ
ーズ”（“Applied Physics Letters"）36（11）1980年
「サブミクロ・セカンド・バイステイブル・エレクトロ
オプテイツク・スイツチング・イン・リキツド・クリス
タルス」（「Submicro Second Bistable Electrooptic
Switching in Liquid Crystals」）；“固体物理”16
（141）1981「液晶」などに記載されている。強誘電性
液晶化合物の具体例としては、ｐ−デシロキシベンジリ
デン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメート
（DOBAMBC）、ｐ−ヘキシロキシベンジリデン−ｐ′−
アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（HOBACP
C）、ｐ−デシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２
−メチルブチル−α−シアノシンナメート（DOBAMBC
C）、ｐ−テトラデシロキシベンジリデン−ｐ′−アミ
ノ−２−メチルブチル−α−シアノシンナメート（TDOB
AMBCC）、ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチル−α−クロロシンナメート（OO
BAMBCC）、ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチル−α−メチルシンナメート、4,
4′−アソキシシンナミツクマシツドービス（２−メチ
ルブチル）エステル４−０−（２−メチル）−ブチルレ
ゾルシリデン−４′−オクチルアニリン（MBRA 8）、４
−（２′−メチルブチル）フエニル−４′−オクチルオ
キシビフエニル−４−カルボキシレート、４−ヘキシル
オキシフエニル−４−（２″−メチルブチル）ビフエニ
ル−４′−カルボキシレート、４−オクチルオキシフエ
ニル−４−（２″メチルブチル）ビフエニル−４′−カ
ルボキシレート、４−ヘプチルフエニル−４−（４″−
メチルヘキシル）ビフエニル−４′−カルボキシレー
ト、４−（２″−メチルブチル）フエニル−４−（４″
−メチルヘキシル）ビフエニル−４′−カルボキシレー
トなどを用いることができる。
特に、好ましい強誘電性液晶としては、これにより高
温側でコレステリツク相を示すものを用いることがで
き、例えば下述の実施例に挙げた相転移温度を示すフエ
ニルエステル系液晶を用いることができる。
温側でコレステリツク相を示すものを用いることがで
き、例えば下述の実施例に挙げた相転移温度を示すフエ
ニルエステル系液晶を用いることができる。
これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合
物が所望の相となるような温度状態に保持する為、必要
に応じて素子をヒーターが埋め込まれた銅ブロツク等に
より支持することができる。
物が所望の相となるような温度状態に保持する為、必要
に応じて素子をヒーターが埋め込まれた銅ブロツク等に
より支持することができる。
第２図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。以下、所望の相として
SmC＊を例にとって説明する。
例を模式的に描いたものである。以下、所望の相として
SmC＊を例にとって説明する。
21aと21bは、In2O3あるいはITO（Indium−Tin Oxid
e）等の薄膜からなる透明電極で被覆された基板（ガラ
ス板）であり、その間に液晶分子層22がガラス面に垂直
になるように配向したSmC＊相の液晶が封入されてい
る。太線で示した線23が液晶分子を表わしており、この
液晶分子23は基板の面方向に連続的にらせん構造を形成
している。このらせん構造の中心軸25と液晶分子23の軸
方向とのなす角度をとして表わす。この液晶分子23
は、その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ
⊥）24を有している。基板21aと21b上の電極間に一定の
閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子23のらせん構造
がほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）24がすべて電界方
向に向くよう、液晶分子23は配向方向を変えることがで
きる。液晶分子23は、細長い形状を有しており、その長
軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えば
ガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置け
ば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学素
子となることは、容易に理解される。
e）等の薄膜からなる透明電極で被覆された基板（ガラ
ス板）であり、その間に液晶分子層22がガラス面に垂直
になるように配向したSmC＊相の液晶が封入されてい
る。太線で示した線23が液晶分子を表わしており、この
液晶分子23は基板の面方向に連続的にらせん構造を形成
している。このらせん構造の中心軸25と液晶分子23の軸
方向とのなす角度をとして表わす。この液晶分子23
は、その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ
⊥）24を有している。基板21aと21b上の電極間に一定の
閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子23のらせん構造
がほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）24がすべて電界方
向に向くよう、液晶分子23は配向方向を変えることがで
きる。液晶分子23は、細長い形状を有しており、その長
軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えば
ガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置け
ば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学素
子となることは、容易に理解される。
本発明の液晶光学素子で好ましく用いられる液晶セル
は、例えば10μ以下とすることができる。このように液
晶層が薄くなるにしたがい、第３図に示すように電界を
印加していない状態でも液晶分子のらせん構造がほど
け、非らせん構造となり、その双極子モーメントPaまた
はPbは上向き（34a）は下向き（34b）のどちらかの状態
をとる。この液晶分子軸33aの分子軸と33bのなす角度の
1/2の角度をチルト角（θ）と称している。このような
セルに、第３図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る
電界Ea又はEbを電圧印加手段31aと31bにより付与する
と、双極子モーメントは、電界EaまたはEbの電界ベクト
ルに対応して上向き34aまたは下向き34bと向きを変え、
それに応じて液晶分子は、１つの安定配向33aかあるい
は他の安定配向33bの何れか一方に配向する。
は、例えば10μ以下とすることができる。このように液
晶層が薄くなるにしたがい、第３図に示すように電界を
印加していない状態でも液晶分子のらせん構造がほど
け、非らせん構造となり、その双極子モーメントPaまた
はPbは上向き（34a）は下向き（34b）のどちらかの状態
をとる。この液晶分子軸33aの分子軸と33bのなす角度の
1/2の角度をチルト角（θ）と称している。このような
セルに、第３図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る
電界Ea又はEbを電圧印加手段31aと31bにより付与する
と、双極子モーメントは、電界EaまたはEbの電界ベクト
ルに対応して上向き34aまたは下向き34bと向きを変え、
それに応じて液晶分子は、１つの安定配向33aかあるい
は他の安定配向33bの何れか一方に配向する。
このような強誘電性を液晶光学素子として用いること
の利点は、先にも述べたが２つある。その第１は、応答
速度が極めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が
双安定性を有することである。第２の点を、例えば第３
図によって更に説明すると、電界Eaを印加すると液晶分
子は１つの安定配向33aに配向するが、この状態は電界
を切っても安定である。又、逆向きの電界Ebを印加する
と、液晶分子は他の安定配向33bに配向してその分子の
向きを変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留っ
ている。
の利点は、先にも述べたが２つある。その第１は、応答
速度が極めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が
双安定性を有することである。第２の点を、例えば第３
図によって更に説明すると、電界Eaを印加すると液晶分
子は１つの安定配向33aに配向するが、この状態は電界
を切っても安定である。又、逆向きの電界Ebを印加する
と、液晶分子は他の安定配向33bに配向してその分子の
向きを変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留っ
ている。
このような応答速度の速さと、双安定性が有効に実現
されるにはセル厚が出来るだけ薄い方が好ましい。
されるにはセル厚が出来るだけ薄い方が好ましい。
第４図に示す表示パネル41は、走査線S1、S2、S3、−
−−−とデータ線I1、I2、I3、−−−−との交差部で画
素を形成しているマトリクス電極構造が配線されてい
る。この走査線とデータ線との間には、前述した強誘電
性液晶が配置されている。
−−−とデータ線I1、I2、I3、−−−−との交差部で画
素を形成しているマトリクス電極構造が配線されてい
る。この走査線とデータ線との間には、前述した強誘電
性液晶が配置されている。
第５図は、表示パネルの走査線とデータ線に印加する
信号パルス波形を表わしている。図中のI1はデータ線I1
に印加するデータ信号の時系列波形で、S1とS2はそれぞ
れ走査線S1とS2に印加する走査信号の時系列波形であ
る。第５図によれば、走査線S1、S2、−−−−には書込
みタイミングt1、t2、−−−−で2V0と2V0で交番し
ている走査選択信号が順次印加され、非選択時の走査線
には直線バイアス電圧Vsが印加されている。書込みタイ
ミングt1、t2−−−−で印加された走査選択信号と同期
させて、データ線I1、I2−−−−には交番するデータ信
号が情報に応じて印加される。この際、V0→V0交番
電圧を黒信号、V0→V0交番電圧を白信号に設定す
る。
信号パルス波形を表わしている。図中のI1はデータ線I1
に印加するデータ信号の時系列波形で、S1とS2はそれぞ
れ走査線S1とS2に印加する走査信号の時系列波形であ
る。第５図によれば、走査線S1、S2、−−−−には書込
みタイミングt1、t2、−−−−で2V0と2V0で交番し
ている走査選択信号が順次印加され、非選択時の走査線
には直線バイアス電圧Vsが印加されている。書込みタイ
ミングt1、t2−−−−で印加された走査選択信号と同期
させて、データ線I1、I2−−−−には交番するデータ信
号が情報に応じて印加される。この際、V0→V0交番
電圧を黒信号、V0→V0交番電圧を白信号に設定す
る。
又、第５図中の（I1−S2）は、第４図に示す画素Ａに
印加された電圧信号の時系列波形を表わしている。
印加された電圧信号の時系列波形を表わしている。
本発明の駆動法によれば、書込みタイミングのうち、
表示状態を決定する位相となるt0で、画素Ａには閾値電
圧を越える3V0のスイツチングパルスが印加されて、
画素Ａは黒の表示状態（暗状態）に書込まれる。この黒
の表示状態に書込まれた後の画素Ａには、書込みタイミ
ングt2、t3、−−−でデータ線に印加されたデータ信号
と走査線の非選択走査時に印加された直流バイアス電圧
Vsとが印加されることになる。従って、非選択走査時の
画素Ａには、（V0−Vs）と（−V0−Vs）との交番波形電
圧が印加される。本実施例では、|Vth|＞｜−V0−Vs）
｜＞｜（V0−Vs）｜となる様に電圧値が設定され、従っ
て、（V0−Vs）のパルスが印加された暗状態下の画素で
は、第１図に示す光学応答曲線14の様に、V0パルスを印
加した時に較べ透過率上昇が小さく抑制され（−V0−V
s）のパルスが印加された明状態下の画素では、第１図
に示す光学応答曲線12の様に、V0パルスを印加した時
に較べ透過率の低下を生じる。
表示状態を決定する位相となるt0で、画素Ａには閾値電
圧を越える3V0のスイツチングパルスが印加されて、
画素Ａは黒の表示状態（暗状態）に書込まれる。この黒
の表示状態に書込まれた後の画素Ａには、書込みタイミ
ングt2、t3、−−−でデータ線に印加されたデータ信号
と走査線の非選択走査時に印加された直流バイアス電圧
Vsとが印加されることになる。従って、非選択走査時の
画素Ａには、（V0−Vs）と（−V0−Vs）との交番波形電
圧が印加される。本実施例では、|Vth|＞｜−V0−Vs）
｜＞｜（V0−Vs）｜となる様に電圧値が設定され、従っ
て、（V0−Vs）のパルスが印加された暗状態下の画素で
は、第１図に示す光学応答曲線14の様に、V0パルスを印
加した時に較べ透過率上昇が小さく抑制され（−V0−V
s）のパルスが印加された明状態下の画素では、第１図
に示す光学応答曲線12の様に、V0パルスを印加した時
に較べ透過率の低下を生じる。
従って、第５図に示す画素Ａは、走査選択時t1のうち
位相t0で3V0のスイツチングパルスが印加されて、黒
（暗状態）に書込まれ、走査非選択時t2、t3−−−で、
閾値電圧以下の（V0−Vs）→（−V0−Vs）交番波形電圧
が印加される。この画素Ａに（V0−Vs）パルスが引火さ
れた時には、黒の表示状態が第１図の光学応答曲線14に
示す様に一瞬明るくなるが、その明るくなる度合がV0パ
ルスを印加した時と比較して十分に低く抑えられてい
る。また、画素Ａに3V0パルスが印加されたときに、
その画素Ａが最暗状態となる様に、90゜クロスニコルの
一方の偏光軸と強誘電性液晶分子軸とを平行に設定され
ているため、走査非選択時の画素Ａに（−V0−Vs）パル
スが印加されても、その透過率には変動を生じない。
位相t0で3V0のスイツチングパルスが印加されて、黒
（暗状態）に書込まれ、走査非選択時t2、t3−−−で、
閾値電圧以下の（V0−Vs）→（−V0−Vs）交番波形電圧
が印加される。この画素Ａに（V0−Vs）パルスが引火さ
れた時には、黒の表示状態が第１図の光学応答曲線14に
示す様に一瞬明るくなるが、その明るくなる度合がV0パ
ルスを印加した時と比較して十分に低く抑えられてい
る。また、画素Ａに3V0パルスが印加されたときに、
その画素Ａが最暗状態となる様に、90゜クロスニコルの
一方の偏光軸と強誘電性液晶分子軸とを平行に設定され
ているため、走査非選択時の画素Ａに（−V0−Vs）パル
スが印加されても、その透過率には変動を生じない。
又、図示していないが、走査選択時t1のうち位相t0で
3V0のスイツチングパルスが印加されて白（明状態）
に書込まれた画素にも、前述と同様の（V0−Vs）→（−
V0−Vs）交番波形電圧が印加されることになるが、この
画素の走査非選択時に（−V0−Vs）パルスが印加される
と、第１図の光学応答曲線12に示す様に白表示の度合が
一瞬暗くなる。又、白の表示状態では、黒の表示状態が
最暗状態を採る様に偏光軸と分子軸を配置しているに伴
って、最明状態を採るため走査非選択時に（V0−Vs）パ
ルスが印加されても、その透過率には変動を生じない。
3V0のスイツチングパルスが印加されて白（明状態）
に書込まれた画素にも、前述と同様の（V0−Vs）→（−
V0−Vs）交番波形電圧が印加されることになるが、この
画素の走査非選択時に（−V0−Vs）パルスが印加される
と、第１図の光学応答曲線12に示す様に白表示の度合が
一瞬暗くなる。又、白の表示状態では、黒の表示状態が
最暗状態を採る様に偏光軸と分子軸を配置しているに伴
って、最明状態を採るため走査非選択時に（V0−Vs）パ
ルスが印加されても、その透過率には変動を生じない。
ところで、本発明者らの実験によれば、黒の表示画素
が一瞬明るくなる度合が小さい程、観察時のちらつきと
なって感じる度合が小さくなり、しかも白の表示画素が
一瞬暗くなる度合については、観察時のちらつきにほと
んど影響を与えていないことが判明した。
が一瞬明るくなる度合が小さい程、観察時のちらつきと
なって感じる度合が小さくなり、しかも白の表示画素が
一瞬暗くなる度合については、観察時のちらつきにほと
んど影響を与えていないことが判明した。
このことから、液晶素子を駆動する電圧マージンを多
少減らしても（この場合、非選択走査線に印加したバイ
アス電圧分Vsだけのマージンが減ったことになる）、前
述したバイアスVsを印加した駆動法は表示画面でのちら
つきが解消されているので、表示品質がはるかに良くな
ることがわかった。
少減らしても（この場合、非選択走査線に印加したバイ
アス電圧分Vsだけのマージンが減ったことになる）、前
述したバイアスVsを印加した駆動法は表示画面でのちら
つきが解消されているので、表示品質がはるかに良くな
ることがわかった。
さらに、本発明ではDCアンバランスを生じているが、
このDCアンバランスが液晶材料に印加される悪影響は、
SiO2膜、ポリイミド膜、ポリビニルアルコール膜などの
絶縁膜で、電流のパシベーシヨンを行う方法を採用する
ことによって、前述の悪影響を解消することができる。
かかる電流のパシベーシヨンを行なう方法としては、例
えば走査線又はデータ線として機能している透明電極上
に前述した絶縁膜を設ける方法を採用することができ
る。この際に用いる絶縁膜の膜厚は、100Å〜2nm程度、
好ましくは500Å〜5000Åの範囲とするのが適してい
る。
このDCアンバランスが液晶材料に印加される悪影響は、
SiO2膜、ポリイミド膜、ポリビニルアルコール膜などの
絶縁膜で、電流のパシベーシヨンを行う方法を採用する
ことによって、前述の悪影響を解消することができる。
かかる電流のパシベーシヨンを行なう方法としては、例
えば走査線又はデータ線として機能している透明電極上
に前述した絶縁膜を設ける方法を採用することができ
る。この際に用いる絶縁膜の膜厚は、100Å〜2nm程度、
好ましくは500Å〜5000Åの範囲とするのが適してい
る。
又、本発明では、強誘電性液晶を配向させるために、
前述した絶縁膜にラビング処理などの一軸性配向処理を
施することができ、又、前述した絶縁膜上に一軸配向処
理軸を付与した配向制御膜を設けることができる。この
際に用いる配向制御膜としては、SiO2膜上に設けたポリ
ビニルアルコール膜やシランカツプリング剤を塗布して
形成した被膜などを用いることができる。
前述した絶縁膜にラビング処理などの一軸性配向処理を
施することができ、又、前述した絶縁膜上に一軸配向処
理軸を付与した配向制御膜を設けることができる。この
際に用いる配向制御膜としては、SiO2膜上に設けたポリ
ビニルアルコール膜やシランカツプリング剤を塗布して
形成した被膜などを用いることができる。
又、本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶は、ネマチ
ツク相と比較してイオン伝導率が小さいため、前述した
DCアンバランスを用いても、液晶劣化を十分に抑制する
ことができる。
ツク相と比較してイオン伝導率が小さいため、前述した
DCアンバランスを用いても、液晶劣化を十分に抑制する
ことができる。
本発明の別の具体例では、第６図に示すバイアス電圧
Vsをデータ信号に重畳することによっても、画面のち
らつきを解消する事ができる。この際に用いるデータ信
号を第６図に示す。第６図に示すデータ信号波形によれ
ば、表示状態を決定する位相t0で黒の表示を与える3V
0と同極性の−Vsが非選択時の画素にバイアス電圧とし
て印加される。
Vsをデータ信号に重畳することによっても、画面のち
らつきを解消する事ができる。この際に用いるデータ信
号を第６図に示す。第６図に示すデータ信号波形によれ
ば、表示状態を決定する位相t0で黒の表示を与える3V
0と同極性の−Vsが非選択時の画素にバイアス電圧とし
て印加される。
第７図は、本発明の別の駆動例を表わしている。第７
図に示す駆動波形例によれば、非選択時の走査線に時間
的平均値でVsのバイアス電圧を生じる交流電圧を印加し
た例が明らかにされている。本例では、走査選択時に
3V0の黒信号が印加された画素は、非選択時に黒信号と
同極性のVsバイアス電圧を重畳に交流電圧が印加され
ており、画面のちらつきを解消することができる。
図に示す駆動波形例によれば、非選択時の走査線に時間
的平均値でVsのバイアス電圧を生じる交流電圧を印加し
た例が明らかにされている。本例では、走査選択時に
3V0の黒信号が印加された画素は、非選択時に黒信号と
同極性のVsバイアス電圧を重畳に交流電圧が印加され
ており、画面のちらつきを解消することができる。
本発明の駆動法で用いた書込みパルス幅（t1、t2、−
−−−）は、数μsec〜数100msec、好ましくは１μsec
〜10msecとすることができ、この際の電圧波高値V0は1V
〜20V、好ましくは5V〜10Vである。また、バイアス電圧
Vsとしては電圧波高値V01/5〜1/50の値、好ましくは1/1
0〜1/20の値に設定される。
−−−）は、数μsec〜数100msec、好ましくは１μsec
〜10msecとすることができ、この際の電圧波高値V0は1V
〜20V、好ましくは5V〜10Vである。また、バイアス電圧
Vsとしては電圧波高値V01/5〜1/50の値、好ましくは1/1
0〜1/20の値に設定される。
又、本発明の駆動例では、書込み時に3V0と3V0の
スイツチングパルスを採用しているが、本発明ではこの
電圧値に限定されることはなく、このスイツチングパル
スの波高値をVaとした時、 |Va|＞|Vth|＞|V0| の関係を有する値にスイツチングパルス電圧を設定する
ことができる（但し、Vthは書込みパルス幅での強誘電
性液晶の閾値電圧である。） 第８図は、本発明で用いる強誘導性液晶素子の好まし
い具体例を模式的に表わした断面図である。第８図は、
第３図に示す複数のカイラルスメクチツク液晶分子で形
成した垂直層22の法線方向から見た断面図で、第８図中
の81は第３図に示す液晶分子33a又は33bの前述の垂直層
22への写影（Ｃ−デレクタ）を表わしており、82は前述
の垂直層22に対する液晶分子33a又は33bの先端部を表わ
している。従って、第８図によれば垂直層22内の液晶分
子は互いに実質的に平行に配向した状態を採り、チルト
角θを最大チルト角に近づけることができる。この状
態をユニフオーム配向状態という。
スイツチングパルスを採用しているが、本発明ではこの
電圧値に限定されることはなく、このスイツチングパル
スの波高値をVaとした時、 |Va|＞|Vth|＞|V0| の関係を有する値にスイツチングパルス電圧を設定する
ことができる（但し、Vthは書込みパルス幅での強誘電
性液晶の閾値電圧である。） 第８図は、本発明で用いる強誘導性液晶素子の好まし
い具体例を模式的に表わした断面図である。第８図は、
第３図に示す複数のカイラルスメクチツク液晶分子で形
成した垂直層22の法線方向から見た断面図で、第８図中
の81は第３図に示す液晶分子33a又は33bの前述の垂直層
22への写影（Ｃ−デレクタ）を表わしており、82は前述
の垂直層22に対する液晶分子33a又は33bの先端部を表わ
している。従って、第８図によれば垂直層22内の液晶分
子は互いに実質的に平行に配向した状態を採り、チルト
角θを最大チルト角に近づけることができる。この状
態をユニフオーム配向状態という。
第８図に示すユニフオーム配向状態では、印加電極遮
断時のメモリー状態下でも電圧印加時の高い透過率特性
又は遮光特性をそのまま維持することができる。
断時のメモリー状態下でも電圧印加時の高い透過率特性
又は遮光特性をそのまま維持することができる。
本発明の好ましい具体例では、強誘電性液晶が第８図
に示すユニフオーム配向状態を採る上で交流印加前処理
が有効である。この交流印加前処理より前述したチルト
θをらせん構造でのチルトと等しいか、あるいは同程
度の角度まで増大させることができる。この際に用いる
交流としては、電圧20〜500ボルト、好ましくは30〜150
ボルトで周波数10〜500Hz、好ましくは10〜200Hzを用い
ることができ、その印加時間を数秒〜10分間程度で交流
印加前処理を施すことができる。又、かかる交流印加前
処理は、液晶素子を例えば映像信号やデータ信号に応じ
て書込みを行う前の段階で行なわれ、好ましくはかかる
液晶素子を装置に組込み、かかる装置を操作する時のウ
エイトタイムで前述の交流印加前処理を行なうか、ある
いはかかる液晶素子の製造時でも交流印加前処理を施す
ことができる。
に示すユニフオーム配向状態を採る上で交流印加前処理
が有効である。この交流印加前処理より前述したチルト
θをらせん構造でのチルトと等しいか、あるいは同程
度の角度まで増大させることができる。この際に用いる
交流としては、電圧20〜500ボルト、好ましくは30〜150
ボルトで周波数10〜500Hz、好ましくは10〜200Hzを用い
ることができ、その印加時間を数秒〜10分間程度で交流
印加前処理を施すことができる。又、かかる交流印加前
処理は、液晶素子を例えば映像信号やデータ信号に応じ
て書込みを行う前の段階で行なわれ、好ましくはかかる
液晶素子を装置に組込み、かかる装置を操作する時のウ
エイトタイムで前述の交流印加前処理を行なうか、ある
いはかかる液晶素子の製造時でも交流印加前処理を施す
ことができる。
かかる交流印加前処理は、印加前のチルト角θがらせ
ん構造でのチルトと同程度にまで増大させたチルト角
とすることができ、しかもかかる交流印加を除去た後で
あってもその増大されたチルト角を維持することができ
る。
ん構造でのチルトと同程度にまで増大させたチルト角
とすることができ、しかもかかる交流印加を除去た後で
あってもその増大されたチルト角を維持することができ
る。
本発明によれば、画面のちらつきを解消することがで
き、このため表示品位を大幅に改善することができる。
き、このため表示品位を大幅に改善することができる。
第１図（ａ）及び（ｂ）は、双安定下の強誘電性液晶に
パルスを印加した時の光学応答特性を表わす説明図であ
る。第２図及び第３図は、本発明で用いた強誘電性液晶
素子を模式的に表わす斜視図である。第４図は、本発明
で用いたマトリツクス電極構造の平面図である。第５
図、第６図及び第７図は、本発明の駆動法で用いた駆動
波形例を表わす説明図である。第８図は、本発明で用い
た強誘電性液晶素子の好ましい態様を表わす断面図であ
る。
パルスを印加した時の光学応答特性を表わす説明図であ
る。第２図及び第３図は、本発明で用いた強誘電性液晶
素子を模式的に表わす斜視図である。第４図は、本発明
で用いたマトリツクス電極構造の平面図である。第５
図、第６図及び第７図は、本発明の駆動法で用いた駆動
波形例を表わす説明図である。第８図は、本発明で用い
た強誘電性液晶素子の好ましい態様を表わす断面図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊野 勉 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 神辺 純一郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−170440（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】走査線群とデータ線群を有する一対の基板
間にカイラルスメクティック液晶が配された表示パネル
と、該表示パネルを駆動する為の駆動手段と、偏光子
と、を有する表示装置において、 該駆動手段は、選択信号電圧を選択された走査線上の画
素に印加して該画素を明状態又は暗状態にするととも
に、非選択信号電圧が非選択の走査線上の画素にかかる
ように、走査線に走査信号を供給するとともにデータ線
にデータ信号を供給する手段であり、 該非選択信号電圧は、非選択期間の時間平均値における
極性が選択された走査線上の画素を暗状態とする電圧の
極性と同一極性である交番波形の電圧であり、 該選択信号電圧は、選択期間の時間平均値が零である交
番波形の電圧であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】該データ信号に、該交番波形電圧の時間平
均値における極性を選択された走査線上の画素を暗状態
とする電圧の極性と同一極性とする為のバイアス電圧を
重畳することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の表示装置。 - 【請求項３】非選択の走査線に、該交番波形電圧の時間
平均値における極性を選択された走査線上の画素を暗状
態とする電圧の極性と同一極性とする為のバイアス電圧
を与えることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の表示装置。 - 【請求項４】該表示パネルは、該走査線又は該データ線
としての透明電極上に絶縁膜を設け、該絶縁膜の上に配
向制御膜が設けられた表示パネルであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の表示装置。 - 【請求項５】該表示パネルは、該走査線又は該データ線
としての透明電極上に膜厚100Å〜2nmのラビング処理さ
れた絶縁膜が設けられた表示パネルであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61104177A JP2505745B2 (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61104177A JP2505745B2 (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62260124A JPS62260124A (ja) | 1987-11-12 |
| JP2505745B2 true JP2505745B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=14373735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61104177A Expired - Fee Related JP2505745B2 (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2505745B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0792562B2 (ja) * | 1985-07-30 | 1995-10-09 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の駆動方法 |
-
1986
- 1986-05-06 JP JP61104177A patent/JP2505745B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62260124A (ja) | 1987-11-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |