JPH0431188B2 - - Google Patents
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- JPH0431188B2 JPH0431188B2 JP60136288A JP13628885A JPH0431188B2 JP H0431188 B2 JPH0431188 B2 JP H0431188B2 JP 60136288 A JP60136288 A JP 60136288A JP 13628885 A JP13628885 A JP 13628885A JP H0431188 B2 JPH0431188 B2 JP H0431188B2
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- shaped
- shaped strip
- semiconductor device
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この発明は半導体装置の製造方法に係り、とく
に、単相全波整流ブリツジ回路を構成する半導体
装置の製造方法に関する。
に、単相全波整流ブリツジ回路を構成する半導体
装置の製造方法に関する。
(ロ) 従来の技術
第３図は、第２図に示す単相全波整流ブリツジ
回路を構成する従来の半導体装置の構造を示す説
明図であり、リードフレーム１００に形成された
電極板１０１，１０２の上に別個の電極板１０
３，１０４をそれぞれ塔載して、その間にダイオ
ードＤ１〜Ｄ４用の半導体ペレツトＰ１〜Ｐ４を
介設して接合し、一点鎖線で囲まれる部分を樹脂
で覆つた後、端子Ｔ１〜Ｔ４に対応する破線部分
を切断してリードフレーム１００から分離するこ
とにより製作される。
回路を構成する従来の半導体装置の構造を示す説
明図であり、リードフレーム１００に形成された
電極板１０１，１０２の上に別個の電極板１０
３，１０４をそれぞれ塔載して、その間にダイオ
ードＤ１〜Ｄ４用の半導体ペレツトＰ１〜Ｐ４を
介設して接合し、一点鎖線で囲まれる部分を樹脂
で覆つた後、端子Ｔ１〜Ｔ４に対応する破線部分
を切断してリードフレーム１００から分離するこ
とにより製作される。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
しかしながら、この従来の半導体装置において
は、１回路について、リードフレーム１００の電
極板１０１，１０２と２個の電極板１０３，１０
４を必要とする上、その各々の電極板１０３，１
０４について、電極板１０１，１０２に対する十
分な位置決めを必要とするので、部品点数が多く
なると共に、生産性に欠けるなどの問題点があつ
た。
は、１回路について、リードフレーム１００の電
極板１０１，１０２と２個の電極板１０３，１０
４を必要とする上、その各々の電極板１０３，１
０４について、電極板１０１，１０２に対する十
分な位置決めを必要とするので、部品点数が多く
なると共に、生産性に欠けるなどの問題点があつ
た。
この発明はこのような事情に鑑みてなされたも
ので、部品点数を少くし、位置決めなどを容易に
した生産性を富む半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
ので、部品点数を少くし、位置決めなどを容易に
した生産性を富む半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
(ニ) 問題点を解決するための手段
この発明は、Ｌ字形帯状片と逆Ｌ字形帯状片が
同一平面上に所定の筋隙を有して口字形に配置さ
れ且つ前記Ｌ字形帯状片の横辺の略中央部及び前
記逆Ｌ字形帯状片の縦辺の先端部から同一方向に
延出する端子片が帯状フレームに接続されてなる
金属板２枚を、前記各フレームが互いに重なり合
うように前記金属板の一方を反転して他方に重合
させると共に、前記各帯状片の４つの重合部分に
各々半導体ペレツトを介在させて４つの端子片が
同一方向に引き出された単相全波整流ブリツジ回
路を構成し、重合する帯状片全体を樹脂で一体に
被覆成形した後、各帯状フレームを端子片から切
断分離する半導体装置の製造方法を提供するもの
である。
同一平面上に所定の筋隙を有して口字形に配置さ
れ且つ前記Ｌ字形帯状片の横辺の略中央部及び前
記逆Ｌ字形帯状片の縦辺の先端部から同一方向に
延出する端子片が帯状フレームに接続されてなる
金属板２枚を、前記各フレームが互いに重なり合
うように前記金属板の一方を反転して他方に重合
させると共に、前記各帯状片の４つの重合部分に
各々半導体ペレツトを介在させて４つの端子片が
同一方向に引き出された単相全波整流ブリツジ回
路を構成し、重合する帯状片全体を樹脂で一体に
被覆成形した後、各帯状フレームを端子片から切
断分離する半導体装置の製造方法を提供するもの
である。
(ホ) 作用
前記２枚の金属板は全く同形であり、その内一
方を反転させて重合し、その間に半導体ペレツト
を介在させるだけで、所定回数が構成され、部品
点数が少なく、位置決めが容易となる。
方を反転させて重合し、その間に半導体ペレツト
を介在させるだけで、所定回数が構成され、部品
点数が少なく、位置決めが容易となる。
また、各端子片はＬ字形帯状片の横辺の略中央
部及び逆Ｌ字形帯状片の縦辺の先端部から同一方
向に延出しているので、金属板を反転して重合さ
せた時に、各端子片が重なることなく同一方向に
互い違いに引き出された形となり、簡易な構造で
確実に離間した端子片の引き出し形状を実現でき
る。
部及び逆Ｌ字形帯状片の縦辺の先端部から同一方
向に延出しているので、金属板を反転して重合さ
せた時に、各端子片が重なることなく同一方向に
互い違いに引き出された形となり、簡易な構造で
確実に離間した端子片の引き出し形状を実現でき
る。
(ヘ) 実施例
以下、第２図に示す単相全波整流ブリツジ回路
の半導体装置に適用した実施例に基づいてこの発
明を詳述する。なお、これによつてこの発明が限
定されるものではない。
の半導体装置に適用した実施例に基づいてこの発
明を詳述する。なお、これによつてこの発明が限
定されるものではない。
第１図ａにおいて、１はＬ字形帯状片、２は逆
Ｌ字形帯状片、３は帯状フレーム、３ａは位置決
め用孔、１ａ，２ａは端子片、１ｂ，２ｂは保持
用端子であり、帯状片１，２は間隔ｄを有して口
字形に同一平面上に配置され、端子片１ａ，２ａ
によつて帯状フレーム３に接続されており、これ
らはプレス打抜加工により一枚の金属板４として
形成される。ここで端子片１ａはＬ字形帯状片１
の横辺の略中央部から、また端子片２ａは逆Ｌ字
形帯状片２の縦辺の先端部から引き出されてい
る。第１部ｂに示すように、金属板４と同形で反
転させた金属板４′上に第２図に示すダイオード
Ｄ１〜Ｄ４用の半導体ペレツトＰ１〜Ｐ４をロウ
付けして固定する。その上から孔３ａ，３a′を基
準にして、第１図ｃのように金属板４を重合さ
せ、さらに金属板４とペレツトＰ１〜Ｐ４をロウ
付けにて接合する。次に、第１図ｄに示すように
帯状片４，４′全体をモールド用樹脂５によつて
一体成形し、その後、帯状フレーム３，３′を切
断分離して半導体装置６を完成させる。なお、端
子片１ａ，２ａはそれぞれ第２図の端子Ｔ１，Ｔ
２に対応し、端子片１a′，２a′はそれぞれ同図の
端子Ｔ４，Ｔ３に対応する。また、保持用端子１
ｂ，２ｂ，１b′，２b′は半導体装置６を基板など
に設置する場合にその保持用として利用される。
Ｌ字形帯状片、３は帯状フレーム、３ａは位置決
め用孔、１ａ，２ａは端子片、１ｂ，２ｂは保持
用端子であり、帯状片１，２は間隔ｄを有して口
字形に同一平面上に配置され、端子片１ａ，２ａ
によつて帯状フレーム３に接続されており、これ
らはプレス打抜加工により一枚の金属板４として
形成される。ここで端子片１ａはＬ字形帯状片１
の横辺の略中央部から、また端子片２ａは逆Ｌ字
形帯状片２の縦辺の先端部から引き出されてい
る。第１部ｂに示すように、金属板４と同形で反
転させた金属板４′上に第２図に示すダイオード
Ｄ１〜Ｄ４用の半導体ペレツトＰ１〜Ｐ４をロウ
付けして固定する。その上から孔３ａ，３a′を基
準にして、第１図ｃのように金属板４を重合さ
せ、さらに金属板４とペレツトＰ１〜Ｐ４をロウ
付けにて接合する。次に、第１図ｄに示すように
帯状片４，４′全体をモールド用樹脂５によつて
一体成形し、その後、帯状フレーム３，３′を切
断分離して半導体装置６を完成させる。なお、端
子片１ａ，２ａはそれぞれ第２図の端子Ｔ１，Ｔ
２に対応し、端子片１a′，２a′はそれぞれ同図の
端子Ｔ４，Ｔ３に対応する。また、保持用端子１
ｂ，２ｂ，１b′，２b′は半導体装置６を基板など
に設置する場合にその保持用として利用される。
以上のように、第１図ａ，ｂに示される金属板
４，４′は互いに同形であるので使用部品の種類
が低減され、それにともなつて使用する金型も一
種類だけとなる。さらに各端子片１ａ，１a′及び
２ａ，２a′はそれぞれ、Ｌ字形帯状片１の横辺の
略中央部及び逆Ｌ字形帯状片２の先端部から同一
方向に延出されているので、金属板４，４′の重
合の際、各端子片１ａ，２ａ，１a′，２a′が重な
ることなく同一方向に互い違いに引き出された形
となり、簡易な構造で確実に離間した端子型の引
き出し形状を実現できる。しかも、金属板４はそ
の左右に連続してフレーム３上に形成可能な形状
であり、金属板４，４′の重合時の位置決めも単
純で容易であるなどの点から半導体装置の生産性
が大いに向上される。また、ペレツトに接合する
金属板の有効面積が大きくとれ、形状が同一であ
ることから、その放熱特性が均一化され、全体的
な放熱効率が改善される。
４，４′は互いに同形であるので使用部品の種類
が低減され、それにともなつて使用する金型も一
種類だけとなる。さらに各端子片１ａ，１a′及び
２ａ，２a′はそれぞれ、Ｌ字形帯状片１の横辺の
略中央部及び逆Ｌ字形帯状片２の先端部から同一
方向に延出されているので、金属板４，４′の重
合の際、各端子片１ａ，２ａ，１a′，２a′が重な
ることなく同一方向に互い違いに引き出された形
となり、簡易な構造で確実に離間した端子型の引
き出し形状を実現できる。しかも、金属板４はそ
の左右に連続してフレーム３上に形成可能な形状
であり、金属板４，４′の重合時の位置決めも単
純で容易であるなどの点から半導体装置の生産性
が大いに向上される。また、ペレツトに接合する
金属板の有効面積が大きくとれ、形状が同一であ
ることから、その放熱特性が均一化され、全体的
な放熱効率が改善される。
(ト) 発明の効果
この発明によれば、複数のペレツトを接合する
金属板が一種類でよく、量産に適した形状である
ため半導体装置の部品点類が低減されると共に生
産性が向上する。さらに、簡易な構造で、全端子
片を金属板から同一方向に向かつて確実に離間し
て引き出せる。しかも、前記金属板は各ペレツト
に対してほぼ同一面積を有するので、ペレツトの
放熱特性が均一化され全体的な放熱効率が改善さ
れる。
金属板が一種類でよく、量産に適した形状である
ため半導体装置の部品点類が低減されると共に生
産性が向上する。さらに、簡易な構造で、全端子
片を金属板から同一方向に向かつて確実に離間し
て引き出せる。しかも、前記金属板は各ペレツト
に対してほぼ同一面積を有するので、ペレツトの
放熱特性が均一化され全体的な放熱効率が改善さ
れる。
第１図ａはこの発明の一実施例の金属板を示す
平面図、第１図ｂ，ｃ，ｄはこの発明の実施例の
製作工程を示す説明図、第２図はこの発明の実施
例および従来例の電気回路図、第３図は従来例を
示す平面図である。 １……Ｌ字形帯状片、２……逆Ｌ字形帯状片、
３……帯状フレーム、１ａ，２ａ……端子片、Ｐ
１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４……半導体ペレツト。
平面図、第１図ｂ，ｃ，ｄはこの発明の実施例の
製作工程を示す説明図、第２図はこの発明の実施
例および従来例の電気回路図、第３図は従来例を
示す平面図である。 １……Ｌ字形帯状片、２……逆Ｌ字形帯状片、
３……帯状フレーム、１ａ，２ａ……端子片、Ｐ
１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４……半導体ペレツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｌ字形帯状片と逆Ｌ字形帯状片が同一平面上
に所定の間〓を有して口字形に配置され且つ前記
Ｌ字形帯状片の横辺の略中央部及び前記逆Ｌ字形
帯状片の縦辺の先端部から同一方向に延出する端
子片が帯状フレームに接続されてなる金属板２枚
を、前記各フレームが互いに重なり合うように前
記金属板の一方を反転して他方に重合させると共
に、前記各帯状片の４つの重合部分に各々半導体
ペレツトを介在させて４つの端子片が同一方向に
引き出された単相全波整流ブリツジ回路を構成
し、重合する帯状片全体を樹脂で一体に被覆成形
した後、各帯状フレームを端子片から切断分離す
る半導体装置の製造方法。 ２ Ｌ字形および逆Ｌ字形帯状片が保持用端子片
を備えてなる特許請求の範囲第１項記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136288A JPS61294845A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136288A JPS61294845A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61294845A JPS61294845A (ja) | 1986-12-25 |
| JPH0431188B2 true JPH0431188B2 (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=15171665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60136288A Granted JPS61294845A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61294845A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6329714B1 (en) | 1999-11-01 | 2001-12-11 | General Semiconductor, Inc. | Hybrid S.C. devices and method of manufacture thereof |
| CN103236426B (zh) * | 2013-04-22 | 2016-06-08 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 | 一种同向阵列式整流桥堆 |
| CN110085579B (zh) * | 2019-04-25 | 2022-03-25 | 广东美的制冷设备有限公司 | 高集成智能功率模块及其制作方法以及空调器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5150423A (ja) * | 1974-10-29 | 1976-05-04 | Shindengen Electric Mfg | Handotaitansozenpaseiryusoshino seizohoho oyobi handotaitansozenpaseiryusoshi |
-
1985
- 1985-06-21 JP JP60136288A patent/JPS61294845A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5150423A (ja) * | 1974-10-29 | 1976-05-04 | Shindengen Electric Mfg | Handotaitansozenpaseiryusoshino seizohoho oyobi handotaitansozenpaseiryusoshi |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61294845A (ja) | 1986-12-25 |
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