JPH0430121A - 液晶表示素子 - Google Patents

液晶表示素子

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JPH0430121A
JPH0430121A JP13526190A JP13526190A JPH0430121A JP H0430121 A JPH0430121 A JP H0430121A JP 13526190 A JP13526190 A JP 13526190A JP 13526190 A JP13526190 A JP 13526190A JP H0430121 A JPH0430121 A JP H0430121A
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Koyo Yuasa
公洋 湯浅
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、機械分野や、 電気・電子分野などに おいて使用される液晶表示素子に関する。
〔従来の技術〕
強誘電性液晶の光学的異方性を利用して2枚の基板間に
液晶を挟持した光学素子がクラークとラゲルバルにより
提案されている(特開昭56−107216号公報、特
開昭63−153521号公報)、これらは基板間の距
離を十分小さくしてカイラルスメクチックC相のらせん
構造を消失させ、2つの安定状m!(いわゆる双安定性
)を得ようとするものである。しかし、光学素子を作製
するためには通常基板に配向膜を設けなければならず、
この配向膜のため当初考えられていたほどの明確な双安
定性が得にくいという問題点がある。
配向性を改善するため、スメクチックA相の状態にある
強誘電性液晶組成物を電極又は磁極間に介在させ、その
外場で液晶のチルト角を誘起して光の透過量を調節する
光変調方法とその素子が提案されている(特開昭64−
3632号公報)。
しかしながら、スメクチックA相の状態にある強誘電性
液晶組成物を利用する素子では、■スメクチックA相の
状態にある強誘電性液晶組成物を用いるので液晶分子が
らせん構造をとらないため液晶の厚みを厚くすることが
できるが、その反面、液晶の厚みを厚くしたことに応じ
素子に印加する電圧を大きくする必要が生じるので、実
用的には液晶の厚みを数μm程度以下に小さくする必要
があり、生産性があまり改善されないこと、■液晶のジ
グザグ欠陥は生じにくいが、低分子液晶を用いているの
で、機械的強度が十分でないこと、■正の電圧で明表示
、負の電圧で暗表示として利用しているので、カイラル
スメクチックC相の液晶組成物を用いた素子と同様に偏
光板を素子の長手方向に対し斜めに傾けて配置すること
が必要であり、長尺素子の作製には向かないことなどの
問題点が残されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、偏光板の無駄を住じず、長尺型の液晶表示素
子の連続的生産に適し、配向性に優れた高コントラスト
の液晶表示素子を提供しようとするものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意研究を重ね
た結果、特定の相を有する高分子液晶組成物を使用して
、偏光板を特定の方向に配置した液晶表示素子によりそ
の目的が達成されることを見出し、この知見に基づいて
本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、反強誘電相又は電界誘起チルトを示
すスメクチックA相を有する高分子液晶組成物を電極面
を対向させて配置された電極付可撓性基板間に挟持し、
少なくとも一方の可撓性基板面の外側に偏光軸が電極付
可撓性基板の長手方向に平行又は垂直である偏光板を設
けてなることを特徴とする液晶表示素子を提供するもの
である。
第1図は、本発明の液晶表示素子の一例を示す断面図で
ある。
高分子液晶組成物4は電極3.5面を対向させて配置さ
れた電極3.5付可撓性基板2.6間に挟持されており
、その外側の可撓性基板2面に偏光板1が設けられてい
る。
本発明の液晶表示素子では、液晶材料として高分子液晶
組成物が使用されている。そして、この高分子液晶組成
物は反強誘電相又は電界誘起チルトを示すスメクチック
A相を有するものである。
高分子液晶組成物を使用することにより、配向性に優れ
た高コントラストの液晶表示素子が得られる。また、そ
の高分子液晶組成物が反強誘電相又は電界誘起チルトを
示すスメクチックA相を有するものであるので、偏光板
をその偏光軸が可撓性基板の長手方向に平行又は垂直に
なるように設けた液晶表示素子で液晶表示を行うことが
可能となっている。
高分子液晶組成物としては、反強誘電相(5acAth
)又は電界誘起チルトを示すスメクチックA相(S■A
0)を有する高分子液晶組成物であればその組成に特に
制限はない0例えば、■反強誘電相若しくは電界誘起チ
ルトを示すスメクチックA相を有する低分子液晶を1種
以上含む低分子液晶又は低分子液晶組成物と1種又は2
種以上の高分子液晶又は高分子液晶組成物からなる高分
子液晶組成物、■反強誘電相若しくは電界誘起チルトを
示すスメクチックA相を有する高分子液晶を1種以上含
む高分子液晶又は高分子液晶組成物と1種又は2種以上
の低分子液晶又は低分子液晶組成物からなる高分子液晶
組成物が挙げられる。ここで、■に含まれる高分子液晶
及び■に含まれる低分子液晶は、反強誘電相や電界誘起
チルトを示すスメクチックA相を示すものであってもよ
い。
高分子液晶組成物中に含まれる反強誘電相又は電界誘起
チルトを示すスメクチックA相を有する液晶の割合は任
意であり単体若しくは混合の結果5acs”相又はS+
wA”相が発現するものであればよい また、高分子液晶組成物中の高分子液晶の割合としては
、前記■の場合には、2〜95重量%とすることが好ま
しく、特に5〜50重量%とすることが好ましい。前記
■の場合には、2〜95重量%とすることが好ましく、
特に20〜50重量%とすることが好ましい、高分子液
晶の割合が少な過ぎると高分子液晶組成物の配向性、製
膜性などの有用性が欠けることがあり、多過ぎると高分
子液晶組成物が反強誘電性や電界誘起チルトを示すスメ
クチックA相を有さなかったり、電界変化に対する応答
が遅くなったりするなどの不都合が生じることがある。
本発明に用いる反強誘電性を示す高分子液晶としては、
適当な温度で反強誘電性を示すものであれば、特に制限
はない、一般に光学活性基としてルキル鎖又はエステル
を含んだものを示す、)を有する高分子液晶が好ましい
0例えば、下記の繰り返し単位を有する高分子液晶が好
ましい。
〔式中のR1及びXは、上記と同様であり、R2は−H
1−CHs又は−CJs % Jは1〜20の整数、k
は1〜30の整数、Aは一〇−又は−COO−、■はO
又は1、Yは−COO−又は一0CO−を示す、)を示
す、〕具体的には、例えば、以下の繰り返し単位を有す
る液晶(a)、液晶ら)が挙げられる。
液晶(a) n (Iso:等吉相(液体)、SmA: スメクチックA
相、S−C*: カイラルスメクチックC相、Sac、
”:反強誘電相、glassニガラス状態を示す、〕液
晶(b) n glass       5sCA”      Ss
C”  ←−−− SmA       Is。
二こで、反強誘電相を示す温度範囲は、これらの高分子
液晶を対向する電極間に挟持して電極間に三角波状電圧
を印加した際、クロスニコル下で透過光強度の変化が2
段階(3種類)になり、しかも第3状態でも消光位が得
られて明らかにらせんを巻いた状態やツイスト状態でな
いときを反強誘電相として決定した値である。
また、反強誘電性を示す低分子液晶としては、例えば、
以下のものが挙げられる。
n=7〜10 390号公報) n=6〜12 (第15回液晶討論会講演予稿集 3^16 (1989)。
n=7〜10 (第15回液晶討論会講演予稿集 A16 (1989)。
n−7〜10 3390号公報) n−8〜10 (日本学術振興会情報料学用有機材料第142委員会 
第47回合同研究会責料P20)なお、上記化合物は反
強誘電性を有する液晶化合物の一例であり、これらの構
造式に限定されるものではない。
また、電界誘起チルトを示すスメクチックA相(S■A
′″)を有する高分子液晶としては、例えば、下記の繰
り返し単位を有するものが挙げられる。
Ha−5000 電界誘起チルトを示すスメクチックA相(SsA’″)
を有する低分子液晶としては、例えば、下記の構造を有
するM HP OB C(4’ −(1−wetylh
eptyl。
xy carbonyl)phenyl−4−octy
loxy biphenyl−4−carboxyla
te)が挙げられる。
M)(POBC: なお、上記化合物は電界誘起チルトを示すスメクチック
A相を有する液晶化合物の一例であり、これらの構造式
に限定されるものではない。
また、上記の反強誘電相又は電界誘起チルトを示すスメ
クチックA相を有する高分子液晶組成物に含まれる他の
高分子液晶又は低分子液晶としては、スメクチック相を
示すものが好ましい、特に、スメクチックC相又はカイ
ラルスメクチックC相を示すものが好ましい。
このような他の高分子液晶としては、不斉炭素を含まな
いものと不斉炭素を含むものが挙げられる。不斉炭素を
含まないものの例としては、以下のものが挙げられる。
ポリアクリレート主鎖を有する高分子液晶(Y。
S。
Freidzon。
Po1ys+er Cossun、。
1986゜ 27゜ ポリメタクリレート主鎖を有する高分子液晶CB。
(L Fiakelmann。
Makromol。
Cbe鱈、。
1978゜ 179゜ ポリオキシラン主鎖を有する高分子液晶(C。
Pugh。
Polymer Bulletin。
1986゜ 16゜ ポリシロキサン主鎖を有する高分子液晶II3 (II。
Richard。
Mol。
Cryst。
Liq。
Cryst、。
198B。
155゜ ポリエステル主鎖を有する高分子液晶 (M。
Exch+ Macrosmol。
Che欄、。
apid CoIIo+un、 。
987゜ 8゜ (波刃順次、第14回液晶討論会講演予稿集、988. また、 不斉炭素を含むものの例としては、 以下の ものが挙げられる。
ポリアクリレート主鎖を有する不斉炭素を含む高分子液
晶 ポリメタクリレート主鎖を有する不斉炭素を含む高分子
液晶 CI。
(J、 C,Dubois ら、 Mo1. Crys
t、 Liq、 Cryst、、 1986.137,
349) (3)  ポリクロロアクリレート主鎖を有する不斉炭
素を含む高分子液晶 U、 C,Dubois ら。
986.137.349) (4)  ポリオキシシラ む高分子液晶 Mol。
Cryst。
Liq。
Cryst、。
ン主鎖を有する不斉炭素を含 (特開昭63−264629号公報) (5)ポリシロキサン主鎖を有する不斉炭素を含む高分
子液晶 CI。
曾 (特開昭63−280742号公報) ポリエステル主鎖を有する不斉炭素を含む高分子液晶 Hj 13424号公報) 8号公報) (R。
Zen te lら。
Liq。
Cryst。
1987゜ 2゜ 高分子液晶は2〜3量体のオリゴマー液晶であってもよ
い。
更に、本発明で使用される高分子液晶組成物には、必要
に応して接着剤、減粘剤、非液晶カイラル化合物、色素
等が含まれていてもよい。
上記の高分子液晶組成物は、電極面を対向させて配置さ
れた電極付可撓性基板間に挟持されている。
可撓性基板としては、可撓性を有し透明性の材料であれ
ば、特に制限はない0例えば、ポリエチレンテレフタレ
ート(PET) 、ポリエーテルスルホン(PES)、
ポリカーボネート(PC)などのプラスチックフィルム
などを用いることができる。基板の厚みとしては、通常
10tIm〜数にが好ましい。
可撓性基板の片面には電極が設けられているが、電極と
しては、透明性を有する材料であれば特に限定はない。
例えば、酸化インジウム又は酸化インジウムと酸化錫と
の混合物からなるIT6膜等の透明電極が好適であり、
通常これらは上記の可撓性基板上に蒸着されており、適
当な形状に加工されて使用される。
上記の高分子液晶組成物を電極付可撓性基板間に挟持す
る方法としては、特に制限はない。上記の高分子液晶組
成物は製膜性に優れるので、高分子液晶組成物を溶液又
は溶融状態で電極付可撓性基板の電極面に塗布する方法
が好適に使用できる。
例えば、ロールコータ−、マイクログラビアコーター、
バーコーターなどを用いる方法や、多孔質材料に高分子
液晶組成物を含浸させてそれを電極面に押圧しながら移
動する含浸塗布法などが挙げられる。また、スプレー法
、キャスト法などにより製膜する方法も好適である。
高分子液晶組成物は電極付可撓性基板間に挟持される際
又はその後配向処理され、高分子液晶組成物の液晶分子
が一軸水平配向していることが好ましい、配向処理の方
法としては、特に制限はなく、例えば、従来から良(知
られたラビング法、斜方蒸着法、磁場印加法、温度勾配
法などを用いることができる9本発明では高分子液晶組
成物を使用しているので、液晶組成物に剪断を印加する
ことにより液晶分子を容易に高度に配向させることがで
きる。したがって、連続生産性に優れた曲げ配向法を用
い、液晶組成物に剪断を印加して液晶分子を配向するこ
とが好ましい。この方法により極めて高速かつ容易に液
晶分子の高度な配向状態が得られる。液晶分子の配向方
向としては、可撓性基板の長手方向に対して平行又は垂
直とすることが好ましい。
更に、上記の高分子液晶組成物を電極付可撓性基板間に
挟持したものの少なくとも一方の可撓性基板面の外側に
偏光板が設けられている。
偏光板としては、通常のものを使用することができる。
第1図では可撓性基板2の外面にのみ設けられているが
、可撓性基板6の外面にも設けることができる。目的と
する液晶表示素子が複屈折モードのときは上下の可撓性
基板の両外面に設けることが好ましく、ゲストホストモ
ードでは通常片方の可撓性基板の外面に設ければよい。
偏光板の偏光軸は、可撓性基板の長手方向に平行又は垂
直とする。このような方向に偏光板を設置することで、
例えば、粘着層が片面に設けられている長尺の偏光板を
そのまま用いて可撓性基板面にラミネートすることがで
きるので、偏光板の無駄が無くなり、また連続生産が容
易となり液晶表示素子を安価に製造することが可能とな
る。
以下、液晶表示素子が複屈折モードであり、偏光板を素
子の上下面に設置する場合について説明するが、ゲスト
ホストモードの場合にも同様に考えることができる。
第2図(a)は、例えばカイラルスメクチックC相(S
s+C” )を有する強誘電性液晶の強誘電相での液晶
分子の液晶表示素子内の動きを示す説明図である。第2
図(ハ)は、第2図(a)の液晶分子の動きを液晶表示
素子の上面から見た場合の説明図であり、第2図(C)
は、第2図(ロ)の液晶表示素子に対して設定された偏
光板の偏光軸を表す説明図である。
強誘電相では、ダイポール8を有する液晶分子7は、印
加される電界の向きに応じてコーン9の上をスイッチン
グする。10はスメクチック層法線、11.12はそれ
ぞれ上下の偏光板の偏光軸を表す。
強誘電相では液晶分子7とスメクチック層法線10との
なす角は、第2図(b)に示すようにチルト角θである
。このため、この液晶表示素子で明暗表示を行うために
は、第2図(C)に示すように、2枚の偏光板を偏光軸
を互いに直交させて設置する場合、一方の偏光板の偏光
軸11がスメクチック層法線10に対してチルト角θだ
け斜めに傾いた方向になるように設置しなければならな
い。したがって長尺型の液晶表示素子において液晶分子
の配向方向、すなわちスメクチック層法線を可撓性基板
の長手方向に平行又は垂直とすると、偏光板を可撓性基
板の長手方向に対して斜めに設けなければならず、偏光
板の無駄が多くなる。逆に偏光板の無駄を生じさせない
ためには、液晶分子の配向方向を可撓性基板の長手方向
に対して斜めにしなければならず、このような配向処理
を行うことば長尺型の液晶表示素子を連続的に生産す名
のには向かない。
以上は、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の場合であ
るが、本発明に示すように反強誘電相(SmCa”)を
有する高分子液晶組成物を用いた液晶表示素子の場合に
は、液晶組成物に電界を印加しないときには、隣合うス
メクチック層間で液晶分子がスメクチック層法線に対し
て互いに逆向きにチルト角θだけ傾いている。
第3図(a)は、反強誘電相を有する高分子液晶組成物
を用いた液晶表示素子の電界がゼロの状態における液晶
分子の状態と偏光板の偏光軸を示す説明図である。第3
図(b)は、電界を印加した状態における液晶分子の状
態と偏光板の偏光軸を示す説明図である。13は電界の
向きを示す。
第3図(a)、第3図(b)ともに、偏光軸11.12
を互いに直交させ、偏光軸11がスメクチック層法線1
0と一致するように偏光板を設置した状態である。
電界を印加しない状態では、第3図(a)に示すように
、液晶分子の光学軸の方向は全体の液晶分子の平均的方
向、すなわちスメクチック層法線10の方向となり、暗
表示となる。液晶組成物に電界を印加すると、第3図ら
)に示すように、電界の向きに応じて液晶分子はスメク
チック層法線10に対して±θいずれかの方向に傾き、
明表示となる。
一方、電界誘起チルトを示すスメクチックA相を有する
高分子液晶組成物を用いた液晶表示素子の場合、電極間
に電界を印加しないときには、液晶分子はスメクチック
層法線に対し傾かない状態が安定となる。
第4図(a)は、電界誘起チルトを示すスメクチックA
相を有する高分子液晶組成物を用いた液晶表示素子の電
界がゼロの状態における液晶分子の状態と偏光板の偏光
軸を示す説明図である。第4図(ロ)は、電界を印加し
た状態における液晶分子の状態と偏光板の偏光軸を示す
説明図である。
第4図(a)、第4図(ハ)ともに、偏光軸の方向は第
3図(a)と同様である。
電界を印加しない状態では、第4図(a)に示すように
、液晶分子はスメクチック層法線10力向に揃っており
、暗表示となる。液晶組成物に電界を印加すると、第4
図(b)に示すように、液晶分子はエレクトロクリニッ
ク効果により電界誘起チルトを住し、電界の向き、大き
さに応じてスメクチック層法線10に対して±θ力方向
傾き、明表示となる。
反強誘電相を有する高分子液晶組成物を用いた液晶表示
素子でも、電界誘起チルトを示すスメクチックA相を有
する高分子液晶組成物を用いた液晶表示素子でも、液晶
組成物に電界を印加しないときには液晶層の光学主軸方
向はスメクチック層法線方向を向いており、電界を印加
したときにはその印加電界の符号によって液晶層の光学
主軸方向は十〇又は−θだけ傾いた方向になる。従って
設置する偏光板の偏光軸を液晶表示素子の配向処理方向
、すなわちスメクチック層法線と平行又は垂直とすると
、明暗表示が可能となる。このことは、特に可撓性基板
を用いて長尺型の液晶表示素子を作製する際に、偏光板
の原反をそのまま可撓性基板と重ね合わせるとよいこと
を意味する。
したがって、本発明の液晶表示素子は偏光板の無駄を生
じない極めて生産性に優れた液晶表示素子となる。更に
、液晶表示素子の配向処理方向は、基板の長手方向に平
行又は垂直とすればよいので、連続生産が容易である。
また、従来のように双安定性を利用していないので、安
定した高コントラストの液晶表示素子となっている。
[実施例] 以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
実施例1 反強誘電相を有する下記の高分子液晶を用いで、以下の
ように液晶表示素子を作製した。
n ←−−5IICA*←−−3mC11 ←−S+wA     Is。
上記の高分子液晶を25重量%のトルエン溶液とし、マ
イクログラビアコーターを用いて幅150m+、厚み1
00μm、長さ50mのITO電極付PES (ポリエ
ーテスルホン)基板の電極面に塗布製膜した。溶媒蒸発
後、直ちに何も塗布L2ていない同種の基板と液晶と電
極面が接するようにラミネートした。このときに、得ら
れた液晶層の厚みは2.4μmであった。
次いで、第5図に示す4本の配向ロール15からなる曲
げ配向装置を用いて、得られたラミネート物14を配向
処理した。各配向ロール15はクロムメツキを施した鉄
製であり、直径80罷、幅300mのものを互いに51
1IIのギャップをつくるように配置しである。各配向
ロール15の表面温度は、T、=135°C,T、=1
23°c、T3 =123’C,T、=110°Cとし
、ライン速度はV=5m/分とした。
更に続けて第6図に示すように、配向処理されたラミネ
ート物14の両側に粘着層付長尺偏光板16をラミネー
トロール17によりラミネートして液晶表示素子18と
した。偏光板16は幅150■のもので長手方向に偏光
軸をもつものを使用した。したがって、パラニコルの液
晶表示素子が得られた。液晶配向方向は長手方向と垂直
な方向であった。
これらの工程は全てライン速度v = 5 m 7分で
連続的に行ったので、約10分で長さ50mの液晶表示
素子を完成することができた。得られた液晶表示素子の
コントラスト比を測定するために幅150閣、長さ30
0■を切り出し、素子の電極間にIOVの直流を印加し
たときと印加しないときの光透過率の比を求めたところ
、25℃で21であった。
比較例1 下記の低分子の反強誘電性液晶を用いた。
朋1J11軌 上記の液晶を実施例1と同様にしてマイクログラビアコ
ーターでPES基板に塗布した。トルエン溶液濃度は同
じく25重量%とじ、ラミネート後の液晶層の厚みは2
.2pmであった。
次いで、得られたラミネート物を実施例1で使用した配
向装置でT、=130°C,T!=105℃、T3=1
05℃、T4=100℃、v=5m/分として配向処理
し、これに実施例1と同様に長尺偏光板をラミネートし
て液晶表示素子とした。
このとき、液晶の結晶化を防ぐために2本のラミネート
ロールは80℃に加熱した。その後、直ちに長さ300
■を切り出して70℃の雰囲気下でコントラスト比を求
めたところ、IOVで11であった。更にOv、IOV
の電圧印加を1七で繰り返したところ、数分以内に液晶
表示素子面内で液晶層の厚みが変化し、視認性が著しく
低下した。
このときのコントラスト比は、場所によって3〜12の
間で変化していた。
以上のように低分子の液晶を単独で使用した場合には配
向性がやや劣り、 薄膜としての安定性に 欠けることが明らかになった。
実施例2 次の組成からなる液晶組成物を調整した。
液晶A n 液晶B 液晶A:液晶B:液晶C −60:  20  :  20 (重量%) 湘1114紡 上記の反強誘電性高分子液晶組成物に日本感光色素型の
黒色色素NKX−1033を5重量%混合した。これを
15重量%のジクロルメタン溶液とし、実施例1と同様
にマイクログラビアコーターを用いてITO電極付l軸
延伸PET (輻200m、厚み100μm、長さ20
m)基板の電極面に塗布した0次いで、これを実施例1
と同様に対向基板とラミネートした。ラミネート後の液
晶層の厚みは2.0μmであった。連続してこのラミネ
ート物を実施例1で使用した配向装置で配向処理した。
各ロール温度は、T、=110°C,T。
=100″C,T、=100℃、T、=85℃とし、ラ
イン速度はv = 4 m7分とした。更に、配向処理
されたラミネート物の片面のみに粘着層付長尺偏光板を
ラミネートして、ゲストホスト型の液晶表示素子を製作
した。この液晶表示素子の長手方向と偏光板の偏光軸及
び液晶のスメクチック層法線方向の関係は、第7図(a
)に示すように、液晶表示素子の長手方向19と偏光板
の偏光軸11が一致しており、スメクチック層法線10
方向はこれらに垂直とした。また、第7図(b)に示す
ように、この液晶表示素子に電界を印加しないときの液
晶分子7の平均的配向方向はスメクチック層法線方向で
あり、この状態は暗であった。また、電界を印加したと
きの液晶分子7′の配向方向はスメクチック層法線方向
からθだけ傾いた方向であり、この状態は明であった。
可撓性基板には光学的異方性を持つ一軸延伸PETを用
いているが、その光学的異方性の方向が偏光板の偏光軸
に一致するので、異方性を有することは表示性能には全
く影響がなかった。
上記の液晶表示素子から長さ30cmを切り出し、25
℃でIOVの電圧を電極間に印加したときと印加しない
ときの光透過率変化からコントラスト比を求めたところ
、16であった。このようにゲストホスト型の液晶表示
素子でも連続的にしかも容易に高品位の長尺型液晶表示
素子を製造できることが明らかになった。
実施例3 下記の比較的大きな電界誘起チルトを示すスメクチック
A相 SsA”) を有する液晶を用いた。
Mn  = この液晶の電界誘起チルトθの大きさを第1表に示す。
測定は25℃でセル厚2μmのガラスセルを用いて行っ
た。
第1表 上記の高分子液晶及び実施例1と同様の基板を用いて実
施例1と同様の方法により長尺のラミネート物(幅15
0、長さ50m)を作製した。ラミネート後の液晶層の
厚みは2.3μmであった。
得られたラミネート物を連続して実施例1で使用した配
向装置で配向処理した。各ロール温度は、TI=80℃
、Tffi=72℃、T3=60°C,T4=60℃と
し、ライン速度はv=5m/分とした。更に、実施例1
と同様に配向処理されたラミネート物の両側に長尺偏光
板をラミネートして液晶表示素子を完成した。
この液晶表示素子から長さ400Iを切り出し、素子の
電極間に電圧を印加したときと印加しないとき′のコン
トラスト比を測定したところ、0■と20Vのコントラ
スト比は16、Ovと40Vのコントラスト比は22で
あった。
実施例4 実施例1で用いたものと同種の電極付PES基板の電極
面に予めマイクログラビアコーターでポリビニルアルコ
ールの1重量%溶液を塗布した。
このときの溶媒には、水とメチルアルコールの1=1(
体積比)の混合物を用いた。
塗布後、この溶媒を乾燥させてポリビニルアルコールの
塗布された基板を巻き取った。次いで、この基板のポリ
ビニルアルコール塗布膜を第8図に示すようなラビング
処理装置を用いて基板の長手方向にラビング処理した。
ラビングロール20はナイロンの毛21を植毛した布を
直径100mの金属ロールに貼りつけたものであり、ナ
イロンの毛21がポリビニルアルコールの塗布された基
板22のポリビニルアルコール塗布膜に接する状態で、
ラビングロール20を基板の長手方向とは逆の方向に1
100rpで回転させた。23は補助ロールである。ラ
イン速度はv = 2m 7分とした。ラビング処理さ
れた基板はラビング処理後直ちにマイクログラビアコー
ター及びラミネートロール対へと続いており、連続して
液晶の塗布、対向基板のラミネートができるようにした
液晶は実施例3で用いたものと同種のものを使用し、そ
の塗布条件は実施例1と同様とした。
ラミネート後、第9図に示すようなヒーター24を有す
る加熱装置に得られたラミネート物14を通して、液晶
分子を配向させた。加熱装置は全長5mであり、入口付
近では80℃、出口付近では65°Cになるように温度
勾配をつけた。この加熱装置の通過により、液晶は等吉
相に加熱された後に、徐々に冷却され、基板の一方のラ
ビング面のラビング方向に沿って配向した。更に、この
液晶表示素子に第5図に示すように両側に長尺偏光板を
ラミネートして液晶表示素子を完成した。
この液晶表示素子から長さ30C1を切り出し、電極間
に電圧を印加したときと印加しないときのコントラスト
比を測定したところ、OVと20Vのコントラスト比は
15を得た。
〔発明の効果〕
氷見の液晶表示素子は、偏光板の無駄がなく、長尺の液
晶表示素子を連続的にしかも容易に生産することができ
、使用されている液晶組成物が配向性に優れているため
高コントラストのものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の液晶表示素子の一例を示す断面図で
ある。 第2図(a)は、強誘電性液晶の強誘電相での液晶分子
の液晶表示素子内の動きを示す説明図である。 第2図(b)は、第2図(a)の液晶分子の動きを液晶
表示素子の上面から見た場合の説明図であり、第2図(
C)は、第2図G)の液晶表示素子に対して設定された
偏光板の偏光軸を表す説明図である。 第3図(a)及び第3図(b)は、反強誘電相を有する
高分子液晶組成物を用いた液晶表示素子の液晶分子の状
態と偏光板の偏光軸を示す説明図である。 第4図(a)及び第4図(b)は、電界誘起チルトを示
すスメクチックA相を有する高分子液晶組成物を用いた
液晶表示素子の液晶分子の状態と偏光板の偏光軸を示す
説明図である。 第5図及び第6図は、それぞれ実施例1で使用した配向
装置、ラミネート装置を示す説明図である。 第7図(a)は、実施例2の液晶表示素子の長手方向等
を示す説明図である。第7図(b)はこの液晶表示素子
の液晶分子の状態を説明する説明図である。 第8図及び第9図は、それぞれ実施例4で使用したラビ
ング処理装置、加熱装置を示す説明図である。 符号の説明 偏光板     2.6 可撓性基板 5 電極    4 高分子液晶組成物液晶分子   
 8 ダイポール コーン     10 スメクチック層法線、12 偏
光軸 13 電界の向き ラミネート物 15 配向ロール 粘着層付長尺偏光板 ラミネートロール 液晶表示素子 液晶表示素子の長手方向 ラビングロール ナイロンの毛 ポリビニルアルコールの塗布された基板補助ロール  
24 ヒーター

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、反強誘電相又は電界誘起チルトを示すスメクチック
    A相を有する高分子液晶組成物を電極面を対向させて配
    置された電極付可撓性基板間に挟持し、少なくとも一方
    の可撓性基板面の外側に偏光軸が電極付可撓性基板の長
    手方向に平行又は垂直である偏光板を設けてなることを
    特徴とする液晶表示素子。 2、高分子液晶組成物の液晶分子が電極付可撓性基板の
    長手方向に平行又は垂直に配向処理されている請求項1
    記載の液晶表示素子。
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