JPH04259220A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH04259220A
JPH04259220A JP3020635A JP2063591A JPH04259220A JP H04259220 A JPH04259220 A JP H04259220A JP 3020635 A JP3020635 A JP 3020635A JP 2063591 A JP2063591 A JP 2063591A JP H04259220 A JPH04259220 A JP H04259220A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum
etching
gas
isopropyl alcohol
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3020635A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3016261B2 (ja
Inventor
Koyo Kamiide
上出　幸洋
Shingo Kadomura
新吾 門村
Tetsuya Tatsumi
哲也 辰巳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP3020635A priority Critical patent/JP3016261B2/ja
Priority to US07/831,846 priority patent/US5227341A/en
Priority to KR1019920001760A priority patent/KR920017196A/ko
Publication of JPH04259220A publication Critical patent/JPH04259220A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3016261B2 publication Critical patent/JP3016261B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、更に詳しくは、アルミニウム系金属のエッチン
グ後のコロージョン対策に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来、アルミニウム系金属のドライエッ
チングは、塩素（Ｃｌ）を含む気体（塩素系ガス）を用
いて行なわれている。斯るドライエッチングを行なった
場合、ウエハにＣｌが残留し大気中の水分と反応してＨ
Ｃｌが生成され、これによって腐食する現象（アフター
コロージョン）が生ずる問題があった。このようなアフ
ターコロージョンを防ぐ方法として以下に説明するよう
なものがある。
【０００３】ａ）アルミニウム系金属を塩素系ガスにて
エッチングを行なった後、四フッ化炭素（ＣＦ４）等の
フッ素系ガスのプラズマを用いてＣｌをＦに置換する。
【０００４】ｂ）アルミニウムの系金属を塩素系ガスに
てエッチングを行なった後、インラインアッシングを行
なって大気に晒す前にＣｌを多く含んだレジストを除去
する。
【０００５】ｃ）上記インラインアッシングを行なった
後、ＣＨＦ３等のプラズマ分解でＡｌ上に炭素（Ｃ）系
のパッシベーション膜を被着し、水分の侵入を防止する
。
【０００６】ｄ）上記インラインアッシングを行なった
後、真空中でベークを行ない、残留Ｃｌを排気する。
【０００７】しかしながら上記従来方法においては以下
に説明する問題点がある。
【０００８】即ち、ａ）にあっては、レジスト内に残っ
たＣｌやＣｌを含む反応生成物を除去できない問題点が
ある。
【０００９】ｂ）にあっては、Ｃｌを含む反応生成物を
除去できない問題点がある。
【００１０】ｃ）にあっては、Ａｌ上に被着させた炭素
系のパッシベーション膜（ポリマー）が水分の侵入を完
全に防げない問題点がある。
【００１１】ｄ）にあっては、残留塩素（Ｃｌ）を完全
に除去できない問題点がある。
【００１２】特に、塩素は、Ｃｌの形で残留しているだ
けでなく反応生成物であるＡｌＯｘＣｌｙの形で存在し
ているものであり、これを分解・排気することも必要で
ある。
【００１３】そこで、エッチング後のインラインアッシ
ング時にメチルアルコール（ＣＨ３ＯＨ）を添加し、Ａ
ｌＯｘＣｌｙを下記の式に示すように分解する方法が実
施されている。
【００１４】
【化１】
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たＣＨ３ＯＨを添加する方法にあっては、単なるインラ
インアッシングよりは効果的であるが、Ａｌ（−ＯＣＨ
３）３の沸点が２４０℃と高く反応生成物（ＡｌＯｘＣ
ｌｙ）の分解が起りにくく、十分なアフターコロージョ
ンの抑制を長時間発揮するものではなく、残留ＡｌＯｘ
Ｃｌｙの除去効率，除去能の向上が求められている。
【００１６】本発明は、このような従来例に着目して創
案されたものであって、アルミニウム系金属のアフター
コロージョンを防止し、信頼性の高い半導体装置を得ん
とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、アル
ミニウム系金属を塩素（Ｃｌ）を含む気体を用いてエッ
チングした後、イソプロピルアルコールを含むガス系に
よるアッシングを行なう工程を有することを、その解決
方法としている。
【００１８】
【作用】アルミニウムの系金属のエッチングにより、Ｃ
ｌの反応生成物であるＡｌＯｘＣｌｙがレジスト内など
に残留するが、次工程でイソプロピルアルコール（ＣＨ
３）２ＣＨＯＨを含むガス系によるレジストのアッシン
グを行なうことにより、
【００１９】
【化２】
【００２０】の反応が起こり、アフターコロージョンの
原因となる塩素がＨＣｌの形で除去される。また、同時
に生成されるトリイソプロポキシアルミニウムＡｌ（ｉ
−ＯＣ３Ｈ７）３は、その沸点が１３０℃と低く、気化
し易いため、上記反応が進み易い。従って、アッシング
に際し、イソプロピルアルコール（ＣＨ３）ＣＨＯＨを
添加することにより、エッチング時の反応生成物である
ＡｌＯｘＣｌｙの除去能が高くなり、防食性が向上する
。
【００２１】
【実施例】以下、本発明に係る半導体装置の製造方法を
適用した実施例を説明する。
【００２２】先ず、本実施例においては、図１に示すよ
うに、シリコン基板１上にＳｉＯ２絶縁膜２を形成する
。次に、図２に示すように、アルミニウム膜３を全面に
形成し、レジスト４を塗布した後パターニングを行なう
。次に、図３に示すように、パターニングされたレジス
ト４をマスクとして、アルミニウム膜３を塩素ガス（Ｃ
ｌ２）及び窒素ガス（Ｎ２）を用いてＳｉＯ２絶縁膜２
が露出するまでドライエッチングを行なう。
【００２３】次に、図４に示すように、レジスト４のア
ッシングをμ波ダウンフロー型のアッシング装置を用い
てｉｎ−ｓｉｔｕで行なう。そのアッシング条件は、酸
素（Ｏ２）を２００ＳＣＣＭ及びイソプロピルアルコー
ル（（ＣＨ３）２ＣＨＯＨ）を４０ＳＣＣＭで導入し、
圧力を１．２Ｔｏｒｒ、μ波Ｈ．Ｖ．を４００ｍＡに限
定して行なった。
【００２４】（比較例）上記実施例と同様にドライエッ
チングを施した後、以下の条件でｉｎ−ｓｉｔｕでアッ
シングを行なった。
【００２５】○導入ガス及びその流量 酸素（Ｏ２）…２００ＳＣＣＭ メチルアルコール（ＣＨ３ＯＨ）…４０ＳＣＣＭ○圧力
…１．２Ｔｏｒｒ ○μ波Ｈ．Ｖ．…４００ｍＡ この比較例においては、アッシング後に時間経過ととも
にコロージョンが生じたが、上記実施例においては、コ
ロージョンが生じなかった。
【００２６】以上、実施例について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付随す
る各種の設計変更が可能である。
【００２７】例えば、上記実施例においては、アッシン
グに酸素（Ｏ２）及びイソプロピルアルコール（ＣＨ３
）２ＣＨＯＨを用いたが、これにフッ素系ガスを加え、
ウエハを載置するステージを加熱すれば更に防食性を高
めることが可能となる。
【００２８】また、上記実施例においては、アルミニウ
ム系金属としてアルミニウム膜を適用したが、アルミニ
ウム合金（例えば、Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｃｕ）を適用し
ても勿論よく、その場合、フッ素系ガスを添加してドラ
イエッチングを行なってもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、アルミニウム系金属のエッチング後の防食性
を高めて信頼性の高い配線を備えた半導体装置が得られ
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】　　本発明の実施例の工程図。
【図２】　　本発明の実施例の工程図。
【図３】　　本発明の実施例の工程図。
【図４】　　本発明の実施例の工程図。
【符号の説明】
３…アルミニウム膜、４…レジスト。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　アルミニウム系金属を塩素（Ｃｌ）を
    含む気体を用いてエッチングした後、イソプロピルアル
    コールを含むガス系によるアッシングを行なう工程を有
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP3020635A 1991-02-14 1991-02-14 半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP3016261B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3020635A JP3016261B2 (ja) 1991-02-14 1991-02-14 半導体装置の製造方法
US07/831,846 US5227341A (en) 1991-02-14 1992-02-06 Method of manufacturing a semiconductor device using an isopropyl alcohol ashing step
KR1019920001760A KR920017196A (ko) 1991-02-14 1992-02-07 반도체 장치의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3020635A JP3016261B2 (ja) 1991-02-14 1991-02-14 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04259220A true JPH04259220A (ja) 1992-09-14
JP3016261B2 JP3016261B2 (ja) 2000-03-06

Family

ID=12032691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3020635A Expired - Fee Related JP3016261B2 (ja) 1991-02-14 1991-02-14 半導体装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5227341A (ja)
JP (1) JP3016261B2 (ja)
KR (1) KR920017196A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07230993A (ja) * 1994-02-15 1995-08-29 Nec Corp 半導体装置の配線の形成方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3084910B2 (ja) * 1992-03-18 2000-09-04 ヤマハ株式会社 配線形成法
JP3129144B2 (ja) * 1995-04-21 2001-01-29 日本電気株式会社 アッシング方法
JPH08306668A (ja) * 1995-05-09 1996-11-22 Sony Corp アッシング方法
US5824604A (en) * 1996-01-23 1998-10-20 Mattson Technology, Inc. Hydrocarbon-enhanced dry stripping of photoresist
US6025268A (en) * 1996-06-26 2000-02-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method of etching conductive lines through an etch resistant photoresist mask
WO1999026277A1 (en) 1997-11-17 1999-05-27 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for plasma enhanced processing of semiconductor wafers
US6805139B1 (en) 1999-10-20 2004-10-19 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing
US20050022839A1 (en) * 1999-10-20 2005-02-03 Savas Stephen E. Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing
US20070186953A1 (en) * 2004-07-12 2007-08-16 Savas Stephen E Systems and Methods for Photoresist Strip and Residue Treatment in Integrated Circuit Manufacturing
WO2007106785A2 (en) 2006-03-10 2007-09-20 Vantagescore Solutions, Llc Methods and systems for segmentation using multiple dependent variables

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3988256A (en) * 1974-04-03 1976-10-26 Allied Chemical Corporation Photoresist stripper rinse
US4078102A (en) * 1976-10-29 1978-03-07 International Business Machines Corporation Process for stripping resist layers from substrates
JPS57176723A (en) * 1981-04-23 1982-10-30 Fujitsu Ltd Selectively forming method for pattern
JPS58171006A (ja) * 1982-03-31 1983-10-07 Canon Inc 着色パタ−ンの製造方法
JPS6354896A (ja) * 1986-08-26 1988-03-09 Fuji Electric Co Ltd 計測監視制御装置
DE3821231A1 (de) * 1987-06-25 1989-01-05 Siemens Ag Entschichterloesung fuer gehaertete positivlacke
US4992108A (en) * 1990-01-18 1991-02-12 Ward Irl E Photoresist stripping compositions

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07230993A (ja) * 1994-02-15 1995-08-29 Nec Corp 半導体装置の配線の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR920017196A (ko) 1992-09-26
US5227341A (en) 1993-07-13
JP3016261B2 (ja) 2000-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05160081A (ja) ドライエッチング方法
JP4167268B2 (ja) 基板をパッシベーションするプロセス
EP1053566B1 (en) Method and composition for dry photoresist stripping in semiconductor fabrication
JPH057862B2 (ja)
JPH04259220A (ja) 半導体装置の製造方法
KR950005351B1 (ko) 알루미늄 합금의 부식 방지 방법
JP2006148122A (ja) 半導体基板上の金属構造から残留物を除去するための方法
JP3082396B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0513534B2 (ja)
JP3324466B2 (ja) 金属配線のドライエッチング方法
JPH08306668A (ja) アッシング方法
US7067433B2 (en) Method to reduce the fluorine contamination on the Al/Al-Cu pad by a post high cathod temperature plasma treatment
JPH0472724A (ja) ドライエッチング方法
JP3326868B2 (ja) アルミニウム系パターンの形成方法
JP4559565B2 (ja) 金属配線の形成方法
CN115938937B (zh) 半导体结构及其制备方法
JP2987977B2 (ja) アルミニウム系金属膜のドライエッチング方法
TW451345B (en) Cleaning method of the residual material after removing photoresist
JPH03239323A (ja) ドライエッチング方法
JP2661355B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3077224B2 (ja) ドライエッチング方法
JPH03198331A (ja) 半導体装置の製造方法
CN114203546A (zh) 半导体器件及其制造方法
JPS6358835A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003257951A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees