JPH04258126A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、よ
り詳しくは、複数のパッドを備えた半導体装置に関する
。

【０００２】チップ実装技術としてＴＡＢ（ｔａｐｅ　
ａｕｔｏｍａｔｅｄ　ｂｏｎｄｉｎｇ）が普及してきて
いる。ＴＡＢ品は軽量で薄型であるためポケット型コン
ピュータ等にも使用されてきている。しかし、製造工程
をみてみるとＴＡＢ品においては、大チップ化および集
積度の増加に伴い、ＴＡＢ方式によるリードの取付けが
難しくなってきている。その理由は、パッドに設けられ
たバンプにリードを取付けて外部と接続するわけである
が、パッド数の増加に伴い、パッドサイズの微細化、パ
ッド間隔の縮小が行われ、リードを位置合わせの余裕が
なくなってきているからである。

【０００３】

【従来の技術】半導体集積回路を形成した半導体チップ
をリードに導通させる場合には、例えばＴＡＢ法のよう
に、半導体チップのパッドの上にリードを接続する方法
が提案されている。

【０００４】一般的な半導体チップにおいては、図２（
Ａ），（Ｂ）　の平面図及び部分拡大断面図に示すよう
に、リード１０を取付ける半導体チップａの上面が保護
膜ｂによって覆われており、その保護膜ｂには、チップ
ａの周縁に沿って形成された複数のパッドｃを個々に露
出する開口部ｄが形成されている。

【０００５】そして、その開口部ｄから露出したパッド
ｃの上には、パッドｃと同一平面形状のバンプｅがメッ
キ法によって形成されており、このバンプｅには、図２
（Ｃ）に示すような樹脂テープ１１上のリード１０が共
晶等によって接続されている。

【０００６】ところで、パッドｃ相互や開口部ｄ相互の
間隔は、半導体装置の高集積化に伴って狭くなっている
が、バンプｅをメッキする際のマージン、或いは開口部
ｄを形成する際のマージン等によって制約されているた
め、パッドｃの数を増加させる場合には、図３に示すよ
うにパッドｃの横幅Ｗを狭くしている。

【０００７】そして、従来のパッドｃは、図３に示すよ
うに、開口部ｄから正方形又は長方形に露出するように
形成され、しかも、その正方形や長方形は半導体チップ
１の縁部に対して垂直な２つの辺を有している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このため、パッドｃの
横幅Ｗが狭くなるにつれて、その上のバンプｅとリード
１０の位置合わせ余裕が小さくなり、位置ずれによるコ
ンタクト抵抗の増加や歩留りの低下を招き易くなるとい
った不都合がある。

【０００９】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、リードをパッドの上に取付ける際の位置
合わせ余裕を大きくすることができる半導体装置を提供
することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１に
例示するように、半導体チップ１の上に設けられる導電
性パッド２又はバンプ５の平面形状を四角にするととも
に、前記パッド２又は前記バンプ５の側辺Ｌを前記半導
体チップ１の縁部に対して傾けて形成したことを特徴と
する半導体装置によって達成する。

【００１１】

【作　　用】本発明によれば、四角形に形成されたパッ
ド２又はバンプ５の側辺Ｌは、半導体チップ１の縁部に
対して傾斜するように形成されている。

【００１２】このため、パッド２等の側辺Ｌの長さをＨ
とすれば、従来の装置に比べて、パッド２又はバンプ５
がＨｃｏｓθ程度横に広がることになり、隣合うパッド
２相互、バンプ５相互の横方向の距離Ｋが短縮すること
になる。

【００１３】この結果、リードをパッド２の上に取付け
る際にそのリードが横方向にずれたとしても、パッド２
やバンプ５の横の広がりによって接触面積はあまり低減
せず、接触抵抗の低下が抑制され、リード取付けの位置
合わせ余裕が大きくなる。

【００１４】

【実施例】（ａ）本発明の第１実施例の説明図２は、本
発明の装置の概要を示すものであって、図中符号１は、
半導体集積回路が形成された半導体チップで、その上面
においては、電圧を供給したり信号を入出力するための
導電性パッド２がチップ縁部に沿って複数形成されてい
る。また、その上にはＳｉＯ２等よりなる保護膜３が形
成されており、保護膜３に設けた開口部４を通して前記
パッド２が個々に露出するように形成されている。

【００１５】さらに、開口部４から露出したパッド２の
上には、メッキ法によって形成された金等の導電材から
なるバンプ５が突出形成されている。

【００１６】図１（Ａ）　は、本発明の特徴部分を示す
部分拡大平面図であって、上記したパッド２は平面形状
が長方形に形成され、そのうちの対向する２つの側辺（
長辺）Ｌは半導体チップ１の直線状の縁部に対して一定
の角度θで傾斜して形成され、また、各パッド２の側辺
Ｌの間の距離Ｄは、バンプ５をメッキする際のマージン
等を考慮して所定の大きさに設定されている。

【００１７】また、上記した開口部４とバンプ５も、パ
ッド２の形状とほぼ同じ平面形状に形成されており、そ
れらの側辺もチップ縁部に対して一定の角度θで傾斜し
ている。

【００１８】次に、上記した実施例の作用について説明
する。上記した実施例において、パッド２とほぼ同じ形
状のバンプ５の側辺は、半導体チップ１の縁部に対して
一定の傾斜角度θをもっているために、パッド２やバン
プ５の側辺Ｌの長さをＨとすれば、従来装置のように側
辺がチップ縁部に対して垂直に形成される装置に比べて
、パッド２やバンプ５が横にＨ　ｃｏｓθ程度広がり、
隣合うパッド２、バンプ５相互の横方向の距離Ｋが短縮
することになる。

【００１９】この結果、リード１０を半導体チップ１に
取付ける際にそのリード１０が横方向にずれたとしても
、バンプ５が横方向にＨ　ｃｏｓθ程度広がっているた
めにそれらの接触面積はあまり低減せず、接触抵抗の低
下が抑制され、リード取付けの位置合わせ余裕が大きく
なる。

【００２０】この場合、パッド２の側辺Ｌは斜め方向に
傾いて所定の間隔を確保しているために、パッド２やバ
ンプ５同士が接することはないが、その側辺Ｌの傾きθ
が大きい場合には、それらが横方向に重なることがあり
、この状態でリード１０が長い場合には、リード１０を
介してパッド５同士が短絡することがある。この短絡は
、パッド側辺Ｌやリード１０の長さを調節することによ
り容易に回避できる。

【００２１】（ｂ）本発明の他の実施例の説明図１（Ｂ
）　は、本発明の第２の実施例を示す部分拡大平面図で
、半導体チップ１の上に形成されるパッド１２の平面形
状を二等辺三角形にしたものであり、そのうちの２つの
側辺Ｌ１　はチップ縁部に対して傾き、また残り２つの
辺はチップ縁部に平行となっている。

【００２２】これによれば、第１実施例と同様な作用が
得られるばかりでなく、チップ縁部に対するパッド１２
の垂直方向の長さＴを小さくできる。

【００２３】また、図１（Ｃ）　は、第３実施例を示す
部分拡大平面図で、パッド２４の平面形状を正方形又は
菱形にして各辺を半導体チップ１縁部に対し４５°以下
に傾けて配置するとともに、チップ縁部からのパッド２
２の距離を一つおきに変えて配置したものである。　　
これによれば、上記実施例と同様にパッド２２の幅方向
の間隔Ｋを零に近づけることができるばかりでなく、パ
ッド２２の面積を小さくできる。

【００２４】ところで、これらの実施例においても、開
口部１４、２４やバンプ１５、２５の平面形状はパッド
１２、２２とほぼ同一となりそれらの側辺はチップの縁
部に対して傾いている。

【００２５】なお、図中符号１３、２３は保護膜を示し
ている。

【００２６】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、平面
四角形のパッド又はバンプの側辺が、半導体チップの縁
部に対して傾斜するようにしたので、パッド又はバンプ
が横に広がって、隣合うパッド、バンプ同士の横方向の
距離が短縮することになり、リードをパッドの上に取付
ける際にそのリードが横方向にずれたとしても、パッド
又はバンプの広がりによって接触面積はあまり低減せず
、接触抵抗の低下が抑制され、リードを取付ける際の位
置合わせ余裕を大きくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１〜３実施例装置を示す部分拡大平
面図である。

【図２】半導体チップの一例を示す平面図、部分拡大断
面図及びリード取付け状態を示す平面図である。

【図３】従来装置の部分拡大平面図である。

【符号の説明】

１　　　　半導体チップ ２、１２、２４　　　　パッド ３、１３、２３　　　　保護膜 ４、１４、２４　　　　開口部 ５、１５、２５　　　　バンプ １０　　　　リード

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体チップ（１）の上に設けられる導電
   性パッド（２）又はバンプ（５）の平面形状を四角にす
   るとともに、前記パッド（２）又は前記バンプ（５）の
   側辺（Ｌ）を前記半導体チップ（１）の縁部に対して傾
   けて形成したことを特徴とする半導体装置。