JPH04253962A - トリフェニルアミン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規なトリフェニルア
ミン誘導体に関する。

【０００２】本発明のトリフェニルアミン誘導体は、電
子写真用の有機光導電材料，有機発光素子用電荷輸送材
料，フィルター用色素，非線形光学材料として使用する
ことができ、特に電子写真用の有機光導電性材料として
有用である。

【０００３】

【従来の技術】従来、電子写真に用いられる感光体の有
機光導電材料として、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールを
はじめ、数多くの材料が提案されてきた。ここでいうと
ころの「電子写真方式」とは、光導電性の感光体をまず
暗所で帯電させ、そののち露光部のみの電荷を選択的に
中和することにより静電画像を形成し、この潜像部をト
ナーなどを用いた現像手段で可視化し、画像を形成する
方法である。

【０００４】このような電子写真方式に用いる感光体に
要求される特性は、（１）暗所において適当な電位に帯
電されること、（２）暗所における電荷の放電が少ない
こと、（３）露光により速やかに電荷を放電すること、
（４）繰返し使用時の劣化が少ないことなどが挙げられ
る。しかし、従来の光導電性有機材料はこれらの要求を
必ずしも充分に満足していないのが現状である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
のような要求特性を充分満足する、特に光導電性材料と
して有用な新規なトリフェニルアミン誘導体を提供する
ことにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明では、下記一般式で表されるトリフェニルアミ
ン誘導体を提供するものである。

【０００７】

【化８】

【０００８】Ｘ：

【０００９】

【化９】

【００１０】

【化１０】

【００１１】

【化１１】

【００１２】

【化１２】

【００１３】

【化１３】

【００１４】

【化１４】

【００１５】のいずれかを表す。

【００１６】Ｙ：−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｓｅ−，−ＮＨ−
，−ＮＲ１−または＞ＣＲ２Ｒ３を示す。

【００１７】Ｒ１：低級アルキル基を示す。

【００１８】Ｒ２，Ｒ３：水素あるいは低級アルキル基
を表す。

【００１９】Ｚ１〜Ｚ４：水素，置換されていてもよい
低級アルキル基，置換されていてもよい低級アルコキシ
基又は置換基を有しても良いアリール基を示す。

【００２０】かかる化合物は次のいずれかの方法によっ
て簡便に合成される。即ち方法１としては、２−メチル
ベンゾチアゾールで代表されるジフェニルアミノベンズ
アルデヒド類と反応しうるメチル基を有する複素環化合
物とこれらベンズアルデヒド類及び臭化テトラ−ｎ−ブ
チルアンモニウムで代表される相関移動触媒を、高濃度
カ性ソーダ水溶液とともに湯浴上加熱後適当な溶媒で抽
出し、シリカゲルカラムまたは再結晶法により精製する
方法である。この場合、複素環化合物は、アルデヒドに
対し１ないしは２当量使用するのが好ましく、反応温度
は、４０−９０℃で好ましくは７０−８０℃、また反応
時間は１−４８時間で好ましくは２−８時間である。カ
性ソーダ溶液の濃度は通常３０％以上が使用される。抽
出溶媒としてはクロロホルム，ベンゼン，酢酸エチルま
たはこれらの混合物が使用される。

【００２１】方法２としては上記複素環化合物とベンズ
アルデヒドを無水塩化亜鉛存在下に加熱し、適当な溶媒
で抽出後上記と同様に精製する方法である。この場合、
複素環化合物の使用量は上記と同様であり、無水塩化亜
鉛は０．５−１当量が使用される。また反応温度は１６
０−２００℃で好ましくは１７０−１８０℃、反応時間
は４−２４時間で好ましくは５−８時間である。精製は
上記と同様な方法が用いられる。

【００２２】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。

【００２３】＜実施例１＞２−メチルベンゾチアゾール
１１．０ｇ　，ｐ−ジ（ｐ−トリル）アミノベンズアル
デヒド２０．０ｇ　をベンゼン４０ｍｌに溶解し、臭化
テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム３．０ｇ　を加え、５
０％カ性ソーダ水溶液４０ｍｌを加え、８０℃の湯浴上
２時間攪拌する。反応液を水およびベンゼンで希釈し、
有機層を分液後水で洗浄する。硫酸マグネシウムで乾燥
後減圧下で濃縮しシリカゲルカラムで精製し溶媒を濃縮
後生じた油分をメタノールで２回再結晶し２−（ｐ−ジ
トリルアミノスチリル）ベンゾチアゾール１５．５ｇ　
を得た。

【００２４】融点１８１．５−１８３．０℃，吸収極大
波長４１６ｎｍ（塩化メチレン中、以下同様）＜実施例
２＞２，４−ジメチルオキサゾール１７．０ｇ　，ｐ−
ジ（ｐ−トリル）アミノベンズアルデヒド４０．０ｇよ
り実施例１と同様な方法で２−（ｐ−ジトリルアミノ）
スチリル−４−メチルオキサゾール１．１ｇ　を得た。

【００２５】融点１２１．０−１２３．０℃，吸収極大
波長３８８ｎｍ ＜実施例３＞２−メチルベンゾオキサゾール１０．０ｇ
　，ｐ−ジ（ｐ−トリル）アミノベンズアルデヒド２０
．０ｇより実施例１と同様な方法で２−（ｐ−ジトリル
アミノ）スチリルベンゾオキサゾール１２．２ｇを得た
。

【００２６】融点１４８．５−１５１．０℃，吸収極大
波長３８８ｎｍ ＜実施例４＞２−メチルナフト［２，１−ｄ］オキサゾ
ール１４．６ｇ　，ｐ−ジ（ｐ−トリル）アミノベンズ
アルデヒド２０．０ｇ　より実施例１と同様な方法で２
−（ｐ−ジトリルアミノ）スチリルナフト［２，１−ｄ
］オキサゾール１０．８ｇ　を得た。

【００２７】融点１６２．０−１６３．０℃，吸収極大
波長４１２ｎｍ ＜実施例５＞２−メチルナフト［２，１−ｄ］チアゾー
ル１６．０ｇ，ｐ−ジ（ｐ−トリル）アミノベンズアル
デヒド２０．０ｇ　より実施例１と同様な方法で２−（
ｐ−ジトリルアミノ）スチリルナフト［２，１−ｄ］チ
アゾール１３．５ｇ　を得た。

【００２８】融点１４８．５−１５１．５℃，吸収極大
波長４２４ｎｍ ＜実施例６＞２−メチル−５−フェニルチアゾール１９
．０ｇ　，ｐ−ジ（ｐ−トリル）アミノベンズアルデヒ
ド３０．０ｇ　および無水塩化亜鉛１５．０ｇ　を１８
０℃の油浴上２．５　時間攪拌する。２−メチル−５−
フェニルチアゾール２．５ｇ　を加えさらに２．５　時
間同温で攪拌する。クロロホルムに溶解し、５％カ性ソ
ーダ水溶液とともに２０分攪拌する。有機層を分液し水
で４回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下で濃縮
する。シリカゲルカラムにて精製し生じた油分をクロロ
ホルム−アセトニトリルで再結晶し２−（ｐ−ジトリル
アミノ）スチリル−４−フェニルチアゾール５．４ｇ　
を得た。

【００２９】融点１８０．０−１８２．０℃，吸収極大
波長４０５ｎｍ ＜実施例７＞２−メチル−２−（ｐ−アニシル）チアゾ
ール２１．４ｇ　，ｐ−ジ（ｐ−トリル）アミノベンズ
アルデヒド３０．０ｇ　より実施例６と同様な方法で４
−ｐ−アニシル−２−（ｐ−ジトリルアミノ）スチリル
チアゾール５．０ｇ　を得た。

【００３０】融点１７７．５−１７９．０℃，吸収極大
波長４０５ｎｍ ＜実施例８＞キナルジン１０．０ｇ，ｐ−ジフェニルア
ミノベンズアルデヒド１９．０ｇより実施例６と同様な
方法で２−（ｐ−ジフェニルアミノスチリル）キノリン
５．７ｇを得た。

【００３１】融点１５３．５−１５４．５℃，吸収極大
波長３９５ｎｍ ＜実施例９＞レピジン１０．０ｇ，ｐ−ジフェニルアミ
ノベンズアルデヒド１９．０ｇより実施例６と同様な方
法で４−（ｐ−ジフェニルアミノスチリル）キノリン６
．９ｇを得た。

【００３２】融点９２．０−９５．０℃，吸収極大波長
３９５ｎｍ ＜実施例１０＞キナルジン１１．４ｇ，ｐ−ジ（ｐ−ト
リル）アミノベンズアルデヒド２０．０ｇより実施例６
と同様な方法で２−（ｐ−ジ（ｐ−トリル）アミノスチ
リル）キノリン１５．５ｇ　を得た。

【００３３】融点１３０．５−１３２．５℃，吸収極大
波長３９９ｎｍ ＜実施例１１＞レピジン１７．０ｇ，ｐ−ジ（ｐ−トリ
ル）アミノベンズアルデヒド３０．０ｇより実施例６と
同様な方法で４−（ｐ−ジ（ｐ−トリル）アミノスチリ
ル）キノリン１７．０ｇ　を得た。

【００３４】融点９０．５−９３．０℃，吸収極大波長
４０５ｎｍ ＜実施例１２＞２，４−ジメチルチアゾール５．４ｇ　
，ｐ−ジ（ｐ−トリル）アミノベンズアルデヒド１２．
０ｇ　より実施例６と同様な方法で２−（ｐ−ジ（ｐ−
トリル）アミノスチリル）−４−メチルチアゾール３．
６ｇ　を得た。

【００３５】融点１００．０−１０２．０℃，吸収極大
波長３９５ｎｍ ＜応用例１＞τ型無金属フタロシアニン（東洋インキ社
製、リオフォトンＬＳ）１重量部と変性シリコーン樹脂
（信越化学社製、ＫＲ−５２２１，固形部６０％）２重
量部とテトラヒドロフラン３７重量部をボールミルで約
５時間混練して電荷発生層用塗液を調合した。この塗液
を厚さ１００μｍのアルミニウム箔に、オートマチック
アプリケータ（東洋精機社製）を用いて上記塗液を塗工
し、１３０℃，２時間乾燥して電荷発生層を得た。その
膜厚は１μｍ以下であった。

【００３６】次に、実施例１の化合物２−（ｐ−ジ（ｐ
−トリル）アミノスチリル）ベンゾチアゾール５重量部
，ポリカーボネート樹脂（ＧＥ社製、レキサン１４１）
１０重量部を塩化メチレン／１，２−ジクロロエタン＝
５０／５０（重量比）混合溶媒８４重量部に溶解させ、
電荷搬送層用塗液を得た。この塗液を用い、先の電荷発
生層作製時と同様な方法で、電荷搬送層を電荷発生層上
に作成し感光体を得た。電荷搬送層の膜厚は約２０μｍ
であった。

【００３７】上記感光体について、静電記録紙試験装置
（川口電機社製、ＳＰ−４２８型）を用いて電子写真特
性を測定した。測定は、ダイナミックモードで−５ｋＶ
のコロナ帯電を１０秒間行い、３０秒間暗所放置の後、
タングステン灯で露光を行った。この間感光体表面の電
位を記録し、コロナ帯電終了時の電位Ｖ０，３０秒間暗
所放置後の電位Ｖ３０，Ｖ３０が１／２になるまでの半
減露光量Ｅ５０（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を読み取った。その
結果、Ｖ０＝１１８０Ｖ，Ｖ３０／Ｖ０＝０．８５　，
Ｅ５０＝１．１ｌｕｘ　・ｓｅｃであり、良好な電子写
真特性を示した。

【００３８】

【効果】以上の説明から明らかなように、本発明にかか
わるトリフェニルアミン誘導体は新規な化合物であって
、特に電子写真用の有機光導電性材料として有効なもの
である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下記の一般式で表されるトリフェニルアミ
   ン誘導体。 【化１】 Ｘ： 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】 【化７】 のいずれかを表す。 Ｙ：−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｓｅ−，−ＮＨ−，−ＮＲ１−
   または＞ＣＲ２Ｒ３を示す。 Ｒ１：低級アルキル基を示す。 Ｒ２，Ｒ３：水素あるいは低級アルキル基を表す。 Ｚ１〜Ｚ４：水素，置換されていてもよい低級アルキル
   基，置換されていてもよい低級アルコキシ基又は置換基
   を有しても良いアリール基を示す。