JPH04247855A - 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
デンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法に関し、特に低
純度のアルミニウム箔でありながら、比較的高静電容量
の電解コンデンサ陽極箔が得ることのできるアルミニウ
ム箔の製造方法に関するものである。
陽極箔を得るためには、高純度のアルミニウム箔が使用
されている。具体的には、Al純度が99.98%以上
のアルミニウム箔が使用されている。この理由は、低純
度のアルミニウム箔を使用すると、不純物による粗大な
析出物が箔表面に存在し、エッチングを施すと粗大孔が
生じて、箔の表面積の拡大が図れないからである。しか
し、高純度のアルミニウム箔は高価であるため、得られ
る電解コンデンサ用陽極箔も高価になるという欠点があ
った。
め、本発明者は、低純度のアルミニウム箔を使用しなが
ら、高純度アルミニウム箔を使用した場合と同等の高静
電容量を持つ電解コンデンサ用陽極箔を得ることを試み
た。まず、本発明者は、低純度のアルミニウム箔の表面
状態がどのようになっているかを調査した。その結果、
低純度のアルミニウム箔表面には、不純物による析出物
が粗大な結晶組織の粒界に沿って存在した。そして、そ
の粒界に沿って優先的にエッチングが進行し、粗大孔を
形成して、箔表面の表面積が十分に拡大しないことを見
出した。この調査結果は、不純物が多く存在したとして
も、不純物による結晶組織が微細であれば、粗大孔が形
成されず、十分に箔表面の表面積が拡大することを示唆
している。
成させるため、アルミニウム箔の製造条件を種々検討し
た。この結果、特に熱間仕上圧延の条件を工夫すること
により、不純物が多く存在しても、微細な且つ均一な結
晶組織を生成し、不純物も微細に且つ均一に析出するこ
とを見出し、本発明に到達したのである。
.03%以下、Si0.03%以下、Cu0.01%以
下、Al99.93〜99.98%よりなるアルミニウ
ム鋳塊に、温度590℃以上で時間3時間以上の条件で
均質化処理を施した後、熱間粗圧延を施し、その後1パ
スにおける圧下率を40%以下及び全パスにおける総圧
下率を85%以上にして熱間仕上圧延を行ない、且つ熱
間仕上圧延終了時におけるアルミニウム板の温度を25
0〜300℃として、該アルミニウム板を巻き上げ、そ
の後冷間圧延を行なうことを特徴とする電解コンデンサ
陽極用アルミニウム箔の製造方法に関するものである。
e0.03%以下、Si0.03%以下、Cu0.01
%以下、Al99.93〜99.98%よりなるもので
ある。Fe及びSiが0.03%を超えると、本発明に
係る方法を採用しても、粗大な不純物の結晶が生成し、
エッチング時に粗大孔を形成するため、好ましくない。 また、Cuが0.01%を超えると、過溶解が生じやす
くなり、エッチング時に粗大孔を形成するため、好まし
くない。また、、Alが99.93未満になると、相対
的に不純物の量が多くなり、粗大な不純物の結晶が生じ
やすくなるため、好ましくない。逆に、Alが99.9
8%を超えると、得られるアルミニウム箔が高価になる
ため、本発明の目的に適合しない。
上で時間3時間以上の条件で均質化処理を施す。特に好
ましくは、温度600〜630℃で時間5〜24時間の
条件で均質化処理を施す。この均質化処理は、アルミニ
ウム鋳塊中の不純物、即ちFe、Si、Cuよりなる晶
出化合物を再固溶させるために、行なうものである。均
質化処理時おける温度条件が590℃未満の場合には、
特にFe系化合物が再固溶しにくくなるため、好ましく
ない。均質化処理の時間が3時間未満になった場合にも
、Fe系化合物等が再固溶しにくくなるため、好ましく
ない。この均質化処理の後、熱間粗圧延を施して、所定
な厚みのアルミニウム板を得る。熱間粗圧延の条件は、
従来公知の一般的な条件で差し支えない。
熱間仕上圧延を施す。即ち、熱間仕上圧延工程において
、1パスにおける圧下率を40%以下とし、且つ全パス
における総圧下率を85%以上とするのである。1パス
における圧下率とは、一対の圧延ロールにアルミニウム
板を通した際における、アルミニウム板の厚みの減少率
のことである。従って、一対の圧延ロールに通す前のア
ルミニウム板の厚さをt1とし、一対の圧延ロールに通
した後のアルミニウム板の厚さをt2とした場合、圧下
率(%)=[(t1−t2)/t1]×100で表わさ
れるものである。1パスにおける圧下率が40%を超え
ると、動的再結晶が生じやすくなり、粗大な不純物が析
出しやすくなるため、好ましくない。更に、動的再結晶
を抑制するためには、1パス毎にアルミニウム板をクー
ラントにて十分に冷却することが好ましい。
仕上圧延工程における全ての圧延ロールにアルミニウム
板を通した後における、アルミニウム板の厚みの減少率
のことである。従って、熱間仕上圧延工程に入る前のア
ルミニウム板の厚さをtaとし、熱間仕上圧延終了後の
アルミニウム板の厚さをtzとした場合、総圧下率(%
)=[(ta−tz)/ta]×100で表わされるも
のである。全パスにおける総圧下率が85%未満である
と、加工歪が少なすぎて、熱間仕上圧延終了後において
、微細な再結晶組織が得られにくくなるので、好ましく
ない。更に、熱間仕上圧延開始から熱間仕上圧延終了ま
での時間を5分以内とすることが好ましい。熱間仕上圧
延の時間が長すぎると、熱間仕上圧延途中でアルミニウ
ム板に動的再結晶が生じ、粗大な不純物が析出しやすく
なるからである。なお、熱間仕上圧延終了後におけるア
ルミニウム板の厚さは、3〜8mm程度であるのが好ま
しい。
ム板の温度を250〜300℃に保持して、そのまま巻
き上げる。アルミニウム板の温度を250〜300℃に
保持するのは、アルミニウム板表面に微細な再結晶組織
を生じさせるためである。即ち、アルミニウム板の温度
が250℃未満であると、再結晶組織が生じにくくなる
ため、好ましくない。また、アルミニウム板の温度が3
00℃を超えると、再結晶組織の成長が激しく、粗大な
結晶組織となってしまうため、好ましくない。そして、
アルミニウム板を巻き上げた後において、アルミニウム
板は自然に冷却してゆく。
戻して、冷間圧延を施す。冷間圧延は、一般的に採用さ
れている条件で行なえば良い。この冷間圧延によって、
アルミニウム板の厚みが減少し、アルミニウム箔が得ら
れるのである。アルミニウム箔の厚さは、任意に決定し
うるが、一般的には50〜100μ程度である。
鋳塊を準備した。
表2に示す条件で均質化処理した。その後、開始温度5
90℃及び終了温度500℃で熱間粗圧延を施し、次い
で開始温度500℃で且つ表2に示す条件で熱間仕上圧
延を行なった。その後、常法で冷間圧延を施して、厚さ
90μのアルミニウム箔を得た。
ッチングした。即ち、塩酸3.5%及び蓚酸4.0%よ
りなる53℃の水溶液中で、周波数30Hzの矩形波を
用いて電流密度0.2/cm2で時間300秒の条件で
電解エッチングを行なった。その後、硼酸8.0%より
なる60℃の水溶液中で、20Vの電圧で化成処理を行
なった。このようにして得られた電極箔の静電容量を、
YHP製のLCRメーター4284Aを用いて測定した
。その結果を表3に示した。
係る方法で得られた電極箔は、高い静電容量を示すのに
対し、比較例に係る方法で得られた電極箔は、低い静電
容量を示した。
で得られた電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔は、ア
ルミニウム純度が低いのにも拘らず、結晶組織が粗大化
せず、微細な結晶が均一に多数分散している。従って、
このアルミニウム箔にエッチングを施せば、微細な結晶
組織に沿って存在する不純物が溶解して、アルミニウム
箔表面に微細な孔を多数形成する。依って、アルミニウ
ム箔表面の表面積の拡大が十分に図れ、エッチングして
得られる陽極箔は、高純度のアルミニウム箔を使用した
場合と同等程度の高静電容量を与えるという効果を奏す
るものである。
Claims (1)
- 【請求項1】 Fe0.03%以下、Si0.03%
以下、Cu0.01%以下、Al99.93〜99.9
8%よりなるアルミニウム鋳塊に、温度590℃以上で
時間3時間以上の条件で均質化処理を施した後、熱間粗
圧延を施し、その後1パスにおける圧下率を40%以下
及び全パスにおける総圧下率を85%以上にして熱間仕
上圧延を行ない、且つ熱間仕上圧延終了時におけるアル
ミニウム板の温度を250〜300℃として、該アルミ
ニウム板を巻き上げ、その後冷間圧延を行なうことを特
徴とする電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方
法。
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1991
- 1991-01-23 JP JP02405391A patent/JP3203665B2/ja not_active Expired - Fee Related
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