JPH04218912A - Lsi電極用の高純度モリブデンターゲットの製造方法 - Google Patents
Lsi電極用の高純度モリブデンターゲットの製造方法Info
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- JPH04218912A JPH04218912A JP8051591A JP8051591A JPH04218912A JP H04218912 A JPH04218912 A JP H04218912A JP 8051591 A JP8051591 A JP 8051591A JP 8051591 A JP8051591 A JP 8051591A JP H04218912 A JPH04218912 A JP H04218912A
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Priority Applications (1)
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JP8051591A JPH04218912A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | Lsi電極用の高純度モリブデンターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP8051591A JPH04218912A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | Lsi電極用の高純度モリブデンターゲットの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP58174164A Division JPS6066425A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | Lsi電極用の高純度モリブデンタ−ゲツトならびに高純度モリブデンシリサイドタ−ゲツトおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH04218912A true JPH04218912A (ja) | 1992-08-10 |
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Family
ID=13720455
Family Applications (1)
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JP8051591A Granted JPH04218912A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | Lsi電極用の高純度モリブデンターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004183040A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Toshiba Corp | Nbスパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにそれを用いた光学薄膜、光学部品 |
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-
1991
- 1991-03-20 JP JP8051591A patent/JPH04218912A/ja active Granted
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004183040A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Toshiba Corp | Nbスパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにそれを用いた光学薄膜、光学部品 |
WO2004079039A1 (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-16 | Nikko Materials Co., Ltd. | ハフニウム合金ターゲット及びその製造方法 |
JP2011132563A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Toshiba Corp | Moスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
WO2019176962A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法 |
CN111836914A (zh) * | 2018-03-13 | 2020-10-27 | Jx金属株式会社 | 溅射靶和溅射靶的制造方法 |
KR20200129143A (ko) | 2018-03-13 | 2020-11-17 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 및 스퍼터링 타깃의 제조 방법 |
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