JPH042180B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野 本発明は、ポジ型感放射線樹脂組成物に関す
る。 従来の技術 従来、集積回路を作製するためのレジストとし
ては、環化イソプレンゴムにビスアジド化合物を
配合したネガ型レジストが知られている。 しかし、このネガ型レジストは解像度に限界が
あるため、集積回路の高集積化に充分対応できな
い欠点を有する。一方、このネガ型レジストに比
べ、ノボラツク樹脂に１，２−キノンジアジド化
合物を配合してなるポジ型レジストは、解像度が
優れているため集積回路の高集積化に充分対応し
うるものと期待されている。 しかしながら、従来のポジ型レジストは、解像
度において必ずしも満足な結果が得られていな
い。 また、ポジ型レジストに放射線を照射し現像し
た後に、レジストパターンとして残るべき部分の
放射線照射前と現像後との高さの比を残膜率とい
うが、従来のポジ型レジストは、この残膜率が低
いものである。残膜率が低いポジ型レジストを段
差構造を有する基板に塗布し、放射線を照射し、
現像することによつてレジストパターンを形成す
ると、段差部をレジストパターンが充分に被覆で
きないので、正常な集積回路を作製することが困
難となる。 更に、レジストパターンを有する基板のエツチ
ング方法としてウエツトエツチング方式とドライ
エツチング方式がある。ウエツトエツチング方式
とは、シリコン酸化膜を有する基板やアウミニウ
ム基板上に形成されたレジストパターンをマスク
として使用し、シリコン酸化膜を有する基板には
弗化水素を、アルミニウム基板には燐酸を主とす
るエツチング液を作用させて基板をエツチングす
る方式である。従つて、このウエツトエツチング
方式においては、レジストパターンと基板との接
着性が悪いと、その間にエツチング液が滲み込
み、エツチングすべきでない箇所までエツチング
することになり、サイドエツチングが大きくなる
という問題を有する。 一方、ドライエツチング方式とは、シリコン酸
化膜を有する基板の場合にはテトラフルオロメタ
ンを、アルミニウム基板の場合にはテトラクロロ
メタン、トリクロロボロンなどのハロゲン化合物
をプラズマ化して反応性イオンを生じさせ、それ
をレジストパターンを有する基板に当ててエツチ
ングする方式である。従つて、この方法による
と、反応性イオンがレジストパターンをも攻撃す
るため、耐ドライエツチング性が悪いと、基板の
温度が上昇することと相まつて、レジストパター
ンの損傷が大きく、基板の加工精度が悪くなり、
集積回路の歩止まりを悪化させるという問題を有
する。 発明が解決しようとする問題点 従来のアルカリ可溶性樹脂系、例えばノボラツ
ク樹脂系ポジ型感光性樹脂は、他のレジストと比
較する上においては、前記の過酷なウエツトエツ
チング、ドライエツチング条件に耐えうるものと
評価されているが、未だ満足できるレベルにない
のが現状である。 本発明は、かかる従来の技術的課題を背景にな
されたもので、耐熱、耐ドライエツチング性およ
び基板に対する接着性に優れ、かつ高解像度およ
び高残膜率を有するレジストとして好適なポジ型
感放射線樹脂組成物を提供することを目的とす
る。 問題点を解決するための手段 即ち本発明は、ノボラツク樹脂と１，２−キノ
ンジアジド化合物とからなるポジ型感放射線樹脂
組成物において、該ノボラツク樹脂が(A)ガラス転
移温度（以下「Tg」という）が80〜250℃のノボ
ラツク樹脂50〜98重量％と(B)ガラス転移温度が前
記(A)のノボラツク樹脂のガラス転移温度よりも30
〜180℃低いノボラツク樹脂50〜２重量％とを含
有することを特徴とするポジ型感放射線樹脂組成
物を提供するものである。 本発明においては、(A)80〜250℃、特に好まし
くは100〜250℃のノボラツク樹脂と、(B)Tgが前
記(A)のノボラツク樹脂のTgよりも30〜180℃、特
に好ましくは50〜180℃低いノボラツク樹脂とを
用いる。 前記(A)ノボラツク樹脂のTgが80℃未満である
と、耐熱性および耐ドライエツチング性が悪くな
り、250℃を越えると基板との接着性が悪くなる
傾向がある。 また、前記(B)のノボラツク樹脂のTgと前記(A)
のノボラツク樹脂のTgとの差が30℃未満である
と基板との接着性が悪くなり、180℃を越えると
耐熱性および耐ドライエツチング性が悪くなる傾
向がある。 本発明の感放射線樹脂組成物中のノボラツク樹
脂全量中における前記(A)のノボラツク樹脂の配合
量は、50〜98重量％、好ましくは80〜96重量％で
あり、前記(B)のノボラツク樹脂の配合量は、２〜
50重量％、好ましくは４〜20重量％であるが、必
要に応じて前記(A)および(B)以外のノボラツク樹脂
が30重量％以下程度配合されていてもよい。前記
(A)のノボラツク樹脂の配合量が多すぎるとレジス
トパターンを形成した後にウエツトエツチング方
式を適用してエツチングするときにサイドエツチ
が大きくなり、即ち基板に対する接着性に劣るも
のとなり、一方少なすぎると耐熱性が悪化するこ
とになる。 このようなTgの異なるノボラツク樹脂は、後
記するヒドロキシ芳香族化合物類およびアルデヒ
ド類の種類、付加縮合の条件などを調整すること
により容易に得ることができる。 本発明で使用されるアルカリ可溶性樹脂は、ヒ
ドロキシ芳香族化合物類とアルデヒド類とを酸触
媒下に加熱し、付加縮合して合成される。 ヒドロキシ芳香族化合物類としては、ヒドロキ
シナフタリン類、例えば１−ナフトール、２−メ
チル−１−ナフトール、３−メチル−１−ナフト
ール、４−メチル−１−ナフトール、６−メチル
−１−ナフトール、７−メチル−１−ナフトー
ル、１−メチル−２−ナフトール、２−エチル−
１−ナフトール、２−プロピル−１−ナフトー
ル、２−ブチル−１−ナフトールなどのナフトー
ル類、１，２−ジヒドロキシナフタリン、１，３
−ジヒドロキシナフタリン、１，４−ジヒドロキ
シナフタリン、１，５−ジヒドロキシナフタリ
ン、１，６−ジヒドロキシナフタリン、１，７−
ジヒドロキシナフタリン、２，３−ジヒドロキシ
ナフタリン、２，６−ジヒドロキシナフタリン、
２，７−ジヒドロキシナフタリンなどのジヒドロ
キシナフタリン類、１，２，３−トリヒドロキシ
ナフタリン、１，２，４−トリヒドロキシナフタ
リン、１，４，５−トリヒドロキシナフタリン、
１，６，７−トリヒドロキシナフタリンなどのト
リヒドロキシナフタリン類、１，２，３，４−テ
トラヒドロキシナフタリン、１，４，５，８−テ
トラヒドロキシナフタリン、１，２，４，５−テ
トラヒドロキシナフタリン、１，２，４，６−テ
トラヒドロキシナフタリン、１，２，４，７−テ
トラヒドロキシナフタリン、１，２，５，８−テ
トラヒドロキシナフタリン、１，３，４，５−テ
トラヒドロキシナフタリンなどのテトラヒドロキ
シナフタリン類、４−メトキシ−１−ナフトー
ル、４−エトキシ−１−ナフトール、４−プロポ
キシ−１−ナフトール、４−ブトキシ−１−ナフ
トールなどのアルコキシナフトール類；フエノー
ル類、例えばフエノール、ｏ−クレゾール、ｍ−
クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフエノ
ール、ｍ−エチルフエノール、ｐ−エチルフエノ
ール、ｏ−ブチルフエノール、ｍ−ブチルフエノ
ール、ｐ−ブチルフエノール、２，３−キシレノ
ール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノ
ール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノ
ール、２，３，５−トリメチルフエノール、フエ
ニルフエノール、ヒドロキノン、カテコール、レ
ゾルシノール、２−メチルレゾルシノール、ピロ
ガロールなどを例示することができる。これらヒ
ドロキシ芳香族化合物類は、単独でまたは併用し
て使用することができる。 また、アルデヒド類としては、例えばホルムア
ルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデ
ヒド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、
フエニルアセトアルデヒド、α−フエニルプロピ
ルアルデヒド、β−フエニルプロピルアルデヒ
ド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベ
ンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、
ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズ
アルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−
エチルベンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズ
アルデヒドなどを挙げることができる。 アルデヒド類は、ヒドロキシ芳香族化合物類１
モルに対して、通常、0.7〜３モル、好ましくは
1.1〜２モルの割合で使用される。 酸触媒には、塩酸、硝酸、硫酸などの無機酸、
蟻酸、蓚酸、酢酸などの有機酸が使用される。 これらの酸触媒の使用量は、ヒドロキシ芳香族
化合物類およびアルデヒド類の合計量１モル当た
り１×10⁴〜５×10¹モルが好ましい。 縮合反応においては、通常、反応媒質として水
を用いるが、縮合反応に使用するヒドロキシ芳香
族化合物類がアルデヒド類の水溶液に溶解せず、
反応初期から不均一系になる場合には、反応媒質
として親水性の溶媒を使用することができる。か
かる溶媒としては、メタノール、エタノール、プ
ロパノール、ブタノールなどアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トンなどのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオ
キサンなどの環状エーテル類を例示することがで
きる。これらの反応媒質の使用量は、反応原料
100重量部あたり50〜1000重量部が一般的である。 縮合反応時の反応温度は、反応原料の反応性に
応じて適宜調整することができるが、通常、10〜
150℃であり、好ましくは70〜130℃である。 縮合反応に引き続き、通常は系内に存在する未
反応モノマー、アルデヒド類、酸触媒および反応
媒質を除くため、内温を130〜230℃に上げ、減圧
下、揮発分を留去し、目的とするノボラツク樹脂
を回収する。 また、縮合反応終了後に前記親水性の溶媒に反
応混合物を溶解し、水、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプ
タンなどの沈澱剤に添加することにより、ノボラ
ツク樹脂を析出させ、析出物を分離し加熱乾燥す
る方法によつてもノボラツク樹脂を回収すること
ができる。 このようにしてノボラツク樹脂を製造すること
ができるが、Tgの異なるノボラツク樹脂は、前
記製造方法において、例えば下記のような手段を
用いることにより容易に得ることができる。 即ち高いTgのノボラツク樹脂を製造する場合
には、トリヒドロキシナフタリン類、テトラヒド
ロキシナフタリン類、ジヒドロキシベンゼン類な
ど、本質的にTgの高いノボラツク樹脂となるヒ
ドロキシ芳香族化合物を選ぶか、酸触媒を増やす
ことにより高分子量化をはかればよい。 また、低いTgのノボラツク樹脂を製造する場
合は、クレゾール類などの、Tgの高いノボラツ
ク樹脂となりにくいヒドロキシ芳香族化合物を選
ぶか、酸触媒を少量用い低分子量の樹脂を合成す
ればよい。 次に、本発明で使用される１，２−キノンジア
ジド化合物は、特に限定されるものではないが、
例えば１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、１，２ナフトキノンジアジド−
４−スルホン酸エステル、１，２ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステルなどを挙げるこ
とができ、具体的にはｐ−クレゾール−１，２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、レゾルシン−１，２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸エステル、ピロガロール−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エス
テルなどの（ポリ）ヒドロキシベンゼンの１，２
−キノンジアジドスルホン酸エステル類、２，４
−ジヒドロキシフエニル−プロピルケトン−１，
２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エス
テル、２，４−ジヒドロキシフエニル−ｎ−ヘキ
シルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホン酸エステル、２，４−ジヒドロキシベ
ンゾフエノン−１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル、２，３，４−トリヒド
ロキシフエニル−ｎ−ヘキシルケトン−１，２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフエノン
−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸エステル、２，３，４−トリヒドロキシベンゾ
フエノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸エステル、２，４，６−トリヒドロキ
シベンゾフエノン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステル、２，４，６−トリ
ヒドロキシベンゾフエノン−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステルなどの（ポ
リ）ヒドロキシフエニルアルキルケトンまたは
（ポリ）ヒドロキシフエニルアリールケトンの１，
２−キノンジアジドスルホン酸エステル類、ビス
（ｐ−ヒドロキシフエニル）メタン−１，２−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
ビス（２，４−ジヒドロキシフエニル）メタン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフ
エニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステル、２，２−ビス（ｐ−
ヒドロキシフエニル）プロパン−１，２−ナフト
キノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，
２−ビス（２，４−ジヒドロキシフエニル）プロ
パン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸エステル、２，２−ビス（２，３，４−ト
リヒドロキシフエニル）プロパン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホンシ酸エステルな
どのビス〔（ポリ）ヒドロキシフエニル〕アルカ
ンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル
類、３，５−ジヒドロキシ安息香酸ラウリル−
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル、２，３，４−トリヒドロキシ安息香酸
フエニル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸エステル、３，４，５−トリヒドロキ
シ安息香酸プロピル−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル、３，４，５−ト
リヒドロキシ安息香酸フエニル−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステルなどの
（ポリ）ヒドロキシ安息香酸アルキルエステルま
たは（ポリ）ヒドロキシ安息香酸アリールエステ
ルの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル
類、ビス（２，５−ジヒドロキシベンゾイル）メ
タン−１，２−ナフトキノン−４−スルホン酸エ
ステル、ビス（２，３，４−トリヒドロキシベン
ゾイル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステル、ビス（２，４，６−
トリヒドロキシベンゾイル）メタン−１，２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、
ｐ−ビス（２，５−ジヒドロキシベンゾイル）ベ
ンゼン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル、ｐ−ビス（２，３，４−トリ
ヒドロキシベンゾイル）ベンゼン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ｐ
−ビス（２，４，６−トリヒドロキシベンゾイ
ル）ベンゼン−１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステルなどのビス〔（ポリ）ヒ
ドロキシベンゾイル〕アルカンまたはビス〔（ポ
リ）ヒドロキシベンゾイル〕ベンゼンの１，２−
キノンジアジドスルホン酸エステル類、エチレン
グリコール−ジ（３，５−ジヒドロキシベンゾエ
ート）−１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸エステル、ポリエチレングリコール−ジ
（３，４，５−トリヒドロキシベンゾエート）−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステルなどの（ポリ）エチレングリコール−ジ
〔（ポリ）ヒドロキシベンゾエート〕の１，２−キ
ノンジアジドスルホン酸エステル類を挙げること
ができる。これら例示した１，２−キノンジアジ
ド化合物の他にジエイ．コサール（J.Kosar）著
“ライト−センシテイブ システムズ（Light−
Sensitive Systems）”339〜352、（1965）、ジヨ
ン ワイリー エンドサンズ社（John Wiley＆
Sons）〔ニユーヨーク（New York）〕やダブリ
ユ．エス．ドウ フオレスト（W.S.De Forest）
著、“フオトレジスト （Photoresist）”50，
（1975）、マグローヒル インコーポレーテツド
（McGraw−Hill，Inc.）〔ニユーヨーク（New
York）〕に掲載されている１，２−キノンジアジ
ド化合物を挙げることもできる。 これらの１，２−キノンジアジド化合物の配合
量は、ノボラツク樹脂100重量部に対して５〜100
重量部であり、好ましくは10〜50重量部である。
５重量部未満では、１，２−キノンジアジド化合
物が放射線を吸収して生成するカルボン酸量が少
ないので、パターニングが困難であり、100重量
部を超えると、短時間の放射線照射では加えた
１，２−キノンジアジド化合物の総てを分解する
ことができず、アルカリ性水溶液からなる現像液
による現像が困難となる。 本発明の感放射線樹脂組成物には、ノボラツク
樹脂以外のアルカリ可溶性高分子化合物を必要に
応じて配合することができる。 このようなアルカリ可溶性高分子化合物として
は、例えばスチレン−アクリル酸共重合体、メチ
ルメタクリレート−メタクリル酸共重合体、メチ
ルメタクリレート−２−ヒドロキシエチルメタク
リレート共重合体、ブタジエン−スチレン−メタ
クリル酸共重合体、メチルメタクリレート−２−
ヒドロキシエチルメタクリレート−メタクリル酸
共重合体などを挙げることができる。これらの高
分子化合物は、数平均分子量（Mn）が1000〜
100000、好ましくは2000〜10000であつて、
Mw／Mn（Mw：重量平均分子量）の比が2.5未
満、好ましくは２未満のものが望ましい。これら
のアルカリ可溶性高分子化合物は、前記ノボラツ
ク樹脂100重量部に対し、例えば50重量部以下、
好ましくは30重量部以下の割合で配合することが
できる。 これらのアルカリ可溶性高分子化合物を配合す
ることによつて、感放射線樹脂組成物を基板に塗
布したときの表面状態並びに皮膜の強度、接着性
および現像性などの改良を行うことができる。 本発明の感放射線樹脂組成物は、微細加工すべ
き基板上に塗布し、放射線、例えば紫外線、遠紫
外線、電子線、Ｘ線などを部分的に照射し、現像
することによつてパターンを形成することができ
る。 本発明の感放射線樹脂組成物を基板に塗布する
方法としては、本発明の組成物を、例えば濃度が
５〜50重量％となるように適当な溶剤に溶解し、
これを回転塗布、流し塗布、ロール塗布するなど
の方法が挙げられる。この際に用いられる適当な
溶剤としては、例えばエチレングリコールモノメ
チルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテルなどのグリコールエーテル類、メチルセロ
ソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート
などのセロソブエステル類、トルエン、キシレン
などの芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、
シクロヘキサンなどのケトン類、酢酸エチル、酢
酸ブチルなどのエステル類を挙げることができ
る。これらの溶剤を２種類以上混合して使用する
こともできる。 また、必要に応じ、ベンジルエチルエーテル、
ジヘキシルエーテルなどのエーテル類、ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジエチレング
リコールモノエチルエーテルなどのグリコールエ
ーテル類、アセトニルアセトン、イソホロンなど
のケトン類、カプロン酸、カプリル酸などの脂肪
酸類、１−オクタノール、１−ノナノール、ベン
ジルアルコールなどのアルコール類、酢酸ベンジ
ル、安息香酸エチル、蓚酸ジエチル、マイレン酸
ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、
炭酸プロピレン、フエニルセロソルブアセテート
などのエステル類のごとき高沸点溶剤を添加する
ことができる。 本発明の感放射線樹脂組成物には、必要に応じ
て保存安定剤、色素などを添加配合することもで
きる。また本発明の感放射線樹脂組成物と基板と
の接着力を向上させるために、選定した基板に応
じて、例えばヘキサメチルジシラザン、クロロメ
チルシランなどを接着助剤として基板に塗布して
もよい。 本発明の感放射線樹脂組成物に適用する現像液
としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタ
ケイ酸ナトリウム、アンモニア水などの無機アル
カリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミンなど
の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロ
ピルアミンなどの第二アミン類、トリエチルアミ
ン、メチルジエチルアミンなどの第三アミン類、
ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミ
ンなどのアルコールアミン類、テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウ
ムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩など
のアルカリ類の水溶液、ピロール、プペリジン、
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウ
ンデセン、１，５−ジアザビシクロ（４，３，
０）−５−ノナンなどの環状アミン類の水溶液が
使用され、金属を含有する現像液の使用が問題と
なる集積回路作製時には、第四級アンモニウム塩
や環状アミンの水溶液を使用するのが好ましい。
また、前記アルカリ類の水溶液にメタノール、エ
タノールのようなアルコール類などの水溶性有機
溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像
液に使用することもできる。 実施例 以下、実施例を挙げ本発明を更に具体的に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り、これ
らの実施例に制約されるものではない。 なお、実施例中、ガラス転移温度（Tg）は、
Du pont910型DSC装置を用いて測定した。 実施例 １ 撹拌機、冷却管および温度計を装着した内容積
500mlの三ツ口セパラブルフラスコにｍ−クレゾ
ール117g、ｐ−クレゾール13g、37重量％ホルム
アルデヒド水溶液92mlおよび蓚酸0.04gを仕込ん
だ。撹拌しながら、セパラブルフラスコを油浴に
浸し、内温を100℃に保持しながら、３時間30分
反応させた。 その後、油浴温度を180℃まで上げ、同時にセ
パラブルフラスコ内を減圧にして、水、未反応の
クレゾール、ホルムアルデヒドおよび蓚酸を除い
た。次いで、溶融したアルカリ可溶性ノボラツク
樹脂〔以下「ノボラツク樹脂1B」という〕を室
温に戻して回収した。 ノボラツク樹脂1BのTgは55℃であつた。 次に、前記においてｍ−クレゾールおよびｐ−
クレゾールの代わりにα−ナフトール115gを用
い、蓚酸を0.38g用いた以外は前記と同様にして、
ノボラツク樹脂〔以下「ノボラツク樹脂1A」と
いう〕を得た。このもののTgは124℃であつた。 ノボラツク樹脂1A10.5g、ノボラツク樹脂
1B4.5gおよび２，４，６−トリヒドロキシベン
ゾフエノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸トリエステル2.3gをセロソルブアセ
テート50gに溶解し、孔径0.2μmのメンブランフ
イルターで瀘過し、レジスト溶液を調製した。こ
のようにして調製したレジスト溶液をスピンナー
を用いて0.7μmのシリコン酸化膜のついたシリコ
ンウエーハに膜厚1.0μmとなるように塗布し、空
気循環式クリーンオーブンを用い、90℃で30分間
プレベークした。次いで、これに解像度テストチ
ヤートクロムマスクを使用し、キヤノン(株)製アス
クアライナーPLA−501Fでパターンを焼き付け
た。テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.4
重量％水溶液で21℃で60秒間現像したところ、最
小線幅0.7μmのレジストパターンを解像すること
ができた。 また、残膜率は95％であつた。 更に、ここで得られたレジストパターンを空気
循環式クリーンオーブンを用い140℃で30分間ポ
ストベークし、弗化水素（49重量％水溶液）／弗
化アンモニウム（40重量％水溶液）＝１／６（容量
比）を用いて25℃で６分間エツチングしたとこ
ろ、サイドエツチ0.7μmと滲み込みもない非常に
接着性の良い結果となつた。 また、レジストパターンの耐熱性の試験とし
て、レジストパターンを有するシリコンウエーハ
をホツトプレート上で180℃で５分間熱処理し、
熱処理の前と後とのレジストパターンの熱によつ
て変形することに起因する解像度差を調べたとこ
ろ、解像度差は0.1μmであつた。 次に、得られたレジストパターンを有するシリ
コン酸化膜の付いたシリコンウエーハを平行平板
型プラズマドライエツチング装置（電極間隔40
mm）に装着し、出力100W、ガス圧15Paの条件で
テトラフルオロメタン／酸素〔95／５（容量比）〕
をプラズマ化し、レジストパターンの耐ドライエ
ツチング性を調べた。レジストパターンがエツチ
ングされる速度に対するシリコン酸化膜のそれの
比を選択比と称するが、このレジストパターン
は、選択比が4.0と非常に高い値を示し、耐ドラ
イエツチング性が優れていることが確認された。 実施例２〜４、比較例１〜２ ノボラツク樹脂の混合比を変えた以外、実施例
１と同様にして試験を行い、第１表の結果を得
た。実施例２〜４は、解像度、接着性、耐熱性、
耐ドライエツチング性ともに良い結果になつた
が、比較例１は接着性が悪く、比較例２は耐熱性
および耐ドライエツチング性が悪い結果となつ
た。

【表】 発明の効果 本発明のポジ型感放射線樹脂組成物は、耐熱
性、耐ドライエツチング性および基板に対する接
着性に優れ、かつ高解像度および高残膜率を有
し、ポジ型レジストとして使用することによつて
従来のホトレジスト組成物の使用では得られなか
つた精度の高いエツチング像を再現性良く得るこ
とができる。このため半導体集積回路などの製品
の集積度を向上させ、かつ歩留まりを向上させる
ことができる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ ノボラツク樹脂と１，２−キノンジアジド化
   合物とからなるポジ型感放射線樹脂組成物におい
   て、該ノボラツク樹脂が(A)ガラス転移温度80〜
   250℃のノボラツク樹脂50〜98重量％と(B)ガラス
   転移温度が前記(A)のノボラツク樹脂のガラス転移
   温度よりも30〜180℃低いノボラツク樹脂50〜２
   重量％とを含有することを特徴とするポジ型感放
   射線樹脂組成物。