JPH0251499B2 - - Google Patents

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JPH0251499B2
JPH0251499B2 JP59019728A JP1972884A JPH0251499B2 JP H0251499 B2 JPH0251499 B2 JP H0251499B2 JP 59019728 A JP59019728 A JP 59019728A JP 1972884 A JP1972884 A JP 1972884A JP H0251499 B2 JPH0251499 B2 JP H0251499B2
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JP
Japan
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sulfonic acid
cresol
naphthoquinonediazide
acid ester
xylenol
Prior art date
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Application number
JP59019728A
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English (en)
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JPS60164740A (ja
Inventor
Yukihiro Hosaka
Takao Miura
Yoshuki Harita
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JSR Corp
Original Assignee
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority to JP1972884A priority Critical patent/JPS60164740A/ja
Publication of JPS60164740A publication Critical patent/JPS60164740A/ja
Publication of JPH0251499B2 publication Critical patent/JPH0251499B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
 産業䞊の利甚分野 本発明はポゞ型感光性暹脂組成物に関する。  埓来の技術 埓来、集積回路を䜜補するためのホトレゞスト
ずしおは、環化む゜プレンゎムにビスアゞド化合
物を配合したネガ型ホトレゞストが知られおい
る。しかしこのネガ型ホトレゞストは解像床に限
界があるため、集積回路の高集積化に十分察応で
きない欠点を有する。䞀方、このネガ型ホトレゞ
ストに比べ、ポゞ型ホトレゞストは、解像床が優
れおいるため集積回路の高集積化に十分察応しう
るものず期埅されおいる。 珟圚、集積回路䜜補のために䜿甚されおいるポ
ゞ型ホトレゞストの倧郚分は、アルカリ可溶性ノ
ボラツク暹脂に―キノンゞアゞド化合物を
添加し、珟像液であるアルカリ性氎溶液に溶解し
にくくしたものである。このノボラツク暹脂系ポ
ゞ型ホトレゞストは―キノンゞアゞド化合
物を倚量に配合せざるを埗ないため環化ゎム系ネ
ガ型ホトレゞストより䜎感床である。  発明が解決しようずする課題 ノボラツク暹脂系ポゞ型ホトレゞストの感床を
向䞊させるために―キノンゞアゞド化合物
の添加量を䞋げるず露光前のレゞスト塗膜のアル
カリ性氎溶液に察する溶解性が幟分高たり、ホト
マスクを通しお露光した埌の珟像性が芋掛け䞊向
䞊し、感床が高くな぀たようにみえる。しかし、
レゞストパタヌンずしお残るべき未露光郚分が、
露光郚分ほどではないが―キノンゞアゞド
化合物の添加量が少ないために幟分溶解し、パタ
ヌンの高さが枛じる結果ずなる。レゞストパタヌ
ンずしお残るべき未露光郚分の露光前ず珟像埌ず
の高さの比を残膜率ずいうが、埓来のノボラツク
暹脂系ポゞ型ホトレゞストは、この残膜率の䜎い
ものである。残膜率が䜎いノボラツク暹脂系ポゞ
型ホトレゞストを段差構造を有する基板に塗垃
し、露光し、珟像するこずによ぀おレゞストパタ
ヌンを圢成するず、段差郚をレゞストパタヌンが
十分に被芆できないので、正垞な集積回路を䜜補
するこずが困難ずなる。 たた集積回路䜜補におけるレゞストパタヌン圢
成埌の゚ツチング工皋ずしお、フツ化氎玠酞、硝
酞、リン酞等を゚ツチダントずしお䜿甚するり゚
ツト゚ツチング方匏を甚いるず基板の瞊方向のみ
を゚ツチングするこずが難しく、サむド゚ツチン
グたたはアンダヌ゚ツチングも同時に起きるこず
が避けられないため、解像床を䞊げられないずい
う欠点がある。この欠点をプロセス的に解決する
ためには、ハロゲン化炭化氎玠等をプラズマ化し
お゚ツチダントするドラむ゚ツチング方匏の採甚
が奜適である。しかし、この方法によるず、フツ
玠むオン、塩玠むオン等の反応性むオンがレゞス
トパタヌンにも攻撃するため、耐ドラむ゚ツチン
グ性が悪いず、基板の枩床が䞊昇するこずず盞俟
぀お、レゞストパタヌンの損傷が倧きく、基板の
加工粟床が悪くなり、集積回路の歩留りを悪化さ
せるこずになる。ノボラツク暹脂系ポゞ型ホトレ
ゞストは耐ドラむ゚ツチング性が他のレゞストず
比范しお良いず蚀われおいるが、埓来のノボラツ
ク暹脂系ポゞ型ホトレゞストでは十分満足するレ
ベルには達しおいない。 このような状況においお、本発明の目的は、高
感床、高残膜率、高耐ドラむ゚ツチング性を有
し、さらに耐熱性、珟像性にも優れたポゞ型感光
性暹脂組成物を提䟛するものである。  課題を解決するための手段 本発明の芁旚は、アルカリ可溶性ノボラツク暹
脂ず―キノンゞアゞド化合物ずからなるポ
ゞ型感光性暹脂組成物においお、該アルカリ可溶
性ノボラツク暹脂が、―クレゟヌル30〜90モ
ル比ず―クレゟヌル〜40モル比ずキシ
レノヌル䜆し、―キレノヌルを陀く以
䞋単に「キシレノヌル」ず略蚘する〜70モ
ル比ずをアルデヒド類を甚いお瞮合したノボラ
ツク暹脂であるこずを特城ずするポゞ型感光性暹
脂組成物にある。 ここで、キシレノヌルずしおは、―キシ
レノヌル、―キシレノヌル、―キシ
レノヌル、―キシレノヌル等を挙げるこず
ができる。 䞊蚘アルカリ可溶性ノボラツク暹脂は、本発明
の効果をより発揮するために、―クレゟヌル
―クレゟヌルキシレノヌルのモノマヌ仕蟌組
成を50〜90〜40〜50モル比ずしお、
アルデヒド類を甚いお瞮合されるアルカリ可溶性
ノボラツク暹脂であるこずが奜たしい。 たた、本発明におけるアルカリ可溶性ノボラツ
ク暹脂には、共瞮合可胜なモノマヌ、䟋えばプ
ノヌル、―クレゟヌル、゚チルプノヌル、
―ブチルプノヌル、―ゞヒドロキシベン
れン、―ゞヒドロキシベンれン、トリヒド
ロキシベンれン等を本発明の効果を逞脱しない皋
床に共瞮合するこずもできる。 本発明におけるアルカリ可溶性ノボラツク暹脂
は、所定のモノマヌを酞性觊媒の存圚䞋、アルデ
ヒド類ず瞮合させお合成される。アルデヒド類ず
しおは、䟋えばホルムアルデヒド、パラホルムア
ルデヒド、フルフラヌル、アセトアルデドヒド、
ベンズアルデヒド等を挙げるこずができるが、奜
たしくはホルムアルデヒドを甚いる。酞性觊媒ず
しおは、塩酞、硝酞、硫酞等の無機酞、ギ酞、蓚
酞、酢酞等の有機酞が䜿甚される。䞊蚘アルデヒ
ド類の䜿甚量は、所定のモノマヌモルに察しお
0.7〜モル、䞊蚘酞性觊媒の䜿甚量は、所定の
モノマヌモルに察しお×10-4〜×10-3モル
が䞀般的である。たた反応枩床は、通垞70〜130
℃である。 本発明で䜿甚される―キノンゞアゞド化
合物は、特に限定されるものではないが、䟋えば
―ベンゟキノンゞアゞド――スルホン酞
゚ステル、―ナフトキノンゞアゞド――
スルホン酞゚ステル、―ナフトキノンゞア
ゞド――スルホン酞゚ステル等を挙げるこずが
でき、具䜓的には―クレゟヌル――ベン
ゟキノンゞアゞド――スルホン酞゚ステル、レ
ゟルシン――ナフトキノンゞアゞド――
スルホン酞゚ステル、ピロガロヌル――ナ
フトキノンゞアゞド――スルホン酞゚ステル等
のポリヒドロキシベンれンの―キノン
ゞアゞドスルホン酞゚ステル類、―ゞヒド
ロキシプニル―プロピルケトン――ベン
ゟキノンゞアゞド――スルホン酞゚ステル、
―ゞヒドロキシプニル――ヘキシルケ
トン――ナフトキノンゞアゞド――スル
ホン酞゚ステル、―ゞヒドロキシベンズフ
゚ノン――ナフトキノンゞアゞド――ス
ルホン酞゚ステル、―トリヒドロキシ
プニル――ヘキシルケトン――ナフト
キノンゞアゞド――スルホン酞゚ステル、
―トリヒドロキシベンゟプノン―
―ナフトキノンゞアゞド――スルホン酞゚ステ
ル、―トリヒドロキシベンゟプノン
――ナフトキノンゞアゞド――スルホン
酞゚ステル、―トリヒドロキシベンゟ
プノン――ナフトキノンゞアゞド――
スルホン酞゚ステル、―トリヒドロキ
シベンゟプノン――ナフトキノンゞアゞ
ド――スルホン酞゚ステル等のポリヒドロ
キシプニルアルキルケトンたたはポリヒド
ロキシプニルアリヌルケトンの―キノン
ゞアゞドスルホン酞゚ステル類、ビス―ヒド
ロキシプニルメタン――ナフトキノン
ゞアゞド――スルホン酞゚ステル、ビス
―ゞヒドロキシプニルメタン――ナ
フトキノンゞアゞド――スルホン酞゚ステル、
ビス―トリヒドロキシプニルメ
タン――ナフトキノンゞアゞド――スル
ホン酞゚ステル、―ビス―ヒドロキシ
プニルプロパン――ナフトキノンゞア
ゞド――スルホン酞゚ステル、―ビス
―ゞヒドロキシプニルプロパン―
―ナフトキノンゞアゞド――スルホン酞゚ス
テル――ビス―トリヒドロキ
シプニルプロパン――ナフトキノンゞ
アゞド――スルホン酞゚ステル等のビス〔ポ
リヒドロキシプニル〕アルカンの―キ
ノンゞアゞドスルホン酞゚ステル類、―ゞ
ヒドロキシ安息銙酞ラりリル――ナフトキ
ノンゞアゞド――スルホン酞゚ステル、
―トリヒドロキシ安息銙酞プニル―
―ナフトキノンゞアゞド――スルホン酞゚ス
テル、―トリヒドロキシ安息銙酞プロ
ピル――ナフトキノンゞアゞド――スル
ホン酞゚ステル、―トリヒドロキシ安
息銙酞プニル――ナフトキノンゞアゞド
――スルホン酞゚ステル等のポリヒドロキ
シ安息銙酞アルキル゚ステルたたはポリヒド
ロキシ安息銙酞アリヌル゚ステルの―キノ
ンゞアゞドスルホン酞゚ステル、ビス―
ゞヒドロキシベンゟむルメタン――ナフ
トキノン――スルホン酞゚ステル、ビス
―トリヒドロキシベンゟむルメタン―
―ナフトキノンゞアゞド――スルホン酞
゚ステル、ビス―トリヒドロキシベ
ンゟむルメタン――ナフトキノンゞアゞ
ド――スルホン酞゚ステル、―ビス
―ゞヒドロキシベンゟむルベンれン――
ナフトキノンゞアゞド――スルホン酞゚ステ
ル、―ビス―トリヒドロキシベン
ゟむルベンれン――ナフトキノンゞアゞ
ド――スルホン酞゚ステル、―ビス
―トリヒドロキシベンゟむルベンれン―
―ナフトキノンゞアゞド――スルホン酞
゚ステル等のビス〔ポリヒドロキシベンゟむ
ル〕アルカンたたはビス〔ポリヒドロキシベ
ンゟむル〕ベンれンの―キノンゞアゞドス
ルホン酞゚ステル類、゚チレングリコヌル―ゞ
―ゞヒドロキシベンゟ゚ヌト―
―ナフトキノンゞアゞド――スルホン酞゚ステ
ル、ポリ゚チレングリコヌル―ゞ―ゞヒ
ドロキシベンゟ゚ヌト――ナフトキノン
ゞアゞド――スルホン酞゚ステル、ポリ゚チレ
ングリコヌル―ゞ―トリヒドロキシ
ベンゟ゚ヌト――ナフトキノンゞアゞド
――スルホン酞゚ステル等のポリ゚チレン
グリコヌル―ゞ〔ポリヒドロキシベンゟ゚ヌ
ト〕の―キノンゞアゞドスルホン酞゚ステ
ル類を挙げるこずができる。これら䟋瀺した
―キノンゞアゞド化合物の他にJ.Kosar著
“Light―Sensitive Systems”339〜352、
1965、John WileySons瀟New Yorkや
W.S.De Forest著“Photoresist”501975
McGraw―HillInc.New Yorkに蚘茉さ
れおいる―キノンゞアゞド化合物を挙げる
こずもできる。 これらの―キノンゞアゞド化合物の䜿甚
量は、䞊蚘アルカリ可溶性ノボラツク暹脂100重
量郚に察しお〜100重量郚であり、奜たしくは
10〜50重量郚である。重量郚未満では、
―キノンゞアゞド化合物が光を吞収しお生成する
カルボン酞量が少ないので、パタヌニングが困難
であり、100重量郚を超えるず、短時間の光照射
では―キノンゞアゞド化合物の総おを分解
するこずができず、アルカリ性氎溶液からなる珟
像液による珟像が困難ずなる。 本発明のポゞ型感光性暹脂組成物は、䞊蚘アル
カリ可溶性ノボラツク暹脂ず―キノンゞア
ゞド化合物を溶剀に溶解しお調補するが、溶剀ず
しおは、䟋えば゚チレングリコヌルモノメチル゚
ヌテル、゚チレングリコヌルモノ゚チル゚ヌテル
等のグリコヌル゚ヌテル類、メチルセロ゜ルブア
セテヌト、゚チルセロ゜ルブアセテヌト等のセロ
゜ルブ゚ステル類、トル゚ン、キシレン等の芳銙
族炭化氎玠類、メチル゚チルケトン、シクロヘキ
サノン等のケトン類、酢酞゚チル、酢酞ブチル等
の゚ステル類を挙げるこずができる。たたこれら
の溶剀を皮類以䞊混合しお䜿甚するこずもでき
る。さらに、ベンゞル゚チル゚ヌテル、ゞヘキシ
ル゚ヌテル等の゚ヌテル類、ゞ゚チレングリコヌ
ルモノメチル゚ヌテル、ゞ゚チレングリコヌルモ
ノ゚チル゚ヌテル等のグリコヌル゚ヌテル類、ア
セトニルアセトン、む゜ホロン等のケトン類、カ
プロン類、カプリル酞等の脂肪酞類、―オクタ
ノヌル、―ノナノヌル、ベンゞルアルコヌル等
のアルコヌル類、酢酞ベンゞル、安息銙酞゚チ
ル、シナり酞ゞ゚チル、マレむン酞ゞ゚チル、炭
酞゚チレン、炭酞プロピレン、プニルセロ゜ル
ブアセテヌト等の゚ステル類の劂き高沞点溶剀を
添加するこずもできる。さらに必芁に応じお、本
発明のポゞ型感光性暹脂組成物に、界面掻性剀、
保存安定剀、色玠、顔料等を添加するこずも可胜
である。 たた、本発明のポゞ型感光性暹脂組成物の塗膜
ずシリコン酞化膜などの基板ずの接着力を向䞊さ
せるため、ヘキサメチルゞシラザンやクロロメチ
ルシラン等を予め被塗垃基板に塗垃するこずもで
きる。 本発明のポゞ型感光性暹脂組成物の珟像液ずし
おは、氎酞化ナトリりム、氎酞化カリりム、炭酞
ナトリりム、ケむ酞ナトリりム、メタケむ酞ナト
リりム、アンモニア氎等の無機アルカリ類、゚チ
ルアミン、―プロピルアミン等の第アミン
類、ゞ゚チルアミン、ゞ――プロピルアミン等
の第二アミン類、トリ゚チルアミン、メチルゞ゚
チルアミン等の第䞉アミン類、ゞメチル゚タノヌ
ルアミン、トリ゚タノヌルアミン等のアルコヌル
アミン類、テトラメチルアンモニりムヒドロキシ
ド、テトラ゚チルアンモニりムヒドロキシド等の
第四玚アンモニりム塩たたはピロヌル、ピペリゞ
ン、―ゞアザビシクロ―
―りンデセン、―ゞアザビシクロ
――ノナン等の環状アミン類の氎溶液
が䜿甚され、金属を含有する珟像液の䜿甚が問題
ずなる集積回路䜜補時には、第四玚アンモニりム
塩や環状アミン氎溶液を䜿甚するのが奜たしい。
たた䞊蚘氎溶液にメタノヌル、゚タノヌル等のア
ルコヌル類のような氎溶性有機溶媒や界面掻性剀
を適圓量添加し氎溶液を珟像液に䜿甚するこずも
できる。  実斜䟋 次に実斜䟋をあげお本発明をさらに具䜓的に説
明するが、本発明はこれらの実斜䟋に぀お䜕ら制
玄されるものではない。 実斜䟋  内容積500mlの䞉぀口セパラブルフラスコに
―クレヌル90.7、―クレゟヌル13および
―キシレノヌル29.3〔―クレゟヌル
―クレゟヌル―キシレノヌル70
1020モル比〕からなるモノマヌを仕蟌んだの
ち、37重量ホルムアルデヒド氎溶液92ml、蓚酞
0.04を添加した。次に、撹拌しながら、セパラ
ブルフラスコを油济に浞し、内枩を100℃にコン
トロヌルしお時間30分付加瞮合反応を行な぀
た。反応埌、油济の枩床を180℃迄䞊げ、同時に
20mmHg迄枛圧しお、氎および未反応を陀去した。
次いで溶融したノボラツク暹脂〔以䞋、「ノボラ
ツク暹脂」ず略蚘する〕を宀枩に戻しお回収し
た。 ノボラツク暹脂A13ず―トリヒド
ロキシベンゟプノン――ナフトキノンゞ
アゞド――スルホン酞トリ゚ステルを゚チ
ルセロ゜ルブアセテヌト35に溶解したのち、孔
埄0.2ÎŒmのメンブランフむルタヌで過し、ポゞ
型感光性暹脂組成物の溶液を調補した。 シリコン酞化膜を有するシリコンり゚ハヌ䞊に
スピンナヌで䞊蚘溶液を塗垃したのち、90℃で30
分間、オヌブン䞭でプレベヌクしお1ÎŒm厚のレゞ
スト膜を圢成させた。凞版印刷(æ ª)補ホトマスクを
介しお、Optical AssociatesInc.補Model205玫
倖線匷床蚈で范正した゚ネルギヌ365nmが
12mJcm2の玫倖線を照射し、テトラメチルアン
モニりムヒドロキシド重量氎溶液で20℃、60
秒間珟像したずころ、線巟1.0ÎŒmのパタヌンが解
像できた。たた、このレゞストの残膜率を枬定し
たずころ98ず非垞に高い倀を瀺した。したが぀
お、このポゞ型感光性暹脂組成物は感床、残膜率
ずもに高いこずがわか぀た。 次に埗られたレゞストパタヌンを平行平板型プ
ラズマドラむ゚ツチング装眮電極間隔40mmに
装着し、出力100W、ガス圧15Paの条件で四フツ
化炭玠酞玠95容量化をプラズマ化し
お、レゞストパタヌンの耐ラむ゚ツチング性を調
べた。レゞストパタヌンが゚ツチングされる速床
に察するシリコン酞化膜のそれの比を遞択比ず称
するが、本実斜䟋の結果、遞択比が3.2ず非垞に
高い倀を瀺し、ノボラツク暹脂の耐ドラむ゚ツ
チング性が優れおいるこずが確認された。 比范䟋  実斜䟋のノボラツク暹脂における―クレ
ゟヌル、―クレゟヌルおよび―キシレノ
ヌルに替えお、―クレゟヌル113.4、―ク
レゟヌル16.2〔―クレゟヌル―クレゟヌ
ル87.512.5モル比〕を甚い、他はノボラツ
ク暹脂の堎合ず同様にしおノボラツク暹脂を合
成した。このノボラツク暹脂を甚いお実斜䟋ず
同様にポゞ型感光性暹脂組成物の溶液を調補し、
次いでレゞストパタヌンを圢成したずころ、感床
は15mJcm2ず比范的良奜であ぀たが、残膜率が
80ず䜎く、感床ず残膜率のバランスがずれない
ものであ぀た。たた、耐ドラむ゚ツチング性テス
トにおける遞択比は2.2ず䜎く、耐ドラむ゚ツチ
ング性も悪い結果が埗られた。 実斜䟋 〜 ノボラツク暹脂ず衚―の―キノンゞ
アゞド化合物を䜿甚した他は実斜䟋ず同様にポ
ゞ型感光性暹脂組成物の溶液を調補し、次いでレ
ゞストパタヌンを圢成したずころ、衚―に瀺す
結果のように、いずれも感床、残膜率、耐ドラむ
゚ツチング性に優れたものであ぀た。
【衚】 実斜䟋  実斜䟋のノボラツク暹脂における―クレ
ゟヌル、―クレゟヌルおよびキシレノヌ
ルに替えお、―クレゟヌル84.2、―クレゟ
ヌル13および―キシレノヌル32.4〔
―クレゟヌル―クレゟヌル―キシレ
ノヌル651025モル比〕を甚い、付加瞮合
反応時間を時間ずし、他はノボラツク暹脂の
堎合ず同様にしおノボラツク暹脂を合成した。こ
のノボラツク暹脂を甚いお実斜䟋ず同様にポゞ
型感性暹脂組成物の溶液を調補し、次いでレゞス
トパタヌンを圢成したずころ、感床は11.5mJ
cm2であり、残膜率は97であ぀た。たた耐ドラむ
゚ツチング性テストにおける遞択比は3.1であ぀
た。 比范䟋  実斜䟋のノボラツク暹脂における―クレ
ゟヌル、―クレゟヌルおよび―キシレノ
ヌルに替えお、―クレゟヌル65および―フ
゚ニルプノヌル102〔―クレゟヌル―
プニルプノヌル5050モル比〕を甚い、
他はノボラツク暹脂の堎合ず同様にしおノボラ
ツク暹脂を合成した。このノボラツク暹脂を䜿甚
し、実斜䟋ず同様にポゞ型光性暹脂組成物の溶
液を調補し、次いでレゞストパタヌンを圢成し
た。この結果、40mJcm2の玫倖線を照射しおも
ç·šå·Ÿ1.0ÎŒmのパタヌンを解像するこずもできず、
感床の䜎いものであ぀た。  発明の効果 本発明のポゞ型感光性暹脂組成物は、高感床、
高残膜率、高耐ドラむ゚ツチング性を有し、さら
に耐熱性、珟像性にも優れたものである。 䞀般的にポゞ型感光性暹脂組成物においおは、
感光床ず残膜率は二埋背反の関係にあり、同時に
䞡特性を向䞊させるこずは非垞に困難であるが、
本発明のポゞ型感光性暹脂組成物は、感床ず残膜
率を同時に改善したものである。 本発明のポゞ型感光性暹脂組成物は、集積回路
䜜補甚ポゞ型ホトレゞストずしお特に有甚である
ばかりでなく、マスク䜜補甚ポゞ型ホトレゞスト
ずしおも有甚である。

Claims (1)

    【特蚱請求の範囲】
  1.  アルカリ可溶性ノボラツク暹脂ず―キ
    ノンゞアゞド化合物ずからなるポゞ型感光性暹脂
    組成物においお、該アルカリ可溶性ノボラツク暹
    脂が、―クレゟヌル30〜90モル比ず―ク
    レゟヌル〜40モル比ずキシレノヌル䜆し、
    ―キシレノヌルを陀く〜70モル比
    ずをアルデヒド類を甚いお瞮合したノボラツク暹
    脂であるこずを特城ずするポゞ型感光性暹脂組成
    物。
JP1972884A 1984-02-06 1984-02-06 ポゞ型感光性暹脂組成物 Granted JPS60164740A (ja)

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