JPH0322618B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明はポジ型感光性樹脂組成物に関する。さ
らに詳述すれば、アルカリ可溶性ノボラツク樹脂
を素材とし、シリコンウエハー等の基板上にスピ
ンコーテイングしたのちストリエーシヨンが極め
て小さい、ポジ型感光性樹脂組成物に関する。 現在、集積回路作製のために最も多く使用され
ているレジストは、環化イソプレンゴムにビスア
ジド化合物を配合したネガ型ホトレジストであ
る。このタイプのホトレジストは非常に使用しや
すいが、パターンを解像する能力に限界があり、
年を追つて高くなつてゆく集積回路の集積度に対
応しきれなくなつてきている。この環化イソブレ
ンゴム系ネガ型ホトレジストに取つて替わろうと
しているのが、アルカリ可溶性ノボラツク樹脂形
ポジ型ホトレジストである。このポジ型ホトレジ
ストは、アルカリ可溶性ノボラツク樹脂に１，２
−キノンジアジド化合物を添加したものが大部分
であり、光照射することによつて１，２−キノン
ジアジド化合物が分解してカルボン酸が生成する
反応を利用している。また現像液としてアルカリ
水溶液を使用するので、現像中のパターンの膨潤
が極めて少なく高解像度を実現することができ
る。しかし、環化イソプレンゴム系ネガ型ホトレ
ジストと比較して感度が低い、シリコンウエ
ハーに対する接着性が乏しい、脆く割れやすい
等の欠点がある他、シリコンウエハー上にスピ
ンコーテイングした時レジスト表面が波をうつた
ように不均一になる欠点もある。このような欠点
があるにもかかわらず、前記ポジ型ホトレジスト
の使用比率が高くなつてゆく理由はひとえに前記
ポジ型ホトレジストが高解像性であることによ
る。上記の現象を「ストリエーシヨン」と呼ぶ
が、現象後、さらにストリエーシヨンが拡大され
ることもある。このストリエーシヨンが大きいと
レジストパターンの寸法精度が損われ、またポジ
型ホトレジストの利点である高解像性を失なう恐
れがある。ところが現在市販されているポジ型ホ
トレジストでストリエーシヨンに関して満足すべ
き水準にあるものはない。 本発明者らはかかる欠点を改良するため鋭意研
究の結果、上記ポジ型ホトレジストの溶剤として
沸点の異なる有機溶剤を混合した混合溶剤を使用
すると、ストリエーシヨンが改良されることを見
出し、本発明に達した。 すなわち本発明は、アルカリ可溶性ノボラツク
樹脂および１，２−キノンジアジド化合物を、沸
点が60〜170℃である有機溶剤Ａと沸点が180〜
350℃である有機溶剤ＢとをＡ／Ｂ＝50／50〜
90／１（重量比）の割合で混合した、上記アルカ
リ可溶性ノボラツク樹脂および１，２−キノンジ
アジド化合物を溶解しうる混合溶剤に溶解させて
なることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物で
ある。 本発明で使用する沸点が60〜170℃である有機
溶剤Ａとしては、例えばエチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチル
エーテル等のグリコールエーテル類、メチルセロ
ソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート
等のセロソルブエステル類、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブ
チル等のエステル類を挙げることができる。これ
等の溶剤を２種類以上混合して使用することもで
きる。有機溶剤Ａの好ましい沸点は110〜170℃で
ある。 沸点が180〜350℃である有機溶剤Ｂとしては、
例えばベンジルエチルエーテル、１，２−ジブト
キシエタン、ジヘキシルエーテル等のエーテル
類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル等のグリコールエ
ーテル類、アセトニルアセトン、アセトフエノ
ン、イソホロン等のケトン類、カプロン酸、カプ
リル酸等の脂肪酸類、１−オクタノール、１−ノ
ナノール、１−デカノール、１−ドデカノール、
ベンジルアルコール等のアルコール類、２−エチ
ルヘキシルアセテート、酢酸ベンジル、安息香酸
メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安
息香酸ブチル、安息香酸ベンジル、シユウ酸ジエ
チル、シユウ酸ジブチル、マロン酸ジエチル、酒
石酸ジブチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸
ジエチル、マレイン酸ジブチル、フタル酸ジメチ
ル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、ブチルセロ
ソルブアセテート、フエニルセロソルブアセテー
ト等のエステル類を挙げることができる。 有機溶剤Ｂの沸点は180〜350℃の範囲である
が、200〜300℃に沸点を有する有機溶剤Ｂを使用
することが好ましい。また、有機溶剤Ｂを２種類
以上混合して使用することもできる。 本発明における有機溶剤Ａと有機溶剤Ｂとの混
合割合Ａ／Ｂは、50／50〜99／１（重量比）であ
り、好ましくは70／30〜95／５（重量比）である。
有機溶剤Ｂの割合が50を超えると、感光性樹脂組
成物をシリコンウエハー等の基板上に塗布したの
ちのプレベーク工程で有機溶剤Ｂが十分蒸発せず
に感光性樹脂膜内に残存するので、感光性樹脂表
面が粘着性を有することとなりステイツキングの
原因となる。また基板として表面にシリコン酸化
膜を有するシリコンウエハー等を用いた場合、そ
の上に形成したパターンが現像中に剥離したり、
感光性樹脂の耐熱性を低下させる原因にももな
る。有機溶剤Ｂの割合が１未満の場合、本発明の
目的である感光性脂組成物のストリエーシヨンの
改善が達成されない。 本発明で用いるアルカリ可溶性ノボラツク樹脂
は、フエノール類とアルデヒド類とを好ましくは
フエノール類１モルに対してアルデヒド類を0.7
〜１モルの割合で酸触媒下で付加縮合して作られ
る。フエノール類としてはフエノール、ｏ−クレ
ゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−
エチルフエノール、ｍ−エチルフエノール、ｐ−
エチルフエノール、ｏ−ブチルフエノール、ｍ−
ブチルフエノール、ｐ−ブチルフエノール、２，
３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，
５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，
４−キシレノール、３，６−キシレノール、ｐ−
フエニルフエノール等を挙げることができる。こ
れらのフエノール類はアルカリ溶解性を考慮しつ
つ、１種または２種以上混合して使用できる。ま
た、アルデヒド類としてはホルムアルデヒド、パ
ラホルムアルデヒド、フルフラール等を例示する
ことができる。酸触媒には塩酸、硝酸、硫酸等の
無機酸、ギ酸、蓚酸、酢酸等の有機酸が使用され
る。 本発明で使用される１，２−キノジンアジド化
合物は、例えば１，２−ベンゾキノンジアジドス
ルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジ
ドスルホン酸エステル、１，２−ベンゾキノンジ
アジドスルン酸アミド、１，２−ナフトキノンジ
アジドスルホン酸アミドなどであり、公知の１，
２−キノンジアジド化合物をそのまま使用するこ
とができる。さらに具体的にはJ.Kosar著”
Light−Sensitive Systems”339〜352，（1965）、
John Wiley＆Sons社（New York）やW.S.De
Forest著”Photoresist”50，（1975）、Mc Graw
−Hill，Inc.（New York）に記載されている１，
２−キノンジアジド化合物を挙げることができ
る。即ち、１，２−ベンゾキノンジアジド−４−
スルホン酸フエニルエステル、ジ−（1″，2″−ベ
ンゾキノンジアジド−4″−スルホニル）−４−
4′−ジヒドロキシフエニル、１，２−ベンゾキノ
ンジアジド−４−（Ｎ−エチル−Ｎ−β.ナフチル）
−スルホンアミド、１，２−ナフトキンジアジド
−５−スルホン酸シクロヘキシルエステル、１−
（2′，2′−ナフトキノンジアジド−5′−スルホニ
ル）−３，５−ジメチルピラゾール、１，２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸−4′−ヒド
ロキシジフエニル−4″−アゾ−β−ナフトールエ
ステル、Ｎ，Ｎ−ジ−（１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホニル）−アニリン、２−（1′，
2′−ナフトキノンジアジド−5′−スルホニルオキ
シ）−１−ヒドロキシアントラキノン、１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド
２モルと４，4′−ジアミノベンゾフエノン１モル
の縮合物、１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸クロリド２モルと４，4′−ジヒドロキ
シ−１，1′−ジフエニルスルホン１モルの縮合
物、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸クロリド１モルとブルブロガリン１モルの縮
合物、１，２−ナフトキノンジアジド−５−（Ｎ
−ジヒドロアビエチル）−スルホンアミド等を例
示することができる。 また２，３，４−トリヒドロキシフエニル−ｎ
−ブチルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸モノエステル、２，３，４−ト
リヒドロキシフエニル−ｎ−ヘキシルケトン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
モノエステル等のトリヒドロキシフエニルアルキ
ルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸モノエステル類、２，３，４−トリヒ
ドロキシベンゾフエノン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸モノエステル、３，
４，５−トリヒドロキシベンゾフエノン−１，２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエ
ステル等のトリヒドロキシフエニルアリールケト
ン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸モノエステル類、２，３，４−トリヒドロキ
シフエニルベンジルケトン−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸モノエステル、３，
４，５−トリヒドロキシフエニルベンジルケトン
−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸モノエステル等のトリヒドロキシフエニルアラ
ルキルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸モノエステル類等も例示すること
ができる。 また特公昭37−1953、同37−3627、同37−
13109、同40−26126、同40−3801、同45−5604、
同45−27345、同51−13013、特開昭48−96575、
同48−63802、同48−63803等に記載された１，２
−キノンジアジド化合物も使用することができ
る。 さらに特特開昭58−75149、特願昭57−65759、
同58−40478に記載された１，２−キノンジアジ
ド化合物、すなわち下記一般式（）で示される
１，２−キノンジアジド化合物、 （式中、R₁〜R₅は同一または異なり、水素、
アルキル基、アルコキシ基、水酸基または．OR₇
であり、R₆はアルキル基、アリール基、、アラル
キル基であり、R₇は１，２−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホニル基、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホニル基、１，２−ベンゾキ
ノンジアジド−４−スルホニル基である。また
R₁〜R₅の少くとも１つは−OR₇であり、かつ−
OR₇の数は３つを超えない。） 下記一般式（）で示される１，２−キノンジ
アジド化合物および下記一般式（）で示される
１，２−キノンジアジド化合物を１〜９：９〜１
（モル比）の割合で混合した１，２−キノンジア
ジド化合物、 （式中、R₈およびR₁₀は同一または異なりアル
キル基、フエニル基、アラルキル基であり、R₉，
R₁₁およびR₁₂は同一または異なり１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホニル基、１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基、１，
２−ベンゾキノン−４−スルホニル基である。） 下記一般式（）で示される１，２−キノンジ
アジド化合物および下記一般式（）で示される
１，２−キノンジアジド化合物を６〜９：４〜１
（モル比）の割合で混合した１，２−キノンジア
ジド化合物、 （式中、R₁₃およびR₁₇は同一または異なり、
アルキル基、アリール基またはアラルキル基であ
り、R₁₄，R₁₅，R₁₆，R₁₈およびR₁₉は同一または
異なり、１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホニル基または１，２−ベンゾキノンジア
ジド−４−スルホニル基である。） をも挙げることができる。 上記一般式（）で示される１，２−キノンジ
アジド化合物としては、例えばｍ−ヒドロキシ安
息香酸ノニル−１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル、ｍ−ヒドロキシ安息香
酸ラウリル−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸
ノニル−１，２−ナフトキノンジアジド−５スル
ホン酸エステル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸ラウリ
ル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸フエニル
−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸エステル等のヒドロキシ安息香酸エステル−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル類、３，５−ジヒドロキシ安息香酸ラウ
リル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸ジエステル、３，５−ジヒドロキシ安息香
酸フエニル−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸ジエステル等のジヒドロキシ安息香
酸エステル−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル類、２，３，４−トリヒド
ロキシ安息香酸ラウリル−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸ジエステル、２，３，
４−トリヒドロキシ安息香酸−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸トリエステル、
２，３，４−トリヒドロキシ安息香酸フエリル−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
ジエステル、２，３，４−トリヒドロキシ安息香
酸フエニル−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸トリエステル等のトリヒドロキシ安
息香酸エステル−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステル類を例示することがで
きる。 上記一般式（）で示される１，２−キノンジ
アジド化合物としては、２，４−ジヒドロキシフ
エニルメチルケトン−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸モノエステル、２，４−ジ
ヒドロキシフエニルブチルケトン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステ
ル、２，４−ジヒドロキシベンゾフエノン−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モノ
エステル、３，４−ジヒドロキシベンゾフエノン
−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸モノエステル、２，４−ジヒドロキシフエニル
ベンジルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸モノエステル等のジヒドロキシ
フエニルアルキルケトン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸モノエステル類、ジヒ
ドロキシフエニルアリールケトン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステル
類、ジヒドロキシフエニルアラルキルケトン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
モノエステル類を例示することができる。 上記一般式（）で示される１，２−キノンジ
アジド化合物としては、２，４−ジヒドロキシフ
エニルメチルケトン−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸ジエステル、２，４−ジヒ
ドロキシフエニルブチルケトン−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル、
２，４−ジヒドロキシベンゾフエノン−１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステ
ル、３，４−ジヒドロキシベンゾフエノン−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエ
ステル、２，４−ジヒドロキシフエニルベンジル
ケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸ジエステル等のジヒドロキシフエニルア
ルキルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸ジエステル類、ジヒドロキシフエ
ニルアリールケトン−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸ジエステル類、ジヒドロキ
シフエニルアラルキルケトン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル類を例
示することができる。 上記一般式（）で示される１，２−キノンジ
アジド化合物としては、２，３，４−トリヒドロ
キシフエニル−ｎ−ブチルケトン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸トリエステ
ル、２，３，４−トリヒドロキシフエニル−ｎ−
ヘキシルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸トリエステル等のトリヒドロキ
シフエニルアルキルケトン−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸トリエステル類、
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフエノン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
トリエステル、３，４，５−トリヒドロキシベン
ゾフエノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸トリエステル等のトリヒドロキシフ
エニルアリールケトン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸トリエステル類、２，
３，４−トリヒドロキシフエニルベンジルケトン
−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸トリエステル、３，４，５−トリヒドロキシフ
エニルベンジルケトン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸トリエステル等のトリヒ
ドロキシフエニルアラルキルケトン−１，２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸トリエステ
ル類を例示することができる。 上記一般式（）で示される１，２−キノンジ
アジド化合物としては、２，３，４−トリヒドロ
キシフエニル−ｎ−ブチルケトン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル、
２，３，４−トリヒドロキシフエニル−ｎ−ヘキ
シルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸ジエステル等のヒドロキシフエニル
アルキルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸ジエステル類、２，３，４−ト
リヒドロキシベンゾフエノン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル、３，
４，５−トリヒドロキシベンゾフエノン−１，２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエス
テル等のトリヒドロキシフエニルアリールケトン
−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸ジエステル類、２，３，４−トリヒドロキシフ
エニルベンジルケトン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸ジエステル、３，４，５
−トリヒドロキシフエニルベンジルケトン−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエ
ステル等のトリヒドロキシフエニルアラルキルケ
トン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸ジエステル類を例示することができる。 もちろん上記一般式（）、一般式（）、一般
式（）、一般式（）または一般式（）で示
される１，２−ナフトキノンジアジド化合物は、
それぞれ単独で用いることができる。 これら１，２−キノンジアジド化合物の添加量
は、好ましくはアルカリ可溶性ノボラツク樹脂
100重量部に対して５〜100重量部であり、特に好
ましくは10〜50重量部である。５重量部未満であ
ると、光を吸収して生成するカルボン酸量が少な
いので、感光性樹脂膜として光照射前後のアルカ
リ水溶液からなる現像液に対する溶解度に差をつ
けることができず、パターニングが困難となる。
100重量部を超えると、短時間の光照射では添加
した１，２−キノンジアジド化合物の大半が未だ
そのままの形で残存するため、アルカリ水溶液の
不溶化効果が高過ぎて感光性脂膜を現像すること
が困難となり、また塗膜形成能や塗膜の機械的物
性が低下する。さらに、１，２−キノンジアジド
化合物の種類によつて、本発明の感光性樹脂組成
物の塗膜のアルカル水溶液からなる現像液に対す
る現像性、基板に対する接着性等を変えることが
できる。 本発明の感光性樹樹脂組成物は、上記アルカリ
可溶性ノボラツク樹脂および１，２−キノンジア
ジド化合物を有機溶剤Ａと有機溶剤ＢをＡ／Ｂ＝
50／50〜99／１（重量比）の割合で混合した、上
記アルカリ可溶性ノボラツク樹脂および１，２−
キノンジアジド化合物を溶解しうる混合溶剤に溶
解させる。この混合溶剤の使用量は、感光性樹脂
組成物の50〜90重量％が好ましく、この使用量に
おいては、基板に感光性樹脂組成物を塗布する際
の塗布方法にもよるが塗膜の厚さを0.2〜10μｍ内
で調整することが容易である。 また本発明の感光性樹脂組成物には、現像性お
よびパターンの寸法安定性を改良するために界面
活性剤を添加することができる。 界面活性剤としては例えばポリオキシエチレン
ラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテ
ル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、
ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテ
ル、ポリオキシエチレンノニルフエノールエーテ
ル等のポリオキシエチレンアルキルフエノールエ
ーテル類、ポリエチレングリコールジラウレー
ト、ポリエチレングリコールジステアレート等の
ポリエチレングリコールジアルキルエステル類を
挙げることができる。 さらに本発明の感光性樹脂組成物には、必要に
応じて保存安定剤、色素、顔料等を添加すること
ができる。 また、本発明の感光性樹脂組成物の塗膜とシリ
コン酸化膜等の基板との接着力を向上させるた
め、ヘキサメチルジシラザンやクロロメチルシラ
ン等を予じめ被塗布基板に塗布することもでき
る。 本発明の感光性樹脂組成物を塗布し乾燥したの
ちにパターンマスクを介して露光した塗膜の現像
液には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナ
トリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エ
チルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン
類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等
の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエ
チルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン等のアルコール
アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の
第四級アンモニウム塩などアルカリ類の水溶液、
ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）−７−ウンデセン、１，５−ジアザ
ビシクロ（４，３，０）−５−ノナン等の環状ア
ミン類の水溶液が使用され、金属を含有する現像
液の使用が問題となる集積回路作製時には、第四
級アンモニウム塩や環状アミンの水溶液を使用す
るのが好ましい。また上記アルカリ類の水溶液に
メタノール、エタノールのようなアルコール類等
の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した
水溶液を現像液に使用することもできる。 本発明の感光性樹脂組成物は、集積回路作製用
ポジ型ホトレジストとして特に有用であるばかり
でなく、マスク作製用ポジ型ホトレジストとして
も有用である。 次に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例によつて何ら
制約されるものではない。 なお、本発明における有機溶剤Ａおよび有機溶
剤Ｂの沸点は、１気圧における沸点を示すもので
ある。 実施例 １ 内容積500mlの三つ口セパラブルフラスコにｍ
−クレゾール75ｇ、ｐ−クレゾール25ｇを仕込ん
だ後、37重量％ホルマリン水溶液66ml、蓚酸0.04
ｇを添加した。撹拌しながら、セパラブルフラス
コを油浴に浸して反応温度を100℃にコントロー
ルし、10時間反応させることによりノボラツク樹
脂を合成した。反応後、30mmHgに減圧して水を
除去し、さらに内温を130℃に上げて未反応物を
除去した。次いで溶融したアルカリ可溶性ノボラ
ツク樹脂を室温に戻して回収した。前記のアルカ
リ可溶性ノボラツク樹脂4.3ｇ、２，３，４−ト
リヒドロキシベンゾフエノン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸トリエステル0.7
ｇを沸点156.3℃のエチルセロソルブアセテート
12ｇと沸点213.5℃の酢酸ベンジル３ｇ〔有機溶
剤Ａ／有機溶剤Ｂ＝80／20（重量比）〕からなる混
合溶剤に溶解し、孔径0.2μｍのメンブランフイル
ターで過して感光性樹脂組成物を調製した。 シリコン酸化膜を有するシリコンウエハー上に
スピンナーで上記感光性樹脂組成物を塗布したの
ち、100℃で10分間オーブン中でプレベークして
1μｍ厚のレジスト膜を形成した。 表面形状測定装置（ランクテーラーホブソン社
製タリステツプ）にてシリコンウエハーに塗布し
たレジスト膜のストリエーシヨンを測定したとこ
ろ、平均20Åと非常に小さな値が得られた。さら
に、凸版印刷(株)製テストパターンマスクをウエハ
ーに密着し紫外線を露光したのち、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシ水溶液で現像し、流水で
リンスした。現像後のストリエーシヨンを測定し
たところ、平均20Åと塗布後の値と変わらなかつ
た。 比較例 １ 実施例１の酢酸ベンジルを使用せず、エチルセ
ロソルブアセテート15ｇを使用した他は実施例１
と同様にしてストリエーシヨンを測定したとこ
ろ、210Åと非常に大きな値となつた。また、現
像後のストリエーシヨンはさらに大きく350Åと
なつた。 実施例 ２〜11 実施例１の酢酸ベンジルに替えて、表−１に示
す有機溶剤Ｂを使用した他は全く実施例１と同様
にしてストリエーシヨンを測定したところ、いず
れのストリエーシヨンも非常に小さい値となつ
た。その結果を表−１に示す。

【表】 実施例 12〜13 実施例１で使用したエチルセロソルブアセテー
トと酢酸ベンジルの混合割合を表−２のように変
え合計15ｇ使用した他は、実施例１と同様にして
ストリエーシヨンを測定したところ、いずれのス
トリエーシヨンも満足すべき水準であつた。その
結果を表−２に示す。

【表】 比較例 ２ 実施例１で使用したエチルセロソルブアセテー
トと酢酸ベンジルの混合比を40／60として合計15
ｇ使用した他は、実施例１と同様にしてストリエ
ーシヨンを測定したところ、酢酸ベンジルがレジ
スト層中に残りレジスト表面がやわらかいため触
針がうまく作動せず、測定不能であつた。また、
テストパターンマスクと密着させるとテストパタ
ーンマスクを外す時にレジストが損傷を受け、レ
ジストとしての役割を果たさないことがわかつ
た。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ アルカリ可溶性ノボラツク樹脂および１，２
   −キノンジアジド化合物を、沸点が60〜170℃で
   ある有機溶剤Ａと沸点が180〜350℃である有機溶
   剤ＢとをＡ／Ｂ＝50／50〜99／１（重量比）の割
   合で混合した、上記アルカリ可溶性ノボラツク樹
   脂および１，２−キノンジアジド化合物を溶解し
   うる混合溶剤に溶解させてなることを特徴とする
   ポジ型感光性樹脂組成物。