JPH04215851A - カルボニル化触媒系 - Google Patents

カルボニル化触媒系

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JPH04215851A
JPH04215851A JP3035249A JP3524991A JPH04215851A JP H04215851 A JPH04215851 A JP H04215851A JP 3035249 A JP3035249 A JP 3035249A JP 3524991 A JP3524991 A JP 3524991A JP H04215851 A JPH04215851 A JP H04215851A
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catalyst system
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phosphine
acid
compound
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Eit Drent
エイト・ドレント
Petrus Henricus Maria Budzelaar
ペトラス・ヘンリカス・マリア・バドツエラール
Willem Wabe Jager
ヴイレム・ヴアベ・ヤーゲル
Johan Stapersma
ヨハン・スタペルスマ
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Shell Internationale Research Maatschappij BV
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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C51/00Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
    • C07C51/10Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by reaction with carbon monoxide
    • C07C51/14Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by reaction with carbon monoxide on a carbon-to-carbon unsaturated bond in organic compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J31/00Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
    • B01J31/02Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides
    • B01J31/0215Sulfur-containing compounds
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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    • B01J2231/32Addition reactions to C=C or C-C triple bonds
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    • B01J2531/80Complexes comprising metals of Group VIII as the central metal
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    • B01J2531/00Additional information regarding catalytic systems classified in B01J31/00
    • B01J2531/80Complexes comprising metals of Group VIII as the central metal
    • B01J2531/82Metals of the platinum group
    • B01J2531/824Palladium

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は第VIII族金属源、ホ
スフィンおよびプロトン酸(Protonicacid
)を含む新規な触媒系およびこの触媒系をオレフィン状
不飽和化合物およびアセチレン状不飽和化合物ののカル
ボニル化(Carbonylation)において使用
することに関する。
【0002】
【発明の背景】アセチレン状不飽和化合物およびオレフ
ィン状不飽和化合物をカルボニル化反応において使用す
るための第VIII族金属源、ホスフィンおよびプロト
ン酸からなる触媒系が知られている。文献に開示されて
いる触媒系のうち或種のものは、第VIII族金属源、
ピリジルホスフィンおよびプロトン酸からなる。欧州特
許出願公開公報EP−A1−0259914号およびE
P−A1−0305012号には、パラジウム化合物、
ピリジルホスフィン、酸およびキノンからなる触媒系と
、重合体をもたらすためにこの触媒系をオレフィンのカ
ルボニル化において使用することが開示されている。そ
の実施例には、プロトン酸としてパラートルエンスルホ
ン酸を使用することが説明されている。欧州特許出願公
開公報EP−A1−0282142号には、オレフィン
とヒドロキシル基含有化合物とのカルボニル化反応にお
いて、パラジウム化合物、ピリジルホスフィンおよびプ
ロトン酸からなる触媒系を使用することが開示されてい
る。その実施例には、プロトン酸としてパラートルエン
スルホン酸を使用することが説明されている。
【0003】欧州特許出願公開公報EP−A1−027
1144号には、パラジウム化合物、ピリジルホスフィ
ンおよびプロトン酸からなる触媒系を、アセチレンとヒ
ドロキシル基含有化合物とのカルボニル化反応において
使用することが開示されている。その実施例には、プロ
トン酸としてパラートルエンスルホン酸またはベンゼン
ホスホン酸を使用することが説明されている。
【0004】本出願人は、欧州特許出願公開公報EP−
A1−0271144号に例示されている触媒系が、不
飽和炭化水素化合物、特にアセチレンのありふれた不純
物であるアレンの存在に対して寛容性に乏しいことを見
出した。驚くべきことには、パラジウム化合物、ピリジ
ルホスフィンおよびアルキルスルホン酸からなる触媒系
がアセチレン状不飽和化合物のカルボニル化反応におい
て著しく高い活性を示すとともに、アレンの存在に対し
て改善された寛容性を示すことが、ここに発見された。
【0005】
【発明の構成および具体的な説明】したがって、本発明
は a)第VIII族金属源; b)イミノ窒素原子含有芳香族置換基を有するホスフィ
ン源; c)プロトン源;および d)アルキルスルホン酸アニオン源 を含む、カルボニル化触媒を提供するものである。本発
明の触媒系は、アセチレン状不飽和化合物のカルボニル
化において、パラートルエンスルホン酸またはベンゼン
ホスホン酸を含む触媒系よりも高い活性を有することが
わかった。本発明の触媒系はまた、アレンに対する耐性
が大きいことも判明した。本発明方法において使用され
る触媒系は第VIII族金属源を含んでいる。この第V
III族金属源は金属状態の元素でもよいが、好ましく
は第VIII族金属の化合物である。第VIII族金属
の例は鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム
、パラジウム、イリジウムおよび白金である。本発明の
触媒系は好ましくはパラジウム化合物源を含んでいる。
【0006】第VIII族金属化合物の例は塩、例えば
硝酸塩;硫酸塩;スルホン酸塩、例えばアルキルスルホ
ン酸塩;12以下の炭素原子を有するアルカンカルボン
酸、例えば酢酸のようなカルボン酸の塩;およびハロゲ
ン化水素酸の塩を包含している。ハロゲンイオンは腐蝕
性を示す傾向があるので、ハロゲン化水素酸の塩は好ま
しくない。第VIII族金属化合物のその他の例は、ア
セチルアセトネート、ホスフィンおよび/または一酸化
炭素との錯体のような、錯体を包含している。例えば第
VIII族金属の化合物はアセチルアセトン酸パラジウ
ム、テトラキス−トリフェニルホスフィンパラジウム、
酢酸ビス−トリ−o−トリルホスフィンパラジウム、酢
酸ビス−ジフェニル−2−ピリジルホスフィンパラジウ
ム、テトラキス−ジフェニル−2−ピリジルホスフィン
パラジウム、酢酸ビス−ジ−o−トリルピリジルホスフ
ィンパラジウム、または硫酸ビス−ジフェニルピリジル
ホスフィンパラジウムであり得る。
【0007】本発明方法において使用される触媒系はさ
らに、イミノ窒素原子を含む芳香族置換基を有するホス
フィン源を含んでいる。ホスフィン源は、好都合にはホ
スフィンそれ自身、またホスフィンの酸付加塩である。 本明細書中で使用されている“イミノ窒素原子”という
用語は、式
【化1】 により、窒素を含む芳香族置換基の構造式で表わすこと
ができる窒素原子を意味している。例えば、この芳香族
置換基がピリジル基である場合、芳香族置換基の構造式
【化2】 となる。
【0008】ホスフィンは好ましくは1個または2個の
燐原子を含んでいる。各燐原子は3個の置換基を有する
。これらの置換基のうちの少なくとも1個は、イミノ窒
素原子を含む芳香族置換基である。残りの置換基は、好
ましくは、随意に置換されている脂肪族および芳香族の
ヒドロカルビル基から選ばれる。ホスフィンが1個より
も多い燐原子を含むときには、例えば
【化3】 のように、1個の置換基に対して、1個よりも多い燐原
子を割り当てることができる。
【0009】イミノ窒素を含む芳香族置換基は、好まし
くは、1個、2個または3個の窒素原子を含む6員環で
ある。芳香族置換基は、それ自体随意に置換されていて
もよい。本明細書中で、置換基が随意に置換されている
と言うときには、別に明記されていない限り、その置換
基は、置換されていないか、あるいは1個または2個以
上の置換基によって置換されていてよい。適当な置換基
の例はハロゲン原子;アルキル基;アルコキシ基;ハロ
アルキル基;ハロアルコキシ基;アシル基;アシルオキ
シ基;アミノ基、好ましくはアルキルアミノ基またはジ
アルキルアミノ基;ヒドロキシ基;ニトリル基;アリー
ルアミノ基;および芳香族ヒドロカルビル基を包含して
いる。
【0010】脂肪酸ヒドロカルビル基は好ましくはアル
キル基、例えばC1−4 アルキル基;またはシクロア
ルキル基、例えばC3−6 シクロアルキル基である。 芳香族ヒドロカルビル基は好ましくはフェニル基である
。ハロゲン原子それ自身の形のハロゲン原子またはハロ
アルキル基の中のハロゲン原子は、好ましくは弗素原子
、塩素原子または臭素原子である。アシル基、アシルオ
キシ基またはアシルアミノ基の中のアシル基は好ましく
はアセチル基のようなC2−5 アルカノイル基である
。イミノ窒素原子を含む芳香族置換基の例はピリジル、
ピラジニル、キノリル、イソキノリル、ピリミジニル、
ピリダジニル、シンノリニル、トリアジニル、キノキサ
リニル、およびキナゾリニルである。好ましい置換基は
ピリジルおよびピリミジルである。
【0011】イミノ窒素原子を含む芳香族置換基の中の
イミノ基は好ましくは、ただ1個の橋架け炭素原子を通
して燐原子に結合している。例えば、芳香族置換基がピ
リジル基である場合、それは好ましくは、炭素原子を通
して、ピリジル基の2位に結合している。したがって、
イミノ窒素原子を含む好ましい芳香族置換基の例は2−
ピリジル;2−ピラジニル;2−キノリル;1−イソキ
ノリル;3−イソキノリル;2−ピリミジニル;3−ピ
リダジニル;3−シンノリニル;2−トリアジニル;2
−キノキサリニル;および2−キナゾリニルである。2
−ピリジルおよび2−ピリミジルが特に好ましい。
【0012】ホスフィンが1個の燐原子を含むとき、そ
れは好都合には、一般式
【化4】 によって表わすことができ、式中R1 はイミノ窒素原
子を含む芳香族置換基を表し、そしてR2 およびR3
 は、同じか、または異なっていて、基R1 または随
意に置換された脂肪族または芳香族ヒドロカルビル基を
表す。
【0013】ホスフィンの例は ビスフェニル−(2−ピリジル)ホスフィン、ビス(2
−ピリジル)フェニルホスフィン、トリス(2−ピリジ
ル)ホスフィン、ジフェニル(6−メトキシ−2−ピリ
ジル)ホスフィン、ビス(6−エトキシ−2−ピリジル
)フェニルホスフィン、ビス(6−クロル−2−ピリジ
ル)フェニルホスフィン、ビス(6−ブロム−2−ピリ
ジル)フェニルホスフィン、トリス(6−メチル−2−
ピリジル)ホスフィン、ビス(6−メチル−2−ピリジ
ル)フェニルホスフィン、ビスフェニル(6−メチル−
2−ピリジル)ホスフィン、ビス(3−メチル−2−ピ
リジル)フェニルホスフィン、ビスフェニル(4,6−
ジメチル−2−ピリジル)ホスフィン、ジ(n−ブチル
)−2−ピリジルホスフィン、ジメチル−2−ピリジル
ホスフィン、メチル  フェニル−2−ピリジルホスフ
ィン、n−ブチル  第三ブチル  2−ピリジルホス
フィン、n−ブチル(4−メトキシフェニル)(2−ピ
リジル)ホスフィン、およびメチル  ジ(2−ピリジ
ル)ホスフィンである。
【0014】ホスフィンが2個の燐原子を含有するとき
、それは好都合には、一般式
【化5】 によって表すことができ、式中、R4 ,R5 ,R6
 およびR7 のうちの少なくとも1個はイミノ窒素原
子を含む芳香族置換基を表し、R4 ,R5 ,R6 
およびR7 のうちの残りは独立して、随意に置換され
ているヒドロカルビル基または複素環式基を表し、そし
てXは橋の中に1ないし10個の炭素原子を含む2価の
架橋基を表す。
【0015】Xによって表される架橋基は好ましくは、
炭化水素残基、エーテル残基またはチオエーテル残基で
ある。例えば、架橋基は
【化6】 におけるように、1個または2個以上の酸素原子および
/または硫黄原子によって随意に中断されているアルキ
レン連鎖であり得る。
【0016】それはまた
【化7】 におけるような、シラン残基であってもよい。架橋基は
好ましくは、橋の中に2ないし8個の原子、より好まし
くは3ないし5個の原子を含んでいる。例えば、架橋基
がプロパン残基であるとき、この橋は3個の原子を含ん
でいる。
【0017】Xがジアルキルエーテル残基を表している
一般式(II) の有機ジホスフィンを使用すると、特
に高い反応速度が得られた。したがって、本発明方法に
おいては、このような化合物を使用するのが好ましい。 R4 ,R5 ,R6 およびR7 の残りは、好まし
くは、随意に置換されているアルキル基または随意に置
換されているフェニル基である。最も好ましくは、それ
らは随意に置換されているフェニル基である。
【0018】本発明方法において使用できる有機ジホス
フィンの例は ビス〔(2−ピリジル)フェニルホスフィノ〕メタン、
1,2−ビス〔(2−ピリジル)フェニルホスフィノ〕
エタン、1,3−ビス〔(2−ピリジル)フェニルホス
フィノ〕プロパン、1,5−ビス〔(2−ピリジル)フ
ェニルホスフィノ〕−3−オキサペンタン、1,8−ビ
ス〔(2−ピリジル)フェニルホスフィノ〕−3,6−
ジオキサオクタン、1,3−ビス〔(2−ピリジル)ブ
チルホスフィノ〕プロパン、および1,3−ビス〔ジ−
(2−ピリジル)ホスフィノ〕プロパンである。
【0019】イミノ窒素原子含有芳香族置換基を有する
ホスフィンは公知の化合物である。それらは好都合には
、ハロホスフィンまたはアルカリ金属燐化物を、イミノ
窒素原子含有芳香族化合物の適当なハロ誘導体またはア
ルカリ金属誘導体と反応させることによって製造するこ
とができる。例えば、ジフェニル(6−メチル−2−ピ
リジル)ホスフィンはクロルジフェニルホスフィンを2
−リソ−6−メチルピリジン(2−litho−6−m
ethyl−pyridine)と反応させることによ
って製造することができる。イミノ窒素原子含有芳香族
置換基を少なくとも1個有する有機ジホスフィンは、例
えば欧州特許出願公告EP−A2−0305012号に
記載された方法にしたがって製造することができる。 したがって、例えば、それらは適当なアルカリ金属燐化
物を適当なジハロ化合物と反応させることによって製造
できる。
【0020】本発明方法において使用される触媒系は、
さらにプロトン源を含んでいる。好都合には、このプロ
トン源は、現場でプロトンを発生する化合物であり得る
。好ましくはプロトン源はアルキルスルホン酸であり、
そしてその場合、それはまたアルキルスルホン酸アニオ
ン源としても役立つ。アルキルスルホン酸アニオン源は
好ましくはアルキルスルホン酸であり、そしてその場合
それはまたプロトン源としても役立つ。アルキルスルホ
ン酸アニオン中のアルキル基は直鎖または分枝鎖でよく
、そして好ましくは1〜10個、より好ましくは1〜6
個、殊に1〜4個の炭素原子を有する。置換されていな
いアルキル基の例はメチル、エチル、1−プロピル、2
−プロピル、1−ブチル、2−ブチル、2−メチル−1
−プロピル、2−メチル−2−プロピル(第三ブチル)
、1−ペンチル、1−ヘキシル、1−ヘプチル、1−オ
クチルおよび1−ノニルである。
【0021】我々の共同係属出願中の英国特許出願第9
002508.1号においては、 a)第VIII族金属源、および b)一般式
【化8】 で表されるホスフィン〔式中、R1 ,R2 およびR
3 は独立して、随意に置換されているアリール基およ
び一般式
【化9】 (式中、A,X,YおよびZの各々は独立して、窒素原
子、CH基および式CRで表される基から選ばれ、ここ
でRはヒドロキシル基、アミノ基、アミド基、シアノ基
、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、随意に置
換されているヒドロカルビル基または随意に置換されて
いるヒドロカルビルオキシ基を表し、そしてそれはまた
、R1 ,R2 およびR3 のうちの少なくとも1個
が式(III)の基を表すことを条件として、隣接する
2個のCR基が環を形成できる基であり、そして式中A
およびZのうちの少なくとも1個は式CRの基を表す)
で表される基から選ばれる〕;またはそれの酸付加塩を
含む触媒系、およびこの触媒系をアセチレン状またはオ
レフィン状不飽和化合物のカルボニル化反応において使
用することが開示され、かつ請求されている。
【0022】我々の共同係属出願中の英国特許出願第9
002509.9号においては、 a)第VIII族金属化合物、および b)式
【化10】 で表されるモノホスフィン〔式中、R1 は脂肪族ヒド
ロカルビル基を表し、R2 は環原子のうちの少なくと
も1個が窒素であり、そして随意に置換されている、よ
り大きな縮合環構造の一部を形成することができる、5
個または6個の環原子を有する、随意に置換された芳香
族複素環式基を表し、そしてR3 は独立して、R1 
またはR2 の意味を有するか、あるいは随意に置換さ
れているアリール基を表す〕またはそれの酸付加塩を含
む触媒系、およびこの触媒系をアセチレン状またはオレ
フィン状不飽和化合物のカルボニル化反応において使用
することが開示され、かつ請求されている。
【0023】本発明方法において使用される触媒系は均
質でも、あるいは不均質でもよい。好ましくはそれは均
質である。本発明の触媒系は液相で構成されている。こ
の液相は、好都合には、触媒系とともに使用すべき1種
または2種以上の反応剤によって形成することができる
。別法として、液相を溶剤によって形成してもよい。 それはまた、触媒系の中の1つの成分によって形成して
もよい。本発明の触媒系は好都合な方法のいずれで生成
させてもよい。したがって、その触媒系は液相の状態で
第VIII族金属化合物、ホスフィンおよび、もし適当
ならば、アルキルスルホン酸を混ぜ合わせることによっ
て製造できる。別法として、それは第VIII族金属化
合物およびホスフィンの酸付加塩を液相の形でアルキル
スルホン酸と混ぜ合わせることによって、製造すること
ができる。別法として、本発明の触媒系は第VIII族
金属とホスフィンとの錯体である第VIII族金属化合
物を、液相の形でアルキルスルホン酸と混ぜ合わせるこ
とによって製造することができる。第VIII族金属1
グラム原子当りのホスフィンのモル数の比は臨界的でな
い。好ましくはその比は1ないし1000、より好まし
くは2ないし500、特に10ないし100の範囲にあ
る。
【0024】プロトン1モル当りのホスフィンのモル数
の比は臨界的でない。好ましくはその比は0.05ない
し50、より好ましくは0.1ないし10、特に0.5
ないし5の範囲にある。アレン状不飽和化合物の存在下
でアセチレン状不飽和化合物をカルボニル化するために
触媒系を使用しようとするときには、好ましくはプロト
ン1モル当りのホスフィンのモル数は少なくとも1、よ
り好ましくは少なくとも1.2、より一層好ましくは少
なくとも1.4である。プロトン1モル当りのアルキル
スルホン酸アニオンのモル数は臨界的でない。好ましく
はそれは0.1ないし100、より好ましくは0.5な
いし50、特に0.75ないし5の範囲にある。本発明
の触媒系は、特にそれがアレン状不飽和化合物の存在下
でアセチレン状不飽和化合物をカルボニル化するために
使用すべきときには、好ましくはさらに第三アミン促進
剤を含んでいる。
【0025】第三アミンの例はトリアルキルアミン、例
えばトリメチルアミンまたはトリエチルアミン;N,N
−ジメチルアニリン、N,N−ジエチルアニリンまたは
p−メチル,N,N−ジメチルアニリンのようなN,N
−ジアルキルアニリン;および随意に置換されているピ
リジン、特に2位および/または6位が置換されている
ピリジン、例えば1,6−ジクロルピリジン;1,6−
ジメチルピリジンおよび1,6−ジ−第三ブチルピリジ
ンである。N,N−ジアルキルアニリンが促進剤として
好ましい。 我々の共同係属出願中の英国特許出願第9002521
.4号においては、 a)第VIII族金属源; b)イミノ窒素原子含有芳香族置換基を有するホスフィ
ン; c)プロトン源;および d)第三アミン を含む触媒系、およびこの触媒系をアセチレン状不飽和
化合物およびオレフィン状不飽和化合物のカルボニル化
反応において使用することが開示され、かつ請求されて
いる。
【0026】使用される第三アミン促進剤の量は臨界的
でないが、好ましくはホスフィン1モル当り0.1ない
し200モル、より好ましくは0.5ないし100モル
、特に1ないし50モルの範囲にある。したがって、本
発明はさらに、アセチレン状不飽和炭化水素またはオレ
フィン状不飽和炭化水素のカルボニル化において、前に
定義された触媒系の使用法を提供するものである。もう
1つの局面によれば、本発明は、 a)第VIII族金属源; b)イミノ窒素原子含有芳香族置換基を有するホスフィ
ン源; c)プロトン源;および d)アルキルスルホン酸アニオン源 を含む触媒系の存在下で、アセチレン状不飽和化合物ま
たはオレフィン状不飽和化合物を一酸化炭素と反応させ
ることからなる、アセチレン状不飽和化合物またはオレ
フィン状不飽和化合物のカルボニル化方法を提供するも
のである。アセチレン状またはオレフィン状不飽和化合
物は好ましくは非対称のアセチレンまたはオレフィン、
最も好ましくはアルファ  アセチレンまたはアルファ
  オレフィンである。オレフィン状不飽和化合物は好
ましくは、1分子に付き2〜30個、好ましくは3〜2
0個の炭素原子を有する、置換されているか、または置
換されていないアルケンまたはシクロアルケンである。
【0027】アセチレン状不飽和化合物は好ましくは、
1分子に付き2〜20個、特に3〜10個の炭素原子を
有する、置換されているか、または置換されていないア
ルキンである。アセチレン状またはオレフィン状不飽和
化合物は、2個のオレフィン結合が隣り合って同じ炭素
原子に結合していないことを条件として、1個または2
個以上のアセチレン結合またはオレフィン結合、例えば
1個、2個または3個のアセチレン結合またはオレフィ
ン結合を含むことができる。
【0028】オレフィンまたはアセチレンは、例えば、
ハロゲン原子、シアノ基、アセチル基のようなアシル基
、アセトキシ基のようなアシルオキシ基、ジアルキルア
ミノのようなアミノ基、メトキシのようなアルコキシ基
、トリフルオルメチルのようなハロアルキル基、トリフ
ルオルメトキシのようなハロアルコキシ基、アセトアミ
ドのようなアミド基、またはヒドロキシ基によって置換
されていてもよい。これらの基のうちの或ものは的確な
反応条件にしたがって反応に参加することができる。 例えば、或種のアセチレン状不飽和アルコール、例えば
3−ブチン−1−オール、4−ペンチン−1−オールま
たは3−ペンチン−1−オールをカルボニル化すること
によってラクトンを得ることができる。このようにして
3−ブチン−1−オールをα−メチレン−γ−ブチロラ
クトンに転化することができる。
【0029】アルキンの例はエチン、プロピン、フェニ
ルアセチレン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン
、1−ヘキシン、1−ヘプチン、1−オクチン、2−オ
クチン、4−オクチン、1,7−オクタジイン、5−メ
チル−3−ヘプチン、4−プロピル−2−ペンチン、1
−ノニン、ベンジルエチンおよびシクロヘキシルエチン
である。アルケンの例はエテン、プロペン、フェニルエ
テン、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、1−ヘ
キセン、1−ヘプテン、1−オクテン、2−オクテン、
4−オクテン、シクロヘキセンおよびノルボルナジエン
である。アセチレン状不飽和化合物またはオレフィン状
不飽和化合物は、例えば3−メチル−ブト−3−エン−
2−インにおけるように、アセチレンであって、その上
オレフィンであってもよい。不飽和化合物は単独でカル
ボニル化しても、あるいはその他の反応剤、例えば水素
または除去できる水素原子を持つ求核性化合物の存在下
でカルボニル化してもよい。除去可能な水素原子を持つ
求核性化合物の例はヒドロキシル基含有化合物である。
【0030】ヒドロキシル基含有化合物は好ましくはア
ルコール、水、またはカルボン酸である。使用されるア
ルコールは脂肪族、脂環式または芳香族であることがで
き、そして1個または2個以上の置換基を持つことがで
きる。アルコールは好ましくは、1分子に付き20個ま
での炭素原子を含む。それは、例えばアルカノール、シ
クロアルカノールまたはフェノールであり得る。1個ま
たは2個以上のヒドロキシル基が存在することができ、
その場合には、使用される反応剤のモル比にしたがって
、幾つかの生成物が形成され得る。アルカノールの例は
メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロ
パノール、1−ブタノール、2−ブタノール、1−メチ
ルプロパン−1−オール、および2−メチルプロパン−
2−オールを包含している。フェノールの例はフェノー
ル、アルキルフェノール、カテコール、および2,2−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンを包含してい
る。
【0031】アルコールのその他の例は多価アルコール
、特に低糖類(lower  sugars)、例えば
グルコース、フラクトース、マンノ−ス、ガラクトース
、サッカロース、アルドキソース(aldoxose)
、アルドペントース、アルトロース、アロース、タロー
ス、グロース、イドース、リボース、アラボノース(a
rabonose)、キシロース、リキソース、エリト
ロースまたはトレオース、セルロース、ベンジルアルコ
ール、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−1−ブタノ
ール、ステアリルアルコール、シクロヘキサノール、エ
チレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,4
−ブタンジオール、ポリエチレングリコール、グリセロ
ールおよび1,6−ヘキサンジオールを包含している。 本発明方法は様々な種類のカルボン酸を使用して遂行で
きる。例えば、このカルボン酸はアセチレン状不飽和化
合物およびオレフィン状不飽和化合物に関連して名を挙
げたもののような、脂肪族、脂環式または芳香族でよく
、そして1個または2個以上の置換基を持っていてよい
【0032】本発明方法において好ましく使用されるカ
ルボン酸は、20個まで炭素原子を含むカルボン酸を包
含している。1個または2個以上のカルボン酸基が存在
していてもよく、このようにして、使用される反応剤の
モル比に応じて、意のままに種々の生成物をもたらすこ
とができる。カルボン酸は、例えば、アルカンカルボン
酸またはアルケンカルボン酸であり得る。カルボン酸の
例は蟻酸、酢酸、プロピオン酸、n−酪酸、イソ酪酸、
ピバリン酸、n−吉草酸、n−カプロン酸、カプリル酸
、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン
酸、ステアリン酸、安息香酸、o−フタル酸、m−フタ
ル酸、テレフタル酸およびトルイル酸である。アルケン
カルボン酸の例はアクリル酸、プロピオール酸、メタク
リル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、オレイン酸、マ
レイン酸、フマル酸、シトラコン酸およびメサコン酸で
ある。
【0033】不飽和炭化水素およびヒドロキシル基含有
化合物が同じ化合物であり得ることが認識されるであろ
う。アセチレン状不飽和化合物を水および一酸化炭素と
反応させるときには、α,β−不飽和カルボン酸が生成
する。水の代りにアルコールを使用する場合には、α,
β−不飽和カルボン酸エステルが生成する。水の代りに
カルボン酸を使用するときには、α,β−不飽和酸無水
物が生成する。α,β−不飽和生成物は、使用される反
応条件にしたがって、さらに反応を受けることができる
。不飽和炭化水素およびヒドロキシル基含有化合物が同
じ化合物であり得ることが認識されるであろう。本発明
方法において別個の溶剤を使用することは必須でない。
【0034】生成物または反応剤のうちの1種、例えば
アルコールの大過剰量は屡々適当な液相を形成すること
ができる。しかしながら、場合によっては、別個の溶剤
を使用することが望ましくなり得る。その目的のために
は、いずれの不活性溶剤でも使用できる。該溶剤は、例
えば、スルホキシドおよびスルホン、例えばジメチルス
ルホキシド、ジイソプロピルスルホンまたはテトラヒド
ロチオフェン−2,2−ジオキシド(スルホランとも称
する)、2−メチルスルホラン、3−メチルスルホラン
、2−メチル−4−ブチルスルホラン;ベンゼン、トル
エン、キシレンのような芳香族炭化水素;酢酸メチルお
よびブチロラクトンのようなエステル;アセトンまたは
メチルイソブチルケトンのようなケトンおよびアニソー
ル、2,5,8−トリオキサノン(ジグライムとも称す
る)、ジフェニルエーテルおよびジイソプロピルエーテ
ルのようなエーテル、またはジメチルアセトアミドまた
はN−メチルピロリドンのようなアミドからなることが
できる。
【0035】本発明方法は、好都合には、10℃〜20
0℃、特に20℃〜100℃の範囲の温度において遂行
される。本発明方法は、好ましくは、1〜70バールの
圧力において遂行される。100バールよりも高い圧力
を使用することができるが、特別な装置を必要とするの
で、概して経済的に魅力がない。ヒドロキシル基含有化
合物対アセチレン状不飽和炭化水素のモル比は広範囲に
変化することができ、一般に0.01:1ないし100
:1の範囲内にある。第VIII族金属の量は臨界的で
ない。好ましくはアセチレン状不飽和化合物1モル当り
10−7〜10−1グラム原子の範囲内の第VIII族
金属が使用される。本発明の触媒系はアレン状不飽和化
合物の存在下でアセチレン状不飽和化合物をカルボニル
化する場合特に申し分なくその役割を果すことがわかっ
た。アレン状不飽和化合物が存在するとき、この化合物
はアセチレン状不飽和化合物1モルに付き好ましくは0
.003〜10モル、より好ましくは0.01〜5モル
の範囲の量で存在する。
【0036】本発明方法に必要な一酸化炭素は実際上純
粋な形または不活性ガス、例えば窒素で希釈された形で
使用できる。ガスの流れの中に少量を越える量の水素が
存在するのは、反応条件下で不飽和炭化水素の水素添加
が起こるおそれがあるために、望ましくない。一般に、
供給されるガスの流れの中の水素の量は5容量%未満で
あるのが好ましい。別の局面によれば、本発明はa)第
VIII族金属カチオン源; b)イミノ窒素原子含有芳香族置換基によって置換され
ている燐原子を少なくとも1個有する有機ジホスフィン
源;および c)アニオン源 を含む触媒系の存在下で、アセチレン状不飽和化合物ま
たはオレフィン状不飽和化合物を一酸化炭素と反応させ
ることからなる、アセチレン状不飽和化合物またはオレ
フィン状不飽和化合物のカルボニル化方法を提供するも
のである。
【0037】この方法においては、除去可能な水素原子
を有する求核性化合物が反応剤として存在することがで
きる。この方法の反応剤および反応条件は前述のとおり
である。アニオンは非配位アニオンまたは弱い配位アニ
オン、すなわち第VIII族金属カチオンと配位しない
か、または弱くしか配位しないアニオンである。非配位
アニオンの例はハロゲン化水素酸を除く、4未満、好ま
しくは2未満、より好ましくは1未満のpKa(水溶液
の状態で18℃において測定)を有する酸から誘導され
るアニオンである。例えば、このアニオンは硝酸;硫酸
;フルオルスルホン酸、クロルスルホン酸、メタンスル
ホン酸、2−ヒドロキシプロパンスルホン酸、第三ブチ
ルスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスル
ホン酸、1−ナフタリンスルホン酸、トリフルオルメタ
ンスルホン酸またはスルホン化イオン交換樹脂のような
スルホン酸;過塩素酸のような過ハロゲン酸;トリフル
オル酢酸のようなペルフルオル化カルボン酸;オルト燐
酸;ベンゼンホスホン酸のようなホスホン酸;またはB
F3 ,AsF5 ,SbF5 ,TaF5 またはN
bF5 のようなルイス酸とHF(例えばフルオロ珪酸
,HBF4 ,HPF5 およびHSbF6 )のよう
なブレンステッド酸との相互作用によって誘導された酸
から、導くことができる。アニオンとしてスルホン酸イ
オンを使用すると、特に満足な結果が得られた。ここで
本発明を以下の製造例および実施例によって説明する。
【0038】
【実施例】製造例1 ジフェニル−(6−メチル−2−ピリジル)−ホスフィ
ンの製造 すべての操作を不活性雰囲気(窒素またはアルゴン)中
で遂行した。使用に先立って溶剤を乾燥し、そして蒸留
した。n−ブチルリチウムの1.6Mヘキサン溶液36
mlを40mlのジエチルエーテルに加えてから、その
混合物を−40℃に冷却した。攪拌されている混合物に
、10gの2−ブロム−6−メチルピリジンを15ml
のジエチルエーテルに溶かした溶液を20分間かけて加
え;この添加中に温度を−40℃に保った。添加後、温
度を−5℃まで上昇させ、その温度に5分間保ち、つい
で再び−40℃まで温度を低下させた。15mlのジエ
チルエーテル中に12.8gのクロルジフェニルホスフ
ィンが溶けている溶液を、15分間にわたって、攪拌さ
れている混合物に加えた。添加後、混合物を室温まで温
め、溶剤を真空中で除去し、そして50mlの水と50
mlのジクロルメタンを加えた。5分間激しく攪拌した
後、ジクロルメタン層を分離した。50mlずつのジク
ロルメタンで水の層を2回抽出し、有機留分を混ぜ合わ
せ、そして溶剤を真空中で除去した。残渣をトルエン/
ヘキサンから晶出させると、灰色がかった白色結晶の形
で12g(75%)のジフェニル−(6−メチル−2−
ピリジル)−ホスフィンが得られた。この生成物は31
P  NMR:δp=−5.6ppm によって特徴づ
けられた。
【0039】製造例2 ジフェニル−(3−メチル−2−ピリジル)−ホスフィ
ンの製造 この化合物は製造例1に述べた方法と同様にして製造し
たが、2−ブロム−6−メチルピリジンの代りに10.
0gの2−ブロム−3−メチルピリジンを使用した。そ
れは31P  NMR:δp=−8.1ppm によっ
て特徴づけられた。
【0040】製造例3 フェニル−ビス(6−メチル−2−ピリジル)−ホスフ
ィンの製造 この化合物は製造例1に述べた方法と同様にして製造し
たが、クロルジフェニルホスフィンの代りに5.2gの
フェニルジクロルホスフィンを使用した。それは31P
  NMR:δp=−5.1ppm によって特徴づけ
られた。
【0041】製造例4 トリス(6−メチル−2−ピリジル)−ホスフィンの製
造 この化合物は製造例1に述べた方法と同様にして製造し
たが、クロルジフェニルホスフィンの代りに2.7gの
三塩化燐を使用した。それは31P  NMR:δp=
−3.8ppm によって特徴づけられた。
【0042】製造例5 ジフェニル−(4,6−ジメチル−2−ピリジル)−ホ
スフィンの製造 この化合物は製造例1に述べた方法と同様にして製造し
たが、2−ブロム−6−メチルピリジンの代りに10.
8gの2−ブロム−4,6−ジメチルピリジンを使用し
た。それは31P  NMR:δp=−5.6ppm 
によって特徴づけられた。
【0043】製造例6 ジフェニル−(6−メトキシ−2−ピリジル)−ホスフ
ィンの製造 −80℃において100mlの液体アンモニアに2.7
gのナトリウムを加え、ついで攪拌しながら15.2g
のトリフェニルホスフィンを6つの部分に分けて加えた
。 その溶液を徐々に−40℃まで温め、その温度に30分
間保持してから、再び−80℃に冷却した。ついで、攪
拌されている溶液に3.1gの塩化アンモニウムを加え
てから、10.9gの2−ブロム−6−メトキシピリジ
ンを3つの部分に分けて添加した。冷却浴を取り外して
アンモニアを蒸発させた。製造例1で述べたようにして
、残渣を水/ジクロルメタンで仕上げた。ヘキサンから
晶出させると、若干不純な生成物(31P  NMR:
δp=−4.4ppm によって特徴づけられる)7g
が得られ、これはそのまま後記の実施例において使用さ
れた。
【0044】製造例7 ジ(n−ブチル)−2−ピリジルホスフィンの製造−8
0℃に冷却され、磁気攪拌されている、20モルのテト
ラヒドロフランに2.5gのフェニル(2−ピリジル)
2 Pが溶けている溶液を、n−ブチルリチウムの1.
6Mヘキサン溶液5.9mlに、10分間かけて添加し
た。その結果生成した深赤色の溶液を室温まで温めてか
ら、溶液を31P  NMRによって分析すると、それ
は唯一の燐含有化合物(δp=−16.3ppm )と
して(n−ブチル)(2−ピリジル)PLi燐化物を含
むことを示した。溶液を−40℃に冷却し、そして10
mlのテトラヒドロフラン中に1.3gの1−ブロムブ
タンを溶かした溶液を加えた。混合物を再び室温まで温
め、溶剤を真空中で除去し、そしてジエチルエーテル2
5mlおよび水10mlを加えた。10分間攪拌した後
、有機層を分離し、そして水層を10mlのエーテルで
抽出した。有機層を混ぜ合わせてから溶剤を真空中(6
6Pa)で除去した。その結果生成した淡黄色の液体を
 1H,13Cおよび31P  NMRによって分析す
ると、この液体は2−フェニルピリジンと(n−ブチル
)2 (2−ピリジル)P(δp=−19.5ppm 
)との1:1(モル比)混合物からなることが示された
【0045】製造例8 ジメチル  2−ピリジルホスフィンおよびメチルフェ
ニル−2−ピリジルホスフィンの製造 n−ブチルリチウム溶液の代りにメチルリチウムの1.
6Mジエチルエーテル溶液を使用し、そしてブロムブタ
ンの代りに1.3gのヨードメタンを使用した点を除き
、製造例7の方法を繰り返した。反応生成物はほぼ70
:30:60の割合の(メチル)2 (2−ピリジル)
P、メチルフェニル  2−ピリジルホスフィンおよび
2−フェニルピリジンの混合物であって、この混合物か
ら(メチル)2 (2−ピリジル)Pを蒸留によって単
離させた。生成物の物理的特性はδp=−41.2pp
m (ジメチル−2−ピリジルホスフィン)およびδp
=−24.1ppm (メチルフェニル−2−ピリジル
ホスフィン)であった。
【0046】製造例9 n−ブチル  第三ブチル  2−ピリジルホスフィン
の製造 n−ブチルリチウム溶液の代りにt−ブチルリチウムの
1.7Mペンタン溶液5.6mlを使用した点を除き、
製造例7の方法を繰り返した。最終生成物はNMR分析
(δp=−7.4ppm )によりn−ブチル  t−
ブチル  2−ピリジルホスフィンと同定された。
【0047】製造例10 ジメチル  2−ピリジルホスフィンの製造1.91g
のメチル(2−ピリジル)2 Pと僅かに0.7gのヨ
ードメタンを使用した点を除き、製造例8の方法を繰り
返した。製造例1に述べたようにして仕上げると、ジメ
チル  2−ピリジルホスフィンが得られ、これをさら
に蒸留によって精製した(収率65%)(δp=−41
.2ppm )。
【0048】製造例11 n−ブチル(4−メトキシフェニル)(2−ピリジル)
ホスフィンの製造 すべての操作を不活性雰囲気(窒素またはアルゴン)中
で遂行した。使用に先立って溶剤を乾燥し、そして蒸留
した。n−ブチルリチウムの1.6Mヘキサン溶液18
mlを30mlのジエチルエーテルに加えてから、その
混合物を−40℃に冷却した。攪拌されている混合物に
、4.6gの2−ブロムピリジンを15mlのジエチル
エーテルに溶かした溶液を20分間かけて加え;この添
加中に温度を−40℃に保った。添加後、温度を−5℃
まで上昇させ、その温度に5分間保ち、ついで再び温度
を−40℃まで低下させた。その結果生成した溶液を、
30mlのTHF中に7.6gの4−メトキシフェニル
−ビス(2−ピリジル)−ホスフィンが溶けている、冷
却されている(−40℃)溶液に加えた。混合物を室温
まで温めた。10分間攪拌した後、溶剤を真空中で除去
した。 水(25ml)およびジクロルメタン(25ml)を加
えた。5分間激しく攪拌した後、ジクロルメタン層を分
離した。25mlずつのジクロルメタンで水の層を2回
抽出し、有機留分を混ぜ合わせ、そして溶剤を真空中で
除去した。残渣を蒸留すると、帯黄色液体の形で(n−
ブチル)(4−メトキシフェニル)(2−ピリジル)ホ
スフィン4.7g(60%)が得られた。この生成物は
31P  NMR:δp=−14.9ppm によって
特徴づけられた。
【0049】この実験においては、n−ブチルリチウム
が2−ブロムピリジンと反応して、臭化n−ブチルと2
−ピリジルリチウムとの混合物を与えるものと思われる
。ついで2−ピリジルリチウムは4−メトキシ−ビス(
2−ピリジル)ホスフィンと反応して燐化4−メトキシ
フェニル(2−ピリジル)リチウム(および2,2′−
ビピリジン)を生成する。その後この燐化リチウムは臭
化n−ブチルと反応して(n−ブチル)(4−メトキシ
フェニル)(2−ピリジル)ホスフィンを与える。
【0050】製造例12 メチル  ジ(2−ピリジル)ホスフィンの製造すべて
の操作を不活性雰囲気(窒素またはアルゴン)中で遂行
した。使用に先立って溶剤を乾燥し、そして蒸留した。 n−ブチルリチウムの1.6Mヘキサン溶液36mlを
40mlのジエチルエーテルに加えてから、その混合物
を−40℃に冷却した。攪拌されている混合物に、9.
2gの2−ブロムピリジンを15mlのジエチルエーテ
ルに溶かした溶液を20分間にわたって加え;この添加
中に温度を−40℃に保った。添加後、温度を−5℃ま
で上昇させ、その温度に5分間保ち、ついで再び温度を
−40℃まで低下させた。15mlのジエチルエーテル
中に3.4gのメチルジクロルホスフィンが溶けている
溶液を、攪拌されている混合物に加えた。添加後、混合
物を室温まで温め、溶剤を真空中で除去し、そして50
mlの水と50mlのジクロルメタンを加えた。5分間
激しく攪拌した後、ジクロルメタン層を分離した。50
mlずつのジクロルメタンで水の層を2回抽出し、有機
留分を混ぜ合わせ、そして溶剤を真空中で除去した。残
渣を蒸留すると、帯黄色液体の形で4.0g(68%)
のメチル−ビス(2−ピリジル)ホスフィンが得られた
。この生成物は31P  NMR:δp=−20.5p
pm によって特徴づけられた。
【0051】製造例13 1,3−ビス〔(2−ピリジル)ブチルホスフィノ〕プ
ロパンの製造 20mlのテトラヒドロフラン中に2.4gのビス(2
−ピリジル)フェニルホスフィンを溶かした、−80℃
に冷却されている溶液に、攪拌しながら、n−ブチルリ
チウムの1.6モルn−ヘキサン溶液5.9mlを10
分間かけて加えた。反応混合物の温度を室温まで上昇さ
せてから、−40℃に冷却した。ついで10mlのテト
ラヒドロフラン中に0.96gの1,3−ジブロムプロ
パンを溶かした溶液を、攪拌しながら加えた。反応温度
が室温まで上昇した後、溶剤を減圧下で除去した。つい
で、25mlのジエチルエーテルと10mlの水を加え
た。10分間攪拌した後、有機層を除去し、そして水層
を10mlのジエチルエーテルで抽出した。有機液を混
ぜ合わせ、そして溶剤を減圧下で除去した。NMR分析
は、残留する液体が1,3−ビス〔(2−ピリジル)ブ
チルホスフィノ〕プロパンと2−フェニルピリジンとの
1:2モル混合物からなることを示した。この混合物か
ら1,3−ビス〔(2−ピリジル)ブチルホスフィノ〕
プロパンを蒸留させた。
【0052】製造例14 1,3−ビス〔ジ−(2−ピリジル)ホスフィノ〕プロ
パンの製造 100mlのテトラヒドロフラン(THF)中で13.
2gのトリス(2−ピリジル)ホスフィンおよび0.7
gのリチウムを室温で3日間攪拌した。ついで、20m
lのTHF中に溶かした5.0gの1,3−ジブロムプ
ロパンを15分間にわたって加えた。2時間攪拌した後
、THFを蒸留させ、その後水およびジクロルメタンを
加えた。ジクロルメタン層を分離して蒸発させた。残留
する生成物をジクロルメタンとヘキサンとの温い1:1
混合物中に溶解させ、ついでそれから10gの粘稠な液
体を単離させた。これは、31P  NMRにより、純
度95%の1,3−ビス〔ジ−(2−ピリジル)ホスフ
ィノ〕プロパンであることが示された。
【0053】実施例1 磁気攪拌される300mlのステンレス鋼オートクレー
ブに、酢酸パラジウム(II)0.025ミリモル、ビ
スフェニル(6−メチル−2−ピリジル)ホスフィン1
ミリモル、2−メチル−2−プロピルスルホン酸2ミリ
モル、溶剤としてのN−メチルピロリドン30mlおよ
びメタノール30mlを連続して装入した。ついでオー
トクレーブから空気を追い出した後、0.2%のアレン
を含むプロピン30mlを加えた。つぎに60バールの
圧力になるまで一酸化炭素を加えた。その後オートクレ
ーブを密封して60℃の温度まで加熱した。60℃にお
いて0.15時間反応させた後、オートクレーブの中身
の試料を気液クロマトグラフィーによって分析した。分
析結果から、メタクリル酸メチルへの選択率は99.9
5%であり、そして平均転化速度はプロピン100,0
00モル/Pdグラム原子/時であることが計算された
。 実施例2ないし15および比較例AないしH実施例1と
は異なる酸、溶剤およびホスフィンを使用し、そしてプ
ロピン中のアレン量を異ならせて、実施例1の方法を繰
り返した。それらの結果を表1にまとめて示す。これら
の結果は、アルキルスルホン酸アニオンを含む触媒系が
、パラ−トルエンスルホン酸アニオンおよびベンゼンス
ルホン酸アニオンを包含する他のアニオンを含む触媒系
よりも十分活性が高いことを示している。 これらの結果はまた、プロピンのアレン含有量が増大す
るにつれて触媒の活性が低下すること、およびこの活性
の低下は、N−メチルピロリドンまたはN,N−ジメチ
ルアセトアミドのようなアミドを反応溶剤として選び、
かつ/あるいはホスフィンの酸に対するモル比を増大さ
せることによって制限できることを示している。
【0054】
【表1】
【0055】
【表2】
【0056】
【表3】
【0057】
【表4】
【0058】
【表5】
【0059】
【表6】
【0060】実施例16 磁気攪拌される300mlのステンレス鋼オートクレー
ブに、酢酸パラジウム(II)0.025ミリモル、ビ
スフェニル(6−メチル−2−ピリジル)ホスフィン1
ミリモル、2−メチル−2−プロピルスルホン酸2ミリ
モル、溶剤としてのメタクリル酸メチル30ml、メタ
ノール30mlおよび促進剤としてのジメチルアニリン
10ミリモルを連続して装入した。ついでオートクレー
ブから空気を追い出した後、0.4%のアレンを含むプ
ロピン30mlを加えた。つぎに60バールの圧力にな
るまで一酸化炭素を加えた。その後オートクレーブを密
封して60℃の温度まで加熱した。60℃において0.
1時間反応させた後、オートクレーブの中身の試料を気
液クロマトグラフィーによって分析した。分析結果から
、メタクリル酸メチルへの選択率は99.94%であり
、そして平均転化速度はプロピン90,000モル/P
dグラム原子/時であることが算出された。
【0061】実施例17ないし23 実施例16とは異なる促進剤および酸を使用し、そして
プロピン中のアレン量を異ならせて、実施例16の方法
を繰り返した。それらの結果を表2にまとめて示す。こ
れらの結果は、促進剤として触媒量の第三アミンを使用
すると、触媒に対するアレンの阻害作用を中和できるこ
とを示している。
【0062】
【表7】
【0063】
【表8】
【0064】実施例24 磁気攪拌される250mlのステンレス鋼オートクレー
ブに、酢酸パラジウム(II)0.1ミリモル、ビス〔
(2−ピリジル)フェニルホスフィノ〕プロパン0.1
2ミリモル、p−トルエンスルホン酸0.2ミリモル、
メタノール50mlおよびフェニルエチン10mlを連
続して装入した。ついでオートクレーブから空気を追い
出した後、40バールの圧力になるまで一酸化炭素を加
えた。 その後オートクレーブを密封して60℃の温度まで加熱
した。反応が終了した後、オートクレーブの中身の試料
を気液クロマトグラフィーによって分析した。分析結果
から、フェニルアクリル酸メチルへの選択率(転化され
たプロピンに基づいて)は99%であり、そして平均転
化速度はフェニルエチン1000モル/Pdグラム原子
/時を超えることが算出された。
【0065】実施例25 50mlのメタノールの代りに30mlのt−ブタノー
ルを使用し、そして30mlのフェニルエチンを使用し
た点を除き、実施例24の方法を繰り返した。フェニル
アクリル酸t−ブチルへの選択率は99%であり、そし
て平均転化速度はフェニルエチン600モル/Pdグラ
ム原子/時であることが算出された。
【0066】実施例26 0.12ミリモルのビス〔(2−ピリジル)フェニルホ
スフィノ〕プロパンの代りに0.12ミリモルの1,3
−ビス〔ジ−(2−ピリジル)ホスフィノ〕プロパンを
使用し、そして0.2ミリモルのp−トルエンスルホン
酸の代りに0.2ミリモルのメタンスルホン酸を使用し
た点を除き、実施例25の方法を繰り返した。フェニル
アクリル酸t−ブチルへの選択率は99%であり、そし
て平均転化速度はフェニルエチン200モル/Pdグラ
ム原子/時であることが算出された。
【0067】実施例27 0.2ミリモルのp−トルエンスルホン酸の代りに0.
2ミリモルのt−ブチルスルホン酸を使用し、そして6
0℃の代りに70℃まで加熱した点を除いて、実施例2
5の方法を繰り返した。フェニルアクリル酸t−ブチル
への選択率は98%であり、そして平均転化率はフェニ
ルエチン600モル/Pdグラム原子/時であることが
算出された。
【0068】実施例28 0.2ミリモルのp−トルエンスルホン酸の代りに0.
2ミリモルのメタンスルホン酸を使用し、30mlのt
−ブタノールの代りに40mlのイソプロパノールを使
用し、そして60℃の代りに50℃まで加熱した点を除
いて、実施例25の方法を繰り返した。フェナクリル酸
イソプロピルへの選択率は99%であり、そして平均転
化速度はフェニルエチン800モル/Pdグラム原子/
時であることが算出された。
【0069】実施例29 40mlのイソプロパノールの代りに30mlのメタノ
ールを使用し、そして50℃の代りに40℃まで加熱し
た点を除いて、実施例28の方法を繰り返した。フェニ
ルアクリル酸メチルへの選択率は99%であり、そして
平均転化速度はフェニルエチン600モル/Pdグラム
原子/時であることが算出された。
【0070】実施例30 0.12ミリモルのビス〔(2−ピリジル)フェニルホ
スフィノ〕プロパンの代りに0.12ミリモルのビス〔
(2−ピリジル)ブチルホスフィノ〕プロパンを使用し
た点を除いて、実施例29の方法を繰り返した。フェニ
ルアクリル酸メチルへの選択率は98%であり、そして
平均転化速度はフェニルエチン500モル/Pdグラム
原子/時であることが算出された。
【0071】実施例31 磁気攪拌される250mlのステンレス鋼オートクレー
ブに、酢酸パラジウム(II)0.1ミリモル、ビス〔
(2−ピリジル)フェニルホスフィノ〕プロパン0.1
2ミリモル、メタンスルホン酸1ミリモルおよびメタノ
ール50mlを連続して装入した。ついでオートクレー
ブから空気を追い出した後、エチン(1.4バール)お
よび一酸化炭素(30バール)を加えた。その後オート
クレーブを密封して75℃の温度まで加熱した。反応が
終了した後、オートクレーブの中身の試料を気液クロマ
トグラフィーによって分析した。分析結果から、アクリ
ル酸メチルへの選択率は83%であり、そして平均転化
速度はエチン300モル/Pdグラム原子/時であるこ
とが算出された。興味ある副産物である2,4−ペンタ
ジエン酸メチルは17%の選択率で生成したこともわか
った。
【0072】実施例32 1ミリモルのメタンスルホン酸の代りに1ミリモルのp
−トルエンスルホン酸銅(II) を使用し、そして7
5℃の代りに90℃まで加熱した点を除いて、実施例3
1の方法を繰り返した。アクリル酸メチルへの選択率は
82%であり(残りの18%は2,4−ペンタジエン酸
メチルである)、そして平均転化速度はエチン200モ
ル/Pdグラム原子/時であることが算出された。
【0073】実施例33 1ミリモルのメタンスルホン酸の代りに0.2ミリモル
のp−トルエンスルホン酸を使用し、75℃の代りに9
0℃まで加熱し、そして30バールの代りに60バール
の一酸化炭素を使用した点を除いて、実施例31の方法
を繰り返した。アクリル酸メチルへの選択率は92%で
あり、そして平均転化速度は約エチン100モル/Pd
グラム原子/時であることが算出された。
【0074】実施例34 磁気攪拌される250mlのステンレス鋼オートクレー
ブに、酢酸ニッケル(II)0.5ミリモル、ビス〔(
2−ピリジル)フェニルホスフィノ〕プロパン0.6ミ
リモル、トリフルオルメタンスルホン酸1ミリモルおよ
びn−ブタノール50mlを連続して装入した。ついで
オートクレーブから空気を追い出した後、エチン(1.
4バール)および一酸化炭素(50バール)を加えた。 その後オートクレーブを密封して125℃の温度まで加
熱した。反応が終了した後、オートクレーブの中身の試
料を気液クロマトグラフィーによって分析した。分析結
果から、メタクリル酸n−ブチルへの選択率は100%
であり、そして平均転化速度はエチン100モル/Ni
グラム原子/時であることが算出された。
【0075】実施例35 磁気攪拌される250mlのステンレス鋼オートクレー
ブに、酢酸パラジウム(II)0.05ミリモル、1,
5−ビス〔(2−ピリジル)フェニルホスフィノ〕−3
−オキサペンタン0.06ミリモル、p−トルエンスル
ホン酸0.1ミリモルおよびメタノール50mlを連続
して装入した。ついでオートクレーブから空気を追い出
した後、30mlのプロピンを加えた。その後一酸化炭
素を加えて60バールの圧力にした。ついでオートクレ
ーブを密封した。反応を確実に進行させている間に熱が
発生して、温度は35℃に上昇した。反応が終了した後
、オートクレーブの中身の試料を気液クロマトグラフィ
ーによって分析した。分析結果から、メタクリル酸メチ
ルへの選択率は99.2%であり、そして平均転化速度
はプロピン12,000モル/Pdグラム原子/時であ
ることが算出された。
【0076】実施例36 磁気攪拌される250mlのステンレス鋼オートクレー
ブに、酢酸パラジウム(II)0.1ミリモル、1,5
−ビス〔(2−ピリジル)フェニルホスフィノ〕−3−
オキサペンタン0.11ミリモル、p−トルエンスルホ
ン酸0.2ミリモル、メタノール30mlおよびメタク
リル酸メチル30mlを連続して装入した。ついでオー
トクレーブから空気を追い出した後、30mlのプロピ
ンを加えた。その後一酸化炭素を加えて60バールの圧
力にした。ついでオートクレーブを密封して30℃の温
度に加熱すると、発熱反応が起こって、温度はさらに5
0℃上昇した。反応が終了した後、オートクレーブの中
身の試料を気液クロマトグラフィーによって分析した。 分析結果から、メタクリル酸メチルへの選択率は98.
6%であり、そして平均転化速度はプロピン50,00
0モル/Pdグラム原子/時であることが算出された。

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  a)第VIII族金属源;b)イミノ
    窒素原子含有芳香族置換基を有するホスフィン源; c)プロトン源;および d)アルキルスルホン酸アニオン源を含む、カルボルニ
    化触媒系。
  2. 【請求項2】  第VIII族金属がパラジウムである
    請求項1の触媒系。
  3. 【請求項3】  イミノ窒素原子含有芳香族置換基の中
    のイミノ基が唯1個の橋架け炭素原子を通して燐原子に
    結合している請求項1または2の触媒系。
  4. 【請求項4】  ホスフィンが2−ピリジルホスフィン
    、2−ピリミジルホスフィンまたは2−トリアジニルホ
    スフィンである請求項3の触媒系。
  5. 【請求項5】  アルキルスルホン酸アニオンが1ない
    し6個の炭素原子を有する請求項1ないし4のいずれか
    1項の触媒系。
  6. 【請求項6】  第VIII族金属1グラム原子当りの
    ホスフィンのモル数が2ないし500の範囲にあり、プ
    ロトン1モル当りのホスフィンのモル数が0.5ないし
    50の範囲にあり、そしてプロトン1モル当りのアルキ
    ルスルホン酸アニオンのモル数が0.5ないし50の範
    囲にある請求項1ないし5のいずれか1項の触媒系。
  7. 【請求項7】  さらに促進剤として第三アミンを含む
    請求項1ないし6のいずれか1項の触媒系。
  8. 【請求項8】  アセチレン状不飽和化合物またはオレ
    フィン状不飽和化合物のカルボニル化方法において、請
    求項1ないし7のいずれか1項に定義される触媒系を使
    用する方法。
  9. 【請求項9】  a)第VIII族金属源;b)イミノ
    窒素原子含有芳香族置換基を有するホスフィン源; c)プロトン源;および d)アルキルスルホン酸アニオン源 を含む触媒系の存在下で、アセチレン状不飽和化合物ま
    たはオレフィン状不飽和化合物を一酸化炭素と反応させ
    ることからなる、アセチレン状不飽和化合物またはオレ
    フィン状不飽和化合物のカルボニル化方法。
  10. 【請求項10】  除去可能な水素原子を有する求核性
    化合物が反応剤として存在する請求項9の方法。
  11. 【請求項11】  求核性化合物がヒドロキシル基含有
    化合物である請求項10の方法。
  12. 【請求項12】  温度が20ないし100℃の範囲に
    あり、そして圧力が1ないし70バールの範囲にある請
    求項9ないし11のいずれか1項の方法。
  13. 【請求項13】  アセチレン状不飽和化合物が2ない
    し10個の炭素原子を有するアルファ−アルキンである
    請求項9ないし12のいずれか1項の方法。
  14. 【請求項14】  0.003ないし10:1の範囲の
    アレン状不飽和化合物対アセチレン状不飽和化合物のモ
    ル比で、アレン状不飽和化合物が存在する請求項9ない
    し13のいずれか1項の方法。
  15. 【請求項15】  a)第VIII族金属カチオン源;
    b)イミノ窒素原子含有芳香族置換基によって置換され
    ている燐原子を少なくとも1個有する有機ジホスフィン
    源;および c)アニオン源 を含む触媒系の存在下で、アセチレン状不飽和化合物ま
    たはオレフィン状不飽和化合物を一酸化炭素と反応させ
    ることからなる、アセチレン状不飽和化合物またはオレ
    フィン状不飽和化合物のカルボニル化方法。
  16. 【請求項16】  除去可能な水素原子を有する求核性
    化合物が反応剤として存在する請求項15の方法。
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