JPH04214065A - 配向したBi−Pb−Ca−Sr−Cu−O系多結晶質超伝導体の合成法 - Google Patents

配向したBi−Pb−Ca−Sr−Cu−O系多結晶質超伝導体の合成法

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JPH04214065A
JPH04214065A JP3060966A JP6096691A JPH04214065A JP H04214065 A JPH04214065 A JP H04214065A JP 3060966 A JP3060966 A JP 3060966A JP 6096691 A JP6096691 A JP 6096691A JP H04214065 A JPH04214065 A JP H04214065A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本願は、1990年2月10日頃に提出されかつ本発明
の場合と同じ譲受人に譲渡された「Bi−Pb−Ca−
Sr−Cu−O系超伝導体の合成法」と称するアール・
エイチ・アレントおよびエム・エフ・ガルバウスカス(
R.H. Arendt & M.F. Garbau
skas) の米国特許出願第           
       号、並びに1989年8月28日に提出
されかつ本発明の場合と同じ譲受人に譲渡された「Bi
−Ca−Sr−Cu−O系超伝導体の合成法」と称する
アール・エイチ・アレント(R.H.Arendt) 
の同第07/399197号に関連するものである。
【0001】本発明は、ビスマス−鉛−カルシウム−ス
トロンチウム−銅−酸素系の酸化物超伝導体の製造方法
に関するものである。更に詳しく言えば本発明は、Bi
2−y Pby Ca2 Sr2 Cu3 O10±z
 超伝導相(ただし、yは0.1〜0.5の範囲内の値
、好ましくは0.25〜0.35の範囲内の値、そして
最も好ましくは0.3の値を有し、またzは0〜1未満
の範囲内の値を有する)を含有する超伝導性の多結晶質
焼結体の製造方法に関する。本明細書中においては、上
記の超伝導相を(2223)相と呼ぶことがある。本発
明の焼結体中においては、Bi2−y Pby Ca2
 Sr2 Cu3 O10±z 超伝導相のc軸同士は
少なくとも共通の方向から大幅に逸れないという程度に
まで平行に整列している。すなわち、(2223)相の
c軸は実質的に平行なのである。 ランダムに配向した(2223)結晶(すなわち、c軸
が共通の方向から大幅に逸れているような結晶)の割合
は、ほとんど問題にならない程度に小さいのが普通であ
る。
【0002】本発明においては、超伝導性のBi2 C
aSr2 Cu2 O 8±x (ただし、xは0〜0
.5の範囲内の値を有する)が反応体として使用される
。本明細書中においては、この超伝導性反応体を(21
22)と呼ぶことがある。
【0003】実施の一態様に従って簡単に述べれば、配
向した結晶質Bi2−y Pby Ca2 Sr2 C
u3 O10±z 超伝導相(ただし、yは0.1〜0
.5の範囲内の値を有し、またzは0〜1未満の範囲内
の値を有する)を少なくとも90重量%の量で含有する
固形焼結体を製造するための本発明方法は、(a) 前
記超伝導相を生成すると共に、前記焼結体中において前
記超伝導相を生成する反応を推進するのに十分な過剰量
のCa2 CuO3 および酸化第二銅を含有するよう
に配合されたBi2 CaSr2 Cu2 O 8±x
 (ただし、xは0〜0.5の範囲内の値を有する)、
Ca2 CuO3 、酸化第二銅および酸化鉛から成っ
ていて、前記Ca2 CuO3 および酸化第二銅は実
質的に相等しいモル量で存在し、かつ前記Bi2 Ca
Sr2 Cu2 O 8±x は実質的に単分散状態の
結晶を成しているような焼結性の粒子状反応体混合物を
有機液状ビヒクル中に分散させて成るスラリーを調製し
、(b) 前記Bi2 CaSr2 Cu2 O 8±
x 結晶の整列を可能にするような状態で前記反応体が
前記スラリー中に懸濁しており、かつ前記Bi2 Ca
Sr2 Cu2 O8±x 結晶の整列を可能にするよ
うな量で前記反応体が前記スラリー中に存在していると
いう条件の下で前記スラリーに整列用磁界を印加するこ
とにより、c軸同士が実質的に平行になるように前記B
i2 CaSr2 Cu2 O 8±x 結晶を整列さ
せ、(c) 前記整列用磁界中において前記有機液状ビ
ヒクルを除去することにより、c軸同士が実質的に平行
になるように整列した状態で前記Bi2 CaSr2 
Cu2 O 8±x 結晶を含有し、一定の厚さを有し
、かつ前記c軸に対して実質的に垂直な加圧面を有する
ような注型体を形成し、(d) 酸化雰囲気中において
820〜860℃の範囲内の反応温度下で前記注型体を
焼成することにより、十分な量の前記Bi2 CaSr
2 Cu2 O 8±x 結晶をc軸同士が実質的に平
行な状態の前記結晶質Bi2−y Pby Ca2 S
r2 Cu3 O10±z 超伝導相に転化させ、それ
によって部分的に焼結されかつ顕著に膨張した部分反応
中間生成物を生成させ、(e) 酸化雰囲気中において
前記中間生成物を冷却することにより、顕著に膨張した
厚さを有し、かつ前記結晶質Bi2−y Pby Ca
2 Sr2 Cu3 O10±z 超伝導相および残留
する前記Bi2 CaSr2 Cu2 O8±x 結晶
のc軸に対して実質的に垂直な加圧面を有する固体中間
生成物を得、(f) 前記超伝導相のc軸と実質的に平
行な一軸圧力を前記固体中間生成物の前記加圧面に加え
てそれの膨張を除去することにより、前記注型体の厚さ
と同等もしくはそれより小さい厚さを有する圧縮生成物
を生成させ、(g) 最終焼結反応生成物の生成を妨害
するのに十分な量の液体を生じる温度より低い820〜
860℃の範囲内の反応温度を使用しながら酸化雰囲気
中において前記圧縮生成物の最終焼成を行うことにより
、前記圧縮生成物の顕著な膨張を引起こすことなく、少
なくとも90重量%の量で前記超伝導相を含有する最終
焼結反応生成物を生成させ、次いで(h) 酸化雰囲気
中において前記最終焼結反応生成物を冷却することによ
り、5容量%から25容量%未満までの範囲内の開放気
孔率を有する前記固形焼結体を得る諸工程から成ってい
て、前記工程(d) 、(e) および(f) が十分
な程度にまで実施される結果、前記工程(f) におい
て得られた前記圧縮生成物が前記工程(g) において
顕著な膨張を示さないことによって前記固形焼結体の製
造が可能になることを特徴とするものである。
【0004】別の実施の態様に従って簡単に述べれば、
配向した結晶質Bi2−y Pby Ca2 Sr2 
Cu3 O10±z 超伝導相(ただし、yは0.1〜
0.5の範囲内の値を有し、またzは0〜1未満の範囲
内の値を有する)を少なくとも90重量%の量で含有す
る固形焼結体を製造するための本発明方法は、(a) 
前記超伝導相を生成すると共に、前記焼結体中において
前記超伝導相を生成する反応を推進するのに十分な過剰
量のCa2 CuO3 および酸化第二銅を含有するよ
うに配合されたBi2 CaSr2 Cu2 O 8±
x (ただし、xは0〜0.5の範囲内の値を有する)
、Ca2 CuO3 、酸化第二銅および酸化鉛から成
っていて、前記Ca2 CuO3 および酸化第二銅は
実質的に相等しいモル量で存在し、かつ前記Bi2 C
aSr2 Cu2 O 8±x は実質的に単分散状態
の結晶を成しているような焼結性の粒子状反応体混合物
を有機液状ビヒクル中に分散させて成るスラリーを調製
し、(b) 前記Bi2 CaSr2 Cu2 O 8
±x 結晶の整列を可能にするような状態で前記反応体
が前記スラリー中に懸濁しており、かつ前記Bi2 C
aSr2 Cu2 O 8±x 結晶の整列を可能にす
るような量で前記反応体が前記スラリー中に存在してい
るという条件の下で前記スラリーに整列用磁界を印加す
ることにより、c軸同士が実質的に平行になるように前
記Bi2 CaSr2 Cu2 O8±x 結晶を整列
させ、(c) 前記整列用磁界中において前記有機液状
ビヒクルを除去することにより、c軸同士が実質的に平
行になるように整列した状態で前記Bi2 CaSr2
 Cu2 O 8±x 結晶を含有し、かつ前記c軸に
対して実質的に垂直な表面を有するような注型体を形成
し、(d) 酸化雰囲気中において820〜830℃の
範囲内の温度下で前記注型体を焼成することにより、前
記粒子同士が直接に結合されておりかつ前記超伝導相が
X線回折分析によって検出されないような予備結合物体
を形成し、(e) 酸化雰囲気中において前記予備結合
物体を冷却し、(f) 前記予備結合物体を切断するこ
とにより、一定の厚さを有し、かつ互いに結合された前
記Bi2 CaSr2 Cu2 O 8±x 結晶のc
軸に対して実質的に垂直な加圧面を有するような少なく
とも1個の断片を得、(g) 前記断片を銀の箔および
(または)薄板で包囲することにより、圧力を伝達する
銀包被を形成し、(h) 酸化雰囲気中において820
〜860℃の範囲内の反応温度下で包囲状態の前記断片
を焼成することにより、十分な量の前記Bi2 CaS
r2 Cu2 O 8±x 結晶をc軸同士が実質的に
平行な状態の前記結晶質Bi2−y Pby Ca2 
Sr2 Cu3 O10±z 超伝導相に転化させ、そ
れによって顕著に膨張した部分反応中間焼結生成物を生
成させ、(i) 酸化雰囲気中において前記中間焼結生
成物を冷却することにより、顕著に膨張した厚さを有し
、かつ前記結晶質Bi2−y Pby Ca2 Sr2
 Cu3 O10±z 超伝導相および残留する前記B
i2 CaSr2 Cu2 O 8±x 結晶のc軸に
対して実質的に垂直な加圧面を有する包囲状態の固体中
間生成物を得、(j) 前記銀包被を通し、前記超伝導
相のc軸と実質的に平行な一軸圧力を前記固体中間生成
物の前記加圧面に直接に加えてそれの膨張を除去するこ
とにより、前記断片の厚さと同等もしくはそれより小さ
い厚さを有する圧縮生成物を生成させ、(k) 最終焼
結反応生成物の生成を妨害するのに十分な量の液体を生
じる温度より低い820〜860℃の範囲内の反応温度
を使用しながら酸化雰囲気中において包囲状態の前記圧
縮生成物の最終焼成を行うことにより、前記圧縮生成物
の顕著な膨張を引起こすことなく、少なくとも90重量
%の量で前記超伝導相を含有する最終焼結反応生成物を
生成させ、(l) 酸化雰囲気中において包囲状態の前
記最終焼結反応生成物を冷却することにより、5容量%
から25容量%未満までの範囲内の開放気孔率を有する
前記固形焼結体を得、次いで(m) 前記固形焼結体か
ら前記銀包被を除去する諸工程から成っていて、前記工
程(h) 、(i)および(j) が十分な程度にまで
実施される結果、前記工程(j) において得られた前
記圧縮生成物が前記工程(k) において顕著な膨張を
示さないことによって前記固形焼結体の製造が可能にな
ることを特徴とするものである。
【0005】本発明方法の実施に際しては、反応体Bi
2 CaSr2 Cu2 O 8±x (ただし、xは
0〜0.5の範囲内の値を有する)、すなわち(212
2)から成る超伝導体粉末が使用される。なお、xは0
の値を有することが好ましい。(2122)粉末は少な
くとも90重量%の量で(2122)を含有する必要が
あり、また(2122)粉末中に存在することのあるそ
の他全ての成分は本発明方法に顕著な悪影響を及ぼすも
のであってはならない。なお、(2122)粉末は95
重量%を越える量または98重量%を越える量で(21
22)を含有することが好ましい。また、X線回折分析
によって検査した場合、(2122)粉末は(2122
)の単一相から成ることが一層好ましい。
【0006】かかる(2122)粉末は、好ましくは約
70Kより高いゼロ抵抗転移温度(すなわち、電気抵抗
が存在しなくなる温度)を有し、また一層好ましくは約
80Kのゼロ抵抗転移温度を有する。
【0007】上記のごとき(2122)材料は、公知の
ごとく、固相反応(すなわち、成分酸化物の均質混合物
を空気のごとき酸化雰囲気中において焼成し、次いで反
応生成物を酸化雰囲気中において冷却することから成る
操作)によって製造することができる。とは言え、90
〜95重量%を越える量で(2122)を含有する粉末
を固相反応によって製造することは困難である。
【0008】上記のごとき(2122)材料は、米国特
許出願第07/399197号明細書中に記載された方
法に従って製造することが好ましい。この特許出願明細
書中には、式Bi2 CaSr2 Cu2 Ox (た
だし、xは約7.5〜約8.5の範囲内の値を有する)
によって表わされる組成を持った焼結性超伝導体粉末の
製造方法が開示されている。かかる方法は、(a) 炭
酸カルシウム、炭酸ストロンチウムおよび酸化銅から成
る第1の混合物を調製し、(b) 液体を生成しない温
度を使用しながら空気中において前記第1の混合物を焼
成することにより、前記炭酸塩をほぼ完全に分解して実
質的に化合したカルシウム−ストロンチウム−銅の酸化
物生成物を得、(c) 前記超伝導体を生成するように
配合された前記酸化物生成物および三二酸化ビスマスと
、塩化ナトリウム、塩化カリウムおよびそれらの混合物
から成る群より選ばれかつ少なくとも前記超伝導体の生
成を達成するのに十分な量で使用されるアルカリ金属塩
化物溶媒とから成る第2の混合物を調製し、(d) 前
記アルカリ金属塩化物溶媒を融解するのに十分な反応温
度にまで前記第2の混合物を加熱し、(e) 前記反応
温度を維持することにより、生成した溶融アルカリ金属
塩化物溶媒中に前記酸化物生成物および三二酸化ビスマ
スを連続的に溶解し、かつ前記溶融アルカリ金属塩化物
溶媒中に溶解した酸化物を連続的に反応させて前記超伝
導体を析出させ、(f) こうして得られた反応塊を冷
却して前記溶融アルカリ金属塩化物溶媒を凝固させ、(
g) こうして得られた凝固物に水を添加することによ
って前記アルカリ金属塩化物溶媒を溶解し、(h) 沈
殿した前記超伝導体を回収し、次いで(i) 前記超伝
導体を微粉砕して粉末とする諸工程から成っている。
【0009】米国特許出願第07/399197号の方
法に従って製造された(2122)材料は、一般に98
重量%を越える量で(2122)を含有している。また
、X線回折分析によって検査した場合、それは(212
2)の単一相から成るのが通例である。
【0010】なお、米国特許出願第07/399197
号明細書中に開示された方法によって(2223)材料
を製造することはできない。
【0011】他の反応体と混合するのに先立ち、(21
22)材料を微粉砕することにより、本発明反応の生起
を可能にするような(実験的に決定される)所望の粒度
を有する実質的に単分散状態の結晶から成る粉末を生成
させることが好ましい。かかる(2122)粉末の平均
粒度は、最大寸法について10ミクロン以下であること
が好ましく、また2ミクロン未満であれば一層好ましい
。かかる目的のためには、得られる粉末に顕著な悪影響
を及ぼさない通常の微粉砕技術を使用することができる
【0012】本発明方法においては、Ca2 CuO3
 とCuOとの混合物から成る酸化物生成物を使用する
ことによって反応体混合物が調製される。一般に、かか
る酸化物生成物はCa2 CuO3 とCuOとの実質
的に均質もしくは均質な混合物から成っている。
【0013】かかる酸化物生成物を得るためには、一般
的に述べれば、先ず最初に炭酸カルシウムと酸化銅との
粒子状混合物が調製される。かかる混合物は均質もしく
は実質的に均質であることが好ましい。かかる混合物は
酸化物生成物の生成を可能にするような(実験的に決定
される)粒度を有するが、この粒度は1ミクロン未満か
ら20ミクロンまでの範囲内にあるのが通例であり、ま
た平均粒度は1ミクロン未満であることが好ましい。か
かる混合物は、両成分に対して顕著な悪影響を及ぼさな
いような通常の技術によって調製することができる。そ
のためには、好ましくはジルコニア製の摩砕媒体を使用
しながら室温の蒸留水中において両成分に湿式摩砕を施
し、次いで空気中において乾燥することが好ましい。一
般に、かかる混合物は等モル量もしくは実質的に等モル
量の酸化カルシウムおよび酸化第二銅を生成するように
配合される。こうして得られた混合物は、少なくとも炭
酸塩を分解するのには十分であるが実質的な量の液体を
生成するほどには高くない温度を使用しながら、ほぼ大
気圧の空気中において焼成される。なお、実質的な量の
液体が生成すると、両成分が混合物の一部の領域に分離
して実質的に不均質な生成物を生じることになる。一般
的に述べれば、焼成温度は約850〜約950℃の範囲
内にあればよいが、好ましくは約925℃である。かか
る焼成は、少なくとも実質的な量の炭酸塩が残留しなく
なるまで行われる。かかる焼成に際しては、酸化第一銅
は酸化第二銅を生成し、また炭酸カルシウムは分解して
酸化カルシウムを生成しかつ酸化第二銅と反応する結果
、Ca2 CuO3 とCuOとの混合物から成る酸化
物生成物が得られる。こうして得られた酸化物生成物は
ほぼ大気圧の空気中において冷却されるが、好ましくは
室温にまで炉内冷却される。かかる酸化物生成物中には
、Ca2 CuO3 およびCuOが等モル量もしくは
実質的に等モル量で存在している。一般に、かかる酸化
物生成物は実質的な量の酸化カルシウムおよび酸化第一
銅を含有せず、また好ましくはそれらを全く含有しない
。この場合に起こる反応は下記の通りである。
【0014】CaO+CuO→ 1/2Ca2 CuO
3 + 1/2CuO=“CaCuO2 ”上記のごと
き酸化物生成物は砕け易い物質である。それ故、他の反
応体と混合するのに先立ち、通常の手段(たとえば、乳
鉢および乳棒)を用いてそれに軽度の乾式粉砕を施すこ
とにより、一般に約40メッシュ(米国標準ふるい)の
粒度を有する流動性粉末とすることが好ましい。
【0015】その他の成分としては、一般に酸化鉛粉末
が使用される。かかる酸化鉛粉末としては、商業的に入
手可能な粒度範囲のもの、すなわち1ミクロン未満から
10ミクロンまでの平均粒度を有するものを使用すれば
満足すべき結果が得られる。
【0016】本発明方法の実施に際しては、一般的に述
べれば、(2122)材料、Ca2 CuO3 、酸化
第二銅および酸化鉛から成る粒子状反応体混合物を有機
液状ビヒクル中に分散させて成るスラリーが調製される
。これらの反応体は本発明方法において所望組成の(2
223)超伝導相を生成するような量で使用されるので
あって、かかる量は実験的に決定される。詳しく述べれ
ば、(2223)を生成すると共に、Ca2 CuO3
 とCuOとの混合物から成る過剰量の酸化物生成物(
便宜上「CaCuO2 」と呼ぶことがある)を含有す
るように反応体混合物が配合される。過剰量の「CaC
uO2 」とは、本発明方法において(2122)を所
要量の(2223)に転化させるのに十分な量の「Ca
CuO2 」を意味する。このような「CaCuO2 
」の過剰量は実験的に決定されるが、それは反応体の粒
度に大きく依存する。反応体の粒度が小さいほど、それ
らの間の接触度は高くなり、従って(2223)を生成
する反応を推進するために必要な「CaCuO2 」の
過剰量は少なくなる。この場合に起こる反応は下記の通
りである。
【0017】 一般に、反応体混合物中に存在する(2122)の1モ
ルについて1.1〜1.75モルの「CaCuO2 」
が使用される。
【0018】一般に、酸化鉛の使用量は(2223)中
に所望されるPbの量に大きく依存する。
【0019】上記のごときスラリーを調製するために使
用される有機液状ビヒクルは、粒子状の反応体を効果的
に分散させ得るようなものである。一般に述べれば、そ
れは有機液体と分散剤とから成る溶液である。かかる液
状ビヒクルは、一般に、反応体に対して不活性もしくは
実質的に不活性なもの、すなわち反応体と反応しないも
のである。なお、それは非水性のものであるか、あるい
は実質的な量の水を含有しないものであることが好まし
い。また、有機液体は100℃未満の沸点を有するもの
であることが好ましく、とりわけヘプタンであれば特に
好ましい。
【0020】分散剤は有機物質であって、有機液体中に
可溶なものでなければならない。それは反応体の分散を
助けるのに有効な量で使用すればよいが、かかる量は実
験的に決定される。一般に、分散剤はスラリーの全体積
を基準として10容量%未満、好ましくは5容量%の量
で使用される。分散剤(または液状ビヒクル)は、82
0℃までの温度下で注型体から揮発することにより、得
られる焼結体の転移温度に顕著な悪影響を及ぼすような
量で残留しないことが必要である。なお、かかる分散剤
は商業的に入手可能である。
【0021】上記の粒子状反応体混合物は、(2122
)結晶をそれの優先磁化軸に沿って磁気的に整列させて
所望の焼結体を製造することを可能にするような状態で
スラリー中に分散または懸濁していなければならない。 なお、粒子状反応体混合物はスラリー中に一様もしくは
実質的に一様に懸濁していることが好ましい。
【0022】上記の粒子状反応体混合物はまた、(21
22)結晶をそれの優先磁化軸に沿って磁気的に整列さ
せることを可能にするような量でスラリー中に存在して
いなければならないが、かかる量は実験的に決定される
。一般に、反応体の総合含量はスラリーの全体積を基準
として60容量%未満であるが、通例は30〜50容量
%の範囲内にある。
【0023】本発明のスラリーを調製するためには、諸
成分に対して顕著な悪影響を及ぼさずかつ得られる焼結
体中に望ましくない不純物を導入しないような通常の混
合および微粉砕技術を使用することができる。すなわち
、反応体を混合することにより、本発明の(2223)
超伝導体を製造するための反応および焼結を実施するの
に十分なだけの均質性および微細な粒度を有する粒子状
混合物が調製される。その場合には、良好な接触を達成
するため、反応体の混合によって実質的な汚染なしにで
きるだけ均質な混合物を調製することが好ましい。
【0024】混合および微粉砕に関する好適な実施の態
様に従えば、反応体に湿式摩砕が施され、こうして得ら
れた摩砕スリップが乾性ガス中において乾燥される。一
般に、反応体は有機液体媒質中において摩砕されるが、
かかる液体媒質は反応体に対して不活性もしくは実質的
に不活性なもの(すなわち、反応体と反応しないもの)
である。通例、かかる液体媒質は非水性のものであるか
、あるいは実質的な量の水を含有しないものである。 一般的に述べれば、かかる液体媒質は有機液体と(摩砕
を助けるために役立つ)数滴の有機分散剤とから成る溶
液である。なお、有機液体は100℃未満の沸点を有す
るものであることが好ましく、とりわけヘプタンであれ
ば特に好ましい。分散剤は、スラリーの調製時に使用さ
れたものと同じであることが好ましい。かかる摩砕は、
ジルコニア製の摩砕媒体を使用しながらほぼ室温下で実
施されることが好ましい。通例は水と同様な流動性を有
する摩砕スリップは、それと全くもしくはほとんど反応
しない乾性ガス中において乾燥されることが好ましい。 通例、かかる乾性ガスは窒素、空気またはそれらの混合
物である。ここで言う「乾性ガス」とは、100ppm
 以下の水を含有するガスを意味する。かかる蒸発はほ
ぼ大気圧または部分真空の下で行うことができる。また
、かかる蒸発は約50〜約70℃の範囲内の温度下で行
うことが好ましい。
【0025】こうして得られた乾燥混合物と上記のごと
き有機液状ビヒクルとが本発明のスラリーを生成するよ
うな量で混合されるが、かかる混合は通常の方法(通例
は摩砕)によって行うことができる。なお、かかる摩砕
はジルコニア製の摩砕媒体を使用しながらほぼ室温下で
行うことが好ましい。
【0026】本発明のスラリー中においては、粒子状反
応体混合物は実験的に決定される焼結可能な粒度を有し
ている。すなわち、(2122)粉末は一般に最大寸法
として10ミクロン未満の平均粒度を有するが、好まし
くは2ミクロン未満の平均粒度を有する。残りの反応体
は1ミクロン未満から2ミクロンまでの範囲内の平均粒
度を有することが好ましい。なお、(2122)粉末は
単分散状態もしくは実質的に単分散状態の結晶から成っ
ている。
【0027】一般的に述べれば、通例は濃い糖蜜状の粘
度を有する本発明のスラリーは、焼成温度下で注型体と
全くもしくはほとんど反応しない焼成容器(通例は皿状
の容器)内に注入される。一般に、820〜825℃の
範囲内の焼成温度下ではアルミナ製の容器が適当である
。しかるに、825℃を越える焼成温度下では金または
銀製の容器が通例必要とされる。一部の反応体(とりわ
け鉛)の損失を防止すると共に、より均質な焼成雰囲気
を保持してより均質な焼成物の生成を促進するため、焼
成容器にはゆるい蓋を設けることが好ましい。
【0028】本発明方法の実施に際しては、(2122
)結晶を(c軸に対して平行な)それの優先磁化軸に沿
って少なくとも実質的に整列させるため、スラリーに整
列用磁界が印加される。一般に、かかる整列用磁界は約
1〜約100キロエルステッドの範囲内にあればよいが
、実際の強さは実験的に決定される。
【0029】かかる整列用磁界をスラリーに印加しなが
ら、(通例は蒸発により)液体を除去することによって
焼成容器内に本発明の注型体が形成される。一般に、注
型体を形成するための磁気的整列および蒸発は空気中に
おいてほぼ大気圧および室温の下で行われる。こうして
得られる注型体は乾燥した状態もしくは実質的に乾燥し
た状態のものであって、それは液体を全くもしくはほと
んど含有しないことが好ましい。
【0030】上記の注型体は、焼成容器の内部形状に対
応した形状を有する。注型体中における(2122)結
晶の整列度は、本発明の焼結体を製造するのに十分なも
のでなければならない。注型体中においては、(212
2)結晶のc軸同士は平行もしくは実質的に平行になっ
ている。また、注型体は(2122)結晶のc軸に対し
て垂直もしくは実質的に垂直な表面を有するが、実施の
一態様に従えば、この表面は得られる中間生成物の加圧
面を成すことになる。
【0031】実施の一態様に従えば、上記の注型体を焼
成することによって部分的に焼結された部分反応中間生
成物が生成される。また、好適な実施の態様に従えば、
注型体を焼成することによって予備結合物体が形成され
る。残留する分散剤の熱分解によって発生したガスが(
2122)結晶の整列状態に対して顕著な影響を及ぼす
のを防止するため、注型体を所望の最高温度にまで加熱
する速度は十分に小さいものでなければならない。かか
る加熱速度は実験的に決定されるが、それは残留する分
散剤の量および注型体の寸法に大きく依存する。一般に
、加熱速度は毎時20〜50℃の範囲内にある。
【0032】好適な実施の態様に従えば、先ず最初に注
型体を820〜830℃の範囲内の温度下で焼成するこ
とにより、切断のために十分な機械的強度を有する予備
結合物体(すなわち、粒子または結晶同士が直接に結合
して成る物体)が形成される。かかる初期焼成は、実質
的な量の(2223)相を生成するほどの長い時間にわ
たっては行われない。
【0033】かかる予備結合物体をほぼ室温にまで冷却
(通例は炉内冷却)することにより、多孔質の固形予備
結合物体が得られる。X線回折分析によって検査した場
合、この予備結合物体中に(2223)相は検出されな
い。通例、予備結合物体の寸法は注型体の寸法とほとん
ど違わない。
【0034】予備結合物体中においては、互いに結合し
た(2122)結晶のc軸同士は少なくとも実質的に平
行であり、またそれらのc軸は予備結合物体の一表面に
対して実質的に垂直である。かかる予備結合物体を切断
することにより、(2122)結晶の整列したc軸に対
して垂直もしくは実質的に垂直な表面(すなわち、加圧
面)を有する少なくとも1個の断片(通例は複数の断片
)が得られる。一般に、上記のc軸は加圧面と反対側の
表面に対しても垂直もしくは実質的に垂直である。加圧
面とそれの反対側の表面との間の寸法は該断片の厚さを
規定する。該断片の加圧面は、それから得られた中間生
成物の加圧面を成す。
【0035】上記のごとき切断により、所望の寸法およ
び形状を持った断片が得られる。一般に、各々の断片は
2つの互いに対向した平坦な主面を有していて、かかる
主面の一方が加圧面を成す。通例、かかる断片は0.0
10インチから数インチまでの範囲内の厚さ(多くは0
.1〜0.25インチの範囲内の厚さ)を持った棒、直
方体または立方体の形状を有する。切断は通常の方法(
たとえば、カミソリおよびハンマの使用)によって行う
ことができる。
【0036】各々の断片は、銀箔、銀薄板またはそれら
の組合せから成る銀包被によって包囲される。一般に、
銀箔および銀薄板は室温下で柔軟性を有する。通例、銀
箔の厚さは0.005インチ未満であり、また銀薄板の
厚さは0.050インチ未満である。かかる銀包被は断
片の一部を露出させないことが必要であり、また気密封
止構造を形成することが好ましい。
【0037】上記のごとき銀包被は酸素透過性を有する
。それは実質的に均質な反応雰囲気を保持すると共に、
蒸発による反応体(とりわけ鉛)の損失もしくは顕著な
損失を防止するために役立つ。銀包被はまた、断片と焼
成容器との反応を防止することにより、任意の反応温度
下で安価な焼成容器(たとえば、アルミナ製の容器)を
使用することを可能にする。なお、銀包被は断片と全く
反応しないか、あるいは(2223)にとって有害な程
度には反応しない。更にまた、銀包被は圧力を伝達する
【0038】銀包被で包囲された断片を酸化雰囲気中に
おいて820〜860℃の範囲内の温度下で焼成して反
応体を反応させることにより、十分な量の(2122)
が(2223)に転化され、それによって顕著に膨張し
た部分反応中間生成物が生成される。詳しく述べれば、
(2122)結晶から(2223)結晶への転化が(2
223)結晶の成長をもたらし、それが膨張を引起こす
。その結果、十分な量の(2122)結晶が(2223
)結晶に転化すれば、一般に25容量%を越える開放気
孔率(従って、本発明の焼結体を製造するためには大き
過ぎる開放気孔率)を有する顕著に膨張した中間生成物
が得られることになる。
【0039】詳しく述べれば、単一の焼成工程によって
中間生成物を生成させるような実施の一態様においては
、(2122)結晶の転化により、一般に中間生成物の
20〜70重量%の量で(2223)相が生成される。 かかる単一の焼成工程によって中間生成物を生成させる
際には、最終焼結反応生成物を得るための最終焼成工程
において膨張もしくは顕著な膨張を示さないような圧縮
生成物を生成させるのに十分なだけの転化量を得る必要
がある。
【0040】こうして得られた包囲状態の中間生成物を
酸化雰囲気中においてほぼ室温にまで冷却(通例は炉内
冷却)することにより、部分的に焼結されかつ部分的に
反応した固体中間生成物が得られる。こうして得られた
(2223)結晶のc軸の配向状態は、(2122)結
晶のc軸の配向状態と実質的に同じである。
【0041】本発明方法の好適な実施の態様に従えば、
銀包被を通して固体中間生成物の加圧面に一軸圧力が直
接に加えられる。一般に、かかる一軸圧力は室温下で加
えられるが、それは通常の方法(たとえば、水圧プレス
の使用)によって行うことができる。かかる一軸圧力は
(2223)結晶のc軸と平行もしくは実質的に平行に
加えられる。かかる一軸圧力は、(2223)結晶およ
び残留する(2122)のc軸の整列状態に顕著な悪影
響を及ぼすものであってはならない。実際の圧力は実験
的に決定される。それは中間生成物の厚さを低減させ、
それによって焼成前の断片の厚さと同等もしくは(好ま
しくは)それより小さい厚さを有する圧縮生成物を生成
させるものでなければならない。
【0042】最も好適な実施の態様に従えば、中間生成
物を得るための焼成工程、およびそれによって得られる
膨張した中間生成物に一軸圧力を加える工程を十分なだ
け繰返すことにより、最終焼成工程において本発明の最
終焼結反応生成物を生成し得るような最終圧縮生成物が
生成される。かかる実施の態様においては、最初の膨張
した中間生成物を得るための焼成の程度、圧縮後の中間
生成物の焼成の程度、およびこれらの焼成の回数は実験
的に決定される。一般的に述べれば、かかる実施の態様
においては、圧縮された場合、反応温度下で最終焼成を
施すことによって顕著な膨張を示すことなく本発明の焼
結体の製造を可能にする最終圧縮生成物を与えるような
中間生成物が得られるまで上記の焼成が繰返される。か
かる実施の態様においては、中間生成物を得るための焼
成を1回行う毎に、(2223)の含量は少なくとも1
%(通例は少なくとも5%)だけ増加するのが普通であ
る。一般に、最終圧縮生成物は70重量%未満の量で(
2223)を含有している。
【0043】本発明方法においては、中間生成物の圧縮
により、(2223)結晶は押し戻されて残りの反応体
と接触し、かつそれらの整列状態が改善される。その結
果、最終焼成工程においては、残留する(2122)か
ら(2223)への転化に伴って顕著な膨張は起こらな
いのである。
【0044】こうして得られた包囲状態の最終圧縮生成
物を酸化雰囲気中において820〜860℃の範囲内の
反応温度下で焼成することにより、少なくとも90重量
%の量(一般に90〜95重量%の範囲内の量)で(2
223)超伝導相を含有する最終焼結反応生成物が生成
される。
【0045】中間反応生成物を生成させるための反応温
度、圧縮後の中間生成物を繰返して焼成するための反応
温度、および最終焼結反応生成物を生成させるための反
応温度は、通例は820〜840℃の範囲内にあり、ま
た好ましくは835℃である。かかる反応温度は、(2
223)の生成を妨害するほどの反応体の偏析を引起こ
すのに十分な量の液体を生じる温度よりも低くなければ
ならない。実際の反応温度は実験的に決定されるが、そ
れは反応体の組成(すなわち、焼成すべき物質の組成)
に大きく依存する。
【0046】中間反応生成物を生成させると共に最終焼
結反応生成物を生成させるための反応時間は、実験的に
決定される。それは、少なくとも90重量%の量で(2
223)を含有する本発明の最終焼結反応生成物を生成
させるのに十分なものでなければならない。一般に、全
反応時間は100〜200時間の範囲内にある。
【0047】最終焼結反応生成物を酸化雰囲気中におい
てほぼ室温にまで冷却(通例は炉内冷却)することによ
り、本発明の超伝導性(2223)焼結体が得られる。 通例、かかる焼結体は5〜20容量%の範囲内の開放気
孔率を有している。一般に、それは閉鎖気孔を全くもし
くはほとんど有していない。
【0048】ここで言う「開放気孔」とは、焼結体の表
面に開いており、従って内面が周囲の雰囲気に接触し得
るような細孔または空隙を意味する。ここで言う「閉鎖
気孔」とは、焼結体の表面に開いておらず、従って周囲
の雰囲気に接触していない細孔または空隙を意味する。 気孔率は、焼結体の研摩断面を光学的に検査するなどの
標準的な金属組織学的技術によって測定することができ
る。
【0049】焼成によって得られた生成物の冷却速度は
、顕著な悪影響を及ぼさない限り、様々に変化し得る。 詳しく述べれば、冷却速度は熱衝撃を引起こすほどに大
きいものであってはならない。実施の一態様に従えば、
焼成によって得られた生成物は炉内冷却される。
【0050】一般に、本発明方法において使用される酸
化雰囲気(すなわち、焼成用の雰囲気および冷却用の雰
囲気)は少なくとも1容量%または少なくとも20容量
%の酸素を含有するものであり、また雰囲気の残部は生
成物に対して顕著な悪影響を及ぼさない気体である。か
かる気体の実例としては、窒素ガスおよびアルゴンやヘ
リウムのごとき貴ガスが挙げられる。なお、酸化雰囲気
は空気から成ることが好ましい。一般に、酸化雰囲気は
ほぼ大気圧下にある。
【0051】一般に、本発明の超伝導性焼結体は約10
0Kより高いゼロ抵抗転移温度を有し、また好ましくは
約105Kより高いゼロ抵抗転移温度を有する。なお、
それのゼロ抵抗転移温度は約105〜約111Kの範囲
内にあるのが通例である。
【0052】本発明の焼結体は、たとえば、低温下にお
ける磁気遮蔽体のごとき超伝導装置並びに磁石、電動機
、発電機および送電線路用の導体として有用である。
【0053】本発明を一層詳しく説明するため、以下に
実施例を示す。これらの実施例中においては、特に記載
の無い限り、下記の手順を使用した。
【0054】分散剤としては、「トリトン(Trito
n)X−100」の商品名で販売されている有機分散剤
を使用した。
【0055】全ての焼成または加熱工程および冷却工程
は、ほぼ大気圧の空気中において行った。
【0056】焼成は炭化ケイ素抵抗炉内において行った
【0057】ここで言う「室温」とは、15〜30℃の
範囲内の温度を意味する。
【0058】
【実施例1】本実施例においては、米国特許出願第07
/399197号の方法に従って(2122)粉末を製
造した。
【0059】100.09gの炭酸カルシウム、295
.26gの炭酸ストロンチウムおよび159.08gの
酸化第二銅から成る粒子状混合物を、高密度のジルコニ
アから成る直径 3/8インチの摩砕媒体と共に2リッ
トルのポリエチレンジャー内に装入した。蒸留水を摩砕
液とし、かつ数滴の分散剤を使用しながら、上記の混合
物に対して室温下で3時間にわたり湿式摩砕を施した。 こうして得られたスラリーを摩砕媒体から分離した後、
約120〜150℃の炉内において空気中で乾燥した。
【0060】こうして得られた粉末材料は1ミクロン未
満の平均粒度を有していた。この粉末材料を高密度かつ
高純度のアルミナから成る複数の浅いセラミックボート
内に配置することにより、各ボート内に約1.0〜1.
5cmの深さを有するかさ密度の小さい粉末層を形成し
た。これらのボートをアルミナ製のゆるい蓋で覆った。
【0061】上記のごとき粉末材料をほぼ大気圧の空気
中において加熱した。その際には、熱衝撃から保護する
ために毎時100℃の速度で750℃まで加熱し、それ
から毎時10℃の速度で925℃まで加熱した。粉末材
料を48時間にわたって925℃に保った後、室温まで
炉内冷却した。こうして得られた生成物についてX線回
折分析を行ったところ、炭酸塩は完全に分解して対応す
る酸化物を生成していると共に、それらの酸化物は相互
にかつ酸化第二銅と反応して複合酸化物および酸化物の
固溶体を生成していることが判明した。単独の酸化物は
ほとんど検出されなかった。
【0062】こうして得られたカルシウム−ストロンチ
ウム−銅の酸化物生成物95.10g、三二酸化ビスマ
ス103.85gおよびアルカリ金属塩化物溶媒50g
から成る混合物を調製した。アルカリ金属塩化物溶媒は
50モル%のNaClおよび50モル%のKClから成
り、そして酸化物およびアルカリ金属塩化物溶媒の合計
量を基準として約20重量%を占めていた。かかる混合
物の一部を取出し、高密度のジルコニアから成る直径 
3/8インチの摩砕媒体1600gと共に500mlの
ポリエチレンジャー内に装入し、そして室温下で45分
間にわたり乾式摩砕を施した。摩砕後の粉末材料をナイ
ロンふるいによって摩砕媒体から分離し、そして高密度
かつ高純度のアルミナから成るボート内に配置すること
により、かさ密度の小さい粉末層を形成した。かかるボ
ートをアルミ製のゆるい蓋で覆った。
【0063】上記のごとき粉末材料をほぼ大気圧の空気
中において反応させた。詳しく述べれば、かかる粉末材
料を毎時100℃の速度で850℃まで加熱し、44時
間にわたって850℃に保ち、次いで室温まで炉内冷却
した。
【0064】こうして得られた生成物は、超伝導体の結
晶凝集体と凝固したアルカリ金属塩化物溶媒とが混合し
たものから成っていた。超伝導体を回収するため、アル
カリ金属塩化物溶媒の溶解度が20g/100mlであ
るという仮定に基づき、アルカリ金属塩化物溶媒を蒸留
水に溶解した。かかる工程の所要時間は30分であった
。 このようにしてアルカリ金属塩化物溶媒から分離された
粒子状の超伝導体をフィルタ上に捕集し、300mlず
つの蒸留水を用いて室温下で10回にわたり洗浄し、そ
して最後に300mlずつの無水メタノール水で2回洗
浄した。最後に、フィルタ上に得られた超伝導体を室温
および大気圧の下で風乾した。
【0065】こうして得られた超伝導体の凝集体粉末の
超伝導性を通常の方法(すなわち、交流磁化法)によっ
て測定した。この方法は、LC共振回路中において該粉
末を能動素子として使用しながら、共振周波数を回路温
度の関数として測定するというものである。この場合、
共振周波数がバックグラウンドよりも大きい増加を示し
た時の温度が転移温度である。
【0066】その結果、凝集体粉末は約73Kのゼロ抵
抗転移温度を有することが判明した。
【0067】また、かかる超伝導体の凝集体粉末のX線
回折分析によれば、それはBi2 CaSr2 Cu2
 Ox の単一相から成ることが判明した。別の研究結
果に基づけば、xは約8であることがわかった。
【0068】
【実施例2】本実施例においては、等モル量のCa2 
CuO3 およびCuOから成る酸化物生成物を製造し
た。
【0069】数滴の分散剤を含有する蒸留水中において
、100.09gの炭酸カルシウム(平均粒度約1ミク
ロン)および79.54gの酸化第二銅(平均粒度約5
0ミクロン)をジルコニア球と共に室温下で2時間にわ
たり摩砕した。こうして得られたスラリーを100℃の
空気中において乾燥し、次いでジルコニア球をふるい上
に分離した。
【0070】こうして得られた乾燥混合物を空気中にお
いて925℃で48時間にわたり焼成し、次いで室温に
まで炉内冷却した。こうして得られた生成物は砕け易い
物質であって、それを乳鉢および乳棒で粉砕することに
より、約40メッシュ(米国標準ふるい)の粒度を有す
る流動性の粉末とした。
【0071】この粉末のX線回折分析によれば、それは
Ca2 CuO3 とCuOとの混合物(「CaCuO
2 」)から成ることが判明した。この混合物は均質に
見えた。
【0072】
【実施例3】実施例1において得られた(2122)凝
集体粉末50.00g、実施例2において得られた酸化
物生成物粉末(「CaCuO2 」)11.45g[(
2122)1モル当り1.5モル]、および2.0ミク
ロンの平均粒度を有するPbO粉末3.77g[(21
22)1モル当り0.3モル]に対し、高密度のジルコ
ニア球を使用しながら、「サルコシルO(Sarkos
yl O)」の商品名で販売されている分散剤の数滴を
含有する200gの乾燥ヘプタン中において湿式摩砕を
施した。かかる摩砕は、室温下で約0.5時間にわたり
行った。こうして得られた摩砕スリップをほぼ大気圧の
乾性窒素ガス中において室温下で乾燥した。
【0073】こうして得られた粒子状の乾燥混合物は、
反応体の均質混合物から成るように思われた。別の研究
結果に基づけば、(2122)材料は最大寸法について
2ミクロン未満の平均長さを有する単結晶から実質的に
成ること、および残りの反応体は1ミクロン未満の平均
粒度を有することがわかった。また、別の研究結果に基
づけば、この乾燥混合物は焼結可能なものであることも
わかった。
【0074】まだジルコニア球を含有する乾燥混合物に
約44gの乾燥ヘプタンおよび0.44gのサルコシル
O分散剤をを添加した。この混合物を室温下で約5分間
にわたり摩砕することによって本発明のスラリーを調製
した。
【0075】4.0テスラの磁界中に配置された高密度
アルミナ製の皿状容器内に上記のスラリーを注入した。 磁界を印加しながら、ほぼ大気圧の空気中において室温
下でヘプタンを蒸発させたところ、成分分離の形跡を示
さない反応体のケーキが得られた。かかるケーキには磁
界の方向に対して垂直な亀裂が認められたが、これはc
軸が磁界に平行になるようにして(2122)が整列し
ていることを示す特徴である。
【0076】アルミナ製のゆるい蓋で覆った皿状容器内
において上記のケーキを軽く焼結した。詳しく述べれば
、かかるケーキを空気中において毎時50℃の速度で8
25℃まで加熱し、2時間にわたって825℃に保ち、
次いで室温にまで炉内冷却した。追加の亀裂をほとんど
生じることなしにケーキは収縮し、従って皿状容器から
取出すことができた。次いで、存在する割れ目と平行(
かつ磁界方向に対して垂直)に配置されたカミソリの刃
を用いてケーキから棒状の試験片を切出した。各々の試
験片は約0.25インチの厚さ、0.25インチの幅お
よび2インチの長さを有していた。(2122)のc軸
は各試験片の主面(すなわち、互いに対向した表面)と
平行であった。これらの主面の一方が加圧面として使用
された。
【0077】c軸に対して垂直な試験片の表面上に厚さ
0.010インチの銀薄板を配置した後、試験片全体を
厚さ0.002インチの銀箔で包囲した。このようにし
て、試験片全体がほぼ2層の銀箔で包囲された。
【0078】こうして得られた構造物に対して焼成工程
および圧縮工程を施した。詳しく述べれば、かかる構造
物を開放状態のアルミナ製皿状容器内に配置した後、空
気中において毎時50℃の速度で835℃まで加熱し、
24時間にわたって835℃に保ち、次いで室温にまで
炉内冷却した。銀包被を使用せずに行った別の研究の結
果に基づけば、こうして得られた包囲状態の部分焼結試
験片は顕著な膨張を示し、それの開放気孔率は25%よ
り大きく、かつそれは約25重量%の量で(2223)
を含有することがわかった。
【0079】次に、水圧プレスを用いて上記の構造物を
室温下で圧縮した。詳しく述べれば、銀包被を通し、試
験片の一方の主面(すなわち加圧面)に約7000ps
i の一軸圧力を約30秒間にわたって加えた。銀包被
を使用せずに行った別の研究の結果に基づけば、この圧
縮工程は膨張および十分な量の開放気孔を除去すること
により、焼成前の試験片の厚さよりも小さい厚さを有す
る圧縮試験片を生み出すことがわかった。
【0080】上記のごとき焼成工程および圧縮工程を4
回にわたって繰返した。すなわち、圧縮構造物を焼成し
て得られた構造物を再び圧縮するという操作を4回にわ
たり繰返すことによって最終圧縮生成物を得た。銀包被
を使用せずに行った別の研究の結果に基づけば、各回の
圧縮工程は膨張および十分な量の開放気孔を除去するこ
とにより、焼成前の試験片の厚さよりも小さい厚さを有
する圧縮試験片を生み出すことがわかった。
【0081】銀包被を使用せずに行った別の研究の結果
に基づけば、上記の最終圧縮生成物は反応温度において
再び顕著な膨張を示さないことがわかった。
【0082】包囲状態の最終圧縮生成物を空気中におい
て毎時50℃の速度で835℃まで加熱し、100時間
にわたって835℃に保ち、次いで室温にまで炉内冷却
した。
【0083】その後、銀包被を除去した。こうして得ら
れた最終焼結試験片は最初の焼成工程前の厚さよりも小
さい厚さを有していた。別の研究結果に基づけば、かか
る最終焼結試験片は少なくとも90重量%の量で(22
23)相を含有することがわかった。また、別の研究結
果に基づけば、かかる最終焼結試験片は10容量%より
大きくかつ20容量%より小さい開放気孔率を有するこ
ともわかった。
【0084】こうして得られた最終焼結試験片の超伝導
性を通常の方法(すなわち、四針抵抗率測定法)によっ
て測定した。
【0085】上記の最終焼結試験片(すなわち、本発明
の焼結体)は、約107.5Kのゼロ抵抗転移温度を有
することが判明した。
【0086】
【実施例4】本実施例においては、酸化物生成物粉末(
「CaCuO2 」)を(2122)1モル当り1.1
0モルの量で使用した点を除けば、実施例3の場合と同
じ操作手順を繰返した。
【0087】こうして得られた最終焼結試験片は、10
8Kのゼロ抵抗転移温度を有することが判明した。
【0088】
【実施例5】本実施例においては、酸化物生成物粉末(
「CaCuO2 」)を(2122)1モル当り1.0
5モルの量で使用した点を除けば、実施例3の場合と同
じ操作手順を繰返した。
【0089】こうして得られた最終焼結試験片は、10
7Kのゼロ抵抗転移温度を有することが判明した。
【0090】
【実施例6】本実施例においては、酸化物生成物粉末(
「CaCuO2 」)を(2122)1モル当り1.0
0モルの量で使用した点を除けば、実施例3の場合と同
じ操作手順を繰返した。
【0091】こうして得られた最終焼結試験片は、10
5Kのゼロ抵抗転移温度を有することが判明した。ゼロ
抵抗転移温度がこのように低かった理由は、本発明方法
において要求されるような過剰量の酸化物生成物粉末を
使用しなかったため、試験片中に存在する(2223)
の含量が低過ぎたことにある。

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  配向した結晶質Bi2−y Pby 
    Ca2 Sr2 Cu3 O10±z 超伝導相(ただ
    し、yは0.1〜0.5の範囲内の値を有し、またzは
    0〜1未満の範囲内の値を有する)を少なくとも90重
    量%の量で含有する焼結体の製造方法において、 (a) Bi2 CaSr2 Cu2 O 8±x (
    ただし、xは0〜0.5の範囲内の値を有する)、Ca
    2 CuO3 、酸化第二銅および酸化鉛から成ってい
    て焼結性の粒子状反応体混合物を有機液状ビヒクル中に
    分散させて成るスラリーを調製し、ただし、前記混合物
    の調合は前記超伝導相が生成するように行い、しかも前
    記焼結体中に前記超伝導相が生成する反応を推進するの
    に十分なCa2 CuO3 および酸化第二銅を過剰量
    にて配合し、これらCa2 CuO3 および酸化第二
    銅は実質的に相等しいモル量で存在し、Bi2 CaS
    r2 Cu2 O 8±x は単分散状態の結晶から実
    質的に成るものであり、(b) 前記スラリーに整列用
    磁界を印加することにより、c軸同士が実質的に平行に
    なるように前記Bi2 CaSr2 Cu2 O 8±
    x 結晶を整列させ、ただし、前記反応体は前記スラリ
    ー中において当該整列が可能となるほどの量と懸濁状態
    にあり、 (c) 前記整列用磁界中において前記有機液状ビヒク
    ルを除去することにより、c軸同士が実質的に平行にな
    るように前記Bi2 CaSr2 Cu2 O 8±x
     結晶を整列させ、かつ前記c軸に対して加圧面が実質
    的に垂直になるように厚みをもった注型体を形成し、 (d) 酸化雰囲気中において820〜860℃の範囲
    内の反応温度下で前記注型体を焼成しながら十分な量の
    前記Bi2 CaSr2 Cu2 O 8±x 結晶を
    c軸同士が実質的に平行な前記結晶質Bi2−y Pb
    y Ca2 Sr2 Cu3 O10±z 超伝導相に
    転化させ、それによってかなり膨張した部分反応中間焼
    成物を生成させ、(e) 酸化雰囲気中において前記中
    間焼成物を冷却することにより、前記結晶質Bi2−y
     Pby Ca2 Sr2 Cu3 O10±z 超伝
    導相および残留する前記Bi2 CaSr2 Cu2 
    O 8±x 結晶のc軸に対して加圧面が実質的に垂直
    になるようにかなり厚みの増した中間焼成物を得、(f
    ) 前記超伝導相のc軸と実質的に平行な一軸圧力を前
    記中間焼成物の前記加圧面に加えて先の膨張を解消する
    ことにより、前記注型体の厚さと同等もしくはそれより
    小さい厚さを有する圧縮体を生成させ、(g) 820
    〜860℃の範囲内の反応温度を使用しながら酸化雰囲
    気中において前記圧縮体の最終焼成を行うことにより、
    この最終焼成中に前記圧縮体はさほど膨張することなく
    、少なくとも90重量%の量で前記超伝導相を含有する
    最終焼結反応生成物を生成させ、ただし、前記反応温度
    よりも高い温度では前記最終焼結反応生成物の生成を妨
    害するほどの液体が生じる、(h) 酸化雰囲気中にお
    いて前記最終焼結反応生成物を冷却することにより、5
    容量%から25容量%未満までの範囲内の開放気孔率を
    有する焼結体を得る諸工程から成っていて、前記工程(
    d) 、(e) および(f)を十分な程度にまで実施
    することにより前記工程(f) において得られる前記
    圧縮体は前記工程(g) においてさほど膨張せずに目
    的とする焼結体の製造が可能になることを特徴とする方
    法。
  2. 【請求項2】  前記酸化雰囲気が空気である請求項1
    記載の方法。
  3. 【請求項3】  前記工程(d) および(g) にお
    ける前記反応温度が820〜840℃の範囲内にある請
    求項1記載の方法。
  4. 【請求項4】  前記工程(d) および(g) にお
    ける前記反応温度が835℃である請求項1記載の方法
  5. 【請求項5】  前記超伝導相におけるyが0.25〜
    0.35の範囲内の値を有する請求項1記載の方法。
  6. 【請求項6】  前記超伝導相におけるyが0.3の値
    を有する請求項1記載の方法。
  7. 【請求項7】  配向した結晶質Bi2−y Pby 
    Ca2 Sr2 Cu3 O10±z 超伝導相(ただ
    し、yは0.1〜0.5の範囲内の値を有し、またzは
    0〜1未満の範囲内の値を有する)を少なくとも90重
    量%の量で含有する焼結体の製造方法において、(a)
     Bi2 CaSr2 Cu2 O 8±x (ただし
    、xは0〜0.5の範囲内の値を有する)、Ca2 C
    uO3 、酸化第二銅および酸化鉛から成っていて焼結
    性の粒子状反応体混合物を有機液状ビヒクル中に分散さ
    せて成るスラリーを調製し、ただし、前記混合物の調合
    は前記超伝導相が生成するように行い、しかも前記焼結
    体中に前記超伝導相が生成する反応を推進するのに十分
    なCa2 CuO3 および酸化第二銅を過剰量にて配
    合し、これらCa2 CuO3 および酸化第二銅は実
    質的に相等しいモル量で存在し、Bi2 CaSr2 
    Cu2 O 8±x は単分散状態の結晶から実質的に
    成るものであり、 (b) 前記スラリーに整列用磁界を印加することによ
    り、c軸同士が実質的に平行になるように前記Bi2 
    CaSr2 Cu2 O 8±x 結晶を整列させ、た
    だし、前記反応体は前記スラリー中において当該整列が
    可能となるほどの量と懸濁状態にあり、 (c) 前記整列用磁界中において前記有機液状ビヒク
    ルを除去することにより、c軸同士が実質的に平行に、
    かつc軸と注型体の表面とが垂直になるように前記Bi
    2 CaSr2 Cu2 O 8±x 結晶を整列させ
    た注型体を形成し、 (d) 酸化雰囲気中において820〜830℃の範囲
    内の温度下で前記注型体を焼成することにより、前記粒
    子同士が直接に結合されておりかつ前記超伝導相がX線
    回折分析によって検出されないような予備焼成体を形成
    し、(e) 酸化雰囲気中において前記予備焼成体を冷
    却し、(f) 前記予備焼成体を切断することにより、
    互いに結合した前記Bi2 CaSr2 Cu2 O 
    8±x 結晶のc軸に対して加圧面が実質的に垂直にな
    るように厚みをもった少なくとも1個の断片を得、 (g) 前記断片を銀の箔および(または)シートで包
    囲することにより、圧力を伝達する銀包被を形成し、(
    h) こうして銀包被に入れられた前記断片を酸化雰囲
    気中において820〜860℃の範囲内の反応温度下で
    焼成しながら十分な量の前記Bi2 CaSr2 Cu
    2 O 8±x 結晶をc軸同士が実質的に平行な前記
    結晶質Bi2−y Pby Ca2 Sr2 Cu3 
    O10±z 超伝導相に転化させ、それによってかなり
    膨張した部分反応中間焼成物を生成させ、 (i) 酸化雰囲気中において銀包被に入れられた前記
    中間焼成物を冷却することにより、前記結晶質Bi2−
    y Pby Ca2 Sr2 Cu3 O10±z 超
    伝導相および残留する前記Bi2 CaSr2 Cu2
     O 8±x 結晶のc軸に対して加圧面が実質的に垂
    直になるようにかなり厚みの増した中間焼成物を銀包被
    に入れられた状態で得、(j) 前記超伝導相のc軸と
    実質的に平行な一軸圧力を前記銀包被を通して前記中間
    焼成物の前記加圧面に直接加えて先の膨張を解消するこ
    とにより、前記断片の厚さと同等もしくはそれより小さ
    い厚さを有する圧縮体を生成させ、 (k) 820〜860℃の範囲内の反応温度を使用し
    ながら酸化雰囲気中において前記銀包被に入れられた前
    記圧縮体の最終焼成を行うことにより、この最終焼成中
    に前記圧縮体はさほど膨張することなく、少なくとも9
    0重量%の量で前記超伝導相を含有する最終焼結反応生
    成物を生成させ、ただし、前記反応温度よりも高い温度
    では前記最終焼結反応生成物の生成を妨害するほどの液
    体が生じる、 (l) 酸化雰囲気中において前記銀包被に入れられた
    前記最終焼結反応生成物を冷却することにより、5容量
    %から25容量%未満までの範囲内の開放気孔率を有す
    る焼結体を得、ただし、前記工程(h) 、(i) お
    よび(j) を十分な程度にまで実施することにより前
    記工程(j) において得られる前記圧縮体は前記工程
    (k) においてさほど膨張せずに目的とする焼結体の
    製造が可能になり、(m) 前記焼結体から前記銀包被
    を除去することを特徴とする方法。
  8. 【請求項8】  前記酸化雰囲気が空気である請求項7
    記載の方法。
  9. 【請求項9】  前記工程(h) および(k) にお
    ける前記反応温度が820〜840℃の範囲内にある請
    求項7記載の方法。
  10. 【請求項10】  前記工程(h) および(k) に
    おける前記反応温度が835℃である請求項7記載の方
    法。
  11. 【請求項11】  前記超伝導相におけるyが0.25
    〜0.35の範囲内の値を有する請求項7記載の方法。
  12. 【請求項12】  前記超伝導相におけるyが0.3の
    値を有する請求項7記載の方法。
  13. 【請求項13】  配向した結晶質Bi2−y Pby
     Ca2 Sr2 Cu3 O10±z 超伝導相(た
    だし、yは0.1〜0.5の範囲内の値を有し、またz
    は0〜1未満の範囲内の値を有する)を少なくとも90
    重量%の量で含有する焼結体の製造方法において、 (a) Bi2 CaSr2 Cu2 O 8±x (
    ただし、xは0〜0.5の範囲内の値を有する)、Ca
    2 CuO3 、酸化第二銅および酸化鉛から成ってい
    て焼結性の粒子状反応体混合物を有機液状ビヒクル中に
    分散させて成るスラリーを調製し、ただし、前記混合物
    の調合は前記超伝導相が生成するように行い、しかも前
    記焼結体中に前記超伝導相が生成する反応を推進するの
    に十分なCa2 CuO3 および酸化第二銅を過剰量
    にて配合し、これらCa2 CuO3 および酸化第二
    銅は実質的に相等しいモル量で存在し、Bi2 CaS
    r2 Cu2 O 8±x は単分散状態の結晶から実
    質的に成るものであり、(b) 前記スラリーに整列用
    磁界を印加することにより、c軸同士が実質的に平行に
    なるように前記Bi2 CaSr2 Cu2 O 8±
    x 結晶を整列させ、ただし、前記反応体は前記スラリ
    ー中において当該整列が可能となるほどの量と懸濁状態
    にあり、 (c) 前記整列用磁界中において前記有機液状ビヒク
    ルを除去することにより、c軸同士が実質的に平行に、
    かつc軸と注型体の表面とが垂直になるように前記Bi
    2 CaSr2 Cu2 O 8±x 結晶を整列させ
    た注型体を形成し、 (d) 酸化雰囲気中において820〜830℃の範囲
    内の温度下で前記注型体を焼成することにより、前記粒
    子同士が直接に結合されておりかつ前記超伝導相がX線
    回折分析によって検出されないような予備焼成体を形成
    し、(e) 酸化雰囲気中において前記予備焼成体を冷
    却し、(f) 前記予備焼成体を切断することにより、
    互いに結合した前記Bi2 CaSr2 Cu2 O 
    8±x 結晶のc軸に対して加圧面が実質的に垂直にな
    るように厚みをもった少なくとも1個の断片を得、 (g) 前記断片を銀の箔および(または)シートで包
    囲することにより、圧力を伝達する銀包被を形成し、(
    h) こうして銀包被に入れられた前記断片を酸化雰囲
    気中において820〜860℃の範囲内の反応温度下で
    焼成しながら十分な量の前記Bi2 CaSr2 Cu
    2 O 8±x 結晶をc軸同士が実質的に平行な前記
    結晶質Bi2−y Pby Ca2 Sr2 Cu3 
    O10±z 超伝導相に転化させ、それによってかなり
    膨張した部分反応中間焼成物を生成させ、 (i) 酸化雰囲気中において銀包被に入れられた前記
    中間焼成物を冷却することにより、前記結晶質Bi2−
    y Pby Ca2 Sr2 Cu3 O10±z 超
    伝導相および残留する前記Bi2 CaSr2 Cu2
     O8±x 結晶のc軸に対して加圧面が実質的に垂直
    になるようにかなり厚みの増した中間焼成物を銀包被に
    入れられた状態で得、(j) 前記超伝導相のc軸と実
    質的に平行な一軸圧力を前記銀包被を通して前記中間焼
    成物の前記加圧面に直接加えて先の膨張を解消すること
    により、前記断片の厚さと同等もしくはそれより小さい
    厚さを有する圧縮体を生成させ、 (k) 820〜860℃の範囲内の反応温度を使用し
    ながら酸化雰囲気中において前記銀包被に入れられた前
    記圧縮体の最終焼成を行うことにより、この最終焼成中
    に前記圧縮体はさほど膨張することなく、少なくとも9
    0重量%の量で前記超伝導相を含有する最終焼結反応生
    成物を生成させ、ただし、前記反応温度よりも高い温度
    では前記最終焼結反応生成物の生成を妨害するほどの液
    体が生じる、 (l) 酸化雰囲気中において前記銀包被に入れられた
    前記最終焼結反応生成物を冷却することにより、5容量
    %から25容量%未満までの範囲内の開放気孔率を有す
    る焼結体を得、ただし、前記工程(h) 、(i) お
    よび(j) を複数回にわたって実施することにより前
    記工程(j) において得られる前記圧縮体は前記工程
    (k) においてさほど膨張せずに目的とする焼結体の
    製造が可能になり、(m) 前記焼結体から前記銀包被
    を除去することを特徴とする方法。
  14. 【請求項14】  前記酸化雰囲気が空気である請求項
    13記載の方法。
  15. 【請求項15】  前記工程(h) および(k) に
    おける前記反応温度が820〜840℃の範囲内にある
    請求項13記載の方法。
  16. 【請求項16】  前記工程(h) および(k) に
    おける前記反応温度が835℃である請求項13記載の
    方法。
  17. 【請求項17】  前記超伝導相におけるyが0.25
    〜0.35の範囲内の値を有する請求項13記載の方法
  18. 【請求項18】  前記超伝導相におけるyが0.3の
    値を有する請求項13記載の方法。
JP3060966A 1990-03-05 1991-03-04 配向したBi−Pb−Ca−Sr−Cu−O系多結晶質超伝導体の合成法 Expired - Lifetime JPH0742164B2 (ja)

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DE (1) DE69103177T2 (ja)
IL (1) IL97299A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006236979A (ja) * 2005-02-21 2006-09-07 Dowa Mining Co Ltd 酸化物超電導体厚膜およびその製造方法、並びに、酸化物超電導体厚膜製造用ペースト

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3151558B2 (ja) * 1990-05-28 2001-04-03 財団法人生産開発科学研究所 Bi―Pb―Sr―Ca―Cu―O系超電導物質
US5242896A (en) * 1990-03-07 1993-09-07 Agency For Industrial Science And Technology Superconductor crystal and process for preparing the same
EP0447994A3 (en) * 1990-03-16 1992-01-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Bismuth oxide superconductor and method of preparing the same
JP3074753B2 (ja) * 1990-03-26 2000-08-07 住友電気工業株式会社 ビスマス系酸化物超電導体の製造方法
US5204316A (en) * 1990-04-02 1993-04-20 General Electric Company Preparation of tape of silver covered bi-pb-ca;sr-cu-o oriented polycrystal superconductor
JP3008453B2 (ja) * 1990-07-16 2000-02-14 住友電気工業株式会社 ビスマス系超電導体の製造方法
US6273963B1 (en) 1992-02-10 2001-08-14 Iap Research, Inc. Structure and method for compaction of powder-like materials
US6432554B1 (en) 1992-02-10 2002-08-13 Iap Research, Inc. Apparatus and method for making an electrical component
US5611139A (en) * 1992-02-10 1997-03-18 Iap Research, Inc. Structure and method for compaction of powder-like materials
US5689797A (en) * 1992-02-10 1997-11-18 Iap Research, Inc. Structure and method for compaction of powder-like materials
US5405574A (en) * 1992-02-10 1995-04-11 Iap Research, Inc. Method for compaction of powder-like materials
US5529981A (en) * 1992-03-05 1996-06-25 Holloway; Alex Process and apparatus for preparing biaxially textured materials using anisotropy in the paramagnetic susceptibility
US6295716B1 (en) 1994-10-28 2001-10-02 American Superconductor Corporation Production and processing of (Bi,Pb) SCCO superconductors
US6311386B1 (en) 1994-10-28 2001-11-06 American Superconductor Corporation Processing of (Bi,Pb)SCCO superconductor in wires and tapes
US6247224B1 (en) 1995-06-06 2001-06-19 American Superconductor Corporation Simplified deformation-sintering process for oxide superconducting articles
JP3239695B2 (ja) * 1995-07-17 2001-12-17 株式会社村田製作所 電子部品
US6811887B2 (en) 1996-07-29 2004-11-02 Iap Research, Inc. Apparatus and method for making an electrical component
US7362015B2 (en) * 1996-07-29 2008-04-22 Iap Research, Inc. Apparatus and method for making an electrical component
US6069116A (en) 1997-09-10 2000-05-30 American Superconductor Corp. Method of forming BSCCO superconducting composite articles
US6868778B2 (en) * 2001-09-14 2005-03-22 Iap Research, Inc. System and method for loading a plurality of powder materials in an electromagnetic compaction press
JP2004265958A (ja) 2003-02-27 2004-09-24 Tdk Corp 電子部品の製造方法、および基体シート

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0285108B1 (en) * 1987-03-31 1993-09-15 Sumitomo Electric Industries Limited Method of producing superconducting wire
US4975411A (en) * 1987-05-19 1990-12-04 Fonar Corporation Superconductors and methods of making same
US4942151A (en) * 1987-09-28 1990-07-17 Arch Development Corporation Magnetic preferential orientation of metal oxide superconducting materials
JPH0251A (ja) * 1987-10-20 1990-01-05 Konica Corp 高コントラスト画像形成方法
US4880771A (en) * 1988-02-12 1989-11-14 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Bismuth-lead-strontium-calcium-cuprate superconductors
JPH0251805A (ja) * 1988-08-12 1990-02-21 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 超電導セラミックス積層体およびその製造法
US4943557A (en) * 1988-08-15 1990-07-24 At&T Bell Laboratories Method of making a high density YBa Cu3 Ox superconductor material
JPH0780710B2 (ja) * 1988-08-26 1995-08-30 科学技術庁金属材料技術研究所長 酸化物高温超電導体の製造法
US4939121A (en) * 1988-10-20 1990-07-03 General Dynamics Corporation, Electronics Division Method and apparatus for inducing grain orientation by magnetic and electric field ordering during bulk superconductor synthesis

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006236979A (ja) * 2005-02-21 2006-09-07 Dowa Mining Co Ltd 酸化物超電導体厚膜およびその製造方法、並びに、酸化物超電導体厚膜製造用ペースト

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