JPH04153654A - マスクパターン形成用露光データ作成方法 - Google Patents
マスクパターン形成用露光データ作成方法Info
- Publication number
- JPH04153654A JPH04153654A JP2278240A JP27824090A JPH04153654A JP H04153654 A JPH04153654 A JP H04153654A JP 2278240 A JP2278240 A JP 2278240A JP 27824090 A JP27824090 A JP 27824090A JP H04153654 A JPH04153654 A JP H04153654A
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- JP
- Japan
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- mask pattern
- pattern formation
- overlap
- exposure data
- formation
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- Pending
Links
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004513 sizing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
マスクパターン形成用設計データを処理してマスクパタ
ーン形成用露光データを作成するマスクパターン形成用
露光データ作成方法に関し、定義枠の重なり合いによる
多重露光を防止できるようにすることを目的とし、 定義枠の重なり合いをチェックすることにより定義枠の
重なり合いのないマスクパターン形成用露光データを作
成する。
ーン形成用露光データを作成するマスクパターン形成用
露光データ作成方法に関し、定義枠の重なり合いによる
多重露光を防止できるようにすることを目的とし、 定義枠の重なり合いをチェックすることにより定義枠の
重なり合いのないマスクパターン形成用露光データを作
成する。
［産業上の利用分野］
本発明は、マスクパターン形成用設計データを処理して
マスクパターン形成用露光データを作成するマスクパタ
ーン形成用露光データ作成方法に関する。
マスクパターン形成用露光データを作成するマスクパタ
ーン形成用露光データ作成方法に関する。
［従来の技術］
マスクパターン形成用露光データを作成する基礎となる
マスクパターン形成用設計データについては、通常、階
層処理によるデータの圧縮が行われている。第３図は、
かかる設計データの階層構造を示す図であって、図中、
Ａはチップ全体、Ｂ１、Ｂ２は繰り返しの大きいブロッ
ク（例えば、２ｍｍ口程度）、Ｃ１１〜Ｃ２２は繰り返
しの最小単位（例えば、１００μｍ口程度）を示してい
る。
マスクパターン形成用設計データについては、通常、階
層処理によるデータの圧縮が行われている。第３図は、
かかる設計データの階層構造を示す図であって、図中、
Ａはチップ全体、Ｂ１、Ｂ２は繰り返しの大きいブロッ
ク（例えば、２ｍｍ口程度）、Ｃ１１〜Ｃ２２は繰り返
しの最小単位（例えば、１００μｍ口程度）を示してい
る。
ここに、メモリ品種などの設計データの中には特定のフ
ィグを繰り返し参照している場合がある。
ィグを繰り返し参照している場合がある。
この繰り返しのある階層構造を利用してデータの処理を
行うことで、大幅な処理時間の短縮と出力データの圧縮
が可能となる。
行うことで、大幅な処理時間の短縮と出力データの圧縮
が可能となる。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、階層処理を行うと、例えば、第４図に示すよ
うに、定義枠（データの階層処理において各グループ間
でスリットやオーバラップが生じないようにパターン存
在領域を判断し、実パターンを配置する際のフレーム）
ｌをコピーする際に操作ミスによって定義枠１を重ねて
しまう場合があり、このように、定義枠１を重ねてしま
うと、この部分につき多重露光が行われてしまい、パタ
ーン２が破線３で示すように太ってしまい、設計値通り
のパターンを形成できない場合があるという問題点があ
った。
うに、定義枠（データの階層処理において各グループ間
でスリットやオーバラップが生じないようにパターン存
在領域を判断し、実パターンを配置する際のフレーム）
ｌをコピーする際に操作ミスによって定義枠１を重ねて
しまう場合があり、このように、定義枠１を重ねてしま
うと、この部分につき多重露光が行われてしまい、パタ
ーン２が破線３で示すように太ってしまい、設計値通り
のパターンを形成できない場合があるという問題点があ
った。
本発明は、かかる点に鑑み、定義枠の重なり合いによる
多重露光を防止できるようにしたマスクパターン形成用
露光データ作成方法を提供することを目的とする。
多重露光を防止できるようにしたマスクパターン形成用
露光データ作成方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明によるマスクパターン形成用露光データ作成方法
は、マスクパターン形成用設計データを処理してマスク
パターン形成用露光データを作成するマスクパターン形
成用露光データ作成方法において、定義枠の重なり合い
をチェックすることにより定義枠の重なり合いのないマ
スクパターン形成用露光データを作成するというもので
ある。
は、マスクパターン形成用設計データを処理してマスク
パターン形成用露光データを作成するマスクパターン形
成用露光データ作成方法において、定義枠の重なり合い
をチェックすることにより定義枠の重なり合いのないマ
スクパターン形成用露光データを作成するというもので
ある。
［作用］
本発明によれば、定義枠の重なり合いをチェックするこ
とにより定義枠の重なり合いのないマスクパターン形成
用露光データを作成するとしているので、定義枠の重な
り合いによる多重露光を回避することができる。
とにより定義枠の重なり合いのないマスクパターン形成
用露光データを作成するとしているので、定義枠の重な
り合いによる多重露光を回避することができる。
［実施例］
以下、第１図及び第２図を参照して、本発明の一実施例
につき説明する。なお、第２図において第３図に対応す
る部分には同一符号を付している。
につき説明する。なお、第２図において第３図に対応す
る部分には同一符号を付している。
第１図は本発明の一実施例を示すフローチャートであっ
て、本実施例においては、まず、マスクパターン形成用
設計データを電子計算機に入力する（ステップ１）。
て、本実施例においては、まず、マスクパターン形成用
設計データを電子計算機に入力する（ステップ１）。
次に、定義枠をパターンとして判断して、定義枠に重な
り合いがあるか否かを判断する（ステップ２）、ここに
、定義枠に重なり合いがない場合（ステップ２でＮｏの
場合）には、サイジング、シフト、ミラー、リダクト等
、通常の処理を行い（ステップ３）、マスクパターン形
成用露光データを得るようにする。
り合いがあるか否かを判断する（ステップ２）、ここに
、定義枠に重なり合いがない場合（ステップ２でＮｏの
場合）には、サイジング、シフト、ミラー、リダクト等
、通常の処理を行い（ステップ３）、マスクパターン形
成用露光データを得るようにする。
他方、定義枠に重なり合いがある場合（ステップ２でＹ
ＥＳの場合）には、これら重なり合っている定義枠は同
一座標に配されているが否がを判断する（ステップ４）
、そして、同一座標に配されていない場合（ステップ４
でＮｏの場合）には、処理を中止する（ステップ５）、
これは、第２図に示すように、定義枠１の部分的な重な
り合いにより設計意図とは全く異なるパターン４が形成
されるのを防ぐ趣旨である。なお、この場合には、設計
データを修正する必要がある。
ＥＳの場合）には、これら重なり合っている定義枠は同
一座標に配されているが否がを判断する（ステップ４）
、そして、同一座標に配されていない場合（ステップ４
でＮｏの場合）には、処理を中止する（ステップ５）、
これは、第２図に示すように、定義枠１の部分的な重な
り合いにより設計意図とは全く異なるパターン４が形成
されるのを防ぐ趣旨である。なお、この場合には、設計
データを修正する必要がある。
他方、重なり合っている定義枠が同一座標に配されてい
る場合（ステップ４でＹＥＳの場合）には、いずれか一
方の定義枠を削除する（ステップ６）、これは、定義枠
の完全な重なり合いによる多重露光を防ぐ趣旨である。
る場合（ステップ４でＹＥＳの場合）には、いずれか一
方の定義枠を削除する（ステップ６）、これは、定義枠
の完全な重なり合いによる多重露光を防ぐ趣旨である。
そして、その後、サイジング、シフト、ミラー、リダク
ト等、通常の処理を行い（ステップ７）、マスクパター
ン形成用露光データを得るようにする。
ト等、通常の処理を行い（ステップ７）、マスクパター
ン形成用露光データを得るようにする。
このように、本実施例によれば、定義枠の重なり合いを
チェックすることにより定義枠の重なり合いのないマス
クパターン形成用露光データを作成することができるの
で、定義枠の重なり合いによる多重露光を回避すること
ができる。
チェックすることにより定義枠の重なり合いのないマス
クパターン形成用露光データを作成することができるの
で、定義枠の重なり合いによる多重露光を回避すること
ができる。
［発明の効果う
本発明によれば、定義枠の重なり合いをチェックするこ
とにより定義枠の重なり合いのないマスクパターン形成
用露光データを作成するとしているので、定義枠の重な
り合いによる多重露光を回避することができる。
とにより定義枠の重なり合いのないマスクパターン形成
用露光データを作成するとしているので、定義枠の重な
り合いによる多重露光を回避することができる。
第１図は本発明の一実施例を示すフローチャート、
第２図は本発明の一実施例を説明するための図、第３図
は設計データの階層構造を示す図、第４図は従来のマス
クパターン形成用露光データ作成方法が有する問題点を
説明するための図である。 １・・・定義枠 ２．４・・・パターン 一一−ゝ＼
は設計データの階層構造を示す図、第４図は従来のマス
クパターン形成用露光データ作成方法が有する問題点を
説明するための図である。 １・・・定義枠 ２．４・・・パターン 一一−ゝ＼
Claims (1)
- マスクパターン形成用設計データを処理してマスクパ
ターン形成用露光データを作成するマスクパターン形成
用露光データ作成方法において、定義枠の重なり合いを
チェックすることにより定義枠の重なり合いのないマス
クパターン形成用露光データを作成することを特徴とす
るマスクパターン形成用露光データ作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2278240A JPH04153654A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | マスクパターン形成用露光データ作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2278240A JPH04153654A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | マスクパターン形成用露光データ作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04153654A true JPH04153654A (ja) | 1992-05-27 |
Family
ID=17594574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2278240A Pending JPH04153654A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | マスクパターン形成用露光データ作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04153654A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100437817B1 (ko) * | 1997-10-25 | 2004-07-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조를위한노광방법 |
-
1990
- 1990-10-17 JP JP2278240A patent/JPH04153654A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100437817B1 (ko) * | 1997-10-25 | 2004-07-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조를위한노광방법 |
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