JPH04145138A - 芳香族ポリアミドフィルム - Google Patents
芳香族ポリアミドフィルムInfo
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Links
- 239000004760 aramid Substances 0.000 title abstract description 18
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 title abstract description 18
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical class [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 abstract 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 12
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 9
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 8
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- FDQSRULYDNDXQB-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3-dicarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC(C(Cl)=O)=C1 FDQSRULYDNDXQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MGLZGLAFFOMWPB-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C(Cl)=C1 MGLZGLAFFOMWPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MSWAXXJAPIGEGZ-UHFFFAOYSA-N 2-chlorobenzene-1,4-dicarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=C(C(Cl)=O)C(Cl)=C1 MSWAXXJAPIGEGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- MTXHFUVQMVKXRP-UHFFFAOYSA-N 2,6-dichlorobenzene-1,4-dicarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC(Cl)=C(C(Cl)=O)C(Cl)=C1 MTXHFUVQMVKXRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4-di(pentan-2-yl)phenoxy]acetyl chloride Chemical compound CCCC(C)C1=CC=C(OCC(Cl)=O)C(C(C)CCC)=C1 NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYWZZVKKQHFGED-UHFFFAOYSA-N 4-chlorobenzene-1,3-dicarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=C(Cl)C(C(Cl)=O)=C1 LYWZZVKKQHFGED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HPFMWXQXAHHFAA-UHFFFAOYSA-N 5-chlorobenzene-1,3-dicarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC(Cl)=CC(C(Cl)=O)=C1 HPFMWXQXAHHFAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101001024723 Homo sapiens Nucleoporin NDC1 Proteins 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100037826 Nucleoporin NDC1 Human genes 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012772 electrical insulation material Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 description 2
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- NZZGQZMNFCTNAM-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dicarbonyl chloride Chemical compound C1=C(C(Cl)=O)C=CC2=CC(C(=O)Cl)=CC=C21 NZZGQZMNFCTNAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- LXEJRKJRKIFVNY-UHFFFAOYSA-N terephthaloyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=C(C(Cl)=O)C=C1 LXEJRKJRKIFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- QILCUDCYZVIAQH-UHFFFAOYSA-N 1-$l^{1}-oxidanyl-2,2,5,5-tetramethylpyrrole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1(C)C=C(C(O)=O)C(C)(C)N1[O] QILCUDCYZVIAQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 1-chloro-2,6-diaminonaphthalene Chemical compound 0.000 description 1
- VEJQENOTOPTJET-UHFFFAOYSA-N 1-chloronaphthalene-2,6-dicarbonyl chloride Chemical compound ClC1=C(C(Cl)=O)C=CC2=CC(C(=O)Cl)=CC=C21 VEJQENOTOPTJET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTNUPCREDHXJEL-UHFFFAOYSA-N 2-methylbenzene-1,4-dicarbonyl chloride Chemical compound CC1=CC(C(Cl)=O)=CC=C1C(Cl)=O NTNUPCREDHXJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQPCTPXKNJAHOJ-UHFFFAOYSA-N 2-nitrobenzene-1,4-dicarbonyl chloride Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(C(Cl)=O)=CC=C1C(Cl)=O HQPCTPXKNJAHOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLVKECUOHNDWOI-UHFFFAOYSA-N 2-oxo-1,3,2$l^{5}-diazaphosphonan-2-amine Chemical compound NP1(=O)NCCCCCCN1 QLVKECUOHNDWOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 3-[(3-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(CC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWUBBMDHSZDNTA-UHFFFAOYSA-N 4-Chloro-meta-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(Cl)C(N)=C1 ZWUBBMDHSZDNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDQHPEOWQODWOZ-UHFFFAOYSA-N 4-methylbenzene-1,3-dicarbonyl chloride Chemical compound CC1=CC=C(C(Cl)=O)C=C1C(Cl)=O XDQHPEOWQODWOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMVRLUZQOLUDKJ-UHFFFAOYSA-N 4-nitrobenzene-1,3-dicarbonyl chloride Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=C(C(Cl)=O)C=C1C(Cl)=O SMVRLUZQOLUDKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZNUCJOYPXKLTA-UHFFFAOYSA-N 5-chlorobenzene-1,3-diamine Chemical compound NC1=CC(N)=CC(Cl)=C1 VZNUCJOYPXKLTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHIVUAREQFICPK-UHFFFAOYSA-N 5-nitrobenzene-1,3-dicarbonyl chloride Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(C(Cl)=O)=CC(C(Cl)=O)=C1 OHIVUAREQFICPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100074988 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) nmp-1 gene Proteins 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- HRDWUZRHCJPOFA-UHFFFAOYSA-N anthracene-1,5-diamine Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(N)=CC=CC3=CC2=C1N HRDWUZRHCJPOFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXOSWMZHKZFJHD-UHFFFAOYSA-N anthracene-2,6-diamine Chemical compound C1=C(N)C=CC2=CC3=CC(N)=CC=C3C=C21 UXOSWMZHKZFJHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004807 desolvation Methods 0.000 description 1
- IPZJQDSFZGZEOY-UHFFFAOYSA-N dimethylmethylene Chemical compound C[C]C IPZJQDSFZGZEOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- XYQUZYVBQYBQDB-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,5-dicarbonyl chloride Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)Cl)=CC=CC2=C1C(Cl)=O XYQUZYVBQYBQDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOGZBMRXLADNEV-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=C(N)C=CC2=CC(N)=CC=C21 GOGZBMRXLADNEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
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- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Polyamides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は機械特性、耐熱性およびクリープ特性に優れた
芳香族ポリアミドフィルムに関するものである。
芳香族ポリアミドフィルムに関するものである。
[従来の技術]
従来、芳香族ポリアミドフィルムは優れた耐熱性、機械
特性、電気絶縁性により磁気記録材料のベースフィルム
、フレキシブルプリント基板、コンデンサー、感熱転写
リボン、電気絶縁材料など幅広い分野に利用されている
が、最近では装置の小型化や性能向上のために、さらに
高耐熱性、高剛性でかつクリープ特性に優れた薄物フィ
ルムの要求が強く、現状の芳香族ポリアミドでは使用が
制限される用途も少なくない。
特性、電気絶縁性により磁気記録材料のベースフィルム
、フレキシブルプリント基板、コンデンサー、感熱転写
リボン、電気絶縁材料など幅広い分野に利用されている
が、最近では装置の小型化や性能向上のために、さらに
高耐熱性、高剛性でかつクリープ特性に優れた薄物フィ
ルムの要求が強く、現状の芳香族ポリアミドでは使用が
制限される用途も少なくない。
例えば、磁気記録用途ではテープの小型化や記録の高密
度化のため、高いヤング率と耐熱性とクリープの小さな
フィルムが要求されており、マタ、コンデンサー用途で
は、小型化と電気容量の低下を防ぐために高ヤング率七
クリープの小さなフィルムが必要となる。さらに、フレ
キシブルプリント基板用途では小型化と高い配線密度の
ため高いヤング率、熱(湿)寸法安定性のよいフィルム
が要求されている。
度化のため、高いヤング率と耐熱性とクリープの小さな
フィルムが要求されており、マタ、コンデンサー用途で
は、小型化と電気容量の低下を防ぐために高ヤング率七
クリープの小さなフィルムが必要となる。さらに、フレ
キシブルプリント基板用途では小型化と高い配線密度の
ため高いヤング率、熱(湿)寸法安定性のよいフィルム
が要求されている。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、従来の芳香族ポリアミドフィルムは、高い機械
特性と耐熱性に加えクリープ特性の優れた性質を同時に
有するものはなかった。
特性と耐熱性に加えクリープ特性の優れた性質を同時に
有するものはなかった。
本発明の目的は、上記、従来の問題点を解消しようとす
るものであり、高い機械特性と耐熱性に加え、極めて小
さなりリープ特性を有し、磁気記録材料、コンデンサー
、フレキシブルプリント基板、感熱転写リボン用途など
に使用する上で最適な芳香族ポリアミドフィルムを提供
せんとするものである。
るものであり、高い機械特性と耐熱性に加え、極めて小
さなりリープ特性を有し、磁気記録材料、コンデンサー
、フレキシブルプリント基板、感熱転写リボン用途など
に使用する上で最適な芳香族ポリアミドフィルムを提供
せんとするものである。
[課題を解決するための手段]
本発明は、−数式、
(HN−A rl −NF(Co−A r2−CO)。
で表わされる基本構成単位を50モル%以上(ここで、
Ar1.Ar2は少なくともいずれかが であり、残りは である。ここで、XはO,Co、CH2,302。
Ar1.Ar2は少なくともいずれかが であり、残りは である。ここで、XはO,Co、CH2,302。
S、C(CH3)2である。また、これらの多核芳香族
核、ベンゼン核、ベンゼン核(複核)に結合している水
素原子の一部にハロゲン基やニトロ基、アルキル基など
が置換していてもよい。)含む芳香族ポリアミドからな
るフィルムであって、該フィルムの密度が1.35〜1
.55g/co!であり、少なくとも一方向のF−1値
(フィルムを1%伸長させた時の強度)か10kg、/
nun2以上であることを特徴とする芳香族ポリアミド
フィルムである。
核、ベンゼン核、ベンゼン核(複核)に結合している水
素原子の一部にハロゲン基やニトロ基、アルキル基など
が置換していてもよい。)含む芳香族ポリアミドからな
るフィルムであって、該フィルムの密度が1.35〜1
.55g/co!であり、少なくとも一方向のF−1値
(フィルムを1%伸長させた時の強度)か10kg、/
nun2以上であることを特徴とする芳香族ポリアミド
フィルムである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の芳香族ポリアミドは
+ HN A rl N HCOA r 2 C
OF 72で表わされる基本構成単位が50モル%以上
、好ましくは70モル%以上である。またArl、Ar
2はいずれかか である必要があり、アミド基との結合は直線的か、ある
いは平行に結合することが好ましい。本発明の範囲を外
れるとフィルムのクリープが大きくなり、薄葉高密度磁
気記録用ベースフィルムではテープがクリープにより伸
びて出力が低下したり、またコンデンサー用途ではクリ
ープにより巻きがゆるんで電気容量が低下したりする。
OF 72で表わされる基本構成単位が50モル%以上
、好ましくは70モル%以上である。またArl、Ar
2はいずれかか である必要があり、アミド基との結合は直線的か、ある
いは平行に結合することが好ましい。本発明の範囲を外
れるとフィルムのクリープが大きくなり、薄葉高密度磁
気記録用ベースフィルムではテープがクリープにより伸
びて出力が低下したり、またコンデンサー用途ではクリ
ープにより巻きがゆるんで電気容量が低下したりする。
本発明の芳香族ポリアミドを構成するジ酸クロライドお
よびジアミン成分としては次のようなものが代表例とし
て挙げられる。
よびジアミン成分としては次のようなものが代表例とし
て挙げられる。
ジ酸クロライド成分としては、2,6−ナフタレンジカ
ルボン酸クロライド、1,5−ナフタレンジカルボン酸
クロライド、1.8〜ナフタレンジカルボン酸クロライ
ド、1−クロロナフタレン−2,6−ジカルボン酸クロ
ライド、3.3’−ビフェニルジカルボン酸クロライド
、4.4’−ビフェニルジカルボン酸クロライド、2.
6−アントラセンジカルボン酸クロライド、1.5−ア
ントラセンジカルボン酸クロライド、1.8−アントラ
センジカルボン酸クロライドなどがある。 一方、ジア
ミン成分としては゛、2.6−ジアミノナフタレン、I
、5−ジアミノナフタレン、1.8−ジアミノナフタレ
ン、1−クロロ−2,6−ジアミノナフタレン、3.3
’−ジアミノビフェニル、4.4’−ジアミノビフェニ
ル、2,6−ジアミノアントラセン、1.5−ジアミノ
アントラセン、1.8−ジアミノアントラセンなどがあ
る。
ルボン酸クロライド、1,5−ナフタレンジカルボン酸
クロライド、1.8〜ナフタレンジカルボン酸クロライ
ド、1−クロロナフタレン−2,6−ジカルボン酸クロ
ライド、3.3’−ビフェニルジカルボン酸クロライド
、4.4’−ビフェニルジカルボン酸クロライド、2.
6−アントラセンジカルボン酸クロライド、1.5−ア
ントラセンジカルボン酸クロライド、1.8−アントラ
センジカルボン酸クロライドなどがある。 一方、ジア
ミン成分としては゛、2.6−ジアミノナフタレン、I
、5−ジアミノナフタレン、1.8−ジアミノナフタレ
ン、1−クロロ−2,6−ジアミノナフタレン、3.3
’−ジアミノビフェニル、4.4’−ジアミノビフェニ
ル、2,6−ジアミノアントラセン、1.5−ジアミノ
アントラセン、1.8−ジアミノアントラセンなどがあ
る。
本発明の基本構成単位以外の芳香族ポリアミドで構成さ
れており、その代表例としては、ジ酸クロライドとして
、2−クロルテレフタル酸クロライド、2.6−ジクロ
ルテレフタル酸クロライド、テレフタル酸クロライド、
2−ニトロテレフタル酸クロライド、2−メチルテレフ
タル酸クロライド、イソフタル酸クロライド、4−クロ
ルイソフタル酸クロライド、5−クロルイソフタル酸ク
ロライド、4−ニトロイソフタル酸クロライド、5−ニ
トロイソフタル酸クロライド、4−メチルイソフタル酸
クロライド、イソフタル酸クロライド、オルソフタル酸
クロライドなどが挙げられ、特に好ましくは、2−クロ
ルテレフタル酸クロライド、2.6−ジクロルテレフタ
ル酸クロライド、テレフタル酸クロライド、4−クロル
イソフタル酸クロライド、5−クロルイソフタル酸クロ
ライド、イソフタル酸クロライドである。
れており、その代表例としては、ジ酸クロライドとして
、2−クロルテレフタル酸クロライド、2.6−ジクロ
ルテレフタル酸クロライド、テレフタル酸クロライド、
2−ニトロテレフタル酸クロライド、2−メチルテレフ
タル酸クロライド、イソフタル酸クロライド、4−クロ
ルイソフタル酸クロライド、5−クロルイソフタル酸ク
ロライド、4−ニトロイソフタル酸クロライド、5−ニ
トロイソフタル酸クロライド、4−メチルイソフタル酸
クロライド、イソフタル酸クロライド、オルソフタル酸
クロライドなどが挙げられ、特に好ましくは、2−クロ
ルテレフタル酸クロライド、2.6−ジクロルテレフタ
ル酸クロライド、テレフタル酸クロライド、4−クロル
イソフタル酸クロライド、5−クロルイソフタル酸クロ
ライド、イソフタル酸クロライドである。
一方、ジアミン成分としては、2−クロルパラフェニレ
ンジアミン、2.5−ジクロルパラフェニレンジアミン
、2.6−ジクロルパラフェニレンジアミン、パラフェ
ニレンジアミン、4−クロルメタフェニレンジアミン、
5−クロルメタフェニレンジアミン、メタフェニレンジ
アミン、4.4’−ジアミノジフェニルエーテル、3.
4′−ジアミノジフェニルエーテル、3.3′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、4.4’ −ジアミノジフェニ
ルスルフォン、3.4’−ジアミノジフェニルスルフォ
ン、3.3’−ジアミノジフェニルスルフォン、4.4
’−ジアミノジフェニルメタン、3.4′−ジアミノジ
フェニルメタン、3,3′−ジアミノジフェニルメタン
、4.4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3.4−
ジアミノジフェニルスルフィド、3.3’−ジアミノジ
フェニルスルフィド、2.2’−ビス(4−アミノフェ
ノキシ)プロパンなどが挙げられるが、特に好ましいも
のとして、2−クロルパラフェニレンジアミン、2.5
−ジクロルパラフェニレンジアミン、パラフェニレンジ
アミン、4−クロルメタフェニレンジアミン、メタフェ
ニレンジアミン、4.4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3゜4゛−ジアミノジフェニルエーテル、4.4′
−ジアミノジフェニルスルフォン、4.4’−ジアミノ
ジフェニルメタンが挙げられる。
ンジアミン、2.5−ジクロルパラフェニレンジアミン
、2.6−ジクロルパラフェニレンジアミン、パラフェ
ニレンジアミン、4−クロルメタフェニレンジアミン、
5−クロルメタフェニレンジアミン、メタフェニレンジ
アミン、4.4’−ジアミノジフェニルエーテル、3.
4′−ジアミノジフェニルエーテル、3.3′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、4.4’ −ジアミノジフェニ
ルスルフォン、3.4’−ジアミノジフェニルスルフォ
ン、3.3’−ジアミノジフェニルスルフォン、4.4
’−ジアミノジフェニルメタン、3.4′−ジアミノジ
フェニルメタン、3,3′−ジアミノジフェニルメタン
、4.4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3.4−
ジアミノジフェニルスルフィド、3.3’−ジアミノジ
フェニルスルフィド、2.2’−ビス(4−アミノフェ
ノキシ)プロパンなどが挙げられるが、特に好ましいも
のとして、2−クロルパラフェニレンジアミン、2.5
−ジクロルパラフェニレンジアミン、パラフェニレンジ
アミン、4−クロルメタフェニレンジアミン、メタフェ
ニレンジアミン、4.4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3゜4゛−ジアミノジフェニルエーテル、4.4′
−ジアミノジフェニルスルフォン、4.4’−ジアミノ
ジフェニルメタンが挙げられる。
本発明におけるフィルムの密度は1.35〜1゜55g
/adの範囲が必要であり、より好ましくは1.38〜
1..52g/+a+Iである。密度が1.35g/a
dより小さい場合にはフィルムの結晶化度が低く、フィ
ルムの機械特性や寸法安定性、クリープ特性などが極め
て悪くなり実用性に乏しいフィルムしか得られない。ま
た、密度が1.55g/7を超えると結晶化度が高くな
りすぎてフィルムがもろくなるなどの機械特性の低下を
来たし、実用面でフィルム破れなど取り扱い上の問題が
生じたりする。
/adの範囲が必要であり、より好ましくは1.38〜
1..52g/+a+Iである。密度が1.35g/a
dより小さい場合にはフィルムの結晶化度が低く、フィ
ルムの機械特性や寸法安定性、クリープ特性などが極め
て悪くなり実用性に乏しいフィルムしか得られない。ま
た、密度が1.55g/7を超えると結晶化度が高くな
りすぎてフィルムがもろくなるなどの機械特性の低下を
来たし、実用面でフィルム破れなど取り扱い上の問題が
生じたりする。
さらに、本発明における少なくとも一方向のフ・ イ
ルムのF−1値は10kg/mm”以上が必要で、より
好ましくは13kg/mm2以上、さらに好ましくは1
5kg/mm2以上である。10kg/mm2より小さ
くなるとフィルムの腰が弱くなり、薄葉化した場合に切
れやすくなったりして取り扱い上で問題となり、またク
リープも大きくなって製品の性能の低下を引き起こした
りする。
ルムのF−1値は10kg/mm”以上が必要で、より
好ましくは13kg/mm2以上、さらに好ましくは1
5kg/mm2以上である。10kg/mm2より小さ
くなるとフィルムの腰が弱くなり、薄葉化した場合に切
れやすくなったりして取り扱い上で問題となり、またク
リープも大きくなって製品の性能の低下を引き起こした
りする。
本発明のフィルムは室温で2 、 51<g / mm
2の荷重F、24時間後のクリープは少なくとも一方
向が0.1%以下が好ましく、より好ましくは0゜08
%以下である。0.1%を超えると薄葉高密度磁気記録
テープでは電磁変換特性の低下が起こったり、また、コ
ンデンサー用途ではフィルムの巻き張力か低下して電気
容量の低下を引き起こしたりする。
2の荷重F、24時間後のクリープは少なくとも一方
向が0.1%以下が好ましく、より好ましくは0゜08
%以下である。0.1%を超えると薄葉高密度磁気記録
テープでは電磁変換特性の低下が起こったり、また、コ
ンデンサー用途ではフィルムの巻き張力か低下して電気
容量の低下を引き起こしたりする。
さらに、本発明のフィルムの少なくとも一方向の熱収縮
率は250℃で2%以下が好ましく、より好ましくは1
%以下である。2%を超えると、フレキシブルプリント
配線基板などに加工する際に基板のカールが生じて問題
となる。また、フィルムの吸湿率は3%以下が好ましく
、より好ましくは2.5%以下である。3%を越えると
吸湿による寸法精度の悪化やフィルl、の巻き姿の悪化
の原因となる。
率は250℃で2%以下が好ましく、より好ましくは1
%以下である。2%を超えると、フレキシブルプリント
配線基板などに加工する際に基板のカールが生じて問題
となる。また、フィルムの吸湿率は3%以下が好ましく
、より好ましくは2.5%以下である。3%を越えると
吸湿による寸法精度の悪化やフィルl、の巻き姿の悪化
の原因となる。
本発明のフィルムのヤング率については、1000 k
g / mm 2以上が好ましく、より好ましくは13
00 kg、/mm2以上、さらに好ましくは1500
kg / mm 2以上である。
g / mm 2以上が好ましく、より好ましくは13
00 kg、/mm2以上、さらに好ましくは1500
kg / mm 2以上である。
本発明のフィルムの厚みは0.1〜50μか好ましく、
より好ましくは、0,3〜30μ、さらに好ましくは0
.5〜20μである。
より好ましくは、0,3〜30μ、さらに好ましくは0
.5〜20μである。
なお本発明のフィルムは、特性を阻害しない範囲で、他
のポリマや、帯電防止剤、酸化防止剤、無機、有機のフ
ィラーなどが含有されていてもよい。
のポリマや、帯電防止剤、酸化防止剤、無機、有機のフ
ィラーなどが含有されていてもよい。
次に、本発明の芳香族ポリアミドフィルムの製電方法に
ついて説明するが、これに限定されるものではない。
ついて説明するが、これに限定されるものではない。
芳香族ポリアミドの合成は、ジ酸ハライドとジアミンか
らの合成、いわゆるSchotlen−Banmann
反応による方法、ジカルボン酸とジインシアネートによ
る方法、ジカルボン酸とジアミンによる方法などがある
が、ジ酸ハライドとジアミンによる方法が、高重合度化
、再現性の点から最も好ましい。この方法はアミド系極
性溶媒中でジアミンとジ酸ハライドを加えて低温下で反
応して得られる。
らの合成、いわゆるSchotlen−Banmann
反応による方法、ジカルボン酸とジインシアネートによ
る方法、ジカルボン酸とジアミンによる方法などがある
が、ジ酸ハライドとジアミンによる方法が、高重合度化
、再現性の点から最も好ましい。この方法はアミド系極
性溶媒中でジアミンとジ酸ハライドを加えて低温下で反
応して得られる。
すなわち、ジアミンとジ酸クロライドを低水分のアミド
系極性溶媒中で低温下(通常50℃以下、好ましくは3
0℃以下)で1〜2時間時間台される。モノマの添加順
序は特に限定されるものではないが、高重合体を得る点
からジアミン溶液中にジ酸クロライドを添加するのが良
い。また、重合時にポリマの溶解性を上げる目的で無機
塩を添加しておいても何ら問題ない。重合後、発生した
塩酸を無機アルカリあるいは有機系の中和剤で中和する
。あるいは重合終了後のポリマ液を多量の貧溶剤中で再
沈澱させた後、揮発分を蒸発させてアミド系溶媒で塩化
カルシウム、塩化リチウムなどの無機塩の存在下、ある
いはアミド系極性溶媒のみに溶解させて製膜用原液とな
す。さらに硫酸などの無機溶媒に溶解して製膜原液とす
ることもできる。アミド系極性溶媒の代表例としては、
N−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、ヘキサ
メチレンホスホルアミド、ジメチルホルムアミドなどが
挙げられる。また、中和剤としては、無機アルカリとし
ては、水酸化カルシウム、炭酸カルシウム、酸化カルシ
ウム、水酸化リチウム、炭酸リチウム、有機系としては
、トリエチルアミン、ピリジン、ジェタノールアミン、
モノエタノールアミン、トリエタノールアミンなどが挙
げられる。
系極性溶媒中で低温下(通常50℃以下、好ましくは3
0℃以下)で1〜2時間時間台される。モノマの添加順
序は特に限定されるものではないが、高重合体を得る点
からジアミン溶液中にジ酸クロライドを添加するのが良
い。また、重合時にポリマの溶解性を上げる目的で無機
塩を添加しておいても何ら問題ない。重合後、発生した
塩酸を無機アルカリあるいは有機系の中和剤で中和する
。あるいは重合終了後のポリマ液を多量の貧溶剤中で再
沈澱させた後、揮発分を蒸発させてアミド系溶媒で塩化
カルシウム、塩化リチウムなどの無機塩の存在下、ある
いはアミド系極性溶媒のみに溶解させて製膜用原液とな
す。さらに硫酸などの無機溶媒に溶解して製膜原液とす
ることもできる。アミド系極性溶媒の代表例としては、
N−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、ヘキサ
メチレンホスホルアミド、ジメチルホルムアミドなどが
挙げられる。また、中和剤としては、無機アルカリとし
ては、水酸化カルシウム、炭酸カルシウム、酸化カルシ
ウム、水酸化リチウム、炭酸リチウム、有機系としては
、トリエチルアミン、ピリジン、ジェタノールアミン、
モノエタノールアミン、トリエタノールアミンなどが挙
げられる。
芳香族ポリアミドフィルムの機械的特性を向上させるた
めにはポリマの分子量を一定以上にしておく必要があり
、この尺度としては固有粘度(ηi nh)をもって表
わすのが便利である。すなわち、固有粘度が、好ましく
は1.0〜io、o、より好ましくは1.5〜7.0で
ある。溶液粘度は自由に選べるが流延性の点から5〜5
0000ポイズ/30℃が望ましく、10〜20000
ボイスが更に望ましい。ポリマ濃度は1〜30%が望ま
しく、3〜20%が更に望ましい。
めにはポリマの分子量を一定以上にしておく必要があり
、この尺度としては固有粘度(ηi nh)をもって表
わすのが便利である。すなわち、固有粘度が、好ましく
は1.0〜io、o、より好ましくは1.5〜7.0で
ある。溶液粘度は自由に選べるが流延性の点から5〜5
0000ポイズ/30℃が望ましく、10〜20000
ボイスが更に望ましい。ポリマ濃度は1〜30%が望ま
しく、3〜20%が更に望ましい。
このように調整された製膜原液は以下の方法でフィルム
となされる。
となされる。
(1)乾湿式法:ドクターナイフ、口金などによりフィ
ルム状として支持体上に流延され、通常、50〜250
℃の範囲、より好ましくは60〜200℃で一定時間乾
燥される。50℃未満では溶媒の蒸発速度か遅く、25
0℃を超えると溶媒の突沸が起こりフィルムの品質の低
下をきたす。乾燥されたフィルムは支持体より剥離され
、水系の媒体中へ浸漬または媒体を噴霧せられて無機塩
および溶媒が抽出される。水系の媒体とは、水を主成分
とする液体であり、ポリマに対しては貧溶媒であるが、
無機塩やアミド系極性溶媒には親和性のある液体のこと
である。例えば、水単独、水と原液を構成しているアミ
ド系極性溶媒との混合物、水とエチレングリコール、ア
セトン、低級アルコールとの混合物が挙げられるが、水
の比率として少なくとも50%以上が脱塩・脱溶媒速度
や溶媒回収を考慮すると望ましい。また、湿式浴の温度
は通常5〜90℃が適当である。該湿式1程では溶解助
剤となる無機塩とアミド系極性溶媒が抽出される訳であ
るが、該湿式1程終了直後のフィルム中で無機塩残存量
はポリマ当り3%以下、より好ましくは1%以下がよい
。3%を超えて残存すると、次工程の熱処理でフィルム
の熱分解が起こり好ましくない。アミド系極性溶媒の残
存率は特に規定されないが溶媒回収を考慮すれば出来る
たけ抽出した方が有利である。該湿式1程中のフィルム
は水系媒体で膨潤した状態にあるため湿式温度範囲での
延伸が行いやすく最終フィルムの機械特性向上のため、
−船釣に工程中で1.01〜5゜0倍縦方向に延伸され
る。湿式1程を終了したフィルムは、水系媒体の蒸発、
アミド系極性溶媒の蒸発のため熱処理が行われる。この
加熱工程は100℃以上、好ましくは200℃以上、5
00°C以下である。該加熱工程で横方向に1.01−
〜5゜0倍延伸される。また必要に応じてリラックスな
どが行われる。
ルム状として支持体上に流延され、通常、50〜250
℃の範囲、より好ましくは60〜200℃で一定時間乾
燥される。50℃未満では溶媒の蒸発速度か遅く、25
0℃を超えると溶媒の突沸が起こりフィルムの品質の低
下をきたす。乾燥されたフィルムは支持体より剥離され
、水系の媒体中へ浸漬または媒体を噴霧せられて無機塩
および溶媒が抽出される。水系の媒体とは、水を主成分
とする液体であり、ポリマに対しては貧溶媒であるが、
無機塩やアミド系極性溶媒には親和性のある液体のこと
である。例えば、水単独、水と原液を構成しているアミ
ド系極性溶媒との混合物、水とエチレングリコール、ア
セトン、低級アルコールとの混合物が挙げられるが、水
の比率として少なくとも50%以上が脱塩・脱溶媒速度
や溶媒回収を考慮すると望ましい。また、湿式浴の温度
は通常5〜90℃が適当である。該湿式1程では溶解助
剤となる無機塩とアミド系極性溶媒が抽出される訳であ
るが、該湿式1程終了直後のフィルム中で無機塩残存量
はポリマ当り3%以下、より好ましくは1%以下がよい
。3%を超えて残存すると、次工程の熱処理でフィルム
の熱分解が起こり好ましくない。アミド系極性溶媒の残
存率は特に規定されないが溶媒回収を考慮すれば出来る
たけ抽出した方が有利である。該湿式1程中のフィルム
は水系媒体で膨潤した状態にあるため湿式温度範囲での
延伸が行いやすく最終フィルムの機械特性向上のため、
−船釣に工程中で1.01〜5゜0倍縦方向に延伸され
る。湿式1程を終了したフィルムは、水系媒体の蒸発、
アミド系極性溶媒の蒸発のため熱処理が行われる。この
加熱工程は100℃以上、好ましくは200℃以上、5
00°C以下である。該加熱工程で横方向に1.01−
〜5゜0倍延伸される。また必要に応じてリラックスな
どが行われる。
■ 湿式法:乾湿式法における乾式1程がなく、口金か
ら直接水系の媒体中に押出す方法か、又は−旦ベルト、
ドラムなどの支持体上へ押出し、支持体ごと水系媒体中
に押出す方法である。この方法は多量の溶媒を含むため
水系の媒体中で急激な無機塩や溶媒の置換が行われ最終
フィルムにボイドの発生あるいはフィルムの面荒れか起
こりやすくなるために、前述の水系の媒体中に必要に応
じて置換速度を制御するため無機塩、例えば、塩化カル
シウム、塩化リチウム、臭化リチウムなどが含有された
り、水槽を多段にして、水と溶媒・無機塩の混合物など
に濃度勾配を持たせたりする。
ら直接水系の媒体中に押出す方法か、又は−旦ベルト、
ドラムなどの支持体上へ押出し、支持体ごと水系媒体中
に押出す方法である。この方法は多量の溶媒を含むため
水系の媒体中で急激な無機塩や溶媒の置換が行われ最終
フィルムにボイドの発生あるいはフィルムの面荒れか起
こりやすくなるために、前述の水系の媒体中に必要に応
じて置換速度を制御するため無機塩、例えば、塩化カル
シウム、塩化リチウム、臭化リチウムなどが含有された
り、水槽を多段にして、水と溶媒・無機塩の混合物など
に濃度勾配を持たせたりする。
乾湿式性同様に本工程で縦方向に1.01〜5倍延伸さ
れる。湿式1程を終了したフィルムは乾湿式法と全く同
様な熱処理と延伸か行われる。
れる。湿式1程を終了したフィルムは乾湿式法と全く同
様な熱処理と延伸か行われる。
(3)乾式法:乾湿式法の湿式部分かない製膜法であり
、ポリマ構造によってはこの方法も可能である。かくし
て得られた本発明の芳香族ポリアミドフィルムは、薄葉
高密度磁気記録用のベースフィルム、コンデンサー、フ
レキシブルプリント配線基板、感熱転写用リボン、電気
絶縁材料などの用途があるが、特に磁気記録用のベース
フィルム、コンデンサー、フレキシブルプリント配線基
板用途が望ましい。
、ポリマ構造によってはこの方法も可能である。かくし
て得られた本発明の芳香族ポリアミドフィルムは、薄葉
高密度磁気記録用のベースフィルム、コンデンサー、フ
レキシブルプリント配線基板、感熱転写用リボン、電気
絶縁材料などの用途があるが、特に磁気記録用のベース
フィルム、コンデンサー、フレキシブルプリント配線基
板用途が望ましい。
[実施例]
次に、実施例に基づいて本発明の実施態様を説明する。
なお、実施例中の部は全て重量部を示し7ており、また
、フィルムの特性評価は以下の通りである。
、フィルムの特性評価は以下の通りである。
(1)F−11値、ヤング率
テンシロン型の引張り試験機で紙幅10mm、試長50
mm、引張り速度300 mm/minの条件により測
定した。F−1値は測定した応力−歪曲線の伸度が1%
となった時点の応力から求めた。
mm、引張り速度300 mm/minの条件により測
定した。F−1値は測定した応力−歪曲線の伸度が1%
となった時点の応力から求めた。
(2)密度(g/a+り
有機溶媒、または無機塩水溶液を用いて密度勾配管法で
測定した。本発明では四塩化炭素/トルエンからなる有
機溶媒系で温度25℃での密度勾配管により測定した。
測定した。本発明では四塩化炭素/トルエンからなる有
機溶媒系で温度25℃での密度勾配管により測定した。
(3)クリープ
東洋側蓋製クリープ試験機を用いて室温下で荷重2 、
5 kg / mm 2の条件により24時間後の値
を求めた。
5 kg / mm 2の条件により24時間後の値
を求めた。
(4)熱収縮率(%)
無荷重で250℃、10分間オーブン中で加熱し下記の
計算式より算出した。
計算式より算出した。
熱収縮率
X100 (%)
(5)吸湿率(%)
150℃、60分絶乾後、75%RH中に48時間放置
し下記の計算式により算出した。
し下記の計算式により算出した。
吸湿率
X100 (%)
(6)固有粘度(dA!/g)
濃硫酸を溶媒としてポリマ0.5gを濃硫酸中で10O
n+Iの溶液として30℃の条件下にウベローデ型粘度
計を用いて測定した。
n+Iの溶液として30℃の条件下にウベローデ型粘度
計を用いて測定した。
実施例1
300ml三ツロフラスコに、2−クロルパラフェニレ
ンジアミン(以下CPAと略す)6.06部、4.4′
−ジアミノジフェニルメタン(以下DAMと略す)1.
48部、無水臭化リチウム8.3部およびN−メチル−
2−ピロリドン(以下NMPと略す)130部を仕込み
窒素気流中で撹拌溶解し、水浴にて10℃に冷却した。
ンジアミン(以下CPAと略す)6.06部、4.4′
−ジアミノジフェニルメタン(以下DAMと略す)1.
48部、無水臭化リチウム8.3部およびN−メチル−
2−ピロリドン(以下NMPと略す)130部を仕込み
窒素気流中で撹拌溶解し、水浴にて10℃に冷却した。
この中に2.6−ナフタレンジカルボン酸クロライド(
以下NDC1と略す)12.65部を粉末のままフラス
コ内温が30℃を越えないようゆっくり添加した。添加
終了10分後、系内の粘度は上がり始め60分後、極め
て高粘度となった。粘度を下げるためNMP25mlを
加え、さらに60分反応を行い重合を終了した。
以下NDC1と略す)12.65部を粉末のままフラス
コ内温が30℃を越えないようゆっくり添加した。添加
終了10分後、系内の粘度は上がり始め60分後、極め
て高粘度となった。粘度を下げるためNMP25mlを
加え、さらに60分反応を行い重合を終了した。
次に、反応で副生じた塩化水素を炭酸カルシウム5.0
部を加えて中和し、さらにNMPを16m1加えて製膜
原液を得た。この原液のポリマ濃度は7.68w1%、
ηinhは2.4であった。
部を加えて中和し、さらにNMPを16m1加えて製膜
原液を得た。この原液のポリマ濃度は7.68w1%、
ηinhは2.4であった。
この製膜原液をドクターナイフを用いてガラス板上に均
一に流延し、150℃のオーブンで5分間乾燥し自己保
持性を持つゲルフィルムを得た。
一に流延し、150℃のオーブンで5分間乾燥し自己保
持性を持つゲルフィルムを得た。
このゲルフィルムを流水中に7分間浸漬し、脱塩・脱溶
媒した後、アルミ製の熱処理枠に固定し、330℃のオ
ーブン中で1分間熱処理して10μの最終フィルムを得
た。得られたフィルムのF−1値は12. 0kg、/
mm2、ヤング率は1250kg/ml112と極めて
高い機械特性を有しており、クリープは0.051%で
あった。さらに250℃の熱収縮率は0. 2%、吸湿
率2.1%、密度1゜433 g/aAであり、機械特
性、熱特性、クリープ特性、湿度特性ともに優れたもの
であった。
媒した後、アルミ製の熱処理枠に固定し、330℃のオ
ーブン中で1分間熱処理して10μの最終フィルムを得
た。得られたフィルムのF−1値は12. 0kg、/
mm2、ヤング率は1250kg/ml112と極めて
高い機械特性を有しており、クリープは0.051%で
あった。さらに250℃の熱収縮率は0. 2%、吸湿
率2.1%、密度1゜433 g/aAであり、機械特
性、熱特性、クリープ特性、湿度特性ともに優れたもの
であった。
比較例1
300ml、三ツロフラスコにCPA9.09部、DA
M2.22部およびNMP1]、3.9部を添加し、水
浴にて10℃に冷却した。この中にイソフタル酸クロラ
イド(以下IPCと略す)15゜22部を固体のまま、
系内の温度が30℃以上にならないようゆっくり添加し
た。後の工程は実施例1と同様に行い、ポリマ濃度12
w【%、ηinhは2.2の製膜原液を得た。
M2.22部およびNMP1]、3.9部を添加し、水
浴にて10℃に冷却した。この中にイソフタル酸クロラ
イド(以下IPCと略す)15゜22部を固体のまま、
系内の温度が30℃以上にならないようゆっくり添加し
た。後の工程は実施例1と同様に行い、ポリマ濃度12
w【%、ηinhは2.2の製膜原液を得た。
この製膜原液を実施例1と全く同様にして製膜し最終フ
ィルムを得た。得られたフィルムのF−1値は7. 1
kg/mm” 、ヤング率400kg/mm2であり
、フィルムのクリープも0.17%と非常に大きいもの
であった。250℃の熱収縮率は3゜2%、吸湿率は3
.5%と機械特性、耐熱性、クリープ特性、湿度特性と
もに極めて劣ったものであった。また、密度は1.38
g/a+]であった。
ィルムを得た。得られたフィルムのF−1値は7. 1
kg/mm” 、ヤング率400kg/mm2であり
、フィルムのクリープも0.17%と非常に大きいもの
であった。250℃の熱収縮率は3゜2%、吸湿率は3
.5%と機械特性、耐熱性、クリープ特性、湿度特性と
もに極めて劣ったものであった。また、密度は1.38
g/a+]であった。
実施例2
200m1、三ツロフラスコに、パラフェニレンジアミ
ン(以下p−PDAと略す)4.32部、4゜4′−ジ
アミノジフェニルエーテル(以下DAEと略す)2.0
部、無水臭化リチウム6.04部およびNMP131.
.44部を加え窒素気流中で溶解し、水浴で5℃に冷却
した。この中に2−クロルテレフタル酸クロライド(以
下CTPCと略す)4.75部を重合温度が30℃以上
にならないよう添加した。さらに、NDC17,59部
を粉末のまま加え1時間重合した。重合を終えた原液を
水酸化カルシウム3.7部で中和し、最終原液を得た。
ン(以下p−PDAと略す)4.32部、4゜4′−ジ
アミノジフェニルエーテル(以下DAEと略す)2.0
部、無水臭化リチウム6.04部およびNMP131.
.44部を加え窒素気流中で溶解し、水浴で5℃に冷却
した。この中に2−クロルテレフタル酸クロライド(以
下CTPCと略す)4.75部を重合温度が30℃以上
にならないよう添加した。さらに、NDC17,59部
を粉末のまま加え1時間重合した。重合を終えた原液を
水酸化カルシウム3.7部で中和し、最終原液を得た。
この原液を実施例1同様の方法で製膜し10μの最終フ
ィルムを得た。得られたフィルムのF−1値は12.
5kg/mm2、ヤング率1200kg/mm2、クリ
ープ0.061−%、250℃の熱酸は0.15%、吸
湿率2.2%、密度1.42g/dであり、機械特性、
耐熱性、クリープ特性、湿度特性ともに優れたものであ
った。
ィルムを得た。得られたフィルムのF−1値は12.
5kg/mm2、ヤング率1200kg/mm2、クリ
ープ0.061−%、250℃の熱酸は0.15%、吸
湿率2.2%、密度1.42g/dであり、機械特性、
耐熱性、クリープ特性、湿度特性ともに優れたものであ
った。
実施例3〜6、比較例2〜4
実施例1と同様の方法で芳香族ポリアミドを重合し、得
られたフィルムの特性を実施例3〜6、比較例2〜4と
して表−1に示す。表中の略号は以下の通りである。
られたフィルムの特性を実施例3〜6、比較例2〜4と
して表−1に示す。表中の略号は以下の通りである。
TPC:テレフタル酸りロライド
DAN:2.6−ジアミツナフタレノ
m−PDA:メタフェニレンジアミン
4.4’−DAS:
4.4′−ジアミノジフェニルスルホン4.4’−DA
B : 4,4’−ジアミノビフェニール表−1より明
らかなように、多核芳香族類のモノマを50モル%以上
用いて得られるフィルムは、機械特性、耐熱性、クリー
プ特性、湿度特性に優れるものである。
B : 4,4’−ジアミノビフェニール表−1より明
らかなように、多核芳香族類のモノマを50モル%以上
用いて得られるフィルムは、機械特性、耐熱性、クリー
プ特性、湿度特性に優れるものである。
[発明の効果]
本発明の芳香族ポリアミドフィルムは上記構成としたこ
とにより次の効果を奏する。
とにより次の効果を奏する。
(1)機械特性、耐熱性およびクリープ特性が極めて優
れており、かつ寸法安定性の良いフィルムが得られる。
れており、かつ寸法安定性の良いフィルムが得られる。
(2)磁気記録材料のベースフィルムとして使用する場
合上記特性を保有することから、テープの薄葉化が容易
で、テープの耐久性が従来品に比べて大幅に向上し記録
の高密度化が可能である。
合上記特性を保有することから、テープの薄葉化が容易
で、テープの耐久性が従来品に比べて大幅に向上し記録
の高密度化が可能である。
(3) コンデンサー用途ではクリープが小さいこと
、ヤング率が高いことにより電気容量の低下を防止でき
る。
、ヤング率が高いことにより電気容量の低下を防止でき
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる基本構成単位を50モル%以上(ここで、
Ar_1、Ar_2は少なくともいずれかが ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼又は▲数式、化学式、表等があります
▼ であり、残りは ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
、表等があります▼ である。ここで、XはO、CO、CH_2、SO_2、
S、C(CH_3)_2である。また、これらの多核芳
香族核、ベンゼン核、ベンゼン核(複核)に結合してい
る水素原子の一部にハロゲン基やニトロ基、アルキル基
などが置換していてもよい。)含む芳香族ポリアミドか
らなるフィルムであって、該フィルムの密度が1.35
〜1.55g/cm^2であり、少なくとも一方向のF
−1値(フィルムを1%伸長させた時の強度)が10k
g/mm^2以上であることを特徴とする芳香族ポリア
ミドフィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26725490A JPH04145138A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 芳香族ポリアミドフィルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26725490A JPH04145138A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 芳香族ポリアミドフィルム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04145138A true JPH04145138A (ja) | 1992-05-19 |
Family
ID=17442283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26725490A Pending JPH04145138A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 芳香族ポリアミドフィルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04145138A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02115235A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-04-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 芳香族ポリアミドフィルムの製造法 |
JPH02133434A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 高易滑性ポリアミドフィルムおよびその製法 |
-
1990
- 1990-10-04 JP JP26725490A patent/JPH04145138A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02115235A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-04-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 芳香族ポリアミドフィルムの製造法 |
JPH02133434A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 高易滑性ポリアミドフィルムおよびその製法 |
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