JPH04144185A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH04144185A JPH04144185A JP2268883A JP26888390A JPH04144185A JP H04144185 A JPH04144185 A JP H04144185A JP 2268883 A JP2268883 A JP 2268883A JP 26888390 A JP26888390 A JP 26888390A JP H04144185 A JPH04144185 A JP H04144185A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
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- H01S5/2206—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on III-V materials
- H01S5/2207—GaAsP based
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- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
-
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- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32391—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は可視光半導体レーザ装置に関し、特に高性能
かつ長寿命の可視光半導体レーザ装置に関するものであ
る。
かつ長寿命の可視光半導体レーザ装置に関するものであ
る。
第５図は従来の可視光半導体レーザの構造を示す断面図
である。図において、ｌはｎ型（以下ｎと記す）ＧａＡ
ｓ基板であり、ｎ−（Ａβ。７Ｇ ａｏ、ｘ ） ｏ、
ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ上クラッド層２．アンドープＧ
ａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ活性層３．およびｐ型（
以下ｐ−と記す）（Ａ１ｏ７Ｇａｏ、ｚ ）ｏ、ｓ
１ｎｏ、ｓＰ上クラッド層４からなるダブルヘテロ構造
か基板１上に配置される。上クラッド層４はレーザ素子
幅方向の中央部分に共振器長方向のストライプ状リッジ
を存し、ｐ−Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ５Ｐバッファ層５は
上クラッド層４のリッジ部上に配置され、コンタクト層
と同一組成のｐ−ＧａＡｓキャップ層８ａはバッファ層
５上に配置される。
である。図において、ｌはｎ型（以下ｎと記す）ＧａＡ
ｓ基板であり、ｎ−（Ａβ。７Ｇ ａｏ、ｘ ） ｏ、
ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ上クラッド層２．アンドープＧ
ａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ活性層３．およびｐ型（
以下ｐ−と記す）（Ａ１ｏ７Ｇａｏ、ｚ ）ｏ、ｓ
１ｎｏ、ｓＰ上クラッド層４からなるダブルヘテロ構造
か基板１上に配置される。上クラッド層４はレーザ素子
幅方向の中央部分に共振器長方向のストライプ状リッジ
を存し、ｐ−Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ５Ｐバッファ層５は
上クラッド層４のリッジ部上に配置され、コンタクト層
と同一組成のｐ−ＧａＡｓキャップ層８ａはバッファ層
５上に配置される。
また、ｎ Ｉｎ＋ Ｇａ＋−ｔ Ａｓｕ ＰＩ−ｕ電
流ブロック層６は上クラッド層４の一部、バッファ層５
゜及びキャップ層８ａからなるリッジ１）を埋めるよう
に上クラッド層４のリッジ以外の領域上に配置される。
流ブロック層６は上クラッド層４の一部、バッファ層５
゜及びキャップ層８ａからなるリッジ１）を埋めるよう
に上クラッド層４のリッジ以外の領域上に配置される。
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８ｂは電流ブロック層６上お
よびキャップ層８ａ上に配置される。ｐ側電極９．及び
ｎ側電極１ｏはコンタクト層８ｂ上、及び基板１裏面に
それぞれ設けられる。
よびキャップ層８ａ上に配置される。ｐ側電極９．及び
ｎ側電極１ｏはコンタクト層８ｂ上、及び基板１裏面に
それぞれ設けられる。
上記各層の典型的な層厚は、下クラッド層２か１．０μ
ｍ、活性層３か０．０８μｍ、下クラッド層４のリッジ
以外の部分、すなわち活性層３と電流ブロック層６には
さまれた部分は０．３μｍ、上クラッド層４のリッジ部
分は１．０μｍ、バッファ層５は０．１μｍ、電流ブロ
ック層６は１．１μｍ、キャップ層８ａか０．３μｍ、
コンタクト層８ｂか３゜０μｍである。また、リッジ１
）の幅は４μｍである。
ｍ、活性層３か０．０８μｍ、下クラッド層４のリッジ
以外の部分、すなわち活性層３と電流ブロック層６には
さまれた部分は０．３μｍ、上クラッド層４のリッジ部
分は１．０μｍ、バッファ層５は０．１μｍ、電流ブロ
ック層６は１．１μｍ、キャップ層８ａか０．３μｍ、
コンタクト層８ｂか３゜０μｍである。また、リッジ１
）の幅は４μｍである。
次に動作について説明する。
ｐ側電極９とｎ側電極１０の間に順方向電圧を印加する
と、電流ブロック層６かあるために電流はリッジ部１）
のみを流れる。下クラッド層２゜活性層３．上クラッド
層４はダブルヘテロ構造をなしているので、リッジ部１
）から注入された電流によって、活性層３のリッジ付近
の部分か発光し、レーザ発振する。
と、電流ブロック層６かあるために電流はリッジ部１）
のみを流れる。下クラッド層２゜活性層３．上クラッド
層４はダブルヘテロ構造をなしているので、リッジ部１
）から注入された電流によって、活性層３のリッジ付近
の部分か発光し、レーザ発振する。
次に、この半導体レーザ装置の製造工程について説明す
る。
る。
第６図は製造フローを示す断面工程図であり、図におい
て、第５図と同一符号は同−又は相当部分てあり、１２
はＳｉＮ膜である。
て、第５図と同一符号は同−又は相当部分てあり、１２
はＳｉＮ膜である。
まず、第６図（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１
上へｎ （ＡＡ’０．７ Ｇａｏ、ｚ ） ｏ、ｓ
Ｉ ｎｏ、ｓＰ下クラッド層２．アンドープＧ ａｏ
、ｓ Ｉｎｏ、ｓＰ活性層３． ｐ−（Ａｆｏ７Ｇ
ａｏ、ｚ ） ｌ）、６ Ｉ ｎｏ５Ｐ上クラッド層
４．ｐ Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐバフフッ層５．
ｐ−ＧａＡｓキャップ層８ａを成長する。成長方法は有
機金属気相成長方法（ＭＯＣＶＤ法）を用いる。典型的
な成長温度は６５０〜７００°Ｃてあり、ＧａＡｓ基板
１を昇温中は基板の熱分解を防ぐために反応管中にＡ
ｓ Ｈ３ガスを流す。成長開始とともにＡ ｓ Ｈ３ガ
スを切り、ＡｌＧａ ＩｎＰ系半導体の材料ガスである
ＰＨ，。
上へｎ （ＡＡ’０．７ Ｇａｏ、ｚ ） ｏ、ｓ
Ｉ ｎｏ、ｓＰ下クラッド層２．アンドープＧ ａｏ
、ｓ Ｉｎｏ、ｓＰ活性層３． ｐ−（Ａｆｏ７Ｇ
ａｏ、ｚ ） ｌ）、６ Ｉ ｎｏ５Ｐ上クラッド層
４．ｐ Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐバフフッ層５．
ｐ−ＧａＡｓキャップ層８ａを成長する。成長方法は有
機金属気相成長方法（ＭＯＣＶＤ法）を用いる。典型的
な成長温度は６５０〜７００°Ｃてあり、ＧａＡｓ基板
１を昇温中は基板の熱分解を防ぐために反応管中にＡ
ｓ Ｈ３ガスを流す。成長開始とともにＡ ｓ Ｈ３ガ
スを切り、ＡｌＧａ ＩｎＰ系半導体の材料ガスである
ＰＨ，。
トリメチルアルミニウム、トリエチルガリウム。
トリメチルインジウム等を流す。下クラッド層２〜バッ
ファ層５の各層を成長した後は、ＰＨ，。
ファ層５の各層を成長した後は、ＰＨ，。
トリメチルアルミニウム、トリメチルインジウムを切る
と同時にＡｓＨｚを流してｐ−ＧａＡｓ層８ａを成長す
る。次に、第６図（ｂ）に示すようにｐ−ＧａＡｓキャ
ップ層８ａ上に約８μｍ幅のＳｉＮ膜１２を形成する。
と同時にＡｓＨｚを流してｐ−ＧａＡｓ層８ａを成長す
る。次に、第６図（ｂ）に示すようにｐ−ＧａＡｓキャ
ップ層８ａ上に約８μｍ幅のＳｉＮ膜１２を形成する。
そして、第６図（Ｃ）に示すように、ＳｉＮ膜１２をマ
スクとして、キャップ層８ａ、バッファ層５．上クラッ
ド層４をエツチングして、リッジ１）を形成する。次に
、第６図（ｄ）に示すように、ＳｉＮ膜１２をマスクと
して、ｎＩ ｎ １Ｇ ａ ＋−＋ Ａ ｓ 、Ｐ ＋
−電流ブロック層６を選択成長する。この時、リッジ
を形成した基板を昇温度中及びｎ−Ｉｎ＋ Ｇａ＋−＋
Ａｓ、Ｐ電流ブロック層６を成長中は（Ａｆｏ、ｔ
Ｇａｏ、ｚ ）。５Ｉｎａ、ｓＰ上クラッド層４か分解
しないようにＰＨ３を流す。ｎ Ｉ ｒｌ＋ Ｇａ＋
−Ｉ Ａｓｕ Ｐ ＋ −ｕ電流ブロック層６を成長後
、第６図（ｅ）に示すようにＳｉＮ膜１２を除去し、ｐ
−ＧａＡｓｒンタクト層８ｂを成長する。ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層８ｂ成長前の昇温時には、ｎ−Ｉｎ＋ Ｇ
ａ＋−＋ ＡＳ ｕ Ｐ ｌ−。ブロック層か分解しな
いようにＰＨ。
スクとして、キャップ層８ａ、バッファ層５．上クラッ
ド層４をエツチングして、リッジ１）を形成する。次に
、第６図（ｄ）に示すように、ＳｉＮ膜１２をマスクと
して、ｎＩ ｎ １Ｇ ａ ＋−＋ Ａ ｓ 、Ｐ ＋
−電流ブロック層６を選択成長する。この時、リッジ
を形成した基板を昇温度中及びｎ−Ｉｎ＋ Ｇａ＋−＋
Ａｓ、Ｐ電流ブロック層６を成長中は（Ａｆｏ、ｔ
Ｇａｏ、ｚ ）。５Ｉｎａ、ｓＰ上クラッド層４か分解
しないようにＰＨ３を流す。ｎ Ｉ ｒｌ＋ Ｇａ＋
−Ｉ Ａｓｕ Ｐ ＋ −ｕ電流ブロック層６を成長後
、第６図（ｅ）に示すようにＳｉＮ膜１２を除去し、ｐ
−ＧａＡｓｒンタクト層８ｂを成長する。ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層８ｂ成長前の昇温時には、ｎ−Ｉｎ＋ Ｇ
ａ＋−＋ ＡＳ ｕ Ｐ ｌ−。ブロック層か分解しな
いようにＰＨ。
を流してリン圧をかける。そしてｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層８ｂ成長開始とともにＰＨ３を切ると同時にトリエ
チルガリウム及びＡＳＨ＋を流して、ｐ−ＧａＡｓコン
タクト層８ｂを成長する。ｐ−ＧａＡｓコンタクト層の
典型的な成長温度は６５０〜７００°Ｃである。また、
ｐ型ドーパントはＺｎて、ｐ型ドーパントガスであるジ
エチルジンク（ＤＥＺｎ）の流量調節によりｐ−ＧａＡ
ｓ：＋ンタクト層のキャリア濃度を制御する必要かある
。
ト層８ｂ成長開始とともにＰＨ３を切ると同時にトリエ
チルガリウム及びＡＳＨ＋を流して、ｐ−ＧａＡｓコン
タクト層８ｂを成長する。ｐ−ＧａＡｓコンタクト層の
典型的な成長温度は６５０〜７００°Ｃである。また、
ｐ型ドーパントはＺｎて、ｐ型ドーパントガスであるジ
エチルジンク（ＤＥＺｎ）の流量調節によりｐ−ＧａＡ
ｓ：＋ンタクト層のキャリア濃度を制御する必要かある
。
最後に第６図げ）に示すようにｐ側電極９及びｎ側電極
１０を蒸着して、第５図に示したレーザ構造か完成する
。
１０を蒸着して、第５図に示したレーザ構造か完成する
。
従来の可視光半導体レーザは以上のように、コンタクト
層８ｂにｐ−ＧａＡＳを用いており、このため以下のよ
うな問題点かあった。
層８ｂにｐ−ＧａＡＳを用いており、このため以下のよ
うな問題点かあった。
即ち、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８ｂは約３μｍと厚い
ため、成長時間は約１時間と長い。それに加えて、成長
温度か６５０〜７００°Ｃと高いために、ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層８ｂ成長中にクラッド層のドーパントの活
性化率か変化したり、クラッド層から活性層へドーパン
トか拡散したりして、特性か悪化しやすかった。この特
性の悪化を抑えるためには、コンタクト層８ｂの成長温
度を下げる必要がある。ここで、コンタクト層のキャリ
ア濃度はｐ型ドーパントガスであるジエチルジンクの流
量調節により１０′８〜１０”ａｍ−３付近に制御する
必要かあるが、ｐ−ＧａＡｓは低温で成長する程ｐ型ド
ーパントであるＺｎの取り込まれ率が高くなり、上述の
制御が難しくなる。この結果、コンタクト層内に過剰の
不純物がとりこまれ、この過剰不純物による結晶欠陥等
の弊害か生じる。従ってＧａＡｓコンタクト層の低温成
長は困難である。
ため、成長時間は約１時間と長い。それに加えて、成長
温度か６５０〜７００°Ｃと高いために、ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層８ｂ成長中にクラッド層のドーパントの活
性化率か変化したり、クラッド層から活性層へドーパン
トか拡散したりして、特性か悪化しやすかった。この特
性の悪化を抑えるためには、コンタクト層８ｂの成長温
度を下げる必要がある。ここで、コンタクト層のキャリ
ア濃度はｐ型ドーパントガスであるジエチルジンクの流
量調節により１０′８〜１０”ａｍ−３付近に制御する
必要かあるが、ｐ−ＧａＡｓは低温で成長する程ｐ型ド
ーパントであるＺｎの取り込まれ率が高くなり、上述の
制御が難しくなる。この結果、コンタクト層内に過剰の
不純物がとりこまれ、この過剰不純物による結晶欠陥等
の弊害か生じる。従ってＧａＡｓコンタクト層の低温成
長は困難である。
さらにｐ−ＧａＡｓコンタクト層８ｂ成長前にウェハ表
面に露出しているのは大部分がＩｎ、Ｇａ Ｉ−Ｉ Ａ
Ｓ ｕ Ｐ Ｈ−ｕ ６なので、ｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層８ｂ成長前の基板の昇温中はＰＨ３雰囲気にして
、リン圧をかけてＩｎ＋ Ｇａ＋−＋ Ａｓ。
面に露出しているのは大部分がＩｎ、Ｇａ Ｉ−Ｉ Ａ
Ｓ ｕ Ｐ Ｈ−ｕ ６なので、ｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層８ｂ成長前の基板の昇温中はＰＨ３雰囲気にして
、リン圧をかけてＩｎ＋ Ｇａ＋−＋ Ａｓ。
Ｐｌ−４の分解を防いでいる。一方、コンタクトかＧａ
Ａｓであるため、リッジ上の最表面にはキャップ層とし
てコンタクト層と同一組成のｐ−ＧａＡｓ層８ａか設け
られているが、ＰＨ，雰囲気で昇温している間にこのｐ
−ＧａＡｓキャップ層８ａからＡｓが蒸発して結晶欠陥
がはいりやすかった。リッジ部のｐ−ＧａＡｓキャップ
層８ａは約０．３μｍと薄いため、結晶欠陥はｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層８ａ内にとどまらず、（ＡＩ！。ｖＧａ
ｏ、ｉｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ下クラッド層及びＧ
ａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓＰ活性層にも結晶欠陥を誘発す
る。その結果、レーザの寿命が悪くなるという問題があ
った。
Ａｓであるため、リッジ上の最表面にはキャップ層とし
てコンタクト層と同一組成のｐ−ＧａＡｓ層８ａか設け
られているが、ＰＨ，雰囲気で昇温している間にこのｐ
−ＧａＡｓキャップ層８ａからＡｓが蒸発して結晶欠陥
がはいりやすかった。リッジ部のｐ−ＧａＡｓキャップ
層８ａは約０．３μｍと薄いため、結晶欠陥はｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層８ａ内にとどまらず、（ＡＩ！。ｖＧａ
ｏ、ｉｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ下クラッド層及びＧ
ａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓＰ活性層にも結晶欠陥を誘発す
る。その結果、レーザの寿命が悪くなるという問題があ
った。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、高性能かつ長寿命の可視光半導体レーザを得
ることを目的とする。
たもので、高性能かつ長寿命の可視光半導体レーザを得
ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、２回目以降のエピ
タキシャル成長工程で形成されるコンタクト層としてｐ
−Ｉｎ、Ｇａ＋−ｘ Ａｓｙ ＰＩ−ｙ （０≦ｙ＜
１）を用いたものである。
タキシャル成長工程で形成されるコンタクト層としてｐ
−Ｉｎ、Ｇａ＋−ｘ Ａｓｙ ＰＩ−ｙ （０≦ｙ＜
１）を用いたものである。
この発明においては、２回目以降のエピタキ、シャル成
長工程で形成されるコンタクト層としてＩｎｘ Ｇａ＋
−ｘ Ａｓｙ Ｐ＋−ｙを用いたから、コンタクト層を
低温成長でき、可視光半導体レーザの高性能化、長寿命
化を実現てきる。
長工程で形成されるコンタクト層としてＩｎｘ Ｇａ＋
−ｘ Ａｓｙ Ｐ＋−ｙを用いたから、コンタクト層を
低温成長でき、可視光半導体レーザの高性能化、長寿命
化を実現てきる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例による半導体レーザの構
造を示す断面図であり、図において、ｌはｎ−ＧａＡｓ
基板であり、ｎ （Ａｆｆｏ７Ｇａ。２）。５Ｉｎｏ
、ｓＰ下クラッド層２．アンドープＧａｏ、ｓ Ｉ ｎ
ｏ、ｓ Ｐ活性層３．およびｐ−（ＡＩ！ｏ７Ｇａｏ、
＊ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ下クラッド層４か
らなるダブルヘテロ構造が基板ｌ上に配置される。上ク
ラッド層４はレーザ素子幅方向の中央部分に共振器長方
向のストライプ状リッジを存し、ｐ Ｇａ０．ｓ ｒ
ｎｏ、ｓ Ｐバッファ層５は上クラッド層４のリッジ部
上に配置される。また、ｎ−Ｉｎ ＋ Ｇ ａ ＋−＋
Ａ Ｓ ｕ Ｐ ＋−ａ電流電流ブラフ２層６クラッ
ド履４の一部とバッファ層５からなるリッジ１）を埋め
るように上クラッド層４のリッジ以外の領域上に配置さ
れる。ｐ−Ｉｎ、Ｇａ＋−ｘ Ａｓ、Ｐ、−７コンタク
ト層７は電流ブロック層６上及びバッファ層５上に配置
される。ｐ側電極９゜及びｎ側電極１０はコンタクト層
７上、及び基板１裏面にそれぞれ設けられる。
造を示す断面図であり、図において、ｌはｎ−ＧａＡｓ
基板であり、ｎ （Ａｆｆｏ７Ｇａ。２）。５Ｉｎｏ
、ｓＰ下クラッド層２．アンドープＧａｏ、ｓ Ｉ ｎ
ｏ、ｓ Ｐ活性層３．およびｐ−（ＡＩ！ｏ７Ｇａｏ、
＊ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ下クラッド層４か
らなるダブルヘテロ構造が基板ｌ上に配置される。上ク
ラッド層４はレーザ素子幅方向の中央部分に共振器長方
向のストライプ状リッジを存し、ｐ Ｇａ０．ｓ ｒ
ｎｏ、ｓ Ｐバッファ層５は上クラッド層４のリッジ部
上に配置される。また、ｎ−Ｉｎ ＋ Ｇ ａ ＋−＋
Ａ Ｓ ｕ Ｐ ＋−ａ電流電流ブラフ２層６クラッ
ド履４の一部とバッファ層５からなるリッジ１）を埋め
るように上クラッド層４のリッジ以外の領域上に配置さ
れる。ｐ−Ｉｎ、Ｇａ＋−ｘ Ａｓ、Ｐ、−７コンタク
ト層７は電流ブロック層６上及びバッファ層５上に配置
される。ｐ側電極９゜及びｎ側電極１０はコンタクト層
７上、及び基板１裏面にそれぞれ設けられる。
なお、本実施例ではｐ−Ｉ ｎ、Ｇａ＋−＊ Ａｓ。
Ｐ ｌ−ｙコンタクト層７としてｐ Ｇａｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓＰ （Ｉｒ１ｘ Ｇａ＋−ｘ Ａｓｙ Ｐ ＋
−ｙにおいて、Ｘ＝０．５．ｙ＝０）を用いており、こ
のため従来例で設けていたキャップ層はＩ） Ｇａｏ
、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐバッファ層５がその機能を兼ね
ている。
ｎｏ、ｓＰ （Ｉｒ１ｘ Ｇａ＋−ｘ Ａｓｙ Ｐ ＋
−ｙにおいて、Ｘ＝０．５．ｙ＝０）を用いており、こ
のため従来例で設けていたキャップ層はＩ） Ｇａｏ
、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐバッファ層５がその機能を兼ね
ている。
上記各層の典型的な層厚は、下クラッド層２が１．０μ
ｍ、活性層３が０．０８μｍ、下クラッド層４のリッジ
以外の部分、すなわち活性層３と電流ブロック層６には
さまれた部分は０．３μｍ、上クラッド層４のリッジ部
分は１．０μｍ、バッファ層５は０．１８ｍ１電流ブロ
ツク層６は０．８μｍ、キコンタクト層７が３．０μｍ
である。また、リッジ１）の幅は４μｍである。
ｍ、活性層３が０．０８μｍ、下クラッド層４のリッジ
以外の部分、すなわち活性層３と電流ブロック層６には
さまれた部分は０．３μｍ、上クラッド層４のリッジ部
分は１．０μｍ、バッファ層５は０．１８ｍ１電流ブロ
ツク層６は０．８μｍ、キコンタクト層７が３．０μｍ
である。また、リッジ１）の幅は４μｍである。
次に動作について説明する。
本実施例レーザの基本的な動作は第５図の従来例と全く
同しである。即ちｐ側電極９とｎ側電極ＩＯの間に順方
向電圧を印加すると、電流ブロック層６かあるために電
流はリッジ部１）のみを流れる。下クラッド層２．活性
層３．上クラッド層４はダブルヘテロ構造をなしている
のて、リッジ部１）から注入された電流によって、活性
層３のリッジ付近の部分が発光し、レーサ発振する。
同しである。即ちｐ側電極９とｎ側電極ＩＯの間に順方
向電圧を印加すると、電流ブロック層６かあるために電
流はリッジ部１）のみを流れる。下クラッド層２．活性
層３．上クラッド層４はダブルヘテロ構造をなしている
のて、リッジ部１）から注入された電流によって、活性
層３のリッジ付近の部分が発光し、レーサ発振する。
次にこの半導体レーザ装置の製造工程について説明する
。
。
第２図は本実施例レーザ装置の製造フローを示す断面工
程図であり、図において、第１図と同一符号は同−又は
相当部分てあり、１２はＳｉＮ膜である。
程図であり、図において、第１図と同一符号は同−又は
相当部分てあり、１２はＳｉＮ膜である。
まず、第２図（ａ）に示すようにｎ−ＧａＡｓ基板１上
へｎ−（Ａｌ６．７ ｃａｏ、３ ） ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐ２、アンドープＧａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、
ｓ Ｐ ３． ｐ （ＡＩ；ｏ、ｔ Ｇａｏ、ｓ
） ｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ４． ｐ Ｇａｏ５
Ｉｎｏ、ｓＰバッファ層５を成長する。このｐ−Ｇａ６
．ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐバッファ層５は従来のキャップ層
を兼ねている。成長方法は有機金属気相成長方法（ＭＯ
ＣＶＤ法）を用いる。典型的な成長温度は６５０〜７０
０°Ｃであり、ＧａＡｓ基板１を昇温中は基板の熱分解
を防ぐために反応管中にＡｓＨ３ガスを流す。成長開始
とともにＡｓＨ３ガスを切り、ＡｆＧａ ＩｎＰ系半導
体の材料ガスである。ＰＨ，、トリメチルアルミニウム
、トリエチルガリウム、トリメチルインジウム等を流す
。次に、第２図（ｂｌに示すように、ｐ Ｇａｏ、ｓ
Ｉｎｏ、ｓＰバッファ層層上上ＳｉＮ膜１２を形成
する。次に第２図（Ｃ）に示すようにＳｉＮ膜１２をマ
スクとして、バッファ層５．上クラッド層４をエツチン
グして、リッジ１）を形成する。そして、第２図（ｄ）
に示すように、ＳｉＮ膜１２をマスクとしてｎＩ ｎ＋
Ｇａ＋−＋ Ａｓｕ Ｐ、−ｕ電流ブロック層６を選
択成長する。ｎ−１ｎ＋ Ｇａ＋−＋ Ａｓ、ＰＩ−ｕ
電流ブロック層６を成長後、第２図（ｅ）に示すように
ＳｉＮ膜１２を除去し、ｐ Ｉ ｎ ｘ Ｇ ａ ＋
−ｘ ＡＳｙＰＩ−アコンタクト層７を成長する。コ
ンタクト層７成長前に表面に露出しているのは、大部分
か電流ブロック層６の材料であるＩｎ１Ｇａ＋−＋Ａ
Ｓ ｕ Ｐ ｌ−ｕなので、コンタクト層成長前の基板
昇温時にはＰＨ１を流してリン圧をかける。従来はコン
タクト層としてＧａＡｓを用いていたため、リッジ最表
面のキャップ層はＧａＡｓであり、ＰＨ３雰囲気下では
ＧａＡｓ中からＡｓが蒸発してリッジ部に結晶欠陥を誘
発しやすかったか、本実施例では、コンタクト層として
Ｇ ａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓＰを用いるため、リッジ最
表面はＧａＯ，ｓ Ｉｎｏ、ｓＰであり、ＰＨ２雰囲
気中でリッジ部に結晶欠陥か入りにくい。さらに、ｐ
Ｉ ｎ ｘ Ｇ ａ ＋ −ｘ Ａ ＳアＰ１−７は
従来のｐ−ＧａＡｓコンタクト層の典型的な成長温度６
５０〜７００°Ｃよりも低温で所望のキャリア濃度のコ
ンタクト層の成長か可能であるので、コンタクト層成長
中のクラッド層中のドーパント拡散等に起因する特性の
悪化を防ぐことができる。
へｎ−（Ａｌ６．７ ｃａｏ、３ ） ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐ２、アンドープＧａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、
ｓ Ｐ ３． ｐ （ＡＩ；ｏ、ｔ Ｇａｏ、ｓ
） ｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ４． ｐ Ｇａｏ５
Ｉｎｏ、ｓＰバッファ層５を成長する。このｐ−Ｇａ６
．ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐバッファ層５は従来のキャップ層
を兼ねている。成長方法は有機金属気相成長方法（ＭＯ
ＣＶＤ法）を用いる。典型的な成長温度は６５０〜７０
０°Ｃであり、ＧａＡｓ基板１を昇温中は基板の熱分解
を防ぐために反応管中にＡｓＨ３ガスを流す。成長開始
とともにＡｓＨ３ガスを切り、ＡｆＧａ ＩｎＰ系半導
体の材料ガスである。ＰＨ，、トリメチルアルミニウム
、トリエチルガリウム、トリメチルインジウム等を流す
。次に、第２図（ｂｌに示すように、ｐ Ｇａｏ、ｓ
Ｉｎｏ、ｓＰバッファ層層上上ＳｉＮ膜１２を形成
する。次に第２図（Ｃ）に示すようにＳｉＮ膜１２をマ
スクとして、バッファ層５．上クラッド層４をエツチン
グして、リッジ１）を形成する。そして、第２図（ｄ）
に示すように、ＳｉＮ膜１２をマスクとしてｎＩ ｎ＋
Ｇａ＋−＋ Ａｓｕ Ｐ、−ｕ電流ブロック層６を選
択成長する。ｎ−１ｎ＋ Ｇａ＋−＋ Ａｓ、ＰＩ−ｕ
電流ブロック層６を成長後、第２図（ｅ）に示すように
ＳｉＮ膜１２を除去し、ｐ Ｉ ｎ ｘ Ｇ ａ ＋
−ｘ ＡＳｙＰＩ−アコンタクト層７を成長する。コ
ンタクト層７成長前に表面に露出しているのは、大部分
か電流ブロック層６の材料であるＩｎ１Ｇａ＋−＋Ａ
Ｓ ｕ Ｐ ｌ−ｕなので、コンタクト層成長前の基板
昇温時にはＰＨ１を流してリン圧をかける。従来はコン
タクト層としてＧａＡｓを用いていたため、リッジ最表
面のキャップ層はＧａＡｓであり、ＰＨ３雰囲気下では
ＧａＡｓ中からＡｓが蒸発してリッジ部に結晶欠陥を誘
発しやすかったか、本実施例では、コンタクト層として
Ｇ ａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓＰを用いるため、リッジ最
表面はＧａＯ，ｓ Ｉｎｏ、ｓＰであり、ＰＨ２雰囲
気中でリッジ部に結晶欠陥か入りにくい。さらに、ｐ
Ｉ ｎ ｘ Ｇ ａ ＋ −ｘ Ａ ＳアＰ１−７は
従来のｐ−ＧａＡｓコンタクト層の典型的な成長温度６
５０〜７００°Ｃよりも低温で所望のキャリア濃度のコ
ンタクト層の成長か可能であるので、コンタクト層成長
中のクラッド層中のドーパント拡散等に起因する特性の
悪化を防ぐことができる。
ここで、ｐ Ｉ ｎ、、 Ｇ ａ ＋ −ｘ Ａ ｓ
ｙ Ｐ ｌ−ｙがｐ−ＧａＡｓコンタクト層の典型的
な成長温度６５０〜７００°Ｃよりも低温で所望のキャ
リア濃度のコンタクト層の成長か可能な理由について説
明する。第４図は成長温度（Ｔｇ）６５０’Ｃにおける
ｐ−ＧａＡｓとｐ Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ＰのＺｎのド
ーピング特性を示す図である。この図かられかるように
、Ｇａ ＩｎＰはＧａＡｓに比べてＺｎの取り込まれ率
がキャリア濃度＞ １８ ”ｃｍ−’の領域では、１）
５〜Ｉ／１０程度である。従って、成長温度を下げてＺ
ｎの取り込まれ率か全体に高くなった場合、ＧａＡｓで
はｌ Ｏ” 〜１０ ”ｃｍ付近にキャリア濃度を制御
しようとすると、Ｚｎの原料ガスであるＤＥＺｎ （ジ
エチルジンク）の流量をマスフローコントローラで制御
可能な範囲以下に絞ることが必要となり、その結果キャ
リア濃度の制御か不可能となる。しかしＧａ ＩｎＰの
場合、ＧａＡｓに比べＺｎの取り込まれ率が格段に低い
ので、成長温度を下げた場合でも、キャリア濃度を１０
１８〜Ｉ Ｏ”ｃｍ−３程度にするために必要なりＥＺ
ｎの流量はマスフローコントローラで制御可能な範囲内
にあるので、キャリア濃度の制御が可能である。
ｙ Ｐ ｌ−ｙがｐ−ＧａＡｓコンタクト層の典型的
な成長温度６５０〜７００°Ｃよりも低温で所望のキャ
リア濃度のコンタクト層の成長か可能な理由について説
明する。第４図は成長温度（Ｔｇ）６５０’Ｃにおける
ｐ−ＧａＡｓとｐ Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ＰのＺｎのド
ーピング特性を示す図である。この図かられかるように
、Ｇａ ＩｎＰはＧａＡｓに比べてＺｎの取り込まれ率
がキャリア濃度＞ １８ ”ｃｍ−’の領域では、１）
５〜Ｉ／１０程度である。従って、成長温度を下げてＺ
ｎの取り込まれ率か全体に高くなった場合、ＧａＡｓで
はｌ Ｏ” 〜１０ ”ｃｍ付近にキャリア濃度を制御
しようとすると、Ｚｎの原料ガスであるＤＥＺｎ （ジ
エチルジンク）の流量をマスフローコントローラで制御
可能な範囲以下に絞ることが必要となり、その結果キャ
リア濃度の制御か不可能となる。しかしＧａ ＩｎＰの
場合、ＧａＡｓに比べＺｎの取り込まれ率が格段に低い
ので、成長温度を下げた場合でも、キャリア濃度を１０
１８〜Ｉ Ｏ”ｃｍ−３程度にするために必要なりＥＺ
ｎの流量はマスフローコントローラで制御可能な範囲内
にあるので、キャリア濃度の制御が可能である。
また、成長可能な下限温度もＧａＡｓは約６゜０°Ｃで
あるのに対し、Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐは５５０
°Ｃ程度まては低温化か可能である。
あるのに対し、Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐは５５０
°Ｃ程度まては低温化か可能である。
コンタクト層７の成長後、第２図げ）に示すように、ｐ
側電極９及びｎ側電極１０を蒸着して、第１図に示した
本発明のレーザ構造が完成する。
側電極９及びｎ側電極１０を蒸着して、第１図に示した
本発明のレーザ構造が完成する。
なお、上記実施例では、活性層をＧａｏ、５ＩｎＯ，５
Ｐとしたか、（Ａ１．Ｇａ＋−ｘ ） ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓＰでも同様の効果を奏する。また、クラッド層
を（Ａｆｏ７Ｇａｏ３）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ５Ｐとして
説明したか、（Ａｚ、 Ｇａ１−ｗ ） ｏ、ｓ １
ｎｏ、ｓ Ｐ （但しＺ＜Ｗ）でも同様の効果を奏す
る。
Ｐとしたか、（Ａ１．Ｇａ＋−ｘ ） ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓＰでも同様の効果を奏する。また、クラッド層
を（Ａｆｏ７Ｇａｏ３）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ５Ｐとして
説明したか、（Ａｚ、 Ｇａ１−ｗ ） ｏ、ｓ １
ｎｏ、ｓ Ｐ （但しＺ＜Ｗ）でも同様の効果を奏す
る。
次に、本発明の他の実施例について説明する。
第３図は本発明の第２の実施例による半導体レーザ装置
の構造を示す断面図であり、図において、■はｎ−Ｇａ
Ａｓ基板であり、ｎ−（Ａｆｏ７Ｇａｏ３） ｏ、ｓ
Ｔ ｎｏ、５ Ｐ下りラッド層２．アンドープＧａｏ
、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ活性層３．およびｐ−（Ａｌｏ
、ｖ Ｇａｏ、ｚ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ第１
上クラッド層４ａからなるダブルヘテロ構造が基板１上
に配置される。中央部分に電流通路となるストライプ状
溝１３を有するｎ−、Ｉｎ＋ Ｇａ＋−＋ Ａｓ、Ｐ−
１電流ブロック層６は第１上クラッド層４ａ上に配置さ
れる。ｐ−（ＡＩ。−ｔ Ｇａ。、ｓ ） ｏ、ｓ
Ｉｎｏ、ｓＰ第２上クラッド層４はブロック層６上。
の構造を示す断面図であり、図において、■はｎ−Ｇａ
Ａｓ基板であり、ｎ−（Ａｆｏ７Ｇａｏ３） ｏ、ｓ
Ｔ ｎｏ、５ Ｐ下りラッド層２．アンドープＧａｏ
、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ活性層３．およびｐ−（Ａｌｏ
、ｖ Ｇａｏ、ｚ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ第１
上クラッド層４ａからなるダブルヘテロ構造が基板１上
に配置される。中央部分に電流通路となるストライプ状
溝１３を有するｎ−、Ｉｎ＋ Ｇａ＋−＋ Ａｓ、Ｐ−
１電流ブロック層６は第１上クラッド層４ａ上に配置さ
れる。ｐ−（ＡＩ。−ｔ Ｇａ。、ｓ ） ｏ、ｓ
Ｉｎｏ、ｓＰ第２上クラッド層４はブロック層６上。
溝１３部分に露出した第１上クラッド層４ａ上。
及び溝１３の側面上に配置される。ｐ Ｇａｏ、５Ｉ
ｎ６．ｓＰバッファ層５は第２上クラ・ノド層４ｂ上に
配置され、ｐ Ｉ １） Ｇ ａ ＋ −ｘ Ａ ｓ
ｙ Ｐ ＋ −ｙコンタクト層７はバッファ層５上に
配置される。
ｎ６．ｓＰバッファ層５は第２上クラ・ノド層４ｂ上に
配置され、ｐ Ｉ １） Ｇ ａ ＋ −ｘ Ａ ｓ
ｙ Ｐ ＋ −ｙコンタクト層７はバッファ層５上に
配置される。
ｐ側電極９．及びｎ側電極１０はコンタクト［７上、及
び基板１裏面にそれぞれ設けられる。
び基板１裏面にそれぞれ設けられる。
なお、ｐ （Ａｆｏ７Ｇａｏ、ｚ ） ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓＰ第１上クラッド層の厚みは約０．３μｍ、
ｐ−１ｎ ＊ Ｇ ａ ＋−８ＡｓアＰ１−アコンタク
ト層の厚みは約３μｍ、溝１３の幅は４μｍ程度である
。
ｎｏ、ｓＰ第１上クラッド層の厚みは約０．３μｍ、
ｐ−１ｎ ＊ Ｇ ａ ＋−８ＡｓアＰ１−アコンタク
ト層の厚みは約３μｍ、溝１３の幅は４μｍ程度である
。
次に、この半導体レーザ装置の動作について説明する。
電極９，１０間に電圧を印加すると、電流は溝１３内を
通って流れ、活性層３の溝下の部分が発光し、レーザ発
振する。
通って流れ、活性層３の溝下の部分が発光し、レーザ発
振する。
次に、この半導体レーザ装置の製造工程について説明す
る。
る。
このレーザの製造工程においては、ｎ−ＧａＡＳ基板ｌ
上にｎ ＣＡｆ！ｏ７Ｇａｏ３）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ
、ｓＰ下クラッド層２．アンドープＧａｏ、５ｌｎＯ，
ＳＰ活性層３． ｐ （Ａｊ’ｏ７Ｇａｏ３）ｏ、５
Ｔｎｏ、ｓＰ第１クラッド層４ａ、ｎ−Ｉｎ＋ Ｇａ＋
−＋ Ａ Ｓ ｕ Ｐ １−ｕ電流ブロック層６を成長
した後、ｎ Ｉｎ＋ Ｇａ＋−＋ ＡＳｕ Ｐ Ｉ−
ｕ電流ブａ−）り層６をエツチングして溝１３を形成す
る。次にこの溝１３上にｐ−（ＡＩ！。７ Ｇａｏ３）
ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓＰ第２上クラッド層４ｂ、ｐ
Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓＰバッファ層５．ｐ−Ｉｎ
、Ｇａ＋−ｘ Ａｓｙ ＰＩ−ｙコンタクト層７を連続
して成長する。
上にｎ ＣＡｆ！ｏ７Ｇａｏ３）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ
、ｓＰ下クラッド層２．アンドープＧａｏ、５ｌｎＯ，
ＳＰ活性層３． ｐ （Ａｊ’ｏ７Ｇａｏ３）ｏ、５
Ｔｎｏ、ｓＰ第１クラッド層４ａ、ｎ−Ｉｎ＋ Ｇａ＋
−＋ Ａ Ｓ ｕ Ｐ １−ｕ電流ブロック層６を成長
した後、ｎ Ｉｎ＋ Ｇａ＋−＋ ＡＳｕ Ｐ Ｉ−
ｕ電流ブａ−）り層６をエツチングして溝１３を形成す
る。次にこの溝１３上にｐ−（ＡＩ！。７ Ｇａｏ３）
ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓＰ第２上クラッド層４ｂ、ｐ
Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓＰバッファ層５．ｐ−Ｉｎ
、Ｇａ＋−ｘ Ａｓｙ ＰＩ−ｙコンタクト層７を連続
して成長する。
本実施例においても、コンタクト層７の材料はＩ ｎ
ｘ Ｇ ａ ｌ−ｘ Ａ Ｓ ｙ Ｐ ＋−ｙであるの
で、コンタクト層の低温成長が可能であり、上記第１の
実施例と同様、高性能２長寿命の半導体レーザ装置を得
ることかできる。
ｘ Ｇ ａ ｌ−ｘ Ａ Ｓ ｙ Ｐ ＋−ｙであるの
で、コンタクト層の低温成長が可能であり、上記第１の
実施例と同様、高性能２長寿命の半導体レーザ装置を得
ることかできる。
以上のように、この発明によれば、２回目以降のエピタ
キシャル成長により形成されるコンタクト層にＩ ｎ
ｘ Ｇ ａ ＋ −ｘ Ａ Ｓ ｙ Ｐ ＋−ｙを用い
たから、コンタクト層の低温成長を可能とでき、コンタ
クト層成長中のドーパントの拡散等に起因する特性の悪
化を防止でき、高性能、長寿命の可視光半導体レーザ装
置を実現できる効果がある。
キシャル成長により形成されるコンタクト層にＩ ｎ
ｘ Ｇ ａ ＋ −ｘ Ａ Ｓ ｙ Ｐ ＋−ｙを用い
たから、コンタクト層の低温成長を可能とでき、コンタ
クト層成長中のドーパントの拡散等に起因する特性の悪
化を防止でき、高性能、長寿命の可視光半導体レーザ装
置を実現できる効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例による半導体レーザ装
置を示す断面図、第２図は第１図の半導体レーザの製造
フローを示す断面工程図、第３図は本発明の第２の実施
例による半導体レーザ装置を示す断面図、第４図はＴｇ
＝６５０’Ｃにおけるｐ−ＧａＡｓとｐ Ｇａｏ、ｓ
Ｉｎｏ、ｓ ＰのＺｎのドーピング特性を示す図、第
５図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図、第６図は
従来の半導体レーザ装置の製造フローを示す断面工程図
である。 図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−（ＡＩ！
ｏ７Ｇａｏ３）ｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ下りラッド層
、３はアンドープＧａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ活性層
、４ａはＰ （Ａｆｏ７Ｇａｏ、ｚ ） ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐ上クラッド層、５はｐ Ｇａｏ、ｓ
Ｉｎｏ、ｓ Ｐバラフッ層、６はｎ Ｉ ｎ＋ Ｇ
ａｐ−Ｉ Ａｓｕ Ｐ ｌ−ｕ電流プロ１ク層、７はｐ
−Ｉｎ、Ｇａｐ−、Ａｓｙ Ｐ＋−ｙコンタクト層であ
る。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
置を示す断面図、第２図は第１図の半導体レーザの製造
フローを示す断面工程図、第３図は本発明の第２の実施
例による半導体レーザ装置を示す断面図、第４図はＴｇ
＝６５０’Ｃにおけるｐ−ＧａＡｓとｐ Ｇａｏ、ｓ
Ｉｎｏ、ｓ ＰのＺｎのドーピング特性を示す図、第
５図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図、第６図は
従来の半導体レーザ装置の製造フローを示す断面工程図
である。 図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−（ＡＩ！
ｏ７Ｇａｏ３）ｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ下りラッド層
、３はアンドープＧａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ活性層
、４ａはＰ （Ａｆｏ７Ｇａｏ、ｚ ） ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐ上クラッド層、５はｐ Ｇａｏ、ｓ
Ｉｎｏ、ｓ Ｐバラフッ層、６はｎ Ｉ ｎ＋ Ｇ
ａｐ−Ｉ Ａｓｕ Ｐ ｌ−ｕ電流プロ１ク層、７はｐ
−Ｉｎ、Ｇａｐ−、Ａｓｙ Ｐ＋−ｙコンタクト層であ
る。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）第１回目のエピタキシャル成長でＡｌＧａＩｎＰ
系材料を用いた第１導電型下クラッド層、活性層、及び
第２導電型上クラッド層からなるダブルヘテロ構造を形
成し、第２回目以降のエピタキシャル成長でコンタクト
層を形成してなる構造を有する半導体レーザ装置におい
て、 上記コンタクト層がＩｎ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ＿ｙ
Ｐ＿１＿−＿ｙからなることを特徴とする半導体レーザ
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2268883A JPH04144185A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体レーザ装置 |
| US07/734,450 US5146467A (en) | 1990-10-04 | 1991-07-23 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
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