JPH06244490A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH06244490A JPH06244490A JP5025424A JP2542493A JPH06244490A JP H06244490 A JPH06244490 A JP H06244490A JP 5025424 A JP5025424 A JP 5025424A JP 2542493 A JP2542493 A JP 2542493A JP H06244490 A JPH06244490 A JP H06244490A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰをｐ型クラ
ッド層とする半導体レーザにおいて、動作電圧を低くす
る。 【構成】 ＧａＡｓ基板１上に形成され、ｐ型クラッド
層１１の材料がＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰであ
り、ｐ型コンタクト層１６の材料がＧａＡｓまたはＧａ
ＩｎＡｓである半導体レーザにおいて、ｐ型クラッド層
１１とｐ型コンタクト層１６の間に、砒素（Ａｓ）と燐
（Ｐ）の両方を含み、バンドギャップの大きさがこれら
両層のバンドギャップの大きさの間である化合物からな
るｐ型バッファ層１４，１５を有する。
ッド層とする半導体レーザにおいて、動作電圧を低くす
る。 【構成】 ＧａＡｓ基板１上に形成され、ｐ型クラッド
層１１の材料がＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰであ
り、ｐ型コンタクト層１６の材料がＧａＡｓまたはＧａ
ＩｎＡｓである半導体レーザにおいて、ｐ型クラッド層
１１とｐ型コンタクト層１６の間に、砒素（Ａｓ）と燐
（Ｐ）の両方を含み、バンドギャップの大きさがこれら
両層のバンドギャップの大きさの間である化合物からな
るｐ型バッファ層１４，１５を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｅｒドープ石英光ファ
イバ光増幅器の励起などに用いることができる半導体レ
ーザに関するものである。
イバ光増幅器の励起などに用いることができる半導体レ
ーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｅｒをドープした石英光ファイバ光増幅
器が次世代の光通信システムの中核になる技術として注
目されている。この光アンプのポンプ光源として、波長
が１．４８μｍ、または０．９８μｍの半導体レーザが
用いられる。０．９８μｍの半導体レーザとしては、こ
れまで、ＧａＩｎＡｓを活性層とし、ＡｌＧａＡｓある
いはＧａＩｎＰをクラッド層とするものが報告されてい
る。
器が次世代の光通信システムの中核になる技術として注
目されている。この光アンプのポンプ光源として、波長
が１．４８μｍ、または０．９８μｍの半導体レーザが
用いられる。０．９８μｍの半導体レーザとしては、こ
れまで、ＧａＩｎＡｓを活性層とし、ＡｌＧａＡｓある
いはＧａＩｎＰをクラッド層とするものが報告されてい
る。
【０００３】クラッド層材料としてＡｌＧａＡｓを用い
たものは、初期特性が良好で、平均的な信頼性が高い。
しかし、通電中に突然劣化するものがあり、いまのとこ
ろこれを初期のスクリーニングで除去することはできな
い。これに対して、ＧａＩｎＰをクラッド層材料とする
ものは、このような突発的な劣化が生じない。
たものは、初期特性が良好で、平均的な信頼性が高い。
しかし、通電中に突然劣化するものがあり、いまのとこ
ろこれを初期のスクリーニングで除去することはできな
い。これに対して、ＧａＩｎＰをクラッド層材料とする
ものは、このような突発的な劣化が生じない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、クラッド層材
料としてＧａＩｎＰを用いたものは、動作電圧が高く、
また、モフォロジーが悪くなりやすいという問題があっ
た。
料としてＧａＩｎＰを用いたものは、動作電圧が高く、
また、モフォロジーが悪くなりやすいという問題があっ
た。
【０００５】本発明の課題は、このような問題点を解消
することにある。
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、ＧａＡｓ基板上に形成され、ｐ型クラッド層の材料
がＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰであり、ｐ型コンタ
クト層の材料がＧａＡｓまたはＧａＩｎＡｓである半導
体レーザであって、ｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層
の間に、砒素（Ａｓ）と燐（Ｐ）の両方を含み、バンド
ギャップの大きさがこれら両層のバンドギャップの大き
さの間である化合物からなるｐ型バッファ層を有するも
のである。ｐ型バッファ層の望ましい材料としては、Ｇ
ａＩｎＡｓＰがある。また、ｐ型バッファ層は、そのバ
ンドギャップが前記ｐ型クラッド側から前記ｐ型コンタ
クト層側に向かって小さくなるように組成が変化してい
ることが望ましい。
は、ＧａＡｓ基板上に形成され、ｐ型クラッド層の材料
がＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰであり、ｐ型コンタ
クト層の材料がＧａＡｓまたはＧａＩｎＡｓである半導
体レーザであって、ｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層
の間に、砒素（Ａｓ）と燐（Ｐ）の両方を含み、バンド
ギャップの大きさがこれら両層のバンドギャップの大き
さの間である化合物からなるｐ型バッファ層を有するも
のである。ｐ型バッファ層の望ましい材料としては、Ｇ
ａＩｎＡｓＰがある。また、ｐ型バッファ層は、そのバ
ンドギャップが前記ｐ型クラッド側から前記ｐ型コンタ
クト層側に向かって小さくなるように組成が変化してい
ることが望ましい。
【０００７】ｎ型基板上に本発明の半導体レーザを形成
する場合には、ｐ型クラッド層の上にｐ型バッファ層を
形成するときに、ｐ型クラッド層を成長させた後、その
燐原料ガスの供給を止めることなく砒素原料ガスおよび
３族原料ガスの供給する。また、ｐ型基板上に本発明の
半導体レーザを形成する場合には、ｐ型バッファ層上に
ｐ型クラッド層を形成するときに、燐原料ガスの供給を
止めることなく砒素原料ガスの供給を止めると共に３族
原料ガスの供給する。
する場合には、ｐ型クラッド層の上にｐ型バッファ層を
形成するときに、ｐ型クラッド層を成長させた後、その
燐原料ガスの供給を止めることなく砒素原料ガスおよび
３族原料ガスの供給する。また、ｐ型基板上に本発明の
半導体レーザを形成する場合には、ｐ型バッファ層上に
ｐ型クラッド層を形成するときに、燐原料ガスの供給を
止めることなく砒素原料ガスの供給を止めると共に３族
原料ガスの供給する。
【０００８】
【作用】ｐ型クラッド層の材料がＧａＩｎＰまたはＡｌ
ＧａＩｎＰであり、ｐ型コンタクト層の材料がＧａＡｓ
またはＧａＩｎＡｓである半導体レーザは、コンタクト
層とクラッド層との間にエネルギバンドの不連続があ
る。この不連続は、価電子側で特に大きい。しかし、コ
ンタクト層とクラッド層との間に、砒素（Ａｓ）と燐
（Ｐ）の両方を含み、バンドギャップの大きさがこれら
両層のバンドギャップの大きさの間である化合物からな
るバッファ層を介在させることにより、エネルギバンド
がなだらかとなり、その結果、動作電圧が下がる。
ＧａＩｎＰであり、ｐ型コンタクト層の材料がＧａＡｓ
またはＧａＩｎＡｓである半導体レーザは、コンタクト
層とクラッド層との間にエネルギバンドの不連続があ
る。この不連続は、価電子側で特に大きい。しかし、コ
ンタクト層とクラッド層との間に、砒素（Ａｓ）と燐
（Ｐ）の両方を含み、バンドギャップの大きさがこれら
両層のバンドギャップの大きさの間である化合物からな
るバッファ層を介在させることにより、エネルギバンド
がなだらかとなり、その結果、動作電圧が下がる。
【０００９】また、一般に燐化合物と砒素化合物の界面
は欠陥が入りやすい。つまり、ＧａＩｎＰまたはＡｌＧ
ａＩｎＰのクラッド層とＧａＡｓまたはＧａＩｎＡｓの
コンタクト層とを直接重ねると、欠陥が生じやすい。し
かし、本発明のように、砒素（Ａｓ）と燐（Ｐ）の両方
を含む化合物を両層間に入れることにより、界面欠陥が
入りにくくなり、表面モフォロジーも改善される。
は欠陥が入りやすい。つまり、ＧａＩｎＰまたはＡｌＧ
ａＩｎＰのクラッド層とＧａＡｓまたはＧａＩｎＡｓの
コンタクト層とを直接重ねると、欠陥が生じやすい。し
かし、本発明のように、砒素（Ａｓ）と燐（Ｐ）の両方
を含む化合物を両層間に入れることにより、界面欠陥が
入りにくくなり、表面モフォロジーも改善される。
【００１０】本発明の製造方法によれば、ｐ型クラッド
層上にｐ型バッファ層形成する際、または、ｐ型バッフ
ァ層上にｐ型クラッド層を形成する際に、燐（Ｐ）の原
料ガスの供給を停止させずに行うので、両層の界面にお
ける欠陥が生じにくい。
層上にｐ型バッファ層形成する際、または、ｐ型バッフ
ァ層上にｐ型クラッド層を形成する際に、燐（Ｐ）の原
料ガスの供給を停止させずに行うので、両層の界面にお
ける欠陥が生じにくい。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明の一実施例である半導体レー
ザの縦方向構造の模式図である。ｎ型ＧａＡｓ基板１上
の各エピタキシャル層２〜１６は、有機金属気相成長法
により形成することができる。各エピタキシャル層２〜
１６の材料および厚さは次の通りである。
ザの縦方向構造の模式図である。ｎ型ＧａＡｓ基板１上
の各エピタキシャル層２〜１６は、有機金属気相成長法
により形成することができる。各エピタキシャル層２〜
１６の材料および厚さは次の通りである。
【００１２】 １層目…ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、厚さ０．２μｍ ２層目…ＳｉドープＧａＩｎＰクラッド層３（ｎ＝２Ｅ
１８）、厚さ１．５μｍ ３層目…アンドープＧａＩｎＡｓＰ層４（Ｅｇ＝１．７
６ｅＶ）、厚さ２００オングストローム ４層目…アンドープＧａＩｎＡｓＰ層５（Ｅｇ＝１．６
２ｅＶ）、厚さ２００オングストローム ５層目…アンドープＧａＡｓ層６、厚さ２５０オングス
トローム ６層目…アンドープＧａＩｎＡｓ活性層７、厚さ４０オ
ングストローム ７層目…アンドープＧａＡｓ層８、厚さ２５０オングス
トローム ８層目…アンドープＧａＩｎＡｓＰ層９（Ｅｇ＝１．６
２ｅＶ）、厚さ２００オングストローム ９層目…アンドープＧａＩｎＡｓＰ層１０（Ｅｇ＝１．
７６ｅＶ）、厚さ２００オングストローム １０層目…ＺｎドープＧａＩｎＰクラッド層１１（ｐ＝
２Ｅ１８）、厚さ０．２μｍ １１層目…ＺｎドープＧａＡｓエッチストップ層１２、
厚さ１００オングストローム １２層目…ＺｎドープＧａＩｎＰクラッド層１３（ｐ＝
２Ｅ１８）、厚さ１．３μｍ １３層目…ＺｎドープＧａＩｎＡｓＰ第１バッファ層１
４（Ｅｇ＝約１．７６ｅＶ）、厚さ２００オングストロ
ーム １４層目…ＺｎドープＧａＩｎＡｓＰ第２バッファ層層
１５（Ｅｇ＝約１．６２ｅＶ）、厚さ２００オングスト
ローム １５層目…ＺｎドープＧａＡｓコンタクト層１６（ｐ＝
１Ｅ１９）、厚さ０．５μｍ。
１８）、厚さ１．５μｍ ３層目…アンドープＧａＩｎＡｓＰ層４（Ｅｇ＝１．７
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厚さ１００オングストローム １２層目…ＺｎドープＧａＩｎＰクラッド層１３（ｐ＝
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４（Ｅｇ＝約１．７６ｅＶ）、厚さ２００オングストロ
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１５（Ｅｇ＝約１．６２ｅＶ）、厚さ２００オングスト
ローム １５層目…ＺｎドープＧａＡｓコンタクト層１６（ｐ＝
１Ｅ１９）、厚さ０．５μｍ。
【００１３】この実施例では、ＺｎドープＧａＩｎＰク
ラッド層１３の成長が終了した後に、ＺｎドープＧａＩ
ｎＡｓＰバッファ層１４、１５を形成する過程におい
て、幾つかの特徴があるので、以下に詳しく説明する。
なお、ＺｎドープＧａＩｎＰクラッド層１３までは、通
常知られた有機金属気相合成法により成長させている。
ラッド層１３の成長が終了した後に、ＺｎドープＧａＩ
ｎＡｓＰバッファ層１４、１５を形成する過程におい
て、幾つかの特徴があるので、以下に詳しく説明する。
なお、ＺｎドープＧａＩｎＰクラッド層１３までは、通
常知られた有機金属気相合成法により成長させている。
【００１４】ｐ型ＧａＩｎＡｓＰバッファ層１４、１５
は、ドーパント以外は光閉じ込め層に用いたＧａＩｎＡ
ｓＰ層１０とほぼ同じ条件で成長し、ｐドーパントであ
るＺｎの原料ガスとなるジエチルジンクの流量をＧａＩ
ｎＰクラッド層１１、１３と同じにする。なお、本実施
例では、ＺｎドープＧａＡｓコンタクト層１６のジエチ
ルジンク流量も、この流量と同じである。
は、ドーパント以外は光閉じ込め層に用いたＧａＩｎＡ
ｓＰ層１０とほぼ同じ条件で成長し、ｐドーパントであ
るＺｎの原料ガスとなるジエチルジンクの流量をＧａＩ
ｎＰクラッド層１１、１３と同じにする。なお、本実施
例では、ＺｎドープＧａＡｓコンタクト層１６のジエチ
ルジンク流量も、この流量と同じである。
【００１５】ＺｎドープＧａＩｎＰクラッド層１３の成
長が終ったときに、燐の原料ガスであるフォスフィンは
反応炉に流し続け、３族原料ガスとドーパント（ジエチ
ルジンク）の供給を止める。ただし、３族原料ガスが反
応炉に導入されない状態でその流量を変化させ、ＧａＩ
ｎＡｓＰバッファ層１４の成長に備える。ＧａＩｎＡｓ
Ｐ層１４を成長させるときのフォスフィンの流量を、Ｇ
ａＩｎＰクラッド層１３のときと異なる値にしたい場合
は、３族原料ガスの流量を変えるときに同時に変えてお
く。
長が終ったときに、燐の原料ガスであるフォスフィンは
反応炉に流し続け、３族原料ガスとドーパント（ジエチ
ルジンク）の供給を止める。ただし、３族原料ガスが反
応炉に導入されない状態でその流量を変化させ、ＧａＩ
ｎＡｓＰバッファ層１４の成長に備える。ＧａＩｎＡｓ
Ｐ層１４を成長させるときのフォスフィンの流量を、Ｇ
ａＩｎＰクラッド層１３のときと異なる値にしたい場合
は、３族原料ガスの流量を変えるときに同時に変えてお
く。
【００１６】その後、３族原料ガスと、Ａｓの原料ガス
であるアルシンと、ドーパントであるジエチルジンクを
同時に反応炉に導入し、１層目のバッファ層であるＺｎ
ドープＧａＩｎＡｓＰ層１４を成長させる。
であるアルシンと、ドーパントであるジエチルジンクを
同時に反応炉に導入し、１層目のバッファ層であるＺｎ
ドープＧａＩｎＡｓＰ層１４を成長させる。
【００１７】つぎに、アルシン、フォスフィンを反応炉
に導入したまま、３族原料ガスを切り、３族原料ガスの
流量を２層目のバッファ層であるＺｎドープＧａＩｎＡ
ｓＰ層１５の流量に切り換える。ＺｎドープＧａＩｎＡ
ｓＰバッファ層１５を形成した後は、フォスフィンの導
入を停止し、ただちにＧａＡｓコンタクト層１６の成長
を開始する。このとき、アルシンの導入は停止しないほ
うがよい。
に導入したまま、３族原料ガスを切り、３族原料ガスの
流量を２層目のバッファ層であるＺｎドープＧａＩｎＡ
ｓＰ層１５の流量に切り換える。ＺｎドープＧａＩｎＡ
ｓＰバッファ層１５を形成した後は、フォスフィンの導
入を停止し、ただちにＧａＡｓコンタクト層１６の成長
を開始する。このとき、アルシンの導入は停止しないほ
うがよい。
【００１８】このようにして得られたエピウエハを通常
知られた方法でメサエッチングや切り出しを行い半導体
レーザにする。ストライプを作るメサエッチングの際に
は、ＧａＩｎＡｓＰおよびＧａＩｎＰはエッチングする
がＧａＡｓはほとんどエッチングしないエッチャントを
用いて、エッチストップ層１２でエッチングが停止する
ようにしている。このようなエッチャントとしては、た
とえば、塩酸：燐酸：水＝２２０：１１０：１６５のエ
ッチャントがある。
知られた方法でメサエッチングや切り出しを行い半導体
レーザにする。ストライプを作るメサエッチングの際に
は、ＧａＩｎＡｓＰおよびＧａＩｎＰはエッチングする
がＧａＡｓはほとんどエッチングしないエッチャントを
用いて、エッチストップ層１２でエッチングが停止する
ようにしている。このようなエッチャントとしては、た
とえば、塩酸：燐酸：水＝２２０：１１０：１６５のエ
ッチャントがある。
【００１９】なお、符号１７はｐ電極を示し、符号１８
は電極を示している。
は電極を示している。
【００２０】図２は、本発明の一実施例にかかる電流−
電圧特性を従来装置と比較したグラフである。曲線２１
は本発明の一実施例にかかる特性を示し、曲線２２はＧ
ａＩｎＡｓＰバッファ層１４、１５を有しない以外は本
実施例と同じ構造を持つ従来の半導体レーザの特性を、
また、曲線２３は、クラッド層にＡｌＧａＡｓを用い、
ｐ型クラッド層からコンタクト層まで組成をなだらかに
変化させた従来の半導体レーザの特性を示している。な
お、曲線２２で示される特性は、図１に示す実施例とは
異なり、ＺｎドープＧａＩｎＡｓＰバッファ層は１層し
か持っていない。この図からわかるように、従来のＧａ
ＩｎＰクラッド半導体レーザ（曲線２２）に比較して、
電圧が低くなっている。なお、従来のＡｌＧａＡｓクラ
ッド半導体レーザ（曲線２３）に比較すると、動作電圧
は高いが、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰバッファ層の層数を増加
して、バンドギャップがよりなだらかに変化するように
すれば、さらに低下させることが可能である。その意味
で、上述した図１の実施例の半導体レーザは、曲線２１
よりもさらに低い動作電圧を示す。
電圧特性を従来装置と比較したグラフである。曲線２１
は本発明の一実施例にかかる特性を示し、曲線２２はＧ
ａＩｎＡｓＰバッファ層１４、１５を有しない以外は本
実施例と同じ構造を持つ従来の半導体レーザの特性を、
また、曲線２３は、クラッド層にＡｌＧａＡｓを用い、
ｐ型クラッド層からコンタクト層まで組成をなだらかに
変化させた従来の半導体レーザの特性を示している。な
お、曲線２２で示される特性は、図１に示す実施例とは
異なり、ＺｎドープＧａＩｎＡｓＰバッファ層は１層し
か持っていない。この図からわかるように、従来のＧａ
ＩｎＰクラッド半導体レーザ（曲線２２）に比較して、
電圧が低くなっている。なお、従来のＡｌＧａＡｓクラ
ッド半導体レーザ（曲線２３）に比較すると、動作電圧
は高いが、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰバッファ層の層数を増加
して、バンドギャップがよりなだらかに変化するように
すれば、さらに低下させることが可能である。その意味
で、上述した図１の実施例の半導体レーザは、曲線２１
よりもさらに低い動作電圧を示す。
【００２１】なお、図１の実施例は、ｐ型ＧａＩｎＡｓ
Ｐバッファ層を２層構造とすることにより、１層構造の
場合よりも、バンドギャップがなだらかになるように工
夫されているが、さらに、層数を増やすことで、一層な
だらかにすることができ、動作電圧を下げることができ
る。また、このような多層構造に代えてバンドギャップ
がクラッド側で大きき、コンタクト層側で小さくなるよ
うに連続的に変化させたバッファ層を１層設けてもよ
い。
Ｐバッファ層を２層構造とすることにより、１層構造の
場合よりも、バンドギャップがなだらかになるように工
夫されているが、さらに、層数を増やすことで、一層な
だらかにすることができ、動作電圧を下げることができ
る。また、このような多層構造に代えてバンドギャップ
がクラッド側で大きき、コンタクト層側で小さくなるよ
うに連続的に変化させたバッファ層を１層設けてもよ
い。
【００２２】また、図１の実施例では、コンタクト層の
材料がＧａＡｓであるが、これにかえて、ＧａＩｎＡｓ
であってもよい。
材料がＧａＡｓであるが、これにかえて、ＧａＩｎＡｓ
であってもよい。
【００２３】さらに、クラッド層をＧａＩｎＰに代えて
ＡｌＧａＩｎＰとした場合には、バッファ層を多層構造
にして、クラッド側をＡｌ組成の少ないＡｌＧａＩｎＰ
かＧａＩｎＰ層にし、コンタクト層側をＧａＩｎＡｓＰ
にすればよい。
ＡｌＧａＩｎＰとした場合には、バッファ層を多層構造
にして、クラッド側をＡｌ組成の少ないＡｌＧａＩｎＰ
かＧａＩｎＰ層にし、コンタクト層側をＧａＩｎＡｓＰ
にすればよい。
【００２４】また、ｎ型基板１に代えて、ｐ型基板を用
いた場合は、各エピタキシャル層２〜１６の成長順が逆
になる。その場合、バッファ層からコンタクト層の成長
に移行する際に燐の原料ガスの反応炉への導入を停止さ
せないことが重要となる。
いた場合は、各エピタキシャル層２〜１６の成長順が逆
になる。その場合、バッファ層からコンタクト層の成長
に移行する際に燐の原料ガスの反応炉への導入を停止さ
せないことが重要となる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザによれば、ｐ型クラッド層の材料がＧａＩｎＰまた
はＡｌＧａＩｎＰであり、ｐ型コンタクト層の材料がＧ
ａＡｓまたはＧａＩｎＡｓである半導体レーザにおい
て、ｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層の間に、砒素
（Ａｓ）と燐（Ｐ）の両方を含み、バンドギャップの大
きさがこれら両層のバンドギャップの大きさの間である
化合物からなるｐ型バッファ層をもうけたので、動作電
圧が低い。また、コンタクト層の良好な表面モフォロジ
ーを得ることができる。
ーザによれば、ｐ型クラッド層の材料がＧａＩｎＰまた
はＡｌＧａＩｎＰであり、ｐ型コンタクト層の材料がＧ
ａＡｓまたはＧａＩｎＡｓである半導体レーザにおい
て、ｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層の間に、砒素
（Ａｓ）と燐（Ｐ）の両方を含み、バンドギャップの大
きさがこれら両層のバンドギャップの大きさの間である
化合物からなるｐ型バッファ層をもうけたので、動作電
圧が低い。また、コンタクト層の良好な表面モフォロジ
ーを得ることができる。
【図１】本発明の一実施例である半導体レーザの縦方向
の層構造を示す断面図。
の層構造を示す断面図。
【図２】本発明の一実施例である半導体レーザと従来の
半導体レーザの動作電圧を比較して示す特性図。
半導体レーザの動作電圧を比較して示す特性図。
１…ｎ型ＧａＡｓ基板、１１、１３…ＺｎドープＧａＩ
ｎＰクラッド層、１４、１５…ＺｎドープＧａＩｎＡｓ
Ｐバッファ層、１６…ＺｎドープＧａＡｓコンタクト
層。
ｎＰクラッド層、１４、１５…ＺｎドープＧａＩｎＡｓ
Ｐバッファ層、１６…ＺｎドープＧａＡｓコンタクト
層。
Claims (6)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上に形成され、ｐ型クラッ
ド層の材料がＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰであり、
ｐ型コンタクト層の材料がＧａＡｓまたはＧａＩｎＡｓ
である半導体レーザにおいて、 前記ｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層の間に、砒素
（Ａｓ）と燐（Ｐ）の両方を含み、バンドギャップの大
きさがこれら両層のバンドギャップの大きさの間である
化合物からなるｐ型バッファ層を有することを特徴とす
る半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記ｐ型バッファ層の材料が、ＧａＩｎ
ＡｓＰであることを特徴とする請求項１に記載の半導体
レーザ。 - 【請求項３】 前記ｐ型バッファ層は、そのバンドギャ
ップが前記ｐ型クラッド側から前記ｐ型コンタクト層側
に向かって小さくなるように組成が変化していることを
特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 前記ｐ型クラッド層の材料がＡｌＧａＩ
ｎＰであり、前記バッファ層が前記ｐ型クラッド層より
もＡｌ組成の少ないＡｌＧａＩｎＰまたはＧａＩｎＰか
らなるクラッド側層と、ＧａＩｎＡｓＰからなるコンタ
クト側層を有することを特徴とする請求項３に記載の半
導体レーザ。 - 【請求項５】 ｎ型ＧａＡｓ基板上に複数のエピタキシ
ャル層を有機金属気相成長法を用いて形成する請求項１
ないし４のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法に
おいて、 前記ｐ型バッファ層は、前記ｐ型クラッド層を成長させ
た後、その燐原料ガスの供給を止めることなく砒素原料
ガスおよび３族原料ガスを供給して成長させることを特
徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項６】 ｐ型ＧａＡｓ基板上に複数のエピタキシ
ャル層を有機金属気相成長法を用いて形成する請求項１
ないし４のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法に
おいて、 前記ｐ型クラッド層は、前記ｐ型バッファ層を成長させ
た後、その燐原料ガスの供給を止めることなく砒素原料
ガスの供給を止めると共に３族原料ガスを供給して成長
させることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5025424A JPH06244490A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| EP94102236A EP0612128B1 (en) | 1993-02-15 | 1994-02-14 | Semiconductor laser and method of manufacturing the same |
| CA002115589A CA2115589C (en) | 1993-02-15 | 1994-02-14 | Semiconductor laser and method of manufacturing the same |
| DE69400533T DE69400533T2 (de) | 1993-02-15 | 1994-02-14 | Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren |
| US08/196,434 US5479427A (en) | 1993-02-15 | 1994-02-15 | Semiconductor laser and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5025424A JPH06244490A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244490A true JPH06244490A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12165583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5025424A Pending JPH06244490A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5479427A (ja) |
| EP (1) | EP0612128B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06244490A (ja) |
| CA (1) | CA2115589C (ja) |
| DE (1) | DE69400533T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014110250A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5617437A (en) * | 1994-11-24 | 1997-04-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser |
| JP3007928B2 (ja) * | 1995-02-22 | 2000-02-14 | 日本電気株式会社 | 光半導体素子の製造方法 |
| JPH0964452A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置，及びその製造方法 |
| US5764671A (en) * | 1996-10-21 | 1998-06-09 | Motorola, Inc. | VCSEL with selective oxide transition regions |
| US5889805A (en) * | 1996-11-01 | 1999-03-30 | Coherent, Inc. | Low-threshold high-efficiency laser diodes with aluminum-free active region |
| JP3159198B2 (ja) * | 1999-02-19 | 2001-04-23 | 住友電気工業株式会社 | 電界効果トランジスタ |
| US6461884B1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-10-08 | Manijeh Razeghi | Diode laser |
| KR100670827B1 (ko) * | 2005-12-10 | 2007-01-19 | 한국전자통신연구원 | 광흡수층을 중심으로 경사형 굴절율 분포를 갖는 도파로형ｐ－ｉ－ｎ 포토다이오드 |
| DE102007023878A1 (de) * | 2007-05-23 | 2008-11-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips |
| US9130107B2 (en) * | 2011-08-31 | 2015-09-08 | Epistar Corporation | Light emitting device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2721185B2 (ja) * | 1988-07-25 | 1998-03-04 | 株式会社東芝 | リブ導波路型発光半導体装置 |
| US5146466A (en) * | 1988-09-29 | 1992-09-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JPH03104183A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| US5161167A (en) * | 1990-06-21 | 1992-11-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser producing visible light |
| JPH04144185A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| EP0530942B1 (en) * | 1991-09-06 | 1997-10-22 | Trw Inc. | Novel quantum well optoelectric switching device with stimulated emission |
| US5222090A (en) * | 1992-03-05 | 1993-06-22 | Mcdonnell Douglas Corporation | 700-850 nanometer semiconductor diode laser |
-
1993
- 1993-02-15 JP JP5025424A patent/JPH06244490A/ja active Pending
-
1994
- 1994-02-14 EP EP94102236A patent/EP0612128B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-14 CA CA002115589A patent/CA2115589C/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-14 DE DE69400533T patent/DE69400533T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-15 US US08/196,434 patent/US5479427A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014110250A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2115589A1 (en) | 1994-08-16 |
| EP0612128A2 (en) | 1994-08-24 |
| DE69400533T2 (de) | 1997-02-20 |
| EP0612128B1 (en) | 1996-09-18 |
| DE69400533D1 (de) | 1996-10-24 |
| US5479427A (en) | 1995-12-26 |
| EP0612128A3 (en) | 1994-11-17 |
| CA2115589C (en) | 2002-04-30 |
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