JP2781097B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2781097B2 JP2781097B2 JP4046253A JP4625392A JP2781097B2 JP 2781097 B2 JP2781097 B2 JP 2781097B2 JP 4046253 A JP4046253 A JP 4046253A JP 4625392 A JP4625392 A JP 4625392A JP 2781097 B2 JP2781097 B2 JP 2781097B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- type
- carbon
- semiconductor
- iii
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/925—Fluid growth doping control, e.g. delta doping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置及びその製
造方法に関し、特に異種導電性接合界面を有するIII −
Ｖ族化合物半導体装置及びその作製方法に関するもので
ある。
造方法に関し、特に異種導電性接合界面を有するIII −
Ｖ族化合物半導体装置及びその作製方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図５は例えば三菱電機技報Vol.62,No.11
(1988)pp28-31 に示された従来の異種導電性接合界面を
有するIII −Ｖ族化合物半導体装置の一例であるレーザ
ダイオード構造を示す断面図であり、図において、１は
その上にＡｌＧａＡｓ第１クラッド層２が形成されたｎ
−ＧａＡｓ基板、３はｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層であり、
その上側にはｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層４が形成
されており、活性層３は該活性層３よりも屈折率の低い
上下２つのクラッド層により挟まれたものとなってい
る。また上記ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層４はその
上方においてストライプ状のリッジ形状を有するように
形成されており、リッジ形状の両側にはｐ−ＧａＡｓバ
ッファ層５及びｎ−ＧａＡｓブロック層６が埋め込み配
置されている。７はストライプ状の正電極８をオーミッ
ク接続させるためのｐ−ＧａＡｓコンタクト層である。
なお、上記ｐ−ＧａＡｓバッファ層５は、ｐ−ＡｌＧａ
Ａｓ第２クラッド層４の再成長端面が直接ｎ−ＧａＡｓ
ブロック層６に接触しないように導電型を徐々に変化さ
せ、電流ブロック特性を向上させる役割を果たす。また
９はｎ−ＧａＡｓ基板１に設けられた負電極である。ｎ
型，ｐ型不純物はセレン（Ｓｅ）及び亜鉛（Ｚｎ）が用
いられているものとする。
(1988)pp28-31 に示された従来の異種導電性接合界面を
有するIII −Ｖ族化合物半導体装置の一例であるレーザ
ダイオード構造を示す断面図であり、図において、１は
その上にＡｌＧａＡｓ第１クラッド層２が形成されたｎ
−ＧａＡｓ基板、３はｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層であり、
その上側にはｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層４が形成
されており、活性層３は該活性層３よりも屈折率の低い
上下２つのクラッド層により挟まれたものとなってい
る。また上記ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層４はその
上方においてストライプ状のリッジ形状を有するように
形成されており、リッジ形状の両側にはｐ−ＧａＡｓバ
ッファ層５及びｎ−ＧａＡｓブロック層６が埋め込み配
置されている。７はストライプ状の正電極８をオーミッ
ク接続させるためのｐ−ＧａＡｓコンタクト層である。
なお、上記ｐ−ＧａＡｓバッファ層５は、ｐ−ＡｌＧａ
Ａｓ第２クラッド層４の再成長端面が直接ｎ−ＧａＡｓ
ブロック層６に接触しないように導電型を徐々に変化さ
せ、電流ブロック特性を向上させる役割を果たす。また
９はｎ−ＧａＡｓ基板１に設けられた負電極である。ｎ
型，ｐ型不純物はセレン（Ｓｅ）及び亜鉛（Ｚｎ）が用
いられているものとする。
【０００３】次に動作について説明する。以上のように
構成されたレーザダイオードの正，負電極８，９にそれ
ぞれ正，負電圧を印加して、ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層３
とＡｌＧａＡｓ第１クラッド層２とによるＰＮ接合を順
方向にバイアスすると、両側のクラッド層２，４からｐ
−ＡｌＧａＡｓ活性層３へ高濃度の電子と正孔が注入さ
れる。この注入されたキャリアはＡｌＧａＡｓ第１クラ
ッド層２／ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層３／ｐ−ＡｌＧａＡ
ｓ第２クラッド層４におけるヘテロ接合界面におけるバ
リアによって閉じ込められ、活性層３でのみ効率よく再
結合される。そしてキャリアの再結合のために発生した
光の大部分は活性層３とその両側のクラッド層２，４と
の屈折率の差によって活性層３中に閉じ込められる。こ
のとき、発光領域はブロック層６による電流狭窄作用に
より活性層３の中央部分にのみに限定される。
構成されたレーザダイオードの正，負電極８，９にそれ
ぞれ正，負電圧を印加して、ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層３
とＡｌＧａＡｓ第１クラッド層２とによるＰＮ接合を順
方向にバイアスすると、両側のクラッド層２，４からｐ
−ＡｌＧａＡｓ活性層３へ高濃度の電子と正孔が注入さ
れる。この注入されたキャリアはＡｌＧａＡｓ第１クラ
ッド層２／ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層３／ｐ−ＡｌＧａＡ
ｓ第２クラッド層４におけるヘテロ接合界面におけるバ
リアによって閉じ込められ、活性層３でのみ効率よく再
結合される。そしてキャリアの再結合のために発生した
光の大部分は活性層３とその両側のクラッド層２，４と
の屈折率の差によって活性層３中に閉じ込められる。こ
のとき、発光領域はブロック層６による電流狭窄作用に
より活性層３の中央部分にのみに限定される。
【０００４】次に以上のように構成されたレーザダイオ
ードの活性層３付近のセレン（Ｓｅ）及び亜鉛（Ｚｎ）
のＳＩＭＳプロファイルを図６に、また図７にｎ型及び
ｐ型キャリア濃度プロファイルを示す。図５に示すよう
なレーザダイオードはエピタキシャル成長法を用いて形
成され、ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層２を形成する際
に、ｎ型不純物としてＳｅを１０17cm-3レベル以上添加
し、ＧａとＡｓによる結晶形成に注目した場合、以下の
反応により、
ードの活性層３付近のセレン（Ｓｅ）及び亜鉛（Ｚｎ）
のＳＩＭＳプロファイルを図６に、また図７にｎ型及び
ｐ型キャリア濃度プロファイルを示す。図５に示すよう
なレーザダイオードはエピタキシャル成長法を用いて形
成され、ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層２を形成する際
に、ｎ型不純物としてＳｅを１０17cm-3レベル以上添加
し、ＧａとＡｓによる結晶形成に注目した場合、以下の
反応により、
【０００５】
【化１】
【０００６】本来Ａｓが配置されるべき空孔(Vacancy)
ＶAsにセレンが配置され、ｎ型として振る舞う。
ＶAsにセレンが配置され、ｎ型として振る舞う。
【０００７】一方、ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層２、及
びｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層３を形成する際に、ｐ型不純
物としてＺｎを１０17cm-3レベル以上添加し、同様にＧ
ａとＡｓによる結晶配置に注目した場合、以下の反応に
より、
びｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層３を形成する際に、ｐ型不純
物としてＺｎを１０17cm-3レベル以上添加し、同様にＧ
ａとＡｓによる結晶配置に注目した場合、以下の反応に
より、
【０００８】
【化２】
【０００９】本来Ｇａが配置されるべき空孔ＶGaに亜鉛
が配置され、ｐ型として振る舞う。以上のようにしてＰ
Ｎ接合を作成するためにＳｅ及びＺｎはともに１０17cm
-3レベル以上の添加を行っているため、どうしてもＰＮ
接合界面部分において相互拡散がおこり、ＰＮ接合面に
おけるキャリア濃度の急峻性が悪くなっていた。なお図
６及び図７において、（ａ．ｕ．）は任意単位を意味す
る。
が配置され、ｐ型として振る舞う。以上のようにしてＰ
Ｎ接合を作成するためにＳｅ及びＺｎはともに１０17cm
-3レベル以上の添加を行っているため、どうしてもＰＮ
接合界面部分において相互拡散がおこり、ＰＮ接合面に
おけるキャリア濃度の急峻性が悪くなっていた。なお図
６及び図７において、（ａ．ｕ．）は任意単位を意味す
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の異種導電性接合
界面を有するIII −Ｖ族化合物半導体装置は以上のよう
に構成されているので、ドーピングプロファイルの急峻
性，制御性が悪く、デバイス完成後の初期性能及び信頼
性が悪いなどの問題点があった。
界面を有するIII −Ｖ族化合物半導体装置は以上のよう
に構成されているので、ドーピングプロファイルの急峻
性，制御性が悪く、デバイス完成後の初期性能及び信頼
性が悪いなどの問題点があった。
【００１１】そこで上記ＰＮ接合面のキャリア濃度の急
峻性を改善するものとして、例えば特開昭60−167417号
公報に示されるように、III 族とＶ族の成分比を変える
ことでノンドープにて半導体層のｐ，ｎ型を制御した
り、特開平2-203520号公報，特開平3-4517号公報に示さ
れるように、III 族元素を含むガスとしてトリメチルガ
リウムを、またＶ族元素を含むガスとしてアルシンを用
いて気相成長法を行い、これらガスの供給比を制御して
カーボン原子をＧａ原子と結合させて取り込み、カーボ
ン原子をＰ型不純物として作用させることでキャリアプ
ロファイルを形成したり、また、特開昭63−143810号公
報に示されるように、III 族元素を含むガスとしてトリ
メチルガリウムを用い、Ｖ族元素を含むガスとしてアル
シン及びセレンを用いて気相成長を行い、カーボン原子
の取り込みによりＰ型領域を形成するとともに、Ａｓ及
びセレンにより所望のキャリア濃度を有するＮ型領域を
形成してＰＮ接合を形成するようにしたものがある。
峻性を改善するものとして、例えば特開昭60−167417号
公報に示されるように、III 族とＶ族の成分比を変える
ことでノンドープにて半導体層のｐ，ｎ型を制御した
り、特開平2-203520号公報，特開平3-4517号公報に示さ
れるように、III 族元素を含むガスとしてトリメチルガ
リウムを、またＶ族元素を含むガスとしてアルシンを用
いて気相成長法を行い、これらガスの供給比を制御して
カーボン原子をＧａ原子と結合させて取り込み、カーボ
ン原子をＰ型不純物として作用させることでキャリアプ
ロファイルを形成したり、また、特開昭63−143810号公
報に示されるように、III 族元素を含むガスとしてトリ
メチルガリウムを用い、Ｖ族元素を含むガスとしてアル
シン及びセレンを用いて気相成長を行い、カーボン原子
の取り込みによりＰ型領域を形成するとともに、Ａｓ及
びセレンにより所望のキャリア濃度を有するＮ型領域を
形成してＰＮ接合を形成するようにしたものがある。
【００１２】しかしながら上述したような方法では、導
電型を制御するために、III ，Ｖ族元素を供給するガス
の濃度比を変化させる等、成長条件を大幅に変更する必
要があり、ＰＮ接合面における結晶状態が良好でなかっ
たり、成長条件の変更時に基板の成長面において、空孔
がカーボンで充填されずにそのまま残ったりする等して
デバイスの特性が低下し、初期性能及び信頼性が充分で
ないという問題点があった。
電型を制御するために、III ，Ｖ族元素を供給するガス
の濃度比を変化させる等、成長条件を大幅に変更する必
要があり、ＰＮ接合面における結晶状態が良好でなかっ
たり、成長条件の変更時に基板の成長面において、空孔
がカーボンで充填されずにそのまま残ったりする等して
デバイスの特性が低下し、初期性能及び信頼性が充分で
ないという問題点があった。
【００１３】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、急峻かつ精密に制御されたドー
ピングプロファイルを有するとともに、ＰＮ接合面にお
ける結晶成長が良好で、初期性能及び信頼性に優れたII
I −Ｖ族化合物半導体装置及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
ためになされたもので、急峻かつ精密に制御されたドー
ピングプロファイルを有するとともに、ＰＮ接合面にお
ける結晶成長が良好で、初期性能及び信頼性に優れたII
I −Ｖ族化合物半導体装置及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、半導体基板と、この半導体基板上に配設されＮ型
ドーパントとしてのカーボンおよびこのカーボンよりも
少ない量のＶＩ族元素を含むIII −Ｖ族化合物半導体か
らなるＮ型半導体層と、このＮ型半導体層と異種導電性
接合面を介してＮ型半導体層上に配設されＰ型ドーパン
トとしてのカーボンを含むIII −Ｖ族化合物半導体から
なるＰ型半導体層と、を備えたものである。 さらに、Ｖ
Ｉ族元素をセレン、硫黄またはテルルとしたものであ
る。 さらに、III −Ｖ族化合物半導体をＡｌ x Ｇａ
1 - x Ａｓ（０≦ｘ＜１）としたも のである。
置は、半導体基板と、この半導体基板上に配設されＮ型
ドーパントとしてのカーボンおよびこのカーボンよりも
少ない量のＶＩ族元素を含むIII −Ｖ族化合物半導体か
らなるＮ型半導体層と、このＮ型半導体層と異種導電性
接合面を介してＮ型半導体層上に配設されＰ型ドーパン
トとしてのカーボンを含むIII −Ｖ族化合物半導体から
なるＰ型半導体層と、を備えたものである。 さらに、Ｖ
Ｉ族元素をセレン、硫黄またはテルルとしたものであ
る。 さらに、III −Ｖ族化合物半導体をＡｌ x Ｇａ
1 - x Ａｓ（０≦ｘ＜１）としたも のである。
【００１５】またこの発明に係る半導体装置の製造方法
は、III 族元素を含む原料ガス、Ｖ族元素を含む原料ガ
スおよびＰ型ドーパントとしてのカーボンを供給し、半
導体基板上に気相成長によりIII −Ｖ族化合物半導体の
Ｐ型半導体層を形成する工程と、Ｐ型半導体層を形成す
る工程と相互に連続する工程であって、III 族元素を含
む原料ガス、Ｖ族元素を含む原料ガス、Ｎ型ドーパント
としてのカーボン及びこのカーボンよりも少ない量のＶ
Ｉ族元素を含むガスを供給し、半導体基板上に気相成長
によりIII −Ｖ族化合物半導体からなるＮ型の半導体層
を形成する工程と、を含むものである。 さらに、ＶＩ族
元素をセレン、硫黄またはテルルとしたものである。 さ
らに、III 族元素をガリウムかまたはガリウムとアルミ
ニウムの両方とし、Ｖ族元素をヒ素としたものである。
は、III 族元素を含む原料ガス、Ｖ族元素を含む原料ガ
スおよびＰ型ドーパントとしてのカーボンを供給し、半
導体基板上に気相成長によりIII −Ｖ族化合物半導体の
Ｐ型半導体層を形成する工程と、Ｐ型半導体層を形成す
る工程と相互に連続する工程であって、III 族元素を含
む原料ガス、Ｖ族元素を含む原料ガス、Ｎ型ドーパント
としてのカーボン及びこのカーボンよりも少ない量のＶ
Ｉ族元素を含むガスを供給し、半導体基板上に気相成長
によりIII −Ｖ族化合物半導体からなるＮ型の半導体層
を形成する工程と、を含むものである。 さらに、ＶＩ族
元素をセレン、硫黄またはテルルとしたものである。 さ
らに、III 族元素をガリウムかまたはガリウムとアルミ
ニウムの両方とし、Ｖ族元素をヒ素としたものである。
【００１６】
【作用】この発明においては、Ｎ型ドーパントとしての
カーボンおよびこのカーボンよりも少ない量のＶＩ族元
素を含むIII −Ｖ族化合物半導体からなるＮ型半導体層
と、このＮ型半導体層と異種導電性接合面を介してＮ型
半導体層上に配設されＰ型ドーパントとしてのカーボン
を含むIII −Ｖ族化合物半導体からなるＰ型半導体層
と、を備えたので、異種導電性接合面でのキャリアプロ
ファイルが急峻になる。 また、III 族元素を含む原料ガ
ス、Ｖ族元素を含む原料ガスおよびＰ型ドーパントとし
てのカーボンを供給し、半導体基板上に気相成長により
III −Ｖ族化合物半導体のＰ型半導体層を形成する工程
と、Ｐ型半導体層を形成する工程と相互に連続する工程
であって、III 族元素を含む原料ガス、Ｖ族元素を含む
原料ガス、Ｎ型ドーパントとしてのカーボン及びこのカ
ーボンよりも少ない量のＶＩ族元素を含むガスを供給
し、半導体基板上に気相成長によりIII −Ｖ族化合物半
導体からなるＮ型の半導体層を形成する工程と、を含む
もので、接合界面における相互拡散が少なく、キャリア
プロファイルを急峻にできる。
カーボンおよびこのカーボンよりも少ない量のＶＩ族元
素を含むIII −Ｖ族化合物半導体からなるＮ型半導体層
と、このＮ型半導体層と異種導電性接合面を介してＮ型
半導体層上に配設されＰ型ドーパントとしてのカーボン
を含むIII −Ｖ族化合物半導体からなるＰ型半導体層
と、を備えたので、異種導電性接合面でのキャリアプロ
ファイルが急峻になる。 また、III 族元素を含む原料ガ
ス、Ｖ族元素を含む原料ガスおよびＰ型ドーパントとし
てのカーボンを供給し、半導体基板上に気相成長により
III −Ｖ族化合物半導体のＰ型半導体層を形成する工程
と、Ｐ型半導体層を形成する工程と相互に連続する工程
であって、III 族元素を含む原料ガス、Ｖ族元素を含む
原料ガス、Ｎ型ドーパントとしてのカーボン及びこのカ
ーボンよりも少ない量のＶＩ族元素を含むガスを供給
し、半導体基板上に気相成長によりIII −Ｖ族化合物半
導体からなるＮ型の半導体層を形成する工程と、を含む
もので、接合界面における相互拡散が少なく、キャリア
プロファイルを急峻にできる。
【００１７】
【実施例】以下、この発明の一実施例による半導体装置
の製造方法を図について説明する。図１は例えばＰＮ接
合面を有するレーザダイオードの活性層近傍の結晶成長
を説明するための図であり、図１(a) は活性層近傍の層
構造を示し、図１(b) 〜(d) は各成長工程における分子
模型を示す図であり、説明を簡単にするためIII 族原子
としてＧａを、またＶ族原子としてＡｓを用い、Ａｌは
省略している。また図２はレーサダイオードの活性層近
傍の構造に対する構成元素のＳＩＭＳプロファイルであ
る。また図３はｎ型及びｐ型キャリア濃度プロファイル
を示す。ここでは微量添加するｎ型不純物としてＳｅを
用いた。
の製造方法を図について説明する。図１は例えばＰＮ接
合面を有するレーザダイオードの活性層近傍の結晶成長
を説明するための図であり、図１(a) は活性層近傍の層
構造を示し、図１(b) 〜(d) は各成長工程における分子
模型を示す図であり、説明を簡単にするためIII 族原子
としてＧａを、またＶ族原子としてＡｓを用い、Ａｌは
省略している。また図２はレーサダイオードの活性層近
傍の構造に対する構成元素のＳＩＭＳプロファイルであ
る。また図３はｎ型及びｐ型キャリア濃度プロファイル
を示す。ここでは微量添加するｎ型不純物としてＳｅを
用いた。
【００１８】以下製造方法について詳述すると、まず、
図１(a) のｎ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層２０を形成
する際には、III 族材料としてトリメチルアルミニウム
及びトリメチルガリウムを、またＶ族材料としてアルシ
ンを用い、さらにＮ型不純物として水素化セレン（Ｈ 2
Ｓｅ）ガス等を用いてセレンを１×１０16cm-3添加し、
またトリメチルヒ素（ＴＭＡｓ）ガスや四塩化炭素（Ｃ
Ｃｌ 4 ）ガス等を用いてカーボンを２×１０17cm-3供給
し、圧力１００Ｔｏｒｒ，成長温度８００°の条件下で
気相成長を行うと以下の反応式により、
図１(a) のｎ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層２０を形成
する際には、III 族材料としてトリメチルアルミニウム
及びトリメチルガリウムを、またＶ族材料としてアルシ
ンを用い、さらにＮ型不純物として水素化セレン（Ｈ 2
Ｓｅ）ガス等を用いてセレンを１×１０16cm-3添加し、
またトリメチルヒ素（ＴＭＡｓ）ガスや四塩化炭素（Ｃ
Ｃｌ 4 ）ガス等を用いてカーボンを２×１０17cm-3供給
し、圧力１００Ｔｏｒｒ，成長温度８００°の条件下で
気相成長を行うと以下の反応式により、
【００１９】
【化３】
【００２０】本来Ｖ族空孔に配置してＰ型不純物として
作用するカーボンが、図１(b) に示すように、Ｖ族空孔
にセレン（Ｓｅ）が配置することでIII 族空孔に配置さ
れるようになり、Ｎ型不純物として作用するようにな
る。このときＶ族空孔に配置されるセレンの割合は１ｍ
ｏｌに対し１０17〜１０18個であり、これとほぼ同様の
割合でIII 族空孔にカーボンが配置される。このように
して厚さ１．５μｍのｎ−Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第１ク
ラッド層２０が得られる。これはＳｅがＶ族空孔を占拠
することがカーボンを、通常は配置しにくいIII 族空孔
に引き寄せる駆動力となったためと考えられる。
作用するカーボンが、図１(b) に示すように、Ｖ族空孔
にセレン（Ｓｅ）が配置することでIII 族空孔に配置さ
れるようになり、Ｎ型不純物として作用するようにな
る。このときＶ族空孔に配置されるセレンの割合は１ｍ
ｏｌに対し１０17〜１０18個であり、これとほぼ同様の
割合でIII 族空孔にカーボンが配置される。このように
して厚さ１．５μｍのｎ−Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第１ク
ラッド層２０が得られる。これはＳｅがＶ族空孔を占拠
することがカーボンを、通常は配置しにくいIII 族空孔
に引き寄せる駆動力となったためと考えられる。
【００２１】そしてｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層３０を形成
する際には、上記水素化セレンの供給を停止し、トリメ
チルアルミガスの量を減少させる。すると以下の反応式
により、
する際には、上記水素化セレンの供給を停止し、トリメ
チルアルミガスの量を減少させる。すると以下の反応式
により、
【００２２】
【化４】
【００２３】反応気相中にセレン原子がなくなり、図１
(c) に示されるように、カーボン原子は本来配置される
べきＶ族空孔に配置されるようになり、Ｐ型不純物とし
て作用する。このときＶ族空孔に配置されるカーボンの
割合は１ｍｏｌに対し１０17〜１０18個である。このよ
うにして約３００オングストロームのｐ−Ａｌ0.1 Ｇａ
0.9 Ａｓ活性層３０が得られる。
(c) に示されるように、カーボン原子は本来配置される
べきＶ族空孔に配置されるようになり、Ｐ型不純物とし
て作用する。このときＶ族空孔に配置されるカーボンの
割合は１ｍｏｌに対し１０17〜１０18個である。このよ
うにして約３００オングストロームのｐ−Ａｌ0.1 Ｇａ
0.9 Ａｓ活性層３０が得られる。
【００２４】次いでｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層４
０を形成する際には、トリメチルアルミガスの供給量を
再び増大させることにより、厚さ約１．５μｍのｐ−Ａ
ｌ0. 48Ｇａ0.52Ａｓ第２クラッド層４０が得られる。
０を形成する際には、トリメチルアルミガスの供給量を
再び増大させることにより、厚さ約１．５μｍのｐ−Ａ
ｌ0. 48Ｇａ0.52Ａｓ第２クラッド層４０が得られる。
【００２５】図３からわかるように、以上のようにして
得られたレーサダイオードの活性層近傍のＳＩＭＳプロ
ファイルは、活性層３０と第１クラッド層２０とを境に
急峻に変化しており、これは形成工程中一定量にて供給
し続けたカーボンが、活性層３０と第１クラッド層２０
との界面を境に、第１クラッド層２０ではＰ型不純物と
して作用し、活性層３０，第２クラッド層４０ではｎ型
不純物として作用している。
得られたレーサダイオードの活性層近傍のＳＩＭＳプロ
ファイルは、活性層３０と第１クラッド層２０とを境に
急峻に変化しており、これは形成工程中一定量にて供給
し続けたカーボンが、活性層３０と第１クラッド層２０
との界面を境に、第１クラッド層２０ではＰ型不純物と
して作用し、活性層３０，第２クラッド層４０ではｎ型
不純物として作用している。
【００２６】また、図４に示すように、ＡｌＧａＡｓ中
に添加するセレン又はカーボンの量を増大させることで
任意にキャリア濃度を変化させることができることがわ
かる。またカーボン添加量をある程度大きくするとｎ型
キャリア濃度が減少し、カーボン本来のｐ型不純物の性
質が現れ、ｎ型不純物としてカーボンを作用させるため
の添加量には最大値があることがわかる。
に添加するセレン又はカーボンの量を増大させることで
任意にキャリア濃度を変化させることができることがわ
かる。またカーボン添加量をある程度大きくするとｎ型
キャリア濃度が減少し、カーボン本来のｐ型不純物の性
質が現れ、ｎ型不純物としてカーボンを作用させるため
の添加量には最大値があることがわかる。
【００２７】このように本実施例によれば、Ｖ族空孔に
配置されてｎ型不純物として作用する不純物であるＳｅ
をIII 族及びＶ族原子を含むガスと共に同時に少量添加
することで、セレンを添加しない場合と同量のカーボン
を添加した際に、ｐ型不純物として作用していたカーボ
ンが、ｐ型の場合と同レベルのｎ型不純物として作用す
るので、従来のようにIII −Ｖ族ガスの供給比を変化さ
せてＰ型不純物プロファイルを得るものに比べ、反応条
件の変化が極めて小さく、良好な結晶成長を行うことが
できる。また、ｐ型及びｎ型導電性制御をともに拡散係
数の小さいカーボンの添加によって行うため、接合界面
における相互拡散が少なく、非常に急峻なキャリアプロ
ファイルを精密に設計通りに得ることができ、レーザダ
イオードの場合には、初期性能，信頼性ともに従来のも
のに比べて著しく改善される。
配置されてｎ型不純物として作用する不純物であるＳｅ
をIII 族及びＶ族原子を含むガスと共に同時に少量添加
することで、セレンを添加しない場合と同量のカーボン
を添加した際に、ｐ型不純物として作用していたカーボ
ンが、ｐ型の場合と同レベルのｎ型不純物として作用す
るので、従来のようにIII −Ｖ族ガスの供給比を変化さ
せてＰ型不純物プロファイルを得るものに比べ、反応条
件の変化が極めて小さく、良好な結晶成長を行うことが
できる。また、ｐ型及びｎ型導電性制御をともに拡散係
数の小さいカーボンの添加によって行うため、接合界面
における相互拡散が少なく、非常に急峻なキャリアプロ
ファイルを精密に設計通りに得ることができ、レーザダ
イオードの場合には、初期性能，信頼性ともに従来のも
のに比べて著しく改善される。
【００２８】なお上記実施例では半導体装置の一例とし
て、ＡｌＧａＡｓ系レーザダイオードを用いて説明した
が、例えば、ＨＥＭＴやヘテロバイポーラトランジスタ
等のようにｐ／ｎ接合界面を有する他のIII −Ｖ族化合
物半導体装置であってもよく、上記実施例と同様の効果
を奏する。
て、ＡｌＧａＡｓ系レーザダイオードを用いて説明した
が、例えば、ＨＥＭＴやヘテロバイポーラトランジスタ
等のようにｐ／ｎ接合界面を有する他のIII −Ｖ族化合
物半導体装置であってもよく、上記実施例と同様の効果
を奏する。
【００２９】また上記実施例では、III 族元素としてＧ
ａを用い、Ｖ族元素としてＡｓを用いたが他のIII ，Ｖ
族元素であってもよく、さらにカーボン原子が配置され
る空孔を指定する際に微量用いる元素としてセレン以外
にテルル（Ｔｅ）や硫黄（Ｓ）等を用いるようにしても
よい。
ａを用い、Ｖ族元素としてＡｓを用いたが他のIII ，Ｖ
族元素であってもよく、さらにカーボン原子が配置され
る空孔を指定する際に微量用いる元素としてセレン以外
にテルル（Ｔｅ）や硫黄（Ｓ）等を用いるようにしても
よい。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体装
置によれば、Ｎ型ドーパントとしてのカーボンおよびこ
のカーボンよりも少ない量のＶＩ族元素を含むIII −Ｖ
族化合物半導体からなるＮ型半導体層と、このＮ型半導
体層と異種導電性接合面を介してＮ型半導体層上に配設
されＰ型ドーパントとしてのカーボンを含むIII −Ｖ族
化合物半導体からなるＰ型半導体層と、を備えたので、
異種導電性接合面でのキャリアプロファイルが急峻にな
り、初期性能および信頼性の優れた化合物半導体装置と
なるという効果がある。 また、この発明に係る半導体装
置の製造方法によれば、III 族元素を含む原料ガス、Ｖ
族元素を含む原料ガスおよびＰ型ドーパントとしてのカ
ーボンを供給し、半導体基板上に気相成長によりIII −
Ｖ族化合物半導体のＰ型半導体層を形成する工程と、Ｐ
型半導体層を形成する工程と相互に連続する工程であっ
て、III族元素を含む原料ガス、Ｖ族元素を含む原料ガ
ス、Ｎ型ドーパントとしてのカーボン及びこのカーボン
よりも少ない量のＶＩ族元素を含むガスを供給し、半導
体基板上に気相成長によりIII −Ｖ族化合物半導体から
なるＮ型の半導体層を形成する工程と、を含むもので、
接合界面における相互拡散が少なく、キャリアプロファ
イルを急峻にでき、初期性能および信頼性の優れた化合
物半導体装置を容易に得ることができる。
置によれば、Ｎ型ドーパントとしてのカーボンおよびこ
のカーボンよりも少ない量のＶＩ族元素を含むIII −Ｖ
族化合物半導体からなるＮ型半導体層と、このＮ型半導
体層と異種導電性接合面を介してＮ型半導体層上に配設
されＰ型ドーパントとしてのカーボンを含むIII −Ｖ族
化合物半導体からなるＰ型半導体層と、を備えたので、
異種導電性接合面でのキャリアプロファイルが急峻にな
り、初期性能および信頼性の優れた化合物半導体装置と
なるという効果がある。 また、この発明に係る半導体装
置の製造方法によれば、III 族元素を含む原料ガス、Ｖ
族元素を含む原料ガスおよびＰ型ドーパントとしてのカ
ーボンを供給し、半導体基板上に気相成長によりIII −
Ｖ族化合物半導体のＰ型半導体層を形成する工程と、Ｐ
型半導体層を形成する工程と相互に連続する工程であっ
て、III族元素を含む原料ガス、Ｖ族元素を含む原料ガ
ス、Ｎ型ドーパントとしてのカーボン及びこのカーボン
よりも少ない量のＶＩ族元素を含むガスを供給し、半導
体基板上に気相成長によりIII −Ｖ族化合物半導体から
なるＮ型の半導体層を形成する工程と、を含むもので、
接合界面における相互拡散が少なく、キャリアプロファ
イルを急峻にでき、初期性能および信頼性の優れた化合
物半導体装置を容易に得ることができる。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置（レーザ
ダイオード）の活性層近傍の構造を示す図である。
ダイオード）の活性層近傍の構造を示す図である。
【図２】この発明の一実施例による半導体装置（レーザ
ダイオード）の活性層近傍のＳＩＭＳプロファイルを示
す図である。
ダイオード）の活性層近傍のＳＩＭＳプロファイルを示
す図である。
【図３】この発明の一実施例による半導体装置（レーザ
ダイオード）の活性層近傍の構造に対するｎ型及びｐ型
キャリア濃度プロファイルを示す図である。
ダイオード）の活性層近傍の構造に対するｎ型及びｐ型
キャリア濃度プロファイルを示す図である。
【図４】この発明の一実施例による半導体装置のＡｌＧ
ａＡｓ中のカーボン添加量とキャリア濃度との関係を示
す図である。
ａＡｓ中のカーボン添加量とキャリア濃度との関係を示
す図である。
【図５】従来の半導体装置（レーザダイオード）の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】従来の半導体装置（レーザダイオード）の活性
層近傍のＳｅ及びＺｎのＳＩＭＳプロファイルを示す図
である。
層近傍のＳｅ及びＺｎのＳＩＭＳプロファイルを示す図
である。
【図７】従来の半導体装置（レーザダイオード）の活性
層近傍のｎ型及びｐ型キャリア濃度プロファイルを示す
図である。
層近傍のｎ型及びｐ型キャリア濃度プロファイルを示す
図である。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２，２０ ｎ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層 ３，３０ ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層 ４，４０ ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層 ５ ｐ−ＧａＡｓバッファ層 ６ ｎ−ＧａＡｓブロック層 ７ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板と、 この半導体基板上に配設され、Ｎ型ドーパントとしての
カーボンおよびこのカーボンよりも少ない量のＶＩ族元
素を含むIII −Ｖ族化合物半導体からなるＮ型半導体層
と、 このＮ型半導体層と異種導電性接合面を介して前記Ｎ型
半導体層上に配設され、Ｐ型ドーパントとしてのカーボ
ンを含むIII −Ｖ族化合物半導体からなるＰ型半導体層
と、 を備えた半導体装置。 - 【請求項２】 ＶＩ族元素がセレン、硫黄またはテルル
であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 III −Ｖ族化合物半導体がＡｌ x Ｇａ
1 - x Ａｓ（０≦ｘ＜１）であることを特徴とする請求
項１または請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 III 族元素を含む原料ガス、Ｖ族元素を
含む原料ガスおよびＰ型ドーパントとしてのカーボンを
供給し、半導体基板上に気相成長によりIII−Ｖ族化合
物半導体のＰ型半導体層を形成する工程と、 Ｐ型半導体層を形成する工程と相互に連続する工程であ
って、III 族元素を含む原料ガス、Ｖ族元素を含む原料
ガス、Ｎ型ドーパントとしてのカーボン及びこのカーボ
ンよりも少ない量のＶＩ族元素を含むガスを供給し、半
導体基板上に気相成長によりIII −Ｖ族化合物半導体か
らなるＮ型の半導体層を形成する工程と、 を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 ＶＩ族元素がセレン、硫黄またはテルル
であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項６】 III 族元素がガリウムかまたはガリウム
とアルミニウムの両方で、Ｖ族元素がヒ素であることを
特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4046253A JP2781097B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
| EP92113928A EP0553393B1 (en) | 1992-01-30 | 1992-08-13 | Semiconductor device and method for producing the semiconductor device |
| DE69219100T DE69219100T2 (de) | 1992-01-30 | 1992-08-13 | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US07/928,746 US5315133A (en) | 1992-01-30 | 1992-08-13 | Compound semiconductor structure including p-type and n-type regions doped with carbon |
| US08/216,022 US5387544A (en) | 1992-01-30 | 1994-03-21 | Method of making a semiconductor device including carbon as a dopant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4046253A JP2781097B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217917A JPH05217917A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2781097B2 true JP2781097B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=12742018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4046253A Expired - Lifetime JP2781097B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5315133A (ja) |
| EP (1) | EP0553393B1 (ja) |
| JP (1) | JP2781097B2 (ja) |
| DE (1) | DE69219100T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6618415B1 (en) | 1999-08-31 | 2003-09-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and fabricating method thereof |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5653801A (en) * | 1995-04-06 | 1997-08-05 | University Of Maryland Baltimore County | Method for reducing contamination in semiconductor by selenium doping |
| JP3201305B2 (ja) | 1996-04-26 | 2001-08-20 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の製造方法 |
| US6181723B1 (en) | 1997-05-07 | 2001-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device with both carbon and group II element atoms as p-type dopants and method for producing the same |
| JP3596337B2 (ja) | 1998-03-25 | 2004-12-02 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
| US6262465B1 (en) * | 1998-09-25 | 2001-07-17 | Picometrix, Inc. | Highly-doped P-type contact for high-speed, front-side illuminated photodiode |
| US6815736B2 (en) | 2001-02-09 | 2004-11-09 | Midwest Research Institute | Isoelectronic co-doping |
| US7260130B2 (en) * | 2003-03-31 | 2007-08-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| US9076915B2 (en) | 2010-03-08 | 2015-07-07 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Boron, bismuth co-doping of gallium arsenide and other compounds for photonic and heterojunction bipolar transistor devices |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3617820A (en) * | 1966-11-18 | 1971-11-02 | Monsanto Co | Injection-luminescent diodes |
| JPS60167417A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0754805B2 (ja) * | 1986-12-08 | 1995-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 化合物半導体の気相成長方法 |
| JPH0812844B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1996-02-07 | 日本電気株式会社 | ▲ｉｉｉ▼−ｖ族化合物半導体およびその形成方法 |
| JP3013992B2 (ja) * | 1989-02-01 | 2000-02-28 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体結晶の成長方法 |
| JPH034517A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-10 | Toshiba Corp | 気相成長方法 |
| US5168077A (en) * | 1989-03-31 | 1992-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a p-type compound semiconductor thin film containing a iii-group element and a v-group element by metal organics chemical vapor deposition |
| JP2936617B2 (ja) * | 1990-02-08 | 1999-08-23 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体結晶の気相成長法 |
| JPH042699A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 結晶成長方法 |
| JPH04146680A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | Ｐ型化合物半導体の製造方法、半導体発光装置及びその製造方法 |
| US5270246A (en) * | 1991-06-18 | 1993-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor multi-layer film and semiconductor laser |
| US5268582A (en) * | 1992-08-24 | 1993-12-07 | At&T Bell Laboratories | P-N junction devices with group IV element-doped group III-V compound semiconductors |
-
1992
- 1992-01-30 JP JP4046253A patent/JP2781097B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-13 US US07/928,746 patent/US5315133A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-08-13 EP EP92113928A patent/EP0553393B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-13 DE DE69219100T patent/DE69219100T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-21 US US08/216,022 patent/US5387544A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6618415B1 (en) | 1999-08-31 | 2003-09-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and fabricating method thereof |
| US6940884B2 (en) | 1999-08-31 | 2005-09-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and fabricating method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0553393B1 (en) | 1997-04-16 |
| DE69219100T2 (de) | 1997-11-13 |
| US5315133A (en) | 1994-05-24 |
| EP0553393A1 (en) | 1993-08-04 |
| DE69219100D1 (de) | 1997-05-22 |
| US5387544A (en) | 1995-02-07 |
| JPH05217917A (ja) | 1993-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2809691B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| US7394104B2 (en) | Semiconductor optical device having current-confined structure | |
| US4819036A (en) | Semiconductor device | |
| EP0803948A2 (en) | Light-emitting device | |
| US20080054277A1 (en) | Semiconductor laser device | |
| EP0378919B1 (en) | High band-gap opto-electronic device and method for making same | |
| JP2781097B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US5146467A (en) | Semiconductor laser device | |
| US5270246A (en) | Manufacturing method of semiconductor multi-layer film and semiconductor laser | |
| JPH07231142A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH11284280A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法ならびにｉｉｉ−ｖ族化合物半導体素子の製造方法 | |
| EP0516162A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| US5887011A (en) | Semiconductor laser | |
| JPH05343737A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2876543B2 (ja) | 半導体装置及びその製造法 | |
| JP3053836B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼―ｖ族化合物半導体素子の製造方法 | |
| JPH07254750A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3025760B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP3444812B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2728672B2 (ja) | 半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 | |
| JPS6244717B2 (ja) | ||
| JPH08102567A (ja) | Ｂｅドーピング方法，エピタキシャル成長方法，半導体光素子の製造方法，及び半導体光素子 | |
| JP2555984B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3061321B2 (ja) | 結晶改善された化合物半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2554192B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 |