JPS6252984A - 自己整合電流狭窄型半導体発光素子 - Google Patents
自己整合電流狭窄型半導体発光素子Info
- Publication number
- JPS6252984A JPS6252984A JP60192013A JP19201385A JPS6252984A JP S6252984 A JPS6252984 A JP S6252984A JP 60192013 A JP60192013 A JP 60192013A JP 19201385 A JP19201385 A JP 19201385A JP S6252984 A JPS6252984 A JP S6252984A
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- Japan
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- light emitting
- cladding layer
- layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、内部電流狭窄ダブルヘテロ型半導体発光素子
に関する。
に関する。
半導体発光素子は光通信光源として、又コンパクトディ
スク等高密度情報処理装置用光源として注目されている
。ところでこれらの目的に供する発光素子としては発光
ダイオードとレーザダイオードがある。いずれのダイオ
ードも駆動電流の低減化と発光した光を収束するために
、電流狭帯構造を採用している。第３因ｖｃｉｔ流狭櫂
型レーザを示し従来技術の問題点を指摘する。
スク等高密度情報処理装置用光源として注目されている
。ところでこれらの目的に供する発光素子としては発光
ダイオードとレーザダイオードがある。いずれのダイオ
ードも駆動電流の低減化と発光した光を収束するために
、電流狭帯構造を採用している。第３因ｖｃｉｔ流狭櫂
型レーザを示し従来技術の問題点を指摘する。
第３図で、３１．３９はｎ形及びｐ形オーミック電極、
３２はキャリア濃度ｎ＝２Ｘ１０ 口 のｎ形ＧａＡ
ｓ、３３はｎ＝ｌＸ１ＯＣ１ｎ のｎ形ＧａｏｓｓＡ
Ａ！ｏＡｓＡ８光閉じ込め層（クラッド層）、３４はア
ンドープＧａＡｓ活性層、３５はｐ＝２ＸｌＯＣｒｒＬ
のｐ形ＧａｏｐｓＡｌｏＡ５ＡＢクラッド層３６はｎ
＝５Ｘ１０ （ｍ のｎ形ＧａＡａ ［流狭々層、
３７はｐ＝２Ｘ１０１８ｃｍ−３のｐ形Ｇａｏ、５ｓＡ
Ａ！ｏＡｓＡｓクラッド層、３８はｐ＝ｓｘｉｏ ｃ
’ｍのｐ形ＧａＡｓオーミック層である。この型のレー
ザを裏作するためには次のようにする。即ち、まず最初
ＩＣｎ形ＧａＡｓ基板３２上に３３〜３６の各層をＭＯ
ＣＶＤ （有機金属気相成長）法により連続成長する。
３２はキャリア濃度ｎ＝２Ｘ１０ 口 のｎ形ＧａＡ
ｓ、３３はｎ＝ｌＸ１ＯＣ１ｎ のｎ形ＧａｏｓｓＡ
Ａ！ｏＡｓＡ８光閉じ込め層（クラッド層）、３４はア
ンドープＧａＡｓ活性層、３５はｐ＝２ＸｌＯＣｒｒＬ
のｐ形ＧａｏｐｓＡｌｏＡ５ＡＢクラッド層３６はｎ
＝５Ｘ１０ （ｍ のｎ形ＧａＡａ ［流狭々層、
３７はｐ＝２Ｘ１０１８ｃｍ−３のｐ形Ｇａｏ、５ｓＡ
Ａ！ｏＡｓＡｓクラッド層、３８はｐ＝ｓｘｉｏ ｃ
’ｍのｐ形ＧａＡｓオーミック層である。この型のレー
ザを裏作するためには次のようにする。即ち、まず最初
ＩＣｎ形ＧａＡｓ基板３２上に３３〜３６の各層をＭＯ
ＣＶＤ （有機金属気相成長）法により連続成長する。
その後、この基板上にホトリックラフ技術によりホトレ
ジストをストライプ状に現像する。選択性の強いエツチ
ング液により電流狭９１’！３６とｐ形りラッグ層３７
の途中までエツチング処理する。その後再度（４）圃装
置でｐ形りラッド層３７及びｐ形オーミック層３８を順
次成長する。ｎ、ｐ形オーミック電極３１．３９を蒸着
し、熱処理を行なうことにより内部電流狭ダ凰レーザが
製作される。
ジストをストライプ状に現像する。選択性の強いエツチ
ング液により電流狭９１’！３６とｐ形りラッグ層３７
の途中までエツチング処理する。その後再度（４）圃装
置でｐ形りラッド層３７及びｐ形オーミック層３８を順
次成長する。ｎ、ｐ形オーミック電極３１．３９を蒸着
し、熱処理を行なうことにより内部電流狭ダ凰レーザが
製作される。
この構造のレーザの製作上の問題点をしては、まずｒｓ
ｔにレーザの横モードを単一化するためにストライプ
幅をその底面で約１〜１．５μｍとする必要がある。し
かし現在のホトリソグラフ技術と湿式エツチング技術で
は再現性は乏しい。又次に菫ｒＤ装置で再度３７．３８
を成長する際にｐ形りラッド層３５のドーパントである
亜鉛の蒸気圧が高いため、クラッド層３５より結晶外へ
蒸着し、キャリア濃度が低下し高抵抗化する弊害がある
。
ｔにレーザの横モードを単一化するためにストライプ
幅をその底面で約１〜１．５μｍとする必要がある。し
かし現在のホトリソグラフ技術と湿式エツチング技術で
は再現性は乏しい。又次に菫ｒＤ装置で再度３７．３８
を成長する際にｐ形りラッド層３５のドーパントである
亜鉛の蒸気圧が高いため、クラッド層３５より結晶外へ
蒸着し、キャリア濃度が低下し高抵抗化する弊害がある
。
またｐ形ＧａＡＡ！Ａｓクラッド層３５のＡｌＡｓ組成
が高いため、そのストライプ加工した表面が容易に酸化
し、多数の界面単位を生成させレーザ特性を劣化させる
等の問題点があった。これは従来のＭＯＣｖＤ装置で作
成する内部電流狭窄型発光素子共通の課題題でめった。
が高いため、そのストライプ加工した表面が容易に酸化
し、多数の界面単位を生成させレーザ特性を劣化させる
等の問題点があった。これは従来のＭＯＣｖＤ装置で作
成する内部電流狭窄型発光素子共通の課題題でめった。
本発明は上述した発光素子の特性向上と量産性向上を計
る目的でなされたものである。
る目的でなされたものである。
本発明の半導体レーザはＧａＡｓ基板上に凹部を設けた
該基板上に連続的にｎ形りラッド層、活性層、ｐ形りラ
ッド層及びオーミック層を成長する。この時凹部をスト
ライプ状にエツチングするが、ストライプ幅の精度を特
に注意することはいらない。
該基板上に連続的にｎ形りラッド層、活性層、ｐ形りラ
ッド層及びオーミック層を成長する。この時凹部をスト
ライプ状にエツチングするが、ストライプ幅の精度を特
に注意することはいらない。
単一な横モードにするには、あらかじめストライプ幅と
その深場を測定しておき、ｎ形りラッド層の成長厚みで
単−横モードが成立つように制御する。ＭＯＣＶＤ法に
よる成長厚みの制御性は士≦ｌｏＸであるので充分可能
である。
その深場を測定しておき、ｎ形りラッド層の成長厚みで
単−横モードが成立つように制御する。ＭＯＣＶＤ法に
よる成長厚みの制御性は士≦ｌｏＸであるので充分可能
である。
次に活性層を成長させるが活性層の位置は凹部の中にあ
るようにする。そうすると次にｐ −ＧａＡ１！Ａｓク
ラッド層を成長するとｐ−クラッド層中の亜鉛は四面よ
りも凹部の側面の（１１１）面の方向への拡散速度が速
いためｐｎ接合位置はａＣＩＪ面ではｐ−クラッド層と
活性層の界面にあり、（１１１）面では基板側のｎ−ク
ラッド内に生成される。このｐ−クラッド層内にｎ−ク
ラッド層と同じ組成でキャリア一度も同じ層を少なくと
も一層以上成長させる。
るようにする。そうすると次にｐ −ＧａＡ１！Ａｓク
ラッド層を成長するとｐ−クラッド層中の亜鉛は四面よ
りも凹部の側面の（１１１）面の方向への拡散速度が速
いためｐｎ接合位置はａＣＩＪ面ではｐ−クラッド層と
活性層の界面にあり、（１１１）面では基板側のｎ−ク
ラッド内に生成される。このｐ−クラッド層内にｎ−ク
ラッド層と同じ組成でキャリア一度も同じ層を少なくと
も一層以上成長させる。
そうするとａ〜面上のｎ −ＧａＡｌＡｓクラッドはｐ
形に反転しないが、凹部のｎ −ＧａＡｌＡｓクラッド
はｐ転する。この現象によって凹部以外は複数のｐ／ｎ
接合が出来、凹部はただ１ケのｐ ／ ｎ接合が出来る
ことにより電圧を印加すると凹部にのみ電流が集中する
ことになり横モードが制御される。
形に反転しないが、凹部のｎ −ＧａＡｌＡｓクラッド
はｐ転する。この現象によって凹部以外は複数のｐ／ｎ
接合が出来、凹部はただ１ケのｐ ／ ｎ接合が出来る
ことにより電圧を印加すると凹部にのみ電流が集中する
ことになり横モードが制御される。
又ただ一度の成長で全ての層を結晶成長するため発光特
性に影響を与える結晶欠陥や、深い界面準位が生成され
ないため高効率の半導体発光素子が製作出来た。
性に影響を与える結晶欠陥や、深い界面準位が生成され
ないため高効率の半導体発光素子が製作出来た。
以上詳述したように発光領域を精密に制御出来ることに
より横モード単一な発光素子が量産性良く製作出来た。
より横モード単一な発光素子が量産性良く製作出来た。
又従来オに造の発光素子と比較して高効率な素子が製作
出来た。
出来た。
〔発明の実施例〕
本発明の一実施例を第１図及び第２図に示す。
この図に基づき説明する。ｎ形ＧａＡａ （キャリア濃
度ｎ＝＝２Ｘ１０１８ｃＩＩＬ−３，Ｓｔ ）’−７’
） Ｍ板１２ ヲホ） ！ｊゾグラフィによりホトレ
ジストの１部を幅２μｍで除去する。このストライプの
方向は＜０１１＞とする。
度ｎ＝＝２Ｘ１０１８ｃＩＩＬ−３，Ｓｔ ）’−７’
） Ｍ板１２ ヲホ） ！ｊゾグラフィによりホトレ
ジストの１部を幅２μｍで除去する。このストライプの
方向は＜０１１＞とする。
選択性の強いエツチング液として、リン酸（２０Ｖｏｌ
Ｔｏ ） ％過酸化水素水（２０Ｖｏｌ％）、メチル
アルコール（６０Ｖｏｌ％）の混合液を使用してＧａＡ
ｓ基板１２をエツチングすると、第１図のストライプ１
９が作成出来る。この時、ストライプの底面及び斜面の
面方位はα（至）、 （１１１）面となる。このストラ
イプの深さを１ｔｔｒｎとした。ストライプ幅は３．５
μｍとなった。この基板上に有機金属熱分解法によりＧ
ａＡｓ、Ｇａｏ、５Ａｌｏ４Ａｓ結晶を成長させた。結
晶成長条件は成長温度７７５’Ｃ，Ｖ／ｒＩ比（水素化
アルミン／トリメチルガリウム＋トリメチルアルミニウ
ム）〜２０、成長速度＝ ０．２〜０．３１１ｍ／ｍｉ
ｎ、全水素ガス流量＝１０１／ｍｉｎである。
Ｔｏ ） ％過酸化水素水（２０Ｖｏｌ％）、メチル
アルコール（６０Ｖｏｌ％）の混合液を使用してＧａＡ
ｓ基板１２をエツチングすると、第１図のストライプ１
９が作成出来る。この時、ストライプの底面及び斜面の
面方位はα（至）、 （１１１）面となる。このストラ
イプの深さを１ｔｔｒｎとした。ストライプ幅は３．５
μｍとなった。この基板上に有機金属熱分解法によりＧ
ａＡｓ、Ｇａｏ、５Ａｌｏ４Ａｓ結晶を成長させた。結
晶成長条件は成長温度７７５’Ｃ，Ｖ／ｒＩ比（水素化
アルミン／トリメチルガリウム＋トリメチルアルミニウ
ム）〜２０、成長速度＝ ０．２〜０．３１１ｍ／ｍｉ
ｎ、全水素ガス流量＝１０１／ｍｉｎである。
ｎ −Ｇａ□、６ＡｌＯ，４Ａｓ （Ｓｅ ドープｎ＝
ｌＸ１０ ｃｍ ）クラッド層１３を１．５ μｍ
、 ｎ −Ｇａｏ、５ｓＡｌｏｏ５Ａｓ （アンドー
プｙ１−ＩＱｃｍ）活性層１４を０．２μｍ 、 ｐ
−ＧａＯ，６Ａｌ＋）、４Ａｓ （Ｚｎドープ＃ Ｐ
＝ Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ］８Ｃｒｎ−３クラツト＠１５を０
．４ ａｍ 、 ｎ−Ｇａｏ６Ａｌｏ、４Ａｓ （Ｓｅ
ドープｎ＝ｌＸｌ０ ｃｍ ）クラッド層１６を０
．６ μｍ ＋ ｐ−Ｇａｏ、ｏｓＡｌｏ４Ａｓ（Ｚｎ
ドーグｐ＝４Ｘ１０ ｃｍ ）クラッド１１１７を
０．５ μｍ 、 ｐ−ＧａＡｓ（Ｚｎドープｐ ＝
５ ｘ １０１８ｃＩｎ−３）オーミック層を４μｍ成
長した。第１図はこれら成長層断面の模式１′４である
。第２図でｐｎ接合の位置を２３で示す。図から判るよ
うにＡ部分ではｐ／ｎ接合が２個生成し、Ｂ部分では１
個である。
ｌＸ１０ ｃｍ ）クラッド層１３を１．５ μｍ
、 ｎ −Ｇａｏ、５ｓＡｌｏｏ５Ａｓ （アンドー
プｙ１−ＩＱｃｍ）活性層１４を０．２μｍ 、 ｐ
−ＧａＯ，６Ａｌ＋）、４Ａｓ （Ｚｎドープ＃ Ｐ
＝ Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ］８Ｃｒｎ−３クラツト＠１５を０
．４ ａｍ 、 ｎ−Ｇａｏ６Ａｌｏ、４Ａｓ （Ｓｅ
ドープｎ＝ｌＸｌ０ ｃｍ ）クラッド層１６を０
．６ μｍ ＋ ｐ−Ｇａｏ、ｏｓＡｌｏ４Ａｓ（Ｚｎ
ドーグｐ＝４Ｘ１０ ｃｍ ）クラッド１１１７を
０．５ μｍ 、 ｐ−ＧａＡｓ（Ｚｎドープｐ ＝
５ ｘ １０１８ｃＩｎ−３）オーミック層を４μｍ成
長した。第１図はこれら成長層断面の模式１′４である
。第２図でｐｎ接合の位置を２３で示す。図から判るよ
うにＡ部分ではｐ／ｎ接合が２個生成し、Ｂ部分では１
個である。
この成因は０ω面よりも（１１１）面でのＺｎの拡散が
速く、且つＳｅの取込まれ率が低いことによる。電極２
２及び２１にそれぞれ正、負電圧を？ＪＯえるとＡ部分
の方がしきい値電圧が低いため、主に電流はＢ部分（溝
部の０ＩＸＩ面＞ｖＣ集中して流れる°。その結果、発
光もＢ部分のみ発光する。溝の斜面（１１１）面では基
板側のｐ−Ｇａｏ、ａＡｅｏ、４Ａｓの中ＶＣｐＨ接合
が出来るが、Ｂ部分に比べて接合電位差が大きいため無
視出来る位しか電流は流れなかった。
速く、且つＳｅの取込まれ率が低いことによる。電極２
２及び２１にそれぞれ正、負電圧を？ＪＯえるとＡ部分
の方がしきい値電圧が低いため、主に電流はＢ部分（溝
部の０ＩＸＩ面＞ｖＣ集中して流れる°。その結果、発
光もＢ部分のみ発光する。溝の斜面（１１１）面では基
板側のｐ−Ｇａｏ、ａＡｅｏ、４Ａｓの中ＶＣｐＨ接合
が出来るが、Ｂ部分に比べて接合電位差が大きいため無
視出来る位しか電流は流れなかった。
この結果をへき開により共撮器を作成し、半導体レーザ
を作成した。その結果、発撮しきい値電流はｌＯｍＡと
活性層埋め込みレーザと同等の値が得られた。又外部微
分１子効率も４０係（片面）と良好であった。寿命も５
０°Ｃ，ｇｍＷでの試験の結県１００６時間での劣化率
は５％以下と充分実用１て耐え得ることが判った。
を作成した。その結果、発撮しきい値電流はｌＯｍＡと
活性層埋め込みレーザと同等の値が得られた。又外部微
分１子効率も４０係（片面）と良好であった。寿命も５
０°Ｃ，ｇｍＷでの試験の結県１００６時間での劣化率
は５％以下と充分実用１て耐え得ることが判った。
この構造の横モード制御は発光領域の幅ｄによって制御
出来るが、幅ｄは基板のストライプ底部の幅Ｗと基板側
ｎ −Ｇａ ｏ、５Ａ１０．４Ａ８クラッド層１３ の
厚みｌ′及び角度θによって決まる。角度θは経験的に
ストライプ幅によらず一定でθ＝４７０である。
出来るが、幅ｄは基板のストライプ底部の幅Ｗと基板側
ｎ −Ｇａ ｏ、５Ａ１０．４Ａ８クラッド層１３ の
厚みｌ′及び角度θによって決まる。角度θは経験的に
ストライプ幅によらず一定でθ＝４７０である。
発光領域の幅ｄはｄ＝Ｗ−２１Ａａｎ４７°の関係があ
る。
る。
あらかじめストライプ底部の幅Ｗを測定しておけど、単
−横モード発振のレーザはクラッド層１３の成長厚みｌ
によって制御出来る。有機金属熱分解結晶成長方法では
膜厚の制御はく±ＩＯＡであるので、充分再現性良く製
作出来た。又活性領域を量子井戸型としポテンシャル井
戸のＧａＡｓを１０ＯＡを３層積層させた結果発振波長
は７８０ｎｍであり１発振しきい値電流は５ｍＡであっ
た。これは斜面ではＺｎがクラッド層１３の中まで拡散
されたことにより超格子構造が破壊された（ ＡｌがＧ
ＩＬｏ、６ＡｌＯ，４Ａｓ 、１中からＧａＡｓ層へ拡
散する）ことにより、ＡｌＡｓ組成がＢ部分より２７チ
高くなり、光の閉じ込めが強くなった結果である。
−横モード発振のレーザはクラッド層１３の成長厚みｌ
によって制御出来る。有機金属熱分解結晶成長方法では
膜厚の制御はく±ＩＯＡであるので、充分再現性良く製
作出来た。又活性領域を量子井戸型としポテンシャル井
戸のＧａＡｓを１０ＯＡを３層積層させた結果発振波長
は７８０ｎｍであり１発振しきい値電流は５ｍＡであっ
た。これは斜面ではＺｎがクラッド層１３の中まで拡散
されたことにより超格子構造が破壊された（ ＡｌがＧ
ＩＬｏ、６ＡｌＯ，４Ａｓ 、１中からＧａＡｓ層へ拡
散する）ことにより、ＡｌＡｓ組成がＢ部分より２７チ
高くなり、光の閉じ込めが強くなった結果である。
本発明はＧａ Ｏ，９５Ａｌｏ、ｏ ｓＡｓ 、Ｇａ
ｏ、ａＡ／ ０．４Ａ８ダブルヘテロ接合発光素子につ
いて説明したが、これらの結晶のＡｌＡｓの組成は適宜
デバイス目的によって変更出来ることは勿論であるし、
又■−ｖ族結晶１般についても適用出来る。
ｏ、ａＡ／ ０．４Ａ８ダブルヘテロ接合発光素子につ
いて説明したが、これらの結晶のＡｌＡｓの組成は適宜
デバイス目的によって変更出来ることは勿論であるし、
又■−ｖ族結晶１般についても適用出来る。
第１図及び第２図は本発明の詳細な説明するための構成
断面１ｓ？Ｉ、ｇ３図は従来例を説明するための図であ
る。 １２ ・−ｎ−ＧａＡｓ基板（キャリアｉｔ、ｎ＝２Ｘ
１０１８ｃｍ ３ｉ ドープ） １３− ｎ −Ｇａ Ｏ，Ｑ ６Ａｌｏ４Ａｓ （Ｓｅ
ドーグ、ｎ＝１×１０１７Ｃｒｎ−３）クラッド層 １４−・−ｎ−Ｇａｏ９ｓＡｌｏ、ｏｓＡｓ（アンドー
プ、 ｎ：ｌＸ１０”閏 ）活性層又はｎ−ＧａＡｓ基
板−Ｇａ□、６Ａｌｏ、４Ａｓ 超格子活性層 １５−・・ｐ−Ｇａｏ、５Ａｌｏ４Ａｓ （Ｚｎドープ
、 ｐ：ｌＸ１０’８ｃｍ−３）クラッド層 １６− ｎ−Ｇａｏ、５Ａｌｏ、４Ａｓ （Ｓｅ ドー
プ、 ｎ＝ Ｉ Ｘ １０１７ｚ−３）クラッド層 １７− ｐ−Ｇａｏ、５Ａｌｏ、＋Ａｓ（Ｚｎドープ、
ｐ＝４ｘ１０１８ｃｍ−３）クラッド層 １８ ・・・ｐ−ＧａＡｓ （Ｚｎドープｐ＝５ｘ Ｉ
Ｑ１８ｃ＋ｎ−３）オーミック層 １９・・・ストライプ ２１・・・ｎ側電極 ２２・・
・ｐ＠電極２３・・・ｐ ／ ｎ接合 （外 ℃
断面１ｓ？Ｉ、ｇ３図は従来例を説明するための図であ
る。 １２ ・−ｎ−ＧａＡｓ基板（キャリアｉｔ、ｎ＝２Ｘ
１０１８ｃｍ ３ｉ ドープ） １３− ｎ −Ｇａ Ｏ，Ｑ ６Ａｌｏ４Ａｓ （Ｓｅ
ドーグ、ｎ＝１×１０１７Ｃｒｎ−３）クラッド層 １４−・−ｎ−Ｇａｏ９ｓＡｌｏ、ｏｓＡｓ（アンドー
プ、 ｎ：ｌＸ１０”閏 ）活性層又はｎ−ＧａＡｓ基
板−Ｇａ□、６Ａｌｏ、４Ａｓ 超格子活性層 １５−・・ｐ−Ｇａｏ、５Ａｌｏ４Ａｓ （Ｚｎドープ
、 ｐ：ｌＸ１０’８ｃｍ−３）クラッド層 １６− ｎ−Ｇａｏ、５Ａｌｏ、４Ａｓ （Ｓｅ ドー
プ、 ｎ＝ Ｉ Ｘ １０１７ｚ−３）クラッド層 １７− ｐ−Ｇａｏ、５Ａｌｏ、＋Ａｓ（Ｚｎドープ、
ｐ＝４ｘ１０１８ｃｍ−３）クラッド層 １８ ・・・ｐ−ＧａＡｓ （Ｚｎドープｐ＝５ｘ Ｉ
Ｑ１８ｃ＋ｎ−３）オーミック層 １９・・・ストライプ ２１・・・ｎ側電極 ２２・・
・ｐ＠電極２３・・・ｐ ／ ｎ接合 （外 ℃
Claims (3)
- （１）一部に凹部を設けたIII−Ｖ族半導体基板上に光
閉じ込め層、発光層を有するダブルヘテロ構造を成長さ
せ、続いて互いに異なる導電型の光閉じ込め層を少なく
とも一層以上繰返し連続成長させることにより凹部分の
みが単一のｐｎ接合を有するようにし、且つ発光領域が
凹部内にあることを特徴とする自己整合電流狭窄型半導
体発光素子。 - （２）発光領域を量子井戸型にしたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の自己整合電流狭窄型半導体発
光素子。 - （３）半導体基板の面方位が（１００）面で凹部側面が
（１＠１＠＠１＠）面にしてなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の自己整合電流狭窄型半導体発光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60192013A JPS6252984A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | 自己整合電流狭窄型半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60192013A JPS6252984A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | 自己整合電流狭窄型半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252984A true JPS6252984A (ja) | 1987-03-07 |
Family
ID=16284150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60192013A Pending JPS6252984A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | 自己整合電流狭窄型半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6252984A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6448486A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
| US5010556A (en) * | 1986-05-14 | 1991-04-23 | Omron Tateisi Electronics Co. | A stripe-shaped heterojunction laser with unique current confinement |
| US5289483A (en) * | 1991-05-16 | 1994-02-22 | U.S. Philips Corp. | Semiconductor device having a mesa and method of manufacturing same |
-
1985
- 1985-09-02 JP JP60192013A patent/JPS6252984A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5010556A (en) * | 1986-05-14 | 1991-04-23 | Omron Tateisi Electronics Co. | A stripe-shaped heterojunction laser with unique current confinement |
| JPS6448486A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
| US5289483A (en) * | 1991-05-16 | 1994-02-22 | U.S. Philips Corp. | Semiconductor device having a mesa and method of manufacturing same |
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