JPH0448669A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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- JPH0448669A JPH0448669A JP15583990A JP15583990A JPH0448669A JP H0448669 A JPH0448669 A JP H0448669A JP 15583990 A JP15583990 A JP 15583990A JP 15583990 A JP15583990 A JP 15583990A JP H0448669 A JPH0448669 A JP H0448669A
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- compound semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要コ
半導体レーザ装置及びその製造方法に関し、活性層に非
発光センタを生ずることなく、ＭＯＶＰＥ法により１回
の結晶成長で製造することができ、電流閉じ込めが十分
で効率の良い半導体し一ザ装置及びその製造方法を提供
することを目的とし、 ＜１００）面の表面上に、側面が（１１１）Ｂ面で上面
が＜１００＞面である順メサ形状の凸部が形成された第
１導電型の■−ｖ系化合物半導体基板と、前記■−ｖ系
化合物半導体基板の（１００）面上及び前記凸部の＜１
００＞面上に分離して形成され、平面が（１００）面で
側面が（１１１）Ｂ面であるＡｓを含む■−ｖ系混晶の
第１導電型の第１クラッド層と、前記第１クラッド層の
（１００）面及び（１１１）Ｂ面上に等方的に形成され
、上面が＜１００＞面で側面がほぼ（１１１）Ｂ面であ
るＰを含む■−Ｖ系混晶の第１導電型の第２クラッド層
と、前記第２クラッド層上に形成され、平面が（１００
）面で側面がほぼ（１１１）Ｂ面であるＩ−Ｖ系混晶の
活性層と、前記活性層の＜１００）面及び（１１１）Ｂ
面上に等方的に形成され、平面が＜１００）面で側面が
ほぼ（１１１）Ｂ面であるＰを含む■−ｖ系混晶の第２
導電型の第３クラッド層と、前記第３クラブト層の（１
００）面上に分離して形成され、平面が（１００）面で
側面が＜１１１）Ｂ面であるＡＳを含むＩ−Ｖ系混晶の
第２導電型の第４クラッド層と、前記■−ｖ系化合物半
導体基板の凸部上方の前記第４クラッド層の凸部周囲を
埋め込む■−Ｖ系化合物半導体層とを有するように構成
する。
発光センタを生ずることなく、ＭＯＶＰＥ法により１回
の結晶成長で製造することができ、電流閉じ込めが十分
で効率の良い半導体し一ザ装置及びその製造方法を提供
することを目的とし、 ＜１００）面の表面上に、側面が（１１１）Ｂ面で上面
が＜１００＞面である順メサ形状の凸部が形成された第
１導電型の■−ｖ系化合物半導体基板と、前記■−ｖ系
化合物半導体基板の（１００）面上及び前記凸部の＜１
００＞面上に分離して形成され、平面が（１００）面で
側面が（１１１）Ｂ面であるＡｓを含む■−ｖ系混晶の
第１導電型の第１クラッド層と、前記第１クラッド層の
（１００）面及び（１１１）Ｂ面上に等方的に形成され
、上面が＜１００＞面で側面がほぼ（１１１）Ｂ面であ
るＰを含む■−Ｖ系混晶の第１導電型の第２クラッド層
と、前記第２クラッド層上に形成され、平面が（１００
）面で側面がほぼ（１１１）Ｂ面であるＩ−Ｖ系混晶の
活性層と、前記活性層の＜１００）面及び（１１１）Ｂ
面上に等方的に形成され、平面が＜１００）面で側面が
ほぼ（１１１）Ｂ面であるＰを含む■−ｖ系混晶の第２
導電型の第３クラッド層と、前記第３クラブト層の（１
００）面上に分離して形成され、平面が（１００）面で
側面が＜１１１）Ｂ面であるＡＳを含むＩ−Ｖ系混晶の
第２導電型の第４クラッド層と、前記■−ｖ系化合物半
導体基板の凸部上方の前記第４クラッド層の凸部周囲を
埋め込む■−Ｖ系化合物半導体層とを有するように構成
する。
［産業上の利用分野１
本発明は半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
近年、ＧａＡｓ系の半導体レーザ装置がコンパクトディ
スク、ＰＯＳシステム等に利用され始めており、モード
制御された高品質の半導体レーザ装置を安価に大量生産
する要求が高まっている。
スク、ＰＯＳシステム等に利用され始めており、モード
制御された高品質の半導体レーザ装置を安価に大量生産
する要求が高まっている。
従来、半導体レーザ装置はＬＰＥ成長法（液相エピタキ
シャル成長法）により製造されることが多かったが、近
年、歩留り向上が期待でき、大量生産に適しているＭＯ
ＶＰＥ成長法（有機金属気相エピタキシャル成長法）が
注目されている。
シャル成長法）により製造されることが多かったが、近
年、歩留り向上が期待でき、大量生産に適しているＭＯ
ＶＰＥ成長法（有機金属気相エピタキシャル成長法）が
注目されている。
しかしながら、ＭＯＶＰＥ法で半導体レーザ装置を製造
しようとすると、埋め込み成長させるときのバリエーシ
ョンが少なく、理想的な構造の半導体レーザ装置を実現
することが難しいという問題や、Ａ」を含んだ系の半導
体層上に再成長することが困難であるという問題や、非
発光性の欠陥である深い単位が生じやすいという問題等
があり、高品質で安価な半導体レーザ装置を大量生産す
るのが困難であるというのが現状であった。
しようとすると、埋め込み成長させるときのバリエーシ
ョンが少なく、理想的な構造の半導体レーザ装置を実現
することが難しいという問題や、Ａ」を含んだ系の半導
体層上に再成長することが困難であるという問題や、非
発光性の欠陥である深い単位が生じやすいという問題等
があり、高品質で安価な半導体レーザ装置を大量生産す
るのが困難であるというのが現状であった。
［従来の技術］
ＭＯＶＰＥ成長法により化合物半導体をエピタキシャル
成長させるとき、エピタキシャル成長させる材料によっ
ては、下地の結晶方位によりエピタキシャル成長に異方
性が生ずることが知られている。例えば、結晶成長温度
によって＜１１１＞Ａ面が結晶成長しにくくなる程度が
変化したり（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ
Ｇｒｏｗｔｈ、 ７７、 ｐ３１０ （１９８６））、
Ａｓ系半導体材料とＰ系半導体材料により結晶成長性が
変化したり（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ
Ｇｒｏｗｔｈ。
成長させるとき、エピタキシャル成長させる材料によっ
ては、下地の結晶方位によりエピタキシャル成長に異方
性が生ずることが知られている。例えば、結晶成長温度
によって＜１１１＞Ａ面が結晶成長しにくくなる程度が
変化したり（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ
Ｇｒｏｗｔｈ、 ７７、 ｐ３１０ （１９８６））、
Ａｓ系半導体材料とＰ系半導体材料により結晶成長性が
変化したり（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ
Ｇｒｏｗｔｈ。
９３、 ｐ８２０ （１９８８））するという報告がな
されている。
されている。
このような結晶成長の異方性を利用して１回の結晶成長
により製造することができる半導体レーザ装置の構造と
して、ＳＡＲレーザ［Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＣｒｙｓｔ
ａｌ Ｇｒｏｗｔｈ、 ９３． ｐ８４３ （１９８８
））や、ＲＢＨレーザ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａ
ｎｔｕｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＱＥ２３． ｐ７
２５ （１９８７））等が知られている。１回の結晶成
長により製造できるということは、ＢＨ型（埋め込み型
）レーザのような再成長界面を有しないため、結晶性が
よい半導体レーザ装置を安価に製造することができるも
のとして注目されている。
により製造することができる半導体レーザ装置の構造と
して、ＳＡＲレーザ［Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＣｒｙｓｔ
ａｌ Ｇｒｏｗｔｈ、 ９３． ｐ８４３ （１９８８
））や、ＲＢＨレーザ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａ
ｎｔｕｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＱＥ２３． ｐ７
２５ （１９８７））等が知られている。１回の結晶成
長により製造できるということは、ＢＨ型（埋め込み型
）レーザのような再成長界面を有しないため、結晶性が
よい半導体レーザ装置を安価に製造することができるも
のとして注目されている。
［発明が解決しようとする課題］
ＲＢＨレーザは埋め込み型のレーザであるため電流閉込
め効率がよいという利点がある。しかしながら、上部ク
ラッド層を結晶成長している間、活性層のエツジである
（１１１）Ｂ面は完全に結晶成長が停止するため、酸素
等の不純物が取込まれやすく、非発光性の深い準位が形
成される。このような非発光センタが活性層中に形成さ
れると発光効率が著しく低化するという問題があった。
め効率がよいという利点がある。しかしながら、上部ク
ラッド層を結晶成長している間、活性層のエツジである
（１１１）Ｂ面は完全に結晶成長が停止するため、酸素
等の不純物が取込まれやすく、非発光性の深い準位が形
成される。このような非発光センタが活性層中に形成さ
れると発光効率が著しく低化するという問題があった。
これに対し、ＳＡＲレーザは活性層成長中に成長停止す
る面がないため、上述のように活性層中に４１発光セン
タが生ずることがないが、電流閉じ込めが十分でないた
めＢＨ型レーザに比べて効率が悪いという問題があった
。
る面がないため、上述のように活性層中に４１発光セン
タが生ずることがないが、電流閉じ込めが十分でないた
めＢＨ型レーザに比べて効率が悪いという問題があった
。
本発明の目的は、活性層に非発光センタを生ずることな
く、ＭＯＶＰＥ法により１回の結晶成長で製造すること
ができ、電流閉じ込めが十分で効率の良い半導体レーザ
装置及びその製造方法を提供することにある。
く、ＭＯＶＰＥ法により１回の結晶成長で製造すること
ができ、電流閉じ込めが十分で効率の良い半導体レーザ
装置及びその製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的は、（１００）面の表面上に、側面が（１１１
）Ｂ面で上面が（１００）面である順メサ形状の凸部が
形成された第１導電型の■−ｖ系化合物半導体基板と、
前記■−ｖ系化合物半導体基板の（１００）面上及び前
記凸部の（１００）面上に分離して形成され、平面が＜
１００）面で側面が（１１１）Ｂ面であるＡｓを含むＩ
−Ｖ系混晶の第１導電型の第１クラッド層と、前記第１
クラッド層の（１００）面及び（１１１）Ｂ面上に等方
的に形成され、上面が＜１００）面で側面がほぼ＜１１
１）Ｂ面であるＰを含む■−Ｖ系混晶の第１導電型の第
２クラッド層と、前記第２クラッド層上に形成され、平
面が＜１００）面で側面がほぼ（１１１）Ｂ面である■
−ｖ系混晶の活性層と、前記活性層の（１００）面及び
（１１１）Ｂ面上に等方的に形成され、平面が＜１ｏｏ
）面で側面がほぼ（１１１）Ｂ面であるＰを含むｍ−Ｖ
系混晶の第２導電型の第３クランド層と、前記第３クラ
ッド層の（１００）面上に分離して形成され、平面が（
１００）面で側面が（１１１）Ｂ面であるＡｓを含むＩ
−Ｖ系混晶の第２導電型の第４クラッド層と、前記■−
ｖ系化合物半導体基板の凸部上方の前記第４クラッド層
の凸部周囲を埋め込む■−ｖ系化合物半導体層とを有す
ることを特徴とする半導体レーザ装置によって達成され
る。
）Ｂ面で上面が（１００）面である順メサ形状の凸部が
形成された第１導電型の■−ｖ系化合物半導体基板と、
前記■−ｖ系化合物半導体基板の（１００）面上及び前
記凸部の（１００）面上に分離して形成され、平面が＜
１００）面で側面が（１１１）Ｂ面であるＡｓを含むＩ
−Ｖ系混晶の第１導電型の第１クラッド層と、前記第１
クラッド層の（１００）面及び（１１１）Ｂ面上に等方
的に形成され、上面が＜１００）面で側面がほぼ＜１１
１）Ｂ面であるＰを含む■−Ｖ系混晶の第１導電型の第
２クラッド層と、前記第２クラッド層上に形成され、平
面が＜１００）面で側面がほぼ（１１１）Ｂ面である■
−ｖ系混晶の活性層と、前記活性層の（１００）面及び
（１１１）Ｂ面上に等方的に形成され、平面が＜１ｏｏ
）面で側面がほぼ（１１１）Ｂ面であるＰを含むｍ−Ｖ
系混晶の第２導電型の第３クランド層と、前記第３クラ
ッド層の（１００）面上に分離して形成され、平面が（
１００）面で側面が（１１１）Ｂ面であるＡｓを含むＩ
−Ｖ系混晶の第２導電型の第４クラッド層と、前記■−
ｖ系化合物半導体基板の凸部上方の前記第４クラッド層
の凸部周囲を埋め込む■−ｖ系化合物半導体層とを有す
ることを特徴とする半導体レーザ装置によって達成され
る。
上記目的は、表面が＜１００）面である第１導電型の■
−ｖ系化合物半導体基板に、側面が（１１１）Ｂ面で上
面が＜１００）面である順メサ形状の凸部を形成する工
程と、前記■−ｖ系化合物半導体基板上にＡｓを含む■
−Ｖ系混晶を所定温度以上で堆積することにより、前記
■−ｖ系化合物半導体基板の（１００）面上及び前記凸
部の（１００）面上のみに、上面が（１００）面で側面
が（１１１）Ｂ面である第１導電型の第１クラッド層を
異方的に形成する工程と、前記第１クラッド層上にＰを
含む■−ｖ系混晶を所定温度以下で堆積することにより
、前記第１クラッド層の（１００）面及び（１１１）Ｂ
面上に、上面が（１００）面で側面がほぼ＜１１１）Ｂ
面である第１導電型の第２クラッド層を等方的に形成す
る工程と、前記第２クラッド層上にＩ−Ｖ系混晶を堆積
することにより、前記第２クラッド層上に、上面が（１
００）面で側面がほぼ（１１１）Ｂ面である活性層を形
成する工程と、前記活性層上にＰを含む■−ｖ系混晶を
所定温度以下で堆積することにより、前記活性層の（１
００）面及び（１１１）Ｂ面上に、上面が＜１００）面
で側面がほぼ（１１１）Ｂ面である第２導電型の第３ク
ラ・ラド層を等方的に形成する工程と、前記第３クラ・
ンド層上にＡｓを含む■−ｖ系混晶を所定温度以下で堆
積することにより、前記第３クラッド層の（１００）面
上のみに、上面が（１００）面で側面が（１１１）Ｂ面
である第２導電型の第４クラッド層を異方的に形成する
工程と、前記第４クラッド層上に■−ｖ系化合物半導体
を堆積することにより、前記■−ｖ系化合物半導体基板
の凸部上方の前記第４クラッド層の凸部周囲を埋め込む
高抵抗埋込層を形成する工程とを有することを特徴とす
る半導体レーザ装置の製造方法によって達成される。
−ｖ系化合物半導体基板に、側面が（１１１）Ｂ面で上
面が＜１００）面である順メサ形状の凸部を形成する工
程と、前記■−ｖ系化合物半導体基板上にＡｓを含む■
−Ｖ系混晶を所定温度以上で堆積することにより、前記
■−ｖ系化合物半導体基板の（１００）面上及び前記凸
部の（１００）面上のみに、上面が（１００）面で側面
が（１１１）Ｂ面である第１導電型の第１クラッド層を
異方的に形成する工程と、前記第１クラッド層上にＰを
含む■−ｖ系混晶を所定温度以下で堆積することにより
、前記第１クラッド層の（１００）面及び（１１１）Ｂ
面上に、上面が（１００）面で側面がほぼ＜１１１）Ｂ
面である第１導電型の第２クラッド層を等方的に形成す
る工程と、前記第２クラッド層上にＩ−Ｖ系混晶を堆積
することにより、前記第２クラッド層上に、上面が（１
００）面で側面がほぼ（１１１）Ｂ面である活性層を形
成する工程と、前記活性層上にＰを含む■−ｖ系混晶を
所定温度以下で堆積することにより、前記活性層の（１
００）面及び（１１１）Ｂ面上に、上面が＜１００）面
で側面がほぼ（１１１）Ｂ面である第２導電型の第３ク
ラ・ラド層を等方的に形成する工程と、前記第３クラ・
ンド層上にＡｓを含む■−ｖ系混晶を所定温度以下で堆
積することにより、前記第３クラッド層の（１００）面
上のみに、上面が（１００）面で側面が（１１１）Ｂ面
である第２導電型の第４クラッド層を異方的に形成する
工程と、前記第４クラッド層上に■−ｖ系化合物半導体
を堆積することにより、前記■−ｖ系化合物半導体基板
の凸部上方の前記第４クラッド層の凸部周囲を埋め込む
高抵抗埋込層を形成する工程とを有することを特徴とす
る半導体レーザ装置の製造方法によって達成される。
［作用］
このように本発明によれば、活性層に非発光センタを生
ずることなく、ＭＯＶＰＥ法により１回の結晶成長で製
造することができ、電流閉じ込めが十分で効率の良い半
導体レーザ装置を実現することができる。
ずることなく、ＭＯＶＰＥ法により１回の結晶成長で製
造することができ、電流閉じ込めが十分で効率の良い半
導体レーザ装置を実現することができる。
［実施例］
本発明の第１の実施例による半導体レーザ装置を第１図
を用いて説明する。
を用いて説明する。
本実施例に用いられるＰ“ＧａＡｓ基板１０は表面が＜
ｉｏｏ＞面であり、＜１１０＞方向に延び、上面が（１
００）面、側面が（１１１）Ｂ面で、幅が約２μｍで高
さが約２μｍの順メサ形状のストライプが中央に形成さ
れている。ｐ”ＧａＡｓ基板１０のストライプ周囲の平
面とストライプ上面の＜１００）面のみに、Ｚｎをドー
プしなｐ ” Ａ ｊ ＋１．４９Ｇ ａ ｏ、 ｓｓ
Ａ Ｓクラッド層１２（厚さ約１μｍ）が形成されてい
る。ｐ” Ａ、Ｉｌ、、、、Ｇａ６．５ｇＡＳクラッド
層１２の側面は＜１１１）Ｂ面となっている。
ｉｏｏ＞面であり、＜１１０＞方向に延び、上面が（１
００）面、側面が（１１１）Ｂ面で、幅が約２μｍで高
さが約２μｍの順メサ形状のストライプが中央に形成さ
れている。ｐ”ＧａＡｓ基板１０のストライプ周囲の平
面とストライプ上面の＜１００）面のみに、Ｚｎをドー
プしなｐ ” Ａ ｊ ＋１．４９Ｇ ａ ｏ、 ｓｓ
Ａ Ｓクラッド層１２（厚さ約１μｍ）が形成されてい
る。ｐ” Ａ、Ｉｌ、、、、Ｇａ６．５ｇＡＳクラッド
層１２の側面は＜１１１）Ｂ面となっている。
ｐ” ＧａＡｓ基板１０及びＰ ” Ａ ｊ ｏ、 ４
５Ｇ ａｏ。
５Ｇ ａｏ。
、、Ａｓクラツド層１２全面に、ＭｇをドープしたＰ”
（Ａｊ ｏ７Ｇａｏ、ｘ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、
ｓ Ｐクラッド層１４（厚さ約０．１μｍ）、アンド−
１のＧａｏ、ｓ Ｉ ｎａ、５ Ｐ活性層１６（厚さ約
０．１μｍ）、Ｓｅをドープしたｎ” （ＡＪ ６．
７ Ｇａｏ、ｓ ）。
（Ａｊ ｏ７Ｇａｏ、ｘ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、
ｓ Ｐクラッド層１４（厚さ約０．１μｍ）、アンド−
１のＧａｏ、ｓ Ｉ ｎａ、５ Ｐ活性層１６（厚さ約
０．１μｍ）、Ｓｅをドープしたｎ” （ＡＪ ６．
７ Ｇａｏ、ｓ ）。
Ｉｎｏ、ｓＰクラッド層１８（厚さ約０．１μｍ）が均
一の厚さで積層されている。ｎ” ＜Ａｌｌ ０．７
Ｇａ０．、）（１，Ｉｎ６．５ ｐクラッド層１８の表
面のうち、平面部分は＜１００）面で傾斜した側面部分
はほぼ（１１１）Ｂ面になっている。
一の厚さで積層されている。ｎ” ＜Ａｌｌ ０．７
Ｇａ０．、）（１，Ｉｎ６．５ ｐクラッド層１８の表
面のうち、平面部分は＜１００）面で傾斜した側面部分
はほぼ（１１１）Ｂ面になっている。
ｎ” （ＡｊＯ，７Ｇａｏ３）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐクラッド層１８の（１００）面のみに、Ｚｎをドー
プしたｎ” Ａｊ ６４ｓＧａｏ、５ｓＡｓクラ’ｙド
層２０（厚さ約１６５μｍ）が形成されている。ｎ＋（
Ａｌｌ Ｏ，７Ｇａｏ、ｓ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、Ｐ
クラッド層１８の傾斜部分の（１１１）Ｂ面上に形成さ
れずに、ｎ” ＡＪ ６．ａ、Ｇａｏ、５ｓＡＳクラッ
ド層２０がストライプとストライブ周囲とで分離されて
いる。
Ｐクラッド層１８の（１００）面のみに、Ｚｎをドー
プしたｎ” Ａｊ ６４ｓＧａｏ、５ｓＡｓクラ’ｙド
層２０（厚さ約１６５μｍ）が形成されている。ｎ＋（
Ａｌｌ Ｏ，７Ｇａｏ、ｓ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、Ｐ
クラッド層１８の傾斜部分の（１１１）Ｂ面上に形成さ
れずに、ｎ” ＡＪ ６．ａ、Ｇａｏ、５ｓＡＳクラッ
ド層２０がストライプとストライブ周囲とで分離されて
いる。
特にストライプ上のｎ ” Ａ ！Ｊ ０．４５Ｇ ａ
０．９５Ａ Ｓクラッド層２０は側面が（１１１）Ｂ
面となる断面三角形状をしている点に特徴がある。した
がって、ストライプ上のｎ” Ａｊ、、、、Ｇａ０．、
、Ａｓクラ’ソド層２０の表面は全て＜１１１）Ｂ面で
あり、ストライブ周囲のみが（１００）面となる。
０．９５Ａ Ｓクラッド層２０は側面が（１１１）Ｂ
面となる断面三角形状をしている点に特徴がある。した
がって、ストライプ上のｎ” Ａｊ、、、、Ｇａ０．、
、Ａｓクラ’ソド層２０の表面は全て＜１１１）Ｂ面で
あり、ストライブ周囲のみが（１００）面となる。
ｎ ” Ａ ｊ ０．４５Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓク
ラッド層２０のストライプ周囲の＜１００）面のみに、
アンドープのｎ −Ａ ｊｌ （１，４ＳＧ ａ ｏ、
ｓｓＡ ｓ高抵抗埋込層２２〈厚さ約１．５μｍ）が
形成されている。ｎ”Ａｊ Ｏ，４５Ｇ ａ ｏ、 ｓ
ｓＡ Ｓクラッド層２０のストライプ上は全て＜１１１
）Ｂ面であるのでｎ−ＡｆＪ、４゜Ｇ ａ ｏ、 ｓｓ
Ａ Ｓ高抵抗埋込層２２が形成されず、ストライプ周囲
に分離されている。
ラッド層２０のストライプ周囲の＜１００）面のみに、
アンドープのｎ −Ａ ｊｌ （１，４ＳＧ ａ ｏ、
ｓｓＡ ｓ高抵抗埋込層２２〈厚さ約１．５μｍ）が
形成されている。ｎ”Ａｊ Ｏ，４５Ｇ ａ ｏ、 ｓ
ｓＡ Ｓクラッド層２０のストライプ上は全て＜１１１
）Ｂ面であるのでｎ−ＡｆＪ、４゜Ｇ ａ ｏ、 ｓｓ
Ａ Ｓ高抵抗埋込層２２が形成されず、ストライプ周囲
に分離されている。
ｎ ” Ａ ｊ ０．４ＳＧ ａ ｏ５５Ａ Ｓクラッ
ド層２０及びｎ −Ａ ｊ Ｏ，４９Ｇ ａ Ｏ，ＳＳ
Ａ Ｓ高抵抗埋込層２２上に、表面を平坦化するなめに
アンドープのｎ−ＧａＡＳ平坦化層２４（厚さ約３μｍ
）が形成されている。このｎ−ＧａＡｓ平坦化層２４中
夫のストライプ上領域に、ｎ ” Ａ ｊ ０．４ＳＧ
ａ Ｏ，Ｓ５Ａ Ｓクラッド層２０の頂部に達するｎ
＋不純物拡散領域２６が形成されている。
ド層２０及びｎ −Ａ ｊ Ｏ，４９Ｇ ａ Ｏ，ＳＳ
Ａ Ｓ高抵抗埋込層２２上に、表面を平坦化するなめに
アンドープのｎ−ＧａＡＳ平坦化層２４（厚さ約３μｍ
）が形成されている。このｎ−ＧａＡｓ平坦化層２４中
夫のストライプ上領域に、ｎ ” Ａ ｊ ０．４ＳＧ
ａ Ｏ，Ｓ５Ａ Ｓクラッド層２０の頂部に達するｎ
＋不純物拡散領域２６が形成されている。
本実施例の半導体レーザ装置では、ｎ−Ａｊｌ 。
４５Ｇ ａ （１，５５Ａ Ｓ高抵抗埋込層２２がスト
ライプ周囲にのみ形成されているので、電流をストライ
プ部分のみに閉じ込めることができ、効率のよい半導体
レーザ装置を実現できる。
ライプ周囲にのみ形成されているので、電流をストライ
プ部分のみに閉じ込めることができ、効率のよい半導体
レーザ装置を実現できる。
次に、本発明の第１の実施例による半導体レーザ装置の
製造方法を第２図を用いて説明する。
製造方法を第２図を用いて説明する。
まず、表面が＜１００＞面のｐ” ＧａＡｓ基板１０を
用意し、このＰ＋ＧａＡｓ基板１０をエツチング液（フ
ッ酸系）によりエツチングし、く１１０〉方向に延び上
面が（Ｚｏｏ）面で側面が＜１１１）Ｂ面の順メサ形状
のストライプを形成する（第２図（ａ））。
用意し、このＰ＋ＧａＡｓ基板１０をエツチング液（フ
ッ酸系）によりエツチングし、く１１０〉方向に延び上
面が（Ｚｏｏ）面で側面が＜１１１）Ｂ面の順メサ形状
のストライプを形成する（第２図（ａ））。
次に、ｐ” ＧａＡｓ基板１０上にｐ ” Ａ ｊ ０
．４５Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓクラッド層１２を所定
の気相成長条件により異方的に気相成長させる。すなわ
ち、後述する気相成長条件によりＡ Ｊ （１，４５”
ａ Ｏ，ＩＳＡ Ｓを気相成長させると、（１００）
結晶面には結晶成長し、（１１１）Ｂ面には結晶成長し
ないという異方的な結晶成長がなされる。このため、Ｐ
＋ＧａＡｓ基板１０のストライプの（１００）面上とス
トライプ周囲平面の（１００）面上にのみＰ” Ａ ｊ
０．４ＳＧ ａ ｏ、 ５５Ａ Ｓクラッド層１２が
形成される。なお５、ストライプ上に形成されたＰ“Ａ
１１ｏ、 ４５Ｇ ａ ｏ、 ５５Ａ Ｓクラッド層１
２の側面は（１１１）Ｂ面となる（第２図（ｂ））。こ
のときの気相成長条件は次の通りである。
．４５Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓクラッド層１２を所定
の気相成長条件により異方的に気相成長させる。すなわ
ち、後述する気相成長条件によりＡ Ｊ （１，４５”
ａ Ｏ，ＩＳＡ Ｓを気相成長させると、（１００）
結晶面には結晶成長し、（１１１）Ｂ面には結晶成長し
ないという異方的な結晶成長がなされる。このため、Ｐ
＋ＧａＡｓ基板１０のストライプの（１００）面上とス
トライプ周囲平面の（１００）面上にのみＰ” Ａ ｊ
０．４ＳＧ ａ ｏ、 ５５Ａ Ｓクラッド層１２が
形成される。なお５、ストライプ上に形成されたＰ“Ａ
１１ｏ、 ４５Ｇ ａ ｏ、 ５５Ａ Ｓクラッド層１
２の側面は（１１１）Ｂ面となる（第２図（ｂ））。こ
のときの気相成長条件は次の通りである。
Ｐ ” Ａ ｊ Ｏ，４５Ｇ ａ ０．５ＳＡ Ｓクラ
ッド層１２；成長温度＝６９０°Ｃ：成長時間＝１０分
；ガス流量：Ｖ１ｍ比（Ｖ族のガスと■族のガスの比）
＝４０；■ＴＭｅＡｊ （）リメチルアルミニウム）
＝０４ ＳＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ（）リエチルガリウム
）＝０．５ＳＣＣＭ、■ＡｓＨ，＝３６３ＣＣＭ、■Ｄ
ＭｅＺｎ（ジメチルジンク）＝０．５３ＣＣＭ。このと
き成長温度は５００°Ｃ以上であることが必要である。
ッド層１２；成長温度＝６９０°Ｃ：成長時間＝１０分
；ガス流量：Ｖ１ｍ比（Ｖ族のガスと■族のガスの比）
＝４０；■ＴＭｅＡｊ （）リメチルアルミニウム）
＝０４ ＳＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ（）リエチルガリウム
）＝０．５ＳＣＣＭ、■ＡｓＨ，＝３６３ＣＣＭ、■Ｄ
ＭｅＺｎ（ジメチルジンク）＝０．５３ＣＣＭ。このと
き成長温度は５００°Ｃ以上であることが必要である。
次に、ｐ” ＧａＡｓ基板１０及びｐ” Ａｊ Ｏ，４
５Ｇ ａ ａ５ｓＡ Ｓクラツド層１２全面に、ｐ”
（Ａｌ１０．７ Ｇａｏ３） ａ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐクラッド層１４と、Ｇａ、、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ
活性層１６と、ｎ” （ＡＪ。
５Ｇ ａ ａ５ｓＡ Ｓクラツド層１２全面に、ｐ”
（Ａｌ１０．７ Ｇａｏ３） ａ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐクラッド層１４と、Ｇａ、、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ
活性層１６と、ｎ” （ＡＪ。
）Ｇａ、、、）ａ５１ ｎｏｇＰクラッド１１８とを所
定の気相成長条件により等方向に気相成長させる。すな
わち、後述する気相成長条件により（Ａｊ Ｏ，７Ｇａ
ｏ、ｓ ） ａ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ ＰやＧａｏ、ｓＩ
ｎ。、Ｐを気相成長させると、ｐ” ＧａＡｓ基板１０
及びＰ ” Ａ ｊ ０．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓ５Ａ
Ｓクラッド層１２の（１００）面及び（１１１）Ｂ面の
結晶面の区別なく ｎ” （Ａｊｌ Ｏ，７Ｇａｏ、
） Ｏ，Ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層１８が形成
される。ｎ” （ＡＪ 、、、 Ｑａｏ、ｉ ） ｏ
、ｓ Ｉ ｎ６．５ Ｐクラッド層１８の表面のうち、
平面部分は（１００）面で傾斜した側面部分はほぼ（１
１１）Ｂ面となる（第２図（ｃ））、このときの気相成
長条件は次の通りである。
定の気相成長条件により等方向に気相成長させる。すな
わち、後述する気相成長条件により（Ａｊ Ｏ，７Ｇａ
ｏ、ｓ ） ａ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ ＰやＧａｏ、ｓＩ
ｎ。、Ｐを気相成長させると、ｐ” ＧａＡｓ基板１０
及びＰ ” Ａ ｊ ０．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓ５Ａ
Ｓクラッド層１２の（１００）面及び（１１１）Ｂ面の
結晶面の区別なく ｎ” （Ａｊｌ Ｏ，７Ｇａｏ、
） Ｏ，Ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層１８が形成
される。ｎ” （ＡＪ 、、、 Ｑａｏ、ｉ ） ｏ
、ｓ Ｉ ｎ６．５ Ｐクラッド層１８の表面のうち、
平面部分は（１００）面で傾斜した側面部分はほぼ（１
１１）Ｂ面となる（第２図（ｃ））、このときの気相成
長条件は次の通りである。
ｐ” ＜ＡＪ （＋、７ Ｇａｏ、ｉ ）０．５１
ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層１４；成長温度−６９０°Ｃ；
成長時間＝１分３０秒：ガス流量： Ｖ／ｍ比−２００
；■ＴＭｅＡｊ ＝０．２５６ＳＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ
＝０゜０８６ＳＣＣＭ、■ＴＭｅＩｎ（トリメチルイン
ジウム）−０，３２３ＳＣＣＭ、■ＰＨ，（ホスフィン
）＝１３３３ＣＣＭ、■ＣＰ２ Ｍｇ （シクロペンタ
ジェニル）＝１．３３Ｘ１０−’ＳＣＣＭ。
ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層１４；成長温度−６９０°Ｃ；
成長時間＝１分３０秒：ガス流量： Ｖ／ｍ比−２００
；■ＴＭｅＡｊ ＝０．２５６ＳＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ
＝０゜０８６ＳＣＣＭ、■ＴＭｅＩｎ（トリメチルイン
ジウム）−０，３２３ＳＣＣＭ、■ＰＨ，（ホスフィン
）＝１３３３ＣＣＭ、■ＣＰ２ Ｍｇ （シクロペンタ
ジェニル）＝１．３３Ｘ１０−’ＳＣＣＭ。
ただし、７５０℃以下でなければならない。
Ｇａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ活性層１６；成長温度＝
６９０℃；成長時間＝３分；ガス流量： Ｖ１ｍ比４０
０ ；■ＴＥｔＧａ＝０． １４９ＳＣＣＭ、■ＴＭｅ
Ｉ ｎ＝ｏ、 １６１ ＳＣＣＭ、■Ｐ Ｈｓ
＝ １２４３ＣＣＭ。
６９０℃；成長時間＝３分；ガス流量： Ｖ１ｍ比４０
０ ；■ＴＥｔＧａ＝０． １４９ＳＣＣＭ、■ＴＭｅ
Ｉ ｎ＝ｏ、 １６１ ＳＣＣＭ、■Ｐ Ｈｓ
＝ １２４３ＣＣＭ。
ｎ” （ＡＪ Ｏ，７Ｇａｏ、ｓ ） ａ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層１８；成長温度＝６９０℃；成
長時間＝１分３０秒；ガス流量： Ｖ／ｍ比＝２００；
■ＴＭｅＡＪ ＝０．２５６ＳＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ＝
０゜０８６ＳＣＣＭ、■ＴＭｅＩｎ＝０．３２３ＳＣＣ
Ｍ、■ＰＨ１＝１３３ＳＣＣＭ、■Ｈ２Ｓｅ（セレン化
水素）＝６．６Ｘ１０−’ＳＣＣＭ。
ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層１８；成長温度＝６９０℃；成
長時間＝１分３０秒；ガス流量： Ｖ／ｍ比＝２００；
■ＴＭｅＡＪ ＝０．２５６ＳＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ＝
０゜０８６ＳＣＣＭ、■ＴＭｅＩｎ＝０．３２３ＳＣＣ
Ｍ、■ＰＨ１＝１３３ＳＣＣＭ、■Ｈ２Ｓｅ（セレン化
水素）＝６．６Ｘ１０−’ＳＣＣＭ。
本実施例ではＧａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ活性層１６
が（１００）面上でも＜１１１）Ｂ面上でも等方向に結
晶成長するため、従来のように結晶成長中に酸素等の不
純物が取込まれて非発光性の深い単位が形成されること
がない。
が（１００）面上でも＜１１１）Ｂ面上でも等方向に結
晶成長するため、従来のように結晶成長中に酸素等の不
純物が取込まれて非発光性の深い単位が形成されること
がない。
次に、ｎ” （Ａｊｏ７Ｇａｏ、ｉ ）ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓＰクラッド層１８上に、ｎ ” Ａ Ｊ ｏ、
ａｓＧ ａ ｏ、 ５ｓＡＳクラッド層２０とｎ ”
’ Ａ ｊ ０．４ＳＧ ａ ｏ、 ５５Ａ Ｓ高抵抗
埋込層２２を所定の気相成長条件により異方的に気相成
長させる。すなわち、後述する気相成長条件によりＡ
ｊ ０．４５Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ ｓを気相成長させ
ると、結晶面が（１００）面には結晶成長し、（１１１
）Ｂ面には結晶成長しないという異方的な結晶成長がな
される。このため、ｎ” Ａｊ ｏ、４゜Ｇ ａ ｏ、
ｓｓＡ Ｓクラッド層２０は、１８のストライプ上面
の（Ｚｏｏ）面上とストライプ周囲平面の＜１００＞面
上にのみに形成される。特に、ストライプ上のｎ ”
Ａ ｊ ０．４．Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓクラッド層
２０は断面三角形状となり、全ての面が（１１１）Ｂ面
となる。このため、ｎ−、Ａ ｊ ６．４５Ｇ ａ ６
．５５ＡＳ高抵抗埋込層２２は、ｎ ” Ａ ｊ ｏ、
＜ｓＧ ａ （１，５９ＡＳクラッド層２０のストラ
イプ周囲の（１ｏｏ）面のみに形成される（第２図（ｄ
））。このときの気相成長条件は次の通りである。
ｎｏ、ｓＰクラッド層１８上に、ｎ ” Ａ Ｊ ｏ、
ａｓＧ ａ ｏ、 ５ｓＡＳクラッド層２０とｎ ”
’ Ａ ｊ ０．４ＳＧ ａ ｏ、 ５５Ａ Ｓ高抵抗
埋込層２２を所定の気相成長条件により異方的に気相成
長させる。すなわち、後述する気相成長条件によりＡ
ｊ ０．４５Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ ｓを気相成長させ
ると、結晶面が（１００）面には結晶成長し、（１１１
）Ｂ面には結晶成長しないという異方的な結晶成長がな
される。このため、ｎ” Ａｊ ｏ、４゜Ｇ ａ ｏ、
ｓｓＡ Ｓクラッド層２０は、１８のストライプ上面
の（Ｚｏｏ）面上とストライプ周囲平面の＜１００＞面
上にのみに形成される。特に、ストライプ上のｎ ”
Ａ ｊ ０．４．Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓクラッド層
２０は断面三角形状となり、全ての面が（１１１）Ｂ面
となる。このため、ｎ−、Ａ ｊ ６．４５Ｇ ａ ６
．５５ＡＳ高抵抗埋込層２２は、ｎ ” Ａ ｊ ｏ、
＜ｓＧ ａ （１，５９ＡＳクラッド層２０のストラ
イプ周囲の（１ｏｏ）面のみに形成される（第２図（ｄ
））。このときの気相成長条件は次の通りである。
ｎ” Ａｊ ａ４ｓＧａｏ、５ｓＡ８クラッド層２０；
成長温度−６９０℃：成長時間＝１５分；ガズ流量；Ｖ
／Ｔｌ比＝４０；■ＴＭｅＡｊ ＝０．４ＳＣＣＭ、■
ＴＥｔＧａ＝０．５ＳＣＣＭ、■Ａ＝Ｈ，＝３６ＳＣＣ
Ｍ、■Ｈ２５ｅ＝２ ×１０−’ＳＣＣＭ。
成長温度−６９０℃：成長時間＝１５分；ガズ流量；Ｖ
／Ｔｌ比＝４０；■ＴＭｅＡｊ ＝０．４ＳＣＣＭ、■
ＴＥｔＧａ＝０．５ＳＣＣＭ、■Ａ＝Ｈ，＝３６ＳＣＣ
Ｍ、■Ｈ２５ｅ＝２ ×１０−’ＳＣＣＭ。
ｎ −Ａ ｊ ０．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ ｓ高抵
抗埋込層２２；成長温度＝６９０℃；成長時間＝１５分
；ガス流量：Ｖ／Ｉ比＝４０；■Ｔ Ｍ ｅ Ａ １
＝ ０ 、４ Ｓ ＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ＝０．５ＳＣ
ＣＭ、■ＡｓＨｓ ＝３６ＳＣＣＭ。
抗埋込層２２；成長温度＝６９０℃；成長時間＝１５分
；ガス流量：Ｖ／Ｉ比＝４０；■Ｔ Ｍ ｅ Ａ １
＝ ０ 、４ Ｓ ＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ＝０．５ＳＣ
ＣＭ、■ＡｓＨｓ ＝３６ＳＣＣＭ。
次に、ｎ ” Ａ ｊ ｏ４ｓＧ ａ ｏ、 ｓ、Ａ
Ｓクラッド層２０とｎ −Ａ ｊ ０．４５Ｇ ａ ０
５５Ａ Ｓ高抵抗埋込層２２上に、ｎ”−ＧａＡｓ層２
４を所定の気相成長条件により等方向に気相成長させて
表面を平坦化する（第２図（ｅ））。このときの気相成
長条件は次の通りである。
Ｓクラッド層２０とｎ −Ａ ｊ ０．４５Ｇ ａ ０
５５Ａ Ｓ高抵抗埋込層２２上に、ｎ”−ＧａＡｓ層２
４を所定の気相成長条件により等方向に気相成長させて
表面を平坦化する（第２図（ｅ））。このときの気相成
長条件は次の通りである。
ｎ”’ ＧａＡｓ層２４：成長温度＝６５０℃；成長時
間−３０分；ガス流量： Ｖ／ｍ比（Ｖ族のガスと■族
のガスの比）＝４０；■ＴＥｔＧａ＝０８６ＳＣＣＭ、
■ＡｓＨ，＝３５３ＣＣＭ０続いて、Ｓ ｉ Ｏ２層を
マスクとして、ストライプ上のｎ−ＧａＡｓ層２４にＺ
ｎを拡散させてｎ” Ａ Ｊ Ｏ，４５Ｇ ａ ｏ、
ｓｓＡ Ｓクラッド層２０の頂部に達するｎ＋不純物拡
散領域２６を形成する（第２図（ｅ））。
間−３０分；ガス流量： Ｖ／ｍ比（Ｖ族のガスと■族
のガスの比）＝４０；■ＴＥｔＧａ＝０８６ＳＣＣＭ、
■ＡｓＨ，＝３５３ＣＣＭ０続いて、Ｓ ｉ Ｏ２層を
マスクとして、ストライプ上のｎ−ＧａＡｓ層２４にＺ
ｎを拡散させてｎ” Ａ Ｊ Ｏ，４５Ｇ ａ ｏ、
ｓｓＡ Ｓクラッド層２０の頂部に達するｎ＋不純物拡
散領域２６を形成する（第２図（ｅ））。
その後、ｐ＠電極及びｎ側電極を形成して半導体レーザ
装置を完成する。
装置を完成する。
本発明の第２の実施例による半導体レー・ザ装置を第３
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
本実施例に用いられるｎ” ＧａＡｓ基板３０は表面が
（１００）面であり、＜１１０＞方向に延び、上面が＜
１００）面、側面が＜１１：）Ｂ面で、幅が約２μｍで
高さが約２μｍの順メサ形状のストライプが中央に形成
されている。ｎ” ＧａＡｓ基板３０のストライプ周囲
の平面とストライプ上面の（１００）面のみに、Ｓｅを
ドープしたｎ” ＧａＡｓバッファ層３２（厚さ約０．
２μｍ）と、Ｓｅをドープしたｎ ” Ａ Ｊ ６．４
．Ｇ ａ ｏ、 ５５Ａ Ｓクラッド層３４（厚さ約１
．０μｍ）が形成されている。ｎ′″Ｇ ａ Ａ ｓバ
ッファ層３２とｎ” Ａｊｏ４ｓＧ ａ ｏ、 ５５Ａ
Ｓクラッド層３４の側面は（１１１）Ｂ面となってい
る。
（１００）面であり、＜１１０＞方向に延び、上面が＜
１００）面、側面が＜１１：）Ｂ面で、幅が約２μｍで
高さが約２μｍの順メサ形状のストライプが中央に形成
されている。ｎ” ＧａＡｓ基板３０のストライプ周囲
の平面とストライプ上面の（１００）面のみに、Ｓｅを
ドープしたｎ” ＧａＡｓバッファ層３２（厚さ約０．
２μｍ）と、Ｓｅをドープしたｎ ” Ａ Ｊ ６．４
．Ｇ ａ ｏ、 ５５Ａ Ｓクラッド層３４（厚さ約１
．０μｍ）が形成されている。ｎ′″Ｇ ａ Ａ ｓバ
ッファ層３２とｎ” Ａｊｏ４ｓＧ ａ ｏ、 ５５Ａ
Ｓクラッド層３４の側面は（１１１）Ｂ面となってい
る。
ｎ” ＧａＡｓ基板３０、ｎ” ＧａＡｓバッファ層３
２、ｎ ” Ａ ｊ ０．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ
Ｓクラッド層３４の全面に、Ｓｅをドープしたｎ”
（ＡＮ。７Ｇａｏ、ｓ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ
クラッド層３６（厚さ約０．１μｍ）、アンドーグのＧ
ａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層３８（厚さ約
０．０８μｍ）、アンドープのＧａ（１，ｉ Ｉ ｎｏ
４Ａｓ（１，２Ｐｏ、！１活性層４０（厚さ約０．０６
μｍ）、アンドープの（ＡｊＯ，７Ｇ ａｏ、ｓ ）
ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ ＰクラッドＦ１４２（厚さ約０
．０２ｕｍ） 、ＭｇをドープしたＰ＋Ａｊ ｏ、ｓ
Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層４４（厚さ約０゜１μｍ）
が形成されている。＜１１１）Ｂ面上のＧ ａ ｏ、ａ
Ｉ ｎ （＋、４ Ａ Ｓ ｏ、ｘ Ｐ ｏ、＋活性
層４０は＜１００＞面上のＧａ０６Ｉ ｎ６４ＡＳｏ）
、２ Ｐａ８活性層４０よりも少し薄い、 Ｐ” Ａｊ
ｏ、ｓ Ｉ ｎ。、Ｐクラッド層４４の表面のうち、平
面部分は（１００）面で傾斜した側面部分はほぼ（１１
１）Ｂ面になっている。
２、ｎ ” Ａ ｊ ０．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ
Ｓクラッド層３４の全面に、Ｓｅをドープしたｎ”
（ＡＮ。７Ｇａｏ、ｓ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ
クラッド層３６（厚さ約０．１μｍ）、アンドーグのＧ
ａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層３８（厚さ約
０．０８μｍ）、アンドープのＧａ（１，ｉ Ｉ ｎｏ
４Ａｓ（１，２Ｐｏ、！１活性層４０（厚さ約０．０６
μｍ）、アンドープの（ＡｊＯ，７Ｇ ａｏ、ｓ ）
ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ ＰクラッドＦ１４２（厚さ約０
．０２ｕｍ） 、ＭｇをドープしたＰ＋Ａｊ ｏ、ｓ
Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層４４（厚さ約０゜１μｍ）
が形成されている。＜１１１）Ｂ面上のＧ ａ ｏ、ａ
Ｉ ｎ （＋、４ Ａ Ｓ ｏ、ｘ Ｐ ｏ、＋活性
層４０は＜１００＞面上のＧａ０６Ｉ ｎ６４ＡＳｏ）
、２ Ｐａ８活性層４０よりも少し薄い、 Ｐ” Ａｊ
ｏ、ｓ Ｉ ｎ。、Ｐクラッド層４４の表面のうち、平
面部分は（１００）面で傾斜した側面部分はほぼ（１１
１）Ｂ面になっている。
Ｐ” ＡＪ ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層４４
の（１００）面のみに、Ｚｎをドープしたｐ”Ａｊｏ、
４ｇＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓクラッド層４６（厚さ約
１μｍ）が形成されているｅ Ｐ” ＡＮ ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐクラ・ソド層４４の傾斜面の＜１１１）
Ｂ面上には形成されずに、Ｐ＋ ＡＪ（＋、 ４５Ｇ
ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓクラッド層４６がストライプ上面
とストライプ周囲とで分離されている。
の（１００）面のみに、Ｚｎをドープしたｐ”Ａｊｏ、
４ｇＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓクラッド層４６（厚さ約
１μｍ）が形成されているｅ Ｐ” ＡＮ ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐクラ・ソド層４４の傾斜面の＜１１１）
Ｂ面上には形成されずに、Ｐ＋ ＡＪ（＋、 ４５Ｇ
ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓクラッド層４６がストライプ上面
とストライプ周囲とで分離されている。
Ｐ ” Ａ ｊ Ｏ，４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓク
ラッド層４６の主としてストライプ周囲に、アンドープ
のｎ−ＡＪｏ４ｓＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓ高抵抗埋込
層４８（厚さ約１μｍ）が形成されている。 Ｐ ”
Ａ ｊ ｏ、 ａｓＧ ａ ｏ、 ５ｓＡＳクラッド層
４６の頂部の（１００）面にも断面三角状のｎ −Ａ
ｊ ６．４ＳＧ ａ Ｏ，ＳＳＡ Ｓ高抵抗埋込層４８
がわずかに形成されている。
ラッド層４６の主としてストライプ周囲に、アンドープ
のｎ−ＡＪｏ４ｓＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓ高抵抗埋込
層４８（厚さ約１μｍ）が形成されている。 Ｐ ”
Ａ ｊ ｏ、 ａｓＧ ａ ｏ、 ５ｓＡＳクラッド層
４６の頂部の（１００）面にも断面三角状のｎ −Ａ
ｊ ６．４ＳＧ ａ Ｏ，ＳＳＡ Ｓ高抵抗埋込層４８
がわずかに形成されている。
ｎ−ＡＪ６．４ＳＧａＯ，５ＳＡＳ高抵抗埋込ｊ１４８
上に表面を平坦化するためのアンドープのｎ−ＧａＡｓ
平坦化層５０（厚さ約１μｍ）が形成され、さらにｎ−
ＧａＡｓ平坦化層５０上には薄いＺｎをドープしたｐ”
ＧａＡｓ層５２（厚さ約０．１μｍ）が形成されてい
る。
上に表面を平坦化するためのアンドープのｎ−ＧａＡｓ
平坦化層５０（厚さ約１μｍ）が形成され、さらにｎ−
ＧａＡｓ平坦化層５０上には薄いＺｎをドープしたｐ”
ＧａＡｓ層５２（厚さ約０．１μｍ）が形成されてい
る。
このｎ−ＧａＡｓ平坦化層５０の中央のストライプ上領
域に、ｎ −Ａ ｊ ０．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ
Ｓ高抵抗埋込層４８の頂部に達するＺｎを拡散したｐ＋
不純物拡散領域５４が形成されている。
域に、ｎ −Ａ ｊ ０．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ
Ｓ高抵抗埋込層４８の頂部に達するＺｎを拡散したｐ＋
不純物拡散領域５４が形成されている。
本実施例によれば、室温で６９０ｎｍの発振波長で５０
ｍＷで動作し、モード副脚も安定した半導体レーザ装置
を実現できた。
ｍＷで動作し、モード副脚も安定した半導体レーザ装置
を実現できた。
次に、本発明の第２の実施例による半導体レーザ装置の
製造方法を第４図を用いて説明する。
製造方法を第４図を用いて説明する。
まず、表面が＜１００＞面のｎ” ＧａＡｓ基板３０を
用意し、このｎ” ＧａＡｓ基板３０をエツチングＨ（
ＨＦ系）によりエツチングし、＜１１０〉方向に延び上
面が（Ｚｏｏ）面で側面が（１１１）Ｂ面の順メサ形状
のストライプを形成する（第４図（ａ））。
用意し、このｎ” ＧａＡｓ基板３０をエツチングＨ（
ＨＦ系）によりエツチングし、＜１１０〉方向に延び上
面が（Ｚｏｏ）面で側面が（１１１）Ｂ面の順メサ形状
のストライプを形成する（第４図（ａ））。
次に、ｎ” ＧａＡｓ基板３０上に、ｎ” ＧａＡｓバ
ッファ層３２とｎ” Ａ ｊ 。４５Ｇ ａ ６．５５
Ａ Ｓクラッド層３４を所定の気相成長条件により異方
的に気相成長させる。すなわち、（１００）面には結晶
成長し、（１１１）Ｂ面には結晶成長しないという異方
的な結晶成長がなされる。このため、ｎ” ＧａＡｓ基
板３０のストライプの（１００）面上とストライプ周囲
平面の＜１００＞面上にのみｎ” ＧａＡｓバッファ層
３２とｎ ” Ａ ｊ ０．４ＳＧａａ、５ｓＡｓクラ
ッド層３４が形成される。なお、ストライプ上に形成さ
れたｎ” ＧａＡｓバッファ層３２とｎ ” Ａ ｊ
０．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓクラッド層３４の側
面は＜１１１）Ｂ面となる（第４図（ｂ））。
ッファ層３２とｎ” Ａ ｊ 。４５Ｇ ａ ６．５５
Ａ Ｓクラッド層３４を所定の気相成長条件により異方
的に気相成長させる。すなわち、（１００）面には結晶
成長し、（１１１）Ｂ面には結晶成長しないという異方
的な結晶成長がなされる。このため、ｎ” ＧａＡｓ基
板３０のストライプの（１００）面上とストライプ周囲
平面の＜１００＞面上にのみｎ” ＧａＡｓバッファ層
３２とｎ ” Ａ ｊ ０．４ＳＧａａ、５ｓＡｓクラ
ッド層３４が形成される。なお、ストライプ上に形成さ
れたｎ” ＧａＡｓバッファ層３２とｎ ” Ａ ｊ
０．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓクラッド層３４の側
面は＜１１１）Ｂ面となる（第４図（ｂ））。
このときの気相成長条件は次の通りである。
ｎ′″ＧａＡｓバッファ層３２；成長温度＝６９０℃；
成長時間＝２分；ガス流量：Ｖ／ｍ比＝４０；■ＴＥｔ
Ｇａ＝０．８６ＳＣＣＭ、■ＡｓＨ３”３５ＳＣＣＭ、
■Ｈ２５ｅ＝２ｘｌ ｏ−’ｓｃＣＭ。
成長時間＝２分；ガス流量：Ｖ／ｍ比＝４０；■ＴＥｔ
Ｇａ＝０．８６ＳＣＣＭ、■ＡｓＨ３”３５ＳＣＣＭ、
■Ｈ２５ｅ＝２ｘｌ ｏ−’ｓｃＣＭ。
ｎ” Ａ ｊ ６．４５Ｇ ａ ６． ＨＡ Ｓクラッ
ドＮ３４；成長温度−８００℃；成長時間＝１０分；ガ
ス流量二Ｖ／Ｉｌｌ比＝４０：■ＴＭｅＡＪｌ ＝０．
４ＳＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ＝０．５ＳＣＣＭ、■Ａ ｓ
Ｈｓ ＝ ３６ Ｓ ＣＣＭ、■Ｈ２Ｓｅ＝２Ｘ１０
−’ＳＣＣＭ。
ドＮ３４；成長温度−８００℃；成長時間＝１０分；ガ
ス流量二Ｖ／Ｉｌｌ比＝４０：■ＴＭｅＡＪｌ ＝０．
４ＳＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ＝０．５ＳＣＣＭ、■Ａ ｓ
Ｈｓ ＝ ３６ Ｓ ＣＣＭ、■Ｈ２Ｓｅ＝２Ｘ１０
−’ＳＣＣＭ。
次に、ｎ’ ＧａＡｓ基板３０、ｎ” ＧａＡｓバッフ
ァ層３２、ｎ ” Ａ ｊ ０．４５Ｇ ａ ７１．５
５Ａ ＳクラッドＰｉｉｉ３４全面に、ｎ” （Ａｊ
Ｏ，？ Ｇ ａｏ、ｓ ） ｏ、５Ｉｎｏ、、Ｐクラッ
ド層３６、Ｇａ４．ｓ Ｉ ｎａ、ｓ Ｐクラッド層３
８、ＧａＯ，４Ｉ ｎ６４ＡＳｏ、ｉ Ｐａ６活性層４
０、（ＡｊＯ，？ Ｇａｏ、、） ｏ、ｓ Ｉ ｎ。
ァ層３２、ｎ ” Ａ ｊ ０．４５Ｇ ａ ７１．５
５Ａ ＳクラッドＰｉｉｉ３４全面に、ｎ” （Ａｊ
Ｏ，？ Ｇ ａｏ、ｓ ） ｏ、５Ｉｎｏ、、Ｐクラッ
ド層３６、Ｇａ４．ｓ Ｉ ｎａ、ｓ Ｐクラッド層３
８、ＧａＯ，４Ｉ ｎ６４ＡＳｏ、ｉ Ｐａ６活性層４
０、（ＡｊＯ，？ Ｇａｏ、、） ｏ、ｓ Ｉ ｎ。
ｓＰクラッド層４２、Ｐ” ＡＪ ｏ、ｓ Ｉ ｎ６，
５ Ｐクラッド層４４を所定の気相成長条件により等方
的に気相成長させる− Ｐ” Ａｊｏ、ｓ Ｉ ｎ６．
５ Ｐクラッド層４４の表面のうち、平面部分は（１０
０）面で傾斜した側面部分はほぼ＜１１１）Ｂ面となる
（第４図［Ｃ））、このときの気相成長条件は次の通り
である。
５ Ｐクラッド層４４を所定の気相成長条件により等方
的に気相成長させる− Ｐ” Ａｊｏ、ｓ Ｉ ｎ６．
５ Ｐクラッド層４４の表面のうち、平面部分は（１０
０）面で傾斜した側面部分はほぼ＜１１１）Ｂ面となる
（第４図［Ｃ））、このときの気相成長条件は次の通り
である。
ｐ” （ＡＪ０．７ Ｇａｏ、ｓ ） ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層３６：成長温度＝６９０℃：成
長時間＝１分３０秒；ガス流ｆｉ：Ｖ／ＩＩＩ比＝５０
０ ；■ＴＭｅＡｊ ＝０．２５６ＳＣＣＭ、■ＴＥｔ
Ｇａ＝０゜０８６ＳＣＣＭ、■ＴＭｅ Ｉ ｎ＝ｏ、３
２３ＳＣＣＭ、■ＰＨ３＝３３３３ＣＣＭ、■Ｈ２Ｓｅ
＝１．７Ｘ１０−’ＳＣＣＭ。
ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層３６：成長温度＝６９０℃：成
長時間＝１分３０秒；ガス流ｆｉ：Ｖ／ＩＩＩ比＝５０
０ ；■ＴＭｅＡｊ ＝０．２５６ＳＣＣＭ、■ＴＥｔ
Ｇａ＝０゜０８６ＳＣＣＭ、■ＴＭｅ Ｉ ｎ＝ｏ、３
２３ＳＣＣＭ、■ＰＨ３＝３３３３ＣＣＭ、■Ｈ２Ｓｅ
＝１．７Ｘ１０−’ＳＣＣＭ。
Ｇａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層３８；成長温
度＝６９０℃；成長時間＝２分２５秒：ガス流量二Ｖ／
Ｉ比＝５００．■ＴＢｔＧａ＝０．１４９ＳＣＣＭ、■
ＴＭｅ Ｉ ｎ＝ｏ、１６１ ＳＣＣＭ、■ＰＨｓ ＝
＝ｌ ５５ＳＣＣＭ。
度＝６９０℃；成長時間＝２分２５秒：ガス流量二Ｖ／
Ｉ比＝５００．■ＴＢｔＧａ＝０．１４９ＳＣＣＭ、■
ＴＭｅ Ｉ ｎ＝ｏ、１６１ ＳＣＣＭ、■ＰＨｓ ＝
＝ｌ ５５ＳＣＣＭ。
Ｇ ａｏ、ｉ Ｉ ｎ ６．４ Ａ Ｓ Ｏ，２Ｐ ｏ
、＊活性層４０：成長温度＝６９０℃；成長時間＝１分
５０秒；ガス流量： Ｖ／ｆｉｒ比＝５００ 、■ＴＥ
ｔＧａ＝０゜１８６ＳＣＣＭ、■ＴＭｅｌｎ＝０．１２
４ＳＣＣＭ、■ＡＳＨ３＝１．５ＳＣＣＭ、■ＰＨ。
、＊活性層４０：成長温度＝６９０℃；成長時間＝１分
５０秒；ガス流量： Ｖ／ｆｉｒ比＝５００ 、■ＴＥ
ｔＧａ＝０゜１８６ＳＣＣＭ、■ＴＭｅｌｎ＝０．１２
４ＳＣＣＭ、■ＡＳＨ３＝１．５ＳＣＣＭ、■ＰＨ。
１５３ＳＣＣＭ。
（ＡＪ Ｏ，７Ｇａａ、ｓ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐクラッド層４２；成長温度＝６９０°Ｃ；成長時間
＝１８秒；ガス流量： Ｖ／１比＝５００；■ＴＭｅＡ
Ｊｌ＝Ｑ。
Ｐクラッド層４２；成長温度＝６９０°Ｃ；成長時間
＝１８秒；ガス流量： Ｖ／１比＝５００；■ＴＭｅＡ
Ｊｌ＝Ｑ。
２５６ＳＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ＝０．０８６ＳＣＣＭ、
■ＴＭｅＩｎ＝０．３２３ＳＣＣＭ、■ＰＨ，＝３３３
３ＣＣＭ。
■ＴＭｅＩｎ＝０．３２３ＳＣＣＭ、■ＰＨ，＝３３３
３ＣＣＭ。
ｐ” Ａｊ＠、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層４４；
成長温度；６９０℃：成長時間−１分３０秒；ガス流量
： Ｖ／ｌＩ比＝５００ ；■ＴＭｅＡｊ ＝０．３１
３ＳＣＣＭ、■ＴＭｅ Ｉ ｎ＝ｏ、３２３ＳＣＣＭ、
■ＰＨｓ ＝３１８ＳＣＣＭ、■ＣＰ ２ Ｍ ｇ ＝
１３ｘ１０−’ＳＣＣＭ。
成長温度；６９０℃：成長時間−１分３０秒；ガス流量
： Ｖ／ｌＩ比＝５００ ；■ＴＭｅＡｊ ＝０．３１
３ＳＣＣＭ、■ＴＭｅ Ｉ ｎ＝ｏ、３２３ＳＣＣＭ、
■ＰＨｓ ＝３１８ＳＣＣＭ、■ＣＰ ２ Ｍ ｇ ＝
１３ｘ１０−’ＳＣＣＭ。
本実雄側ではＧａｏ、ａ Ｉ ｎｏ４ＡＳ０．２ Ｐｏ
、ｓ活性層４０の結晶成長が多少異方的ではあるが（１
１１）Ｂ面上でも常に結晶成長しているため、従来のよ
うに結晶成長中に酸素等の不純物が取込まれて非発光性
の深い単位が形成されることがない。
、ｓ活性層４０の結晶成長が多少異方的ではあるが（１
１１）Ｂ面上でも常に結晶成長しているため、従来のよ
うに結晶成長中に酸素等の不純物が取込まれて非発光性
の深い単位が形成されることがない。
次に、Ｐ” Ａｊ ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド
１４４上に、Ｐ ” Ａ Ｊ Ｏ，４ＳＧ ａ ０．５
ＳＡ Ｓクラッド層４６とｎ −Ａ Ｊ ０．４５Ｇ
ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｆｓ高抵抗埋込層４８を所定の気相
成長条件により異方的に気相成長させる。すなわち、後
述する気相成長条件によりＡｊＧａＡｓを気相成長させ
ると、結晶面が＜Ｚｏｏｊ面には結晶成長し、＜１１１
）Ｂ面には結晶成長しないという異方的な結晶成長がな
される。このため、ｐ ” Ａ Ｎ ｏ、 ４ＳＧ ａ
ｏ、 ｓｓＡ Ｓクラッド層４６、ｎ ”’ Ａ ｊ
０．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓ高抵抗埋込層４８
はストライプ上とストライブ周囲の（１００）面のみに
形成される（第４図（ｄ））、このときの気相成長条件
は次の通りである。
１４４上に、Ｐ ” Ａ Ｊ Ｏ，４ＳＧ ａ ０．５
ＳＡ Ｓクラッド層４６とｎ −Ａ Ｊ ０．４５Ｇ
ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｆｓ高抵抗埋込層４８を所定の気相
成長条件により異方的に気相成長させる。すなわち、後
述する気相成長条件によりＡｊＧａＡｓを気相成長させ
ると、結晶面が＜Ｚｏｏｊ面には結晶成長し、＜１１１
）Ｂ面には結晶成長しないという異方的な結晶成長がな
される。このため、ｐ ” Ａ Ｎ ｏ、 ４ＳＧ ａ
ｏ、 ｓｓＡ Ｓクラッド層４６、ｎ ”’ Ａ ｊ
０．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓ高抵抗埋込層４８
はストライプ上とストライブ周囲の（１００）面のみに
形成される（第４図（ｄ））、このときの気相成長条件
は次の通りである。
Ｐ ” Ａ ｊ ０．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ ｓク
ラッド層４６；成長温度＝６９０℃；成長時間＝１０分
；ガス流量二Ｖ／ＩＩＩ比＝４０；■ＴＭｅＡｊ ＝０
．４ＳＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ＝０．５ＳＣＣＭ、■Ａ
ｓ Ｈｓ ＝ ３６ ＳＣＣＭ、■ＤＭｅＺｎ＝０．５
ＳＣＣＭ。
ラッド層４６；成長温度＝６９０℃；成長時間＝１０分
；ガス流量二Ｖ／ＩＩＩ比＝４０；■ＴＭｅＡｊ ＝０
．４ＳＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ＝０．５ＳＣＣＭ、■Ａ
ｓ Ｈｓ ＝ ３６ ＳＣＣＭ、■ＤＭｅＺｎ＝０．５
ＳＣＣＭ。
ｎ −Ａ ｊＩ Ｏ，４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓ高
抵抗埋込層４８；成長温度＝６００℃；成長時間−１０
分；ガス流量： Ｖ／Ｉ［［比＝８０；■ＴＭｅＡＪｌ
＝０．４ＳＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ＝０．５ＳＣＣＭ、
■ＡｓＨ、＝３６３ＣＣＭ。
抵抗埋込層４８；成長温度＝６００℃；成長時間−１０
分；ガス流量： Ｖ／Ｉ［［比＝８０；■ＴＭｅＡＪｌ
＝０．４ＳＣＣＭ、■ＴＥｔＧａ＝０．５ＳＣＣＭ、
■ＡｓＨ、＝３６３ＣＣＭ。
次に、ｎ−Ａ ｊ ６．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓ
高抵抗埋込層４８上に、ｎ−ＧａＡｓ平坦化層５０、ｐ
” ＧａＡｓ層５２を所定の気相成長条件により等方的
に気相成長させて表面を平坦化する（第４図（ｅ））。
高抵抗埋込層４８上に、ｎ−ＧａＡｓ平坦化層５０、ｐ
” ＧａＡｓ層５２を所定の気相成長条件により等方的
に気相成長させて表面を平坦化する（第４図（ｅ））。
このときの気相成長条件は次の通りである。
ｎ−ＧａＡｓ平坦化層５０；成長温度−６００℃；成長
時間＝１０分；ガス流量： Ｖ／ＩＩＩ比＝８０：■Ｔ
ＥｔＧａ＝０．９ＳＣＣＭ、■ＡｓＨ。
時間＝１０分；ガス流量： Ｖ／ＩＩＩ比＝８０：■Ｔ
ＥｔＧａ＝０．９ＳＣＣＭ、■ＡｓＨ。
＝７２３ＣＣＭ。
ｐ” ＧａＡｓ層５２；成長温度＝６００″Ｃ；成長時
間＝１分；ガス流量： Ｖ／Ｉ比−８０：■ＴＥｔＧａ
＝０．９ＳＣＣＭ、■Ａ ｓ Ｈ３＝ ７２３ＣＣＭ、
■ＤＭｅＺｎ＝０．９３ＣＣＭ。
間＝１分；ガス流量： Ｖ／Ｉ比−８０：■ＴＥｔＧａ
＝０．９ＳＣＣＭ、■Ａ ｓ Ｈ３＝ ７２３ＣＣＭ、
■ＤＭｅＺｎ＝０．９３ＣＣＭ。
続いて、Ｓｉｎ、層をマスクとして、ストライブ上方の
ｐ” ＧａＡｓ層５２上からＺｎを拡散させてＰ ”
Ａ ｊ Ｏ，４ＳＧ ａ ｏ、 ５５Ａ Ｓクラッド層
４６の頂部に達するＰ＋不純物拡散領域５４を形成する
（第４図（ｅ））。
ｐ” ＧａＡｓ層５２上からＺｎを拡散させてＰ ”
Ａ ｊ Ｏ，４ＳＧ ａ ｏ、 ５５Ａ Ｓクラッド層
４６の頂部に達するＰ＋不純物拡散領域５４を形成する
（第４図（ｅ））。
その後、Ｐ側電極及びｎＱｌｌ電極を形成して半導体レ
ーザ装置を完成する。
ーザ装置を完成する。
本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である０
例えば、上記実施例では具体的な組成比の■−ｖ系化合
物半導体層を例示したが、等方向に気相成長するか、異
方的に気相成長するかは、化合物半導体層の組成比と共
に気相成長温度にも依存する。すなわち、Ｐを含む■−
ｖ系混晶の場合は等方向な気相成長になりやす（、Ａｓ
を含む■−ｖ系混晶の場合は異方的に気相成長になりや
すい。また、材料が同じでも高温であれば異方的な気相
成長になりやすく、低温であれば等方向な気相成長にな
りやすい、したがって、等方的成長及び異方的成長を材
料組成及び成長温度によりコントロールすれば、上記実
施例に示す具体的材料及び具体的温度に限らない。
例えば、上記実施例では具体的な組成比の■−ｖ系化合
物半導体層を例示したが、等方向に気相成長するか、異
方的に気相成長するかは、化合物半導体層の組成比と共
に気相成長温度にも依存する。すなわち、Ｐを含む■−
ｖ系混晶の場合は等方向な気相成長になりやす（、Ａｓ
を含む■−ｖ系混晶の場合は異方的に気相成長になりや
すい。また、材料が同じでも高温であれば異方的な気相
成長になりやすく、低温であれば等方向な気相成長にな
りやすい、したがって、等方的成長及び異方的成長を材
料組成及び成長温度によりコントロールすれば、上記実
施例に示す具体的材料及び具体的温度に限らない。
［発明の効果］
以上の通り、本発明によれば、活性層に非発光センタを
生ずることなく、ＭＯＶＰＥ法により１回の結晶成長で
製造することができ、電流閉じ込めが十分で効率の良い
半導体レーザ装置を実現することができる。また、実施
例のようにすれば横方向の光閉じ込めがスムーズになり
良好なモード制御形レーザが作製できる。
生ずることなく、ＭＯＶＰＥ法により１回の結晶成長で
製造することができ、電流閉じ込めが十分で効率の良い
半導体レーザ装置を実現することができる。また、実施
例のようにすれば横方向の光閉じ込めがスムーズになり
良好なモード制御形レーザが作製できる。
第１図は本発明の第１の実施例による半導体レーザ装置
を示す図、 第２図は本発明の第１の実施例による半導体レーザ装置
の製造方法を示す工程図、 第３図は本発明の第２の実施例による半導体レーザ装置
を示す図、 第４図は本発明の第２の実施例による半導体レーザ装置
の製造方法を示す工程図である。 図において、 １Ｏ−−−ｐ”ＧａＡｓ基板 １２−ｐ” ＡＪ ｏ、＜５Ｇａｏ、５ｓＡｓクラッド
層１４−−−ｐ” （ＡＪ Ｏ，７Ｇａ、ｏ、ｓ ）
ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層 １６−−−Ｇａｏ、ｓ Ｉ ｎａ、ｑ Ｐ活性層１ ｓ
”’ｎ” （ＡＪ！０，７ Ｇ ａａ、ｉ ） ｏ、
ｓ Ｉ ｎｏ、Ｐクラッド層 ２ Ｑ・−ｎ” Ａｊ ０．４ＳＧ ａｏ、５ｉＡｓク
ラッド層２２−ｎ、−Ａｊｌｏ、ａｓＧａｏ、５ｓＡｓ
高抵抗埋込層２４・−ｎ−ＧａＡｓ平坦化層 ２６・・・ｎ＋不純物拡散領域 ３Ｏ−−−ｎ”ＧａＡｓ基板 ３２・・・ｎ” ＧａＡｓバッファ層 ３４− ｎ ” Ａｊ ｏ、＜ｓＧ ａ ｏ、ｓｓＡ
ｓクラッド層３６、、、Ｐ＋ （ＡＪ Ｏ，７Ｇａａ
、ｓ ） ｏ、Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクランド層 ３８＝−Ｇａｏ５１ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層４ Ｑ−
Ｇ ａ６６Ｉ ｎｏ、＜ Ａ Ｓ Ｏ，２Ｐ ｏ、ａ活
性層４２”’ （ＡＮ Ｏ，７Ｇａ０．３ ） ０．５
Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層 ４４・・・Ｐ＋ ４６・・・Ｐ＋ ４８・・・ｎ− ５０・・・ｎ ５２・・・Ｐ＋ ５４・・・Ｐ＋ ＡＮ ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層Ａｊ ａ、
１ｓＧａｏ、５ｓＡｓクラッド層Ａ ｊ ｏ、ｓＧ ａ
ｏ、 ｓ、Ａ Ｓ高抵抗埋込層ＧａＡｓ平坦化層 ＧａＡｓ層 不純物拡散領域
を示す図、 第２図は本発明の第１の実施例による半導体レーザ装置
の製造方法を示す工程図、 第３図は本発明の第２の実施例による半導体レーザ装置
を示す図、 第４図は本発明の第２の実施例による半導体レーザ装置
の製造方法を示す工程図である。 図において、 １Ｏ−−−ｐ”ＧａＡｓ基板 １２−ｐ” ＡＪ ｏ、＜５Ｇａｏ、５ｓＡｓクラッド
層１４−−−ｐ” （ＡＪ Ｏ，７Ｇａ、ｏ、ｓ ）
ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層 １６−−−Ｇａｏ、ｓ Ｉ ｎａ、ｑ Ｐ活性層１ ｓ
”’ｎ” （ＡＪ！０，７ Ｇ ａａ、ｉ ） ｏ、
ｓ Ｉ ｎｏ、Ｐクラッド層 ２ Ｑ・−ｎ” Ａｊ ０．４ＳＧ ａｏ、５ｉＡｓク
ラッド層２２−ｎ、−Ａｊｌｏ、ａｓＧａｏ、５ｓＡｓ
高抵抗埋込層２４・−ｎ−ＧａＡｓ平坦化層 ２６・・・ｎ＋不純物拡散領域 ３Ｏ−−−ｎ”ＧａＡｓ基板 ３２・・・ｎ” ＧａＡｓバッファ層 ３４− ｎ ” Ａｊ ｏ、＜ｓＧ ａ ｏ、ｓｓＡ
ｓクラッド層３６、、、Ｐ＋ （ＡＪ Ｏ，７Ｇａａ
、ｓ ） ｏ、Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクランド層 ３８＝−Ｇａｏ５１ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層４ Ｑ−
Ｇ ａ６６Ｉ ｎｏ、＜ Ａ Ｓ Ｏ，２Ｐ ｏ、ａ活
性層４２”’ （ＡＮ Ｏ，７Ｇａ０．３ ） ０．５
Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層 ４４・・・Ｐ＋ ４６・・・Ｐ＋ ４８・・・ｎ− ５０・・・ｎ ５２・・・Ｐ＋ ５４・・・Ｐ＋ ＡＮ ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層Ａｊ ａ、
１ｓＧａｏ、５ｓＡｓクラッド層Ａ ｊ ｏ、ｓＧ ａ
ｏ、 ｓ、Ａ Ｓ高抵抗埋込層ＧａＡｓ平坦化層 ＧａＡｓ層 不純物拡散領域
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（１００）面の表面上に、側面が（１１１）Ｂ面で
上面が（１００）面である順メサ形状の凸部が形成され
た第１導電型のIII−Ｖ系化合物半導体基板と、 前記III−Ｖ系化合物半導体基板の（１００）面上及び
前記凸部の（１００）面上に分離して形成され、平面が
（１００）面で側面が（１１１）Ｂ面であるＡｓを含む
III−Ｖ系混晶の第１導電型の第１クラッド層と、 前記第１クラッド層の（１００）面及び（１１１）Ｂ面
上に等方的に形成され、上面が（１００）面で側面がほ
ぼ（１１１）Ｂ面であるＰを含むIII−Ｖ系混晶の第１
導電型の第２クラッド層と、前記第２クラッド層上に形
成され、平面が（１００）面で側面がほぼ（１１１）Ｂ
面であるIII−Ｖ系混晶の活性層と、 前記活性層の（１００）面及び（１１１）Ｂ面上に等方
的に形成され、平面が（１００）面で側面がほぼ（１１
１）Ｂ面であるＰを含むIII−Ｖ系混晶の第２導電型の
第３クラッド層と、 前記第３クラッド層の（１００）面上のみに分離して形
成され、平面が（１００）面で側面が（１１１）Ｂ面で
あるＡｓを含むIII−Ｖ系混晶の第２導電型の第４クラ
ッド層と、 前記III−Ｖ系化合物半導体基板の凸部上方の前記第４
クラッド層の凸部周囲を埋め込むIII−Ｖ系化合物半導
体層と を有することを特徴とする半導体レーザ装置。 ２、表面が（１００）面である第１導電型のIII−Ｖ系
化合物半導体基板に、側面が（１１１）Ｂ面で上面が（
１００）面である順メサ形状の凸部を形成する工程と、 前記III−Ｖ系化合物半導体基板上にＡｓを含むIII−Ｖ
系混晶を所定温度以上で堆積することにより、前記III
−Ｖ系化合物半導体基板の（１００）面上及び前記凸部
の（１００）面上のみに、上面が（１００）面で側面が
（１１１）Ｂ面である第１導電型の第１クラッド層を異
方的に形成する工程と、 前記第１クラッド層上にＰを含むIII−Ｖ系混晶を所定
温度以下で堆積することにより、前記第１クラッド層の
（１００）面及び（１１１）Ｂ面上に、上面が（１００
）面で側面がほぼ（１１１）Ｂ面である第１導電型の第
２クラッド層を等方的に形成する工程と、 前記第２クラッド層上にIII−Ｖ系混晶を堆積すること
により、前記第２クラッド層上に、上面が（１００）面
で側面がほぼ（１１１）Ｂ面である活性層を形成する工
程と、 前記活性層上にＰを含むIII−Ｖ系混晶を所定温度以上
で堆積することにより、前記活性層の（１００）面及び
（１１１）Ｂ面上に、上面が（１００）面で側面がほぼ
（１１１）Ｂ面である第２導電型の第３クラッド層を等
方的に形成する工程と、前記第３クラッド層上にＡｓを
含むIII−Ｖ系混晶を所定温度以下で堆積することによ
り、前記第３クラッド層の（１００）面上のみに、上面
が（１００）面で側面が（１１１）Ｂ面である第２導電
型の第４クラッド層を異方的に形成する工程と、 前記第４クラッド層上にIII−Ｖ系化合物半導体を堆積
することにより、前記III−Ｖ系化合物半導体基板の凸
部上方の前記第４クラッド層の凸部周囲を埋め込む高抵
抗埋込層を形成する工程とを有することを特徴とする半
導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15583990A JPH0448669A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15583990A JPH0448669A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448669A true JPH0448669A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15614626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15583990A Pending JPH0448669A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448669A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02121562A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Nec Corp | 密着型イメージセンサ |
| US5604764A (en) * | 1994-07-25 | 1997-02-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| EP0702414A3 (en) * | 1994-09-01 | 1997-10-29 | Mitsubishi Chem Corp | Semiconductor light emitting devices |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP15583990A patent/JPH0448669A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02121562A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Nec Corp | 密着型イメージセンサ |
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| US5656539A (en) * | 1994-07-25 | 1997-08-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating a semiconductor laser |
| EP0702414A3 (en) * | 1994-09-01 | 1997-10-29 | Mitsubishi Chem Corp | Semiconductor light emitting devices |
| US5811839A (en) * | 1994-09-01 | 1998-09-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light-emitting devices |
| US6278137B1 (en) | 1994-09-01 | 2001-08-21 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light-emitting devices |
| EP1263101A2 (en) * | 1994-09-01 | 2002-12-04 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light-emitting devices |
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