JP3325721B2 - 半導体エピタキシャル成長方法 - Google Patents
半導体エピタキシャル成長方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＧａＡｓ基板上への
ＺｎＳｅ系多元混晶層の半導体エピタキシャル成長方法
に関するもので、特に半導体レーザを作製する分子線エ
ピタキシャル成長に適している。
ＺｎＳｅ系多元混晶層の半導体エピタキシャル成長方法
に関するもので、特に半導体レーザを作製する分子線エ
ピタキシャル成長に適している。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術を半導体レーザの作製のため
に、ＧａＡｓ基板上にＺｎＳＳｅ／ＺｎＣｄＳｅを分子
線エピタキシャル（ＭＢＥ）成長する場合を例にとって
説明する。この系の分子線エピタキシャル成長では、II
−VI族とIII −Ｖ族は互いの不純物となるために、図７
に示すように、ＧａＡｓ系成長室１とＺｎＳｅ系成長室
２と各成長室１，２の相互間でＧａＡｓ基板３を真空状
態で搬送するための超高真空搬送室４とを真空状態で結
合した装置を用いる。
に、ＧａＡｓ基板上にＺｎＳＳｅ／ＺｎＣｄＳｅを分子
線エピタキシャル（ＭＢＥ）成長する場合を例にとって
説明する。この系の分子線エピタキシャル成長では、II
−VI族とIII −Ｖ族は互いの不純物となるために、図７
に示すように、ＧａＡｓ系成長室１とＺｎＳｅ系成長室
２と各成長室１，２の相互間でＧａＡｓ基板３を真空状
態で搬送するための超高真空搬送室４とを真空状態で結
合した装置を用いる。
【０００３】はじめに、図７に示すように、ＧａＡｓ系
成長室（ＭＢＥ装置）１にｎ型ＧａＡｓ基板３を設置し
て、ｎ型ＧａＡｓ基板３の表面の酸化膜を５９０℃でＡ
ｓ分子線を照射しながら除去する。その上に、Ｓｉを添
加したｎ型ＧａＡｓ層を３００ｎｍ程度成長する。その
後、高真空で結合されたＺｎＳｅ系成長室（ＭＢＥ装
置）２にｎ型ＧａＡｓ基板３を搬送する。
成長室（ＭＢＥ装置）１にｎ型ＧａＡｓ基板３を設置し
て、ｎ型ＧａＡｓ基板３の表面の酸化膜を５９０℃でＡ
ｓ分子線を照射しながら除去する。その上に、Ｓｉを添
加したｎ型ＧａＡｓ層を３００ｎｍ程度成長する。その
後、高真空で結合されたＺｎＳｅ系成長室（ＭＢＥ装
置）２にｎ型ＧａＡｓ基板３を搬送する。
【０００４】その後、図８に示すように、基板温度を２
８０℃にして、まず塩素を添加したＺｎＳｅ層７を２０
ｎｍ成長する。塩素はＫセルの温度１３０℃程度にした
ＺｎＣｌを用いて分子線として供給する。また、このと
きのＺｎとＳｅの分子線強度比（VI／II比）は、１以上
とする。その値は、約１．５から２程度が最適である。
８０℃にして、まず塩素を添加したＺｎＳｅ層７を２０
ｎｍ成長する。塩素はＫセルの温度１３０℃程度にした
ＺｎＣｌを用いて分子線として供給する。また、このと
きのＺｎとＳｅの分子線強度比（VI／II比）は、１以上
とする。その値は、約１．５から２程度が最適である。
【０００５】さらに、同じくｎ型ＧａＡｓ基板３に格子
整合する組成の塩素を添加したＺｎＭｇＳＳｅ層８を上
記と同程度のＺｎとＳｅの分子線強度比（VI／II比）で
成長する。上記ＺｎＭｇＳＳｅ層８上に無添加で格子整
合するＺｎＳＳｅ層９を光閉じ込め層として８０ｎｍ程
度成長する。
整合する組成の塩素を添加したＺｎＭｇＳＳｅ層８を上
記と同程度のＺｎとＳｅの分子線強度比（VI／II比）で
成長する。上記ＺｎＭｇＳＳｅ層８上に無添加で格子整
合するＺｎＳＳｅ層９を光閉じ込め層として８０ｎｍ程
度成長する。
【０００６】つぎに、活性層に相当するＺｎＣｄＳｅ層
１０を６０ｎｍ程度成長する。その上に、無添加の光閉
じ込め層のＺｎＳＳｅ層１１を８０ｎｍを成長し、さら
にｐ型クラッド層の活性窒素添加のＺｎＭｇＳＳｅ層１
２を成長する。そして、最上部のｐ型コンタクト層とし
ては、活性窒素を添加したＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格子層
１３を作製する。
１０を６０ｎｍ程度成長する。その上に、無添加の光閉
じ込め層のＺｎＳＳｅ層１１を８０ｎｍを成長し、さら
にｐ型クラッド層の活性窒素添加のＺｎＭｇＳＳｅ層１
２を成長する。そして、最上部のｐ型コンタクト層とし
ては、活性窒素を添加したＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格子層
１３を作製する。
【０００７】以上の分子線エピタキシャル成長工程によ
り半導体レーザ構造が作製される。このような半導体レ
ーザ構造では、活性層が量子細線構造を有することが望
まれる。活性層に量子細線構造を作製するには、例え
ば、活性層成長中にエッチングによる微細加工を導入す
ることが考えられる。そのためには、成長の中断が必要
であり、さらにはその後の埋め込み再成長が必要とな
る。しかし、このような方法では、微細加工時の制御
性、加工ダメージ、周期的構造の作製、成長中断による
界面欠陥の導入等の問題があるため、量子細線構造の作
製例はいまだない。
り半導体レーザ構造が作製される。このような半導体レ
ーザ構造では、活性層が量子細線構造を有することが望
まれる。活性層に量子細線構造を作製するには、例え
ば、活性層成長中にエッチングによる微細加工を導入す
ることが考えられる。そのためには、成長の中断が必要
であり、さらにはその後の埋め込み再成長が必要とな
る。しかし、このような方法では、微細加工時の制御
性、加工ダメージ、周期的構造の作製、成長中断による
界面欠陥の導入等の問題があるため、量子細線構造の作
製例はいまだない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、分子
線エピタキシャル成長層上に量子細線構造を作製する場
合には、成長層のエッチングによる微細加工により細線
構造を作製して、その後再度成長を行わなくてはならな
い。しかしながら、ＺｎＳｅ系の多元混晶における量子
細線構造は、量子細線の密度や微細加工時のダメージ、
再成長界面の劣化等を伴い、特性の良好な量子細線構造
を得ることができなかった。
線エピタキシャル成長層上に量子細線構造を作製する場
合には、成長層のエッチングによる微細加工により細線
構造を作製して、その後再度成長を行わなくてはならな
い。しかしながら、ＺｎＳｅ系の多元混晶における量子
細線構造は、量子細線の密度や微細加工時のダメージ、
再成長界面の劣化等を伴い、特性の良好な量子細線構造
を得ることができなかった。
【０００９】したがって、この発明の目的は、分子線エ
ピタキシャル成長を中断することなく１回の分子線エピ
タキシャル成長で量子細線構造を作製することができ、
特性の良好な量子細線構造を得ることができる半導体エ
ピタキシャル成長方法を提供することである。
ピタキシャル成長を中断することなく１回の分子線エピ
タキシャル成長で量子細線構造を作製することができ、
特性の良好な量子細線構造を得ることができる半導体エ
ピタキシャル成長方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体エピタ
キシャル成長方法は、ＺｎＳｅ系の多元混晶を分子線エ
ピタキシャル成長する半導体エピタキシャル成長方法に
おいて、供給する分子線強度比（VI／II比）を制御する
ことにより成長機構を制御して一度の連続した分子線エ
ピタキシャル成長により量子細線構造を作製することを
特徴とする。
キシャル成長方法は、ＺｎＳｅ系の多元混晶を分子線エ
ピタキシャル成長する半導体エピタキシャル成長方法に
おいて、供給する分子線強度比（VI／II比）を制御する
ことにより成長機構を制御して一度の連続した分子線エ
ピタキシャル成長により量子細線構造を作製することを
特徴とする。
【００１１】つまり、最初に、ＧａＡｓ基板上方にＳｅ
安定化面を有する層を形成し、つぎにII族とVI族の分子
線強度比（VI／II比）が１以下となる条件でII族とVI族
の分子線を供給することによりＳｅ安定化面を有する層
の上にＺｎＳｅを含む第１の多元混晶層を３次元的に成
長させ、第１の多元混晶層の表面に［１１０］方向に平
行な周期的構造を形成し、その後で、周期的構造を有す
る第１の多元混晶層上に第１の多元混晶層より大きなバ
ンドギャップを有する第２の多元混晶層を、II族とVI族
の分子線強度比（VI／II比）が１以上となる条件でII族
とVI族の分子線を供給することにより３次元的成長を抑
制して２次元的に成長させ、周期的構造を埋め込んで成
長表面を平坦化し量子細線構造を作製する。
安定化面を有する層を形成し、つぎにII族とVI族の分子
線強度比（VI／II比）が１以下となる条件でII族とVI族
の分子線を供給することによりＳｅ安定化面を有する層
の上にＺｎＳｅを含む第１の多元混晶層を３次元的に成
長させ、第１の多元混晶層の表面に［１１０］方向に平
行な周期的構造を形成し、その後で、周期的構造を有す
る第１の多元混晶層上に第１の多元混晶層より大きなバ
ンドギャップを有する第２の多元混晶層を、II族とVI族
の分子線強度比（VI／II比）が１以上となる条件でII族
とVI族の分子線を供給することにより３次元的成長を抑
制して２次元的に成長させ、周期的構造を埋め込んで成
長表面を平坦化し量子細線構造を作製する。
【００１２】
【作用】この発明によれば、II族とVI族の分子線強度比
（VI／II比）が１以下となる条件で分子線エピタキシャ
ル成長を行うと、［１１０］方位に平行で、［３１１］
Ａ面が成長面として周期的構造を有する３次元的成長
（縞状の成長）となり、細線構造が形成される。その上
に、II族とVI族の分子線強度比が１以上となる条件で分
子線エピタキシャル成長を行うと、縞状を抑制して２次
元的成長となり前記周期的構造を埋め込んで成長表面を
平坦化し量子細線構造が実現できる。
（VI／II比）が１以下となる条件で分子線エピタキシャ
ル成長を行うと、［１１０］方位に平行で、［３１１］
Ａ面が成長面として周期的構造を有する３次元的成長
（縞状の成長）となり、細線構造が形成される。その上
に、II族とVI族の分子線強度比が１以上となる条件で分
子線エピタキシャル成長を行うと、縞状を抑制して２次
元的成長となり前記周期的構造を埋め込んで成長表面を
平坦化し量子細線構造が実現できる。
【００１３】
【実施例】この発明の実施例を、活性層が量子細線で形
成された半導体レーザ構造の作製工程に従って説明す
る。ｎ型ＧａＡｓ基板３上の酸化膜を除去しｎ型ＧａＡ
ｓ層を成長してＺｎＳｅ系成長室に搬送し、塩素添加の
ＺｎＳｅ層７、ＺｎＭｇＳＳｅ層８、ＺｎＳＳｅ層９を
成長するところまでは、図１（ａ）にも示したが従来の
技術に示した通りである。ここまでの成長では、前述の
ようにVI／II比が１．５から２程度ということでＳｅの
供給が若干多めになっている。
成された半導体レーザ構造の作製工程に従って説明す
る。ｎ型ＧａＡｓ基板３上の酸化膜を除去しｎ型ＧａＡ
ｓ層を成長してＺｎＳｅ系成長室に搬送し、塩素添加の
ＺｎＳｅ層７、ＺｎＭｇＳＳｅ層８、ＺｎＳＳｅ層９を
成長するところまでは、図１（ａ）にも示したが従来の
技術に示した通りである。ここまでの成長では、前述の
ようにVI／II比が１．５から２程度ということでＳｅの
供給が若干多めになっている。
【００１４】この条件下での成長では、ＲＨＥＥＤ（反
射高速電子線回折）のパターンを図２（ａ），（ｂ）に
示すが、［１１０］、［−１１０］の両方の方位からの
観測でもストリーク状になっており、平坦な成長表面が
得られていることが分かる。また、［１１０］方位から
のパターンでは２倍構造が観測され、成長中の表面はＳ
ｅ安定化面となっておりＳｅダイマによる（２×１）の
周期的構造を有していることが分かる。なお、「ストリ
ーク状」とは、線状の輝線によるパターンで、成長層が
原子層オーダーで平坦なことを示す。
射高速電子線回折）のパターンを図２（ａ），（ｂ）に
示すが、［１１０］、［−１１０］の両方の方位からの
観測でもストリーク状になっており、平坦な成長表面が
得られていることが分かる。また、［１１０］方位から
のパターンでは２倍構造が観測され、成長中の表面はＳ
ｅ安定化面となっておりＳｅダイマによる（２×１）の
周期的構造を有していることが分かる。なお、「ストリ
ーク状」とは、線状の輝線によるパターンで、成長層が
原子層オーダーで平坦なことを示す。
【００１５】つぎに、図１（ｂ）に示すように、活性層
に相当するＺｎＣｄＳｅ層（第１の多元混晶層）１４を
６０ｎｍ程度成長する。このときのVI／II比はＺｎの供
給量を増やし、１以下としてII族の分子線供給が多い状
態で成長を行う。VI／II比の変更については、Ｚｎのセ
ルを２本用意して切り替えることにより容易に連続成長
が可能である。II族の供給過多での成長では、II族元素
が基板表面での拡散が十分でないため、島状成長になり
やすい。さらに、その拡散の面方位依存性により、結果
的に縞状成長となっている。
に相当するＺｎＣｄＳｅ層（第１の多元混晶層）１４を
６０ｎｍ程度成長する。このときのVI／II比はＺｎの供
給量を増やし、１以下としてII族の分子線供給が多い状
態で成長を行う。VI／II比の変更については、Ｚｎのセ
ルを２本用意して切り替えることにより容易に連続成長
が可能である。II族の供給過多での成長では、II族元素
が基板表面での拡散が十分でないため、島状成長になり
やすい。さらに、その拡散の面方位依存性により、結果
的に縞状成長となっている。
【００１６】ＺｎＣｄＳｅ層１４の成長後のＲＨＥＥＤ
のパターンを図３（ａ），（ｂ）に示した。成長表面に
高指数の面（［３１１］Ａ面）による周期的構造がある
ためにＶ字型のパターンが観測されている。図４（ａ）
に示すように、直下のＺｎＳＳｅ層９まではＳｅ安定化
面であり、Ｓｅダイマ１５は［−１１０］方位に平行で
あり（２×１）の周期的構造を有している。一方、Ｚｎ
ダイマ１６は［１１０］方位に平行であり、ＺｎＣｄＳ
ｅ層１４はＺｎ供給過多でＺｎ安定化面が成長面となっ
ている。面内での成長速度の異方性はダイマの方向に依
存している。すなわち、ダイマ方向に成長しやすいの
で、図４（ｂ）に示したようにＺｎＣｄＳｅ層１４は
［１１０］方向に成長が早くなり周期的構造を有するよ
うになる。特に、その成長表面の面方位はＺｎ面が先行
し、図５（ａ），（ｂ）に示すように［３１１］Ａ面に
よる周期的構造が形成されている。なお、図５（ａ）は
細線構造を示す概略図で、同図（ｂ）は同図（ａ）の一
部を拡大した概略図である。
のパターンを図３（ａ），（ｂ）に示した。成長表面に
高指数の面（［３１１］Ａ面）による周期的構造がある
ためにＶ字型のパターンが観測されている。図４（ａ）
に示すように、直下のＺｎＳＳｅ層９まではＳｅ安定化
面であり、Ｓｅダイマ１５は［−１１０］方位に平行で
あり（２×１）の周期的構造を有している。一方、Ｚｎ
ダイマ１６は［１１０］方位に平行であり、ＺｎＣｄＳ
ｅ層１４はＺｎ供給過多でＺｎ安定化面が成長面となっ
ている。面内での成長速度の異方性はダイマの方向に依
存している。すなわち、ダイマ方向に成長しやすいの
で、図４（ｂ）に示したようにＺｎＣｄＳｅ層１４は
［１１０］方向に成長が早くなり周期的構造を有するよ
うになる。特に、その成長表面の面方位はＺｎ面が先行
し、図５（ａ），（ｂ）に示すように［３１１］Ａ面に
よる周期的構造が形成されている。なお、図５（ａ）は
細線構造を示す概略図で、同図（ｂ）は同図（ａ）の一
部を拡大した概略図である。
【００１７】その上に、ＺｎＣｄＳｅ層１４より大きな
バンドギャップを有する無添加の光閉じ込め層のＺｎＳ
Ｓｅ層１１を８０ｎｍ成長する。このときのVI／II比は
１．５から２程度で、Ｓｅ供給が若干多めになってい
る。この条件下での成長ではＲＨＥＥＤのパターンは再
びストリーク状になっており、平坦な成長表面が得られ
ていることが分かる。すなわち、細線構造はこの時点で
埋め込まれている。
バンドギャップを有する無添加の光閉じ込め層のＺｎＳ
Ｓｅ層１１を８０ｎｍ成長する。このときのVI／II比は
１．５から２程度で、Ｓｅ供給が若干多めになってい
る。この条件下での成長ではＲＨＥＥＤのパターンは再
びストリーク状になっており、平坦な成長表面が得られ
ていることが分かる。すなわち、細線構造はこの時点で
埋め込まれている。
【００１８】さらに、ｐ型クラッド層の活性窒素添加の
ＺｎＭｇＳＳｅ層１２、ｐ型コンタクト層である活性窒
素を添加したＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格子層１３を作製す
る。以上の分子線エピタキシャル成長工程により活性層
が量子細線で形成された半導体レーザ構造が作製形成さ
れる。さらに、図６（ａ）に示すように、電極１７を部
分的に形成することにより利得導波型のレーザが形成さ
れ、図６（ｂ）に示すように、ＺｎＭｇＳＳｅ層１２を
ＺｎＭｇＳＳｅ層１８で埋め込み、その上にＺｎＳｅ／
ＺｎＴｅ超格子層１３および電極１７を形成することに
より屈折率導波型レーザが作製できる。これらのレーザ
は量子細線による活性層を有し、利得効率の高い特性が
実現できる。
ＺｎＭｇＳＳｅ層１２、ｐ型コンタクト層である活性窒
素を添加したＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格子層１３を作製す
る。以上の分子線エピタキシャル成長工程により活性層
が量子細線で形成された半導体レーザ構造が作製形成さ
れる。さらに、図６（ａ）に示すように、電極１７を部
分的に形成することにより利得導波型のレーザが形成さ
れ、図６（ｂ）に示すように、ＺｎＭｇＳＳｅ層１２を
ＺｎＭｇＳＳｅ層１８で埋め込み、その上にＺｎＳｅ／
ＺｎＴｅ超格子層１３および電極１７を形成することに
より屈折率導波型レーザが作製できる。これらのレーザ
は量子細線による活性層を有し、利得効率の高い特性が
実現できる。
【００１９】
【発明の効果】この発明の半導体エピタキシャル成長方
法によれば、量子細線構造を形成する工程において、II
族とVI族の分子線強度比（VI／II比）が１以下となる条
件で分子線エピタキシャル成長を行うと、［１１０］方
位に平行な周期的構造を有する３次元的成長となり、細
線構造が形成される。その上にII族とVI族の分子線強度
比（VI／II比）が１以上となる条件で分子線エピタキシ
ャル成長を行うと、縞状を抑制して２次元的成長となり
前記周期的構造を埋め込んで成長表面を平坦化し量子細
線構造が実現できる。この結果、分子線エピタキシャル
成長を中断することなく１回の分子線エピタキシャル成
長で量子細線構造を作製することができ、特性の良好な
量子細線構造を得ることができる。
法によれば、量子細線構造を形成する工程において、II
族とVI族の分子線強度比（VI／II比）が１以下となる条
件で分子線エピタキシャル成長を行うと、［１１０］方
位に平行な周期的構造を有する３次元的成長となり、細
線構造が形成される。その上にII族とVI族の分子線強度
比（VI／II比）が１以上となる条件で分子線エピタキシ
ャル成長を行うと、縞状を抑制して２次元的成長となり
前記周期的構造を埋め込んで成長表面を平坦化し量子細
線構造が実現できる。この結果、分子線エピタキシャル
成長を中断することなく１回の分子線エピタキシャル成
長で量子細線構造を作製することができ、特性の良好な
量子細線構造を得ることができる。
【図１】この発明の一実施例の半導体エピタキシャル成
長方法による半導体レーザ構造の作製工程の一部を示す
概略図である。
長方法による半導体レーザ構造の作製工程の一部を示す
概略図である。
【図２】この発明の一実施例の半導体エピタキシャル成
長方法による成長時のＳｅ安定化面でのＲＨＥＥＤパタ
ーンを示す概略図である。
長方法による成長時のＳｅ安定化面でのＲＨＥＥＤパタ
ーンを示す概略図である。
【図３】この発明の一実施例の半導体エピタキシャル成
長方法による成長時のＺｎ安定化面でのＲＨＥＥＤパタ
ーンを示す概略図である。
長方法による成長時のＺｎ安定化面でのＲＨＥＥＤパタ
ーンを示す概略図である。
【図４】この発明の一実施例の半導体エピタキシャル成
長方法による成長表面の構造を示す概略図である。
長方法による成長表面の構造を示す概略図である。
【図５】この発明の一実施例の半導体エピタキシャル成
長方法による細線構造を示す概略図である。
長方法による細線構造を示す概略図である。
【図６】この発明の一実施例の半導体エピタキシャル成
長方法を利用して作製した量子細線構造を有する半導体
レーザの概略図である。
長方法を利用して作製した量子細線構造を有する半導体
レーザの概略図である。
【図７】従来例およびこの発明の実施例で使用する分子
線エピタキシャル成長装置の概略図である。
線エピタキシャル成長装置の概略図である。
【図８】従来の半導体レーザの分子線エピタキシャル成
長構造を示す概略図である。
長構造を示す概略図である。
３ ｎ型ＧａＡｓ基板 ７ ＺｎＳｅ層 ８ ＺｎＭｇＳＳｅ層 ９ ＺｎＳＳｅ層 １０ ＺｎＣｄＳｅ層 １１ ＺｎＳＳｅ層（第２の多元混晶層） １２ ＺｎＭｇＳＳｅ層 １３ ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格子層 １４ ＺｎＣｄＳｅ層（第１の多元混晶層） １５ Ｓｅダイマ １６ Ｚｎダイマ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−245446（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−29824（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−258688（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−51394（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−319296（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−288999（ＪＰ，Ａ) Ｋａｚｕｎｏｒｉ ＭＡＥＤＡ，Ｉｃ ｈｉｒｏ ＴＡＫＡＹＡＳＵ，Ｔｅｔｓ ｕｏ ＭＩＮＡＴＯ，Ｍｉｔｓｕｏ Ｋ ＡＷＡＳＨＩＭＡ，ＲＨＥＥＤ Ｏｂｓ ｅｒｖａｔｉｏｎ ｏｎ（001）ＺｎＳ ｅ Ｓｕｒｆａｃｅ：ＭＢＥ Ｓｕｒｆ ａｃｅ Ｐｈａｓｅ Ｄｉａｇｒａｍ ａｎｄ Ｋｉｎｅｔｉｃ Ｂｅｈａｖｉ ｏｒ ｏｆ Ｚｎ ＡＮＤ Ｓｅ，Ｊａ ｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，1987 年 ８月，Ｖｏｌ．26，Ｎｏ．８，ｐ ｐ．Ｌ1326−Ｌ1329，Ａｄａｔｏｍｓ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/20 H01L 21/203 H01L 29/06 H01L 33/00 H01S 5/34 - 5/347 Ｗｅｂ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上にＺｎＳｅを含む多元混
晶層を分子線エピタキシャル成長する半導体エピタキシ
ャル成長方法であって、前記ＧａＡｓ基板上方にＳｅ安定化面を有する層を形成
する工程と、 II族とVI族の分子線強度比（VI／II比）が１以下となる
条件でII族とVI族の分子線を供給することにより、前記
Ｓｅ安定化面を有する層の上にＺｎＳｅを含む第１の多
元混晶層を３次元的に成長させ、前記第１の多元混晶層
の表面に［１１０］方向に平行な周期的構造を形成する
工程と、 前記周期的構造を有する前記第１の多元混晶層上に前記
第１の多元混晶層より大きなバンドギャップを有する第
２の多元混晶層を、II族とVI族の分子線強度比（VI／II
比）が１以上となる条件でII族とVI族の分子線を供給す
ることにより３次元的成長を抑制して２次元的に成長さ
せ、前記周期的構造を埋め込んで成長表面を平坦化し量
子細線構造を作製する工程とを含むことを特徴とする半
導体エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23127794A JP3325721B2 (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 半導体エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23127794A JP3325721B2 (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 半導体エピタキシャル成長方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897144A JPH0897144A (ja) | 1996-04-12 |
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-
1994
- 1994-09-27 JP JP23127794A patent/JP3325721B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
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|---|
| Ｋａｚｕｎｏｒｉ ＭＡＥＤＡ，Ｉｃｈｉｒｏ ＴＡＫＡＹＡＳＵ，Ｔｅｔｓｕｏ ＭＩＮＡＴＯ，Ｍｉｔｓｕｏ ＫＡＷＡＳＨＩＭＡ，ＲＨＥＥＤ Ｏｂｓｅｒｖａｔｉｏｎ ｏｎ（００１）ＺｎＳｅ Ｓｕｒｆａｃｅ：ＭＢＥ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｈａｓｅ Ｄｉａｇｒａｍ ａｎｄ Ｋｉｎｅｔｉｃ Ｂｅｈａｖｉｏｒ ｏｆ Ｚｎ ＡＮＤ Ｓｅ，Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，１９８７年 ８月，Ｖｏｌ．２６，Ｎｏ．８，ｐｐ．Ｌ１３２６−Ｌ１３２９，Ａｄａｔｏｍｓ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0897144A (ja) | 1996-04-12 |
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