JP4795747B2 - 量子ドット光半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
特に、利得媒質に量子ドットを用いた半導体光増幅器では、利得帯域が広い、光出力が高い、パターン効果が小さいなどの優れた特性が実験的に実証されている。
図1参照
上記課題を解決するために、本発明は、量子ドット光半導体素子の製造方法において、下地半導体層1上にIII-V族化合物半導体からなる量子ドット2を形成したのち、量子ドット2の高さよりも低い膜厚のIII-V族化合物半導体からなる埋込層3を形成し、次いで、量子ドット2と前記埋込層3を形成しているIII-V族化合物半導体と化合物を形成しない不活性な気体雰囲気4中において基板温度を量子ドット形成温度よりも上げることにより量子ドット2の頂部を平坦にする工程を備え、量子ドット2の頂部を平坦にする工程の後に、基板温度を再び量子ドット形成温度まで下げたのち、量子ドット2形成工程及び量子ドット2の頂部の平坦化工程を複数回繰り返すことによって量子ドット2の積層体からなり且つ実効的に一個の量子ドット2とみなせる複合量子ドット5を形成することを特徴とする。
したがって、この複合量子ドット5を利得媒質に用いることで、量子ドット光半導体素子を偏波無依存にすることが可能となる。
図2参照
まず、トリメチルインヂウム(TMIn)、フォスフィン(PH3 )、及び、n型不純物源としてのH2 Seを用いたMOCVD法により、(001)面を主面とするn型InP基板11上に、例えば、成長温度600℃、成長速度1.0μm/時間の成長条件において、厚さが、例えば、2μmのn型InP下部クラッド層12を形成する。
また、i型埋込層16の格子定数をn型InP基板11の格子定数より小さくしているので、i型埋込層16の歪によってInAs量子ドット14の内部に生じる歪の異方性を減少させることができる。
次いで、基板温度を460℃まで降下させたのち、再び、InAs量子ドット14の形成工程、i型埋込層16の形成工程、水素雰囲気17中での平坦化工程を複数回、例えば、7回繰り返すことによってInAs量子ドット14が結晶成長方向に接合して複数の量子ドットが実効的に1つの量子ドットと見なせる複合量子ドット18を形成する。
なお、図においては、図示を容易にするために4層積層した状態を示している。
次いで、SiO2 ストライプマスクを除去したのち、厚さが、例えば、2μmのp型InP上部クラッド層23及び厚さが、例えば、0.5μmのp型InGaAsコンタクト層24を順次形成する。
図5は、p型バリア層19を形成した段階における複合量子ドットの発光波長(フォトルミネッセンス波長)の積層数依存性の説明図であり、参考のために、通常のS−KモードのInAs量子ドットの発光波長と埋込層の形成後の熱処理をPH3 雰囲気中で行った場合の発光波長を示している。
なお、AsH3 雰囲気中で熱処理を行った場合には、InAs量子ドットの頂部が平坦にならないため、積層した際に結晶欠陥が生じていることがSEM断面像から確認された。
図6参照
まず、上記の実施例1と同様に、TMIn、PH3 、及び、n型不純物源としてのH2 Seを用いたMOCVD法により、(001)面を主面とするn型InP基板11上に、例えば、基板温度600℃、成長速度1.0μm/時間の成長条件において、厚さが、例えば、2μmのn型InP下部クラッド層12を形成する。
なお、ここでは、図示を容易にするために3層積層した状態を示している。
なお、希ガスとしては、He及びArが入手容易性の観点から実用的である。
2 量子ドット
3 埋込層
4 気体雰囲気
5 複合量子ドット
6 バリア層
11 n型InP基板
12 n型InP下部クラッド層
13 n型下地層
14 InAs量子ドット
15 ウェッティング層
16 i型埋込層
17 水素雰囲気
18 複合量子ドット
19 p型バリア層
20 p型InP上部クラッド層
21 p型InP層
22 n型InP層
23 p型InP上部クラッド層
24 p型InGaAsコンタクト層
25 n側電極
26 p側電極
27 i型バリア層
Claims (4)
- 下地半導体層上にIII-V族化合物半導体からなる量子ドットを形成したのち、前記量子ドットの高さよりも低い膜厚のIII-V族化合物半導体からなる埋込層を形成し、次いで、前記量子ドットと前記埋込層を形成しているIII-V族化合物半導体と化合物を形成しない不活性な気体雰囲気中において基板温度を量子ドット形成温度よりも上げることにより前記量子ドットの頂部を平坦にする工程を備え、前記量子ドットの頂部を平坦にする工程の後に、基板温度を再び量子ドット形成温度まで下げたのち、量子ドット形成工程及び量子ドットの頂部の平坦化工程を複数回繰り返すことによって前記量子ドットの積層体からなり且つ実効的に一個の量子ドットとみなせる複合量子ドットを形成することを特徴とする量子ドット光半導体素子の製造方法。
- 前記複合量子ドットの形成工程後に、バリア層を形成することを特徴とする請求項1に記載の量子ドット光半導体素子の製造方法。
- 前記複合量子ドットの形成工程と前記バリア層の形成工程を複数回繰り返すことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の量子ドット光半導体素子の製造方法。
- 前記不活性な気体雰囲気を構成するガス種が、水素、窒素、或いは、希ガスの中の少なくとも1つを含むガス種であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の量子ドット光半導体素子の製造方法。
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