JP2011124479A - 光半導体装置及びその製造方法、中継装置、受信装置、光通信システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光半導体装置を、基板1と、基板1の上方に形成された活性層2とを備え、活性層2は、GaAsを含む第1障壁層3と、第1障壁層3上に形成され、InAsを含む量子ドット4及び量子ドット4の側面の少なくとも一部を覆うサイドバリア層5を含む量子ドット層6と、量子ドット層6上に形成された第2障壁層7とを含むものとし、サイドバリア層5を、伸張歪を内在するとともに、Bを含むものとする。
【選択図】図1
Description
しかしながら、このような量子ドットSOAにおいて用いられる自己形成量子ドットは、形状が扁平で、格子不整合に起因する圧縮歪が内在する。このため、量子ドットSOAは、利得の偏波依存性が大きい。つまり、量子ドットSOAは、TE(Transverse Electric)モードの光に対する利得がTM(Transverse Magnetic)モードの光に対する利得よりも大きい。この結果、量子ドットSOAを用いると、TMモードの光に対してTEモードの光が大幅に増幅されてしまうことになる。
例えば、GaAs基板の上方に形成された障壁層上にInAs量子ドットを形成し、障壁層で埋め込んで量子ドット層を形成する工程を繰り返して、複数の量子ドットを量子力学的に結合させることによって、偏波依存性を改善する技術がある。なお、障壁層としては、GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaAsP、InAlGaAs、InAlGaP等が用いられる。以下、この技術を第1の技術という。
しかしながら、量子ドット層の積層数を多くするのは容易ではない。このため、偏波無依存な利得を得るのは容易ではない。
また、上述の第2の技術及び上述の第3の技術は、InP基板の上方に形成された障壁層上にInAs量子ドットを形成する場合の技術であり、GaAs基板の上方に形成されたGaAsを含む障壁層上にInAsを含む量子ドットを形成する場合の技術ではない。このため、上述の第2の技術及び上述の第3の技術を、GaAsを含む障壁層上にInAsを含む量子ドットを形成する場合に適用したとしても、偏波無依存な利得を得るのは難しい。
そこで、GaAsを含む障壁層上にInAsを含む量子ドットを形成する場合に、容易に偏波無依存な利得を得られるようにしたい。
また、本光半導体装置の製造方法は、基板の上方に、GaAsを含む第1障壁層を形成し、第1障壁層上に圧縮歪を内在する量子ドットを形成し、量子ドットの側面の少なくとも一部を覆うように、量子ドットのバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し、伸張歪を内在するとともに、Bを含むサイドバリア層を形成し、量子ドット及びサイドバリア層上に第2障壁層を形成することを要件とする。
[第1実施形態]
第1実施形態にかかる光半導体装置及びその製造方法について、図1〜図4を参照しながら説明する。
ここでは、図1に示すように、GaAs基板1の上方に形成され、量子ドット4を含む活性層2を持つ素子構造を備える半導体光増幅器である。以下、量子ドットSOAという。このような量子ドットSOAは、高温度特性や高飽和光出力特性といった優れた特性を持つ。
本実施形態では、GaAs基板1の上方に形成された活性層2は、GaAs下部障壁層3と、InAs量子ドット4及びInAs量子ドット4の側面を覆うサイドバリア層5を含む量子ドット層6と、GaAs上部障壁層7とを含む。なお、この活性層2は、量子ドット4を含むため、量子ドット活性層ともいう。
なお、「GaAs下部障壁層」、「GaAsからなる下部障壁層」、「GaAsに格子整合する下部障壁層」は、不純物を含む場合がある。このため、「GaAs下部障壁層」、「GaAsからなる下部障壁層」、「GaAsに格子整合する下部障壁層」及びこれらに不純物を含むものをまとめて「GaAsを含む下部障壁層」と言う。
なお、量子ドット4は、InAs量子ドットに限られるものではなく、GaAs基板1上、即ち、GaAsを含む下部障壁層3上に形成できる半導体材料からなる量子ドットであれば良い。例えば、量子ドット4は、InGaAs、GaInNAs等のInAsを含む半導体材料からなる量子ドットであっても良い。
また、サイドバリア層5は、図2に示すように、伸張歪を内在し、B(ボロン、ホウ素)を含む半導体材料からなる。つまり、サイドバリア層5は、Bを含む半導体材料からなり、格子定数がGaAsの格子定数よりも小さい。
ここでは、サイドバリア層5は、Bを含み、V族元素をさらに含む半導体材料からなる。つまり、サイドバリア層5は、III族にBを含むIII−V族化合物半導体材料からなる。
一方、InAs量子ドット4は、GaAs下部障壁層3から圧縮歪を受ける。つまり、InAs量子ドット4は、量子ドット4の材料、ここではInAsの格子定数と下部障壁層3の材料であるGaAsの格子定数との差に応じた圧縮歪を内在する。
特に、本実施形態では、図2に示すように、サイドバリア層5は、格子定数が約5.25Å以下のBを含む半導体材料からなる。
一方、量子ドット4の材料であるInAsの格子定数は約6.06Åであるため、GaAs下部障壁層3上に形成されたInAs量子ドット4は約7%の圧縮歪を受ける。
例えば、1.3μm帯量子ドットSOAの場合であって、InAs量子ドット4の発光波長が約1.3μmの場合、図2に示すように、サイドバリア層5は、1.3μm波長バンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するものとする。ここで、1.3μm波長バンドギャップは0.95eVである。
なお、「GaAs上部障壁層」、「GaAsからなる上部障壁層」、「GaAsに格子整合する上部障壁層」は、不純物を含む場合がある。このため、「GaAs上部障壁層」、「GaAsからなる上部障壁層」、「GaAsに格子整合する上部障壁層」及びこれらに不純物を含むものをまとめて「GaAsを含む上部障壁層」と言う。
本量子ドットSOAは、図3に示すように、n型GaAs基板1上に、n型AlGaAs下部クラッド層8、活性層2、p型AlGaAs上部クラッド層9、p型GaAsコンタクト層10を積層した半導体積層構造を有する。なお、n型GaAs基板はn型導電性基板である。
さらに、リッジ構造の側面及びリッジ構造の両側に露出したp型AlGaAs上部クラッド層9の表面は、SiO2膜11で覆われている。なお、SiO2膜はパッシベーション膜である。
特に、本実施形態では、活性層2は、GaAs下部障壁層3と、ウェッティング層4Aを含むInAs量子ドット4及びBxGa1−xAs(0.46≦x≦1)サイドバリア層5を含む量子ドット層6と、GaAs上部障壁層7とを備える。
InAs量子ドット4は、GaAs下部障壁層3上に自己形成される。このため、InAs量子ドット4は、自己形成量子ドットである。つまり、InAs量子ドット4は、S−K(Stranski-Krastanow)モード成長によって形成されたS−Kモード量子ドットである。
そして、本実施形態では、GaAs上部障壁層7上に、p型AlGaAs上部クラッド層9が形成される。
ところで、InAs量子ドット4の利得を偏波無依存にするには、量子ドット4がGaAs下部障壁層3から受ける圧縮歪が打ち消されるように、量子ドット4がBxGa1−xAs(0.46≦x≦1)サイドバリア層5から伸張歪を受けるようにすれば良い。
InAs量子ドット4のTM利得を増大させるには、サイドバリア層5の格子定数をGaAsの格子定数よりも小さくすれば良い。つまり、n型GaAs基板1上、即ち、GaAs下部障壁層3上に形成されたサイドバリア層5が伸張歪を内在するようにすれば良い。
この場合、例えば、BxGa1−xAs(0.46≦x≦1)サイドバリア層5を、格子定数が5.12ÅであるB0.6Ga0.4Asサイドバリア層とすれば良い。そして、InAs量子ドット4の高さと同程度の厚さにして、InAs量子ドット4の側面全体が覆われるようにすれば良い。この場合、B0.6Ga0.4Asサイドバリア層5に内在する伸張歪の歪量の絶対値は約9.3%程度となる。これは、InAs量子ドット4に内在する圧縮歪の歪量の絶対値約7%よりも約30%程度大きい値である。このような歪量にしているのは、InAs量子ドット4の内部での歪分布、InAs量子ドット4の形状が正確な円柱ではないこと、導波路の光閉じ込め係数のTE/TM比などを考慮したためである。
なお、本具体的構成例では、B0.46Ga0.54Asサイドバリア層5及びB0.6Ga0.4Asサイドバリア層5を用いているが、これに限られるものではない。例えば、BxGa1−xAs(0.46≦x≦1)サイドバリア層5を用い、BとGaの組成比は適宜調整しても良い。少なくともBxGa1−xAs(0.46≦x≦1)サイドバリア層5を用いれば、サイドバリア層5に内在する伸張歪の歪量の絶対値を、InAs量子ドット4に内在する圧縮歪の歪量の絶対値以上にすることができる。つまり、GaAs下部障壁層3とサイドバリア層5との間の格子定数の差の絶対値を、GaAs下部障壁層3と量子ドット4の格子定数の差の絶対値以上にすることができる。これにより、InAs量子ドット4のTM利得をTE利得と同程度又はそれ以上に大きくすることができる。また、例えば、サイドバリア層5は、Bを含む半導体材料からなり、格子定数がGaAsの格子定数よりも小さくなるような組成を持つ材料からなるものであれば良い。
次に、本実施形態にかかる光半導体装置の製造方法について説明する。
まず、GaAsを含む基板1の上方に、GaAsを含む下部障壁層(第1障壁層)3を形成する(図1参照)。
次いで、GaAsを含む下部障壁層3上に、圧縮歪を内在する量子ドット4、ここでは、InAsを含む量子ドット4を形成する(図1参照)。
以下、本実施形態の具体的構成例にかかる量子ドットSOAの製造方法について、図4を参照しながら、より具体的に説明する。
なお、各半導体層の成長には、例えば、分子ビームエピタキシャル成長(MBE;molecular beam epitaxy)法を用いる。
ここでは、n−GaAs基板1はn−GaAs(001)基板である。また、n−AlGaAs下部クラッド層8の厚さは例えば約1.4μmである。
次に、図4(A)〜(C)に示すように、活性層2を形成する。
次に、GaAs下部障壁層3上に、自己形成法によって、例えば面密度4×1010cm−2程度のInAs量子ドット4を形成する。なお、本実施形態では、InAs量子ドット4を自己形成する面には、ウェッティング層4Aと呼ばれる非常に薄いInAs層が形成される。
このようにして、n−AlGaAs下部クラッド層8上に、GaAs下部障壁層3と、InAs量子ドット4及びBxGa1−xAs(0.46≦x≦1)サイドバリア層5を含む量子ドット層6と、GaAs上部障壁層7とを備える量子ドット活性層2が形成される。
ここでは、p−AlGaAs上部クラッド層9の厚さは例えば約1.4μmである。また、p−GaAsコンタクト層10の厚さは例えば約0.4μmである。
このようにして結晶成長を行なった後、SOAの素子構造に加工する。
そして、このリッジ導波路パターンを形成されたSiO2膜をマスクとして用い、例えばドライエッチングによって、p−GaAsコンタクト層10及びp−AlGaAs上部クラッド層9にパターンを転写する。つまり、例えばドライエッチングによって、SiO2マスクで覆われていない部分のp−GaAsコンタクト層10及びp−AlGaAs上部クラッド層9の一部を除去して、p−AlGaAs上部クラッド層9を露出させる。これにより、p−GaAsコンタクト層10及びp−AlGaAs上部クラッド層9を含み、例えば幅約2μmで、端面に対して例えば約7°傾斜させた斜めリッジ導波路構造が形成される(図3参照)。
その後、図示していないSiO2マスクを除去し、リッジ導波路構造の側面及びp−AlGaAs上部クラッド層9の表面が覆われるようにSiO2膜11を形成する(図3参照)。なお、SiO2マスクを導波路パターン形成用SiO2膜とも言う。次いで、上部及び下部に電流注入用の電極12,13を形成する。また、図示していないが、素子両端面に無反射膜を形成する。
なお、上述の実施形態では、活性層2を、単層の量子ドット層6を備えるものとして構成しているが、これに限られるものではなく、複数の量子ドット層を、障壁層を挟んで繰り返し積層するようにしても良い。
[第2実施形態]
第2実施形態にかかる光半導体装置及びその製造方法について、図5〜図7を参照しながら説明する。
つまり、本実施形態の具体的構成例では、活性層2は、GaAs下部障壁層(第1障壁層)3とGaAs上部障壁層(第2障壁層)7との間に、複数の量子ドット層6を備える。なお、ここでは、複数の量子ドット層6として5つの量子ドット層を設けている。
このように、コラムナ型結合量子ドット4Xを形成することで、アスペクト比(高さ/直径)を高くすることができ、TM利得を増大させることができる。このため、例えば、サイドバリア層5の材料によって、量子ドット4によって得られる利得を偏波無依存にした上で、コラムナ型結合量子ドット4Xを形成してアスペクト比を高くし、TM利得を増大させて、偏波無依存型量子ドットSOAを実現することができる。この場合、量子ドット4に内在する圧縮歪は打ち消されるため、良好な結晶性を得ながら、偏波無依存な利得を実現することが可能となる。このように、サイドバリア層5の材料によるTM利得の制御と、コラムナ型結合量子ドット4Xに含まれる量子ドットの積層数、即ち、アスペクト比によるTM利得の制御とを組み合わせることで、偏波無依存型量子ドットSOAを実現することもできる。
また、本実施形態では、活性層2を、1段の結合量子ドット層6Xを備えるものとしているが、これに限られるものではなく、必要に応じて複数段の結合量子ドット層6Xを積層させた構造にしても良い。例えば図6に示すように、活性層2を、2段の結合量子ドット層6Xを備えるものとしても良い。この場合、上述の実施形態のGaAs上部障壁層7上に、2段目の結合量子ドット層6X、GaAs上部障壁層(第2障壁層)14を形成することによって、活性層2を形成すれば良い。なお、GaAs上部障壁層7は、2段目の結合量子ドット層6Xとの関係ではGaAs下部障壁層(第1障壁層)である。つまり、GaAs障壁層7は、1段目の結合量子ドット層6Xとの関係では上部障壁層(第2障壁層)であり、2段目の結合量子ドット層6Xとの関係では下部障壁層(第1障壁層)である。また、図6では、上述の実施形態(図5参照)と同一のものには同一の符号を付している。このように、複数段の結合量子ドット層6Xを設ける場合には、複数段の結合量子ドット層6XはGaAs障壁層を挟んで積層させれば良い。なお、障壁層は、GaAs障壁層に限られるものではなく、GaAsを含む障壁層であれば良い。この場合、活性層2は、GaAs下部障壁層(第1障壁層)と、結合量子ドット層と、GaAs上部障壁層(第2障壁層)とを繰り返し積層した構造になる。
次に、本実施形態にかかる光半導体装置の製造方法について説明する。
本光半導体装置の製造方法は、上述の第1実施形態の光半導体装置の製造方法において、以下のような工程を含む。
GaAs下部障壁層(第1障壁層)を形成する工程と、コラムナ型結合量子ドット4Xを含む結合量子ドット層6Xを形成する工程と、GaAs上部障壁層(第2障壁層)を形成する工程とを少なくとも1回繰り返す。ここでは、GaAs下部障壁層を形成する工程と、コラムナ型結合量子ドット4Xを含む結合量子ドット層6Xを形成する工程と、GaAs上部障壁層を形成する工程とを1回繰り返している(図6参照)。
なお、各半導体層の成長には、MBE法を用いる。
まず、上述の第1実施形態の具体的構成例の場合と同様に、図7(A)に示すように、n−GaAs基板1上に、n−AlGaAs下部クラッド層8を形成する。
つまり、まず、図7(A)に示すように、n−AlGaAs下部クラッド層8上に、GaAs下部障壁層3を形成する。
次いで、GaAs下部障壁層3上に、自己形成法によって、例えば面密度4×1010cm−2程度のInAs量子ドット4を形成する。なお、本実施形態では、InAs量子ドット4を自己形成する面には、ウェッティング層4Aと呼ばれる非常に薄いInAs層が形成される。
以降、このような量子ドット層6を形成する工程を繰り返し行なって、複数の量子ドット層6を積層させる。ここでは、5つの量子ドット層6を積層させる。これにより、複数のInAs量子ドット4が積み重ねられ、量子力学的に結合して、コラムナ型結合量子ドット4Xが形成される。ここでは、5つのInAs量子ドット4が積み重ねられたコラムナ型結合量子ドット4Xが形成される。このようにして、コラムナ型結合量子ドット4Xを含む結合量子ドット層6Xが形成される。
このようにして、n−AlGaAs下部クラッド層8上に、GaAs下部障壁層3と、コラムナ型結合量子ドット4Xを含む結合量子ドット層6Xと、GaAs上部障壁層7とを備える活性層2が形成される。
このようにして結晶成長を行なった後、上述の第1実施形態の具体的構成例の場合と同様に、SOAの素子構造に加工する。
そして、このリッジ導波路パターンを形成されたSiO2膜をマスクとして用い、例えばドライエッチングによって、p−GaAsコンタクト層10及びp−AlGaAs上部クラッド層9にパターンを転写する。これにより、p−GaAsコンタクト層10及びp−AlGaAs上部クラッド層9を含み、例えば幅約2μmで、端面に対して例えば約7°傾斜させた斜めリッジ導波路構造が形成される(図5参照)。
したがって、本実施形態にかかる光半導体装置及びその製造方法によれば、上述の第1実施形態の場合と同様に、容易に偏波無依存な利得を得ることができるという利点がある。
[第3実施形態]
第3実施形態にかかる光半導体装置及びその製造方法について、図8、図9を参照しながら説明する。
つまり、本光半導体装置は、上述の第1実施形態(図1、図3参照)のものに対し、図8に示すように、量子ドット4が障壁層7,15を挟んで繰り返し積層されている点、サイドバリア層5が量子ドット4の側面の少なくとも一部を覆う点、及び、具体的構成例においてサイドバリア層5がBAsサイドバリア層である点が異なる。なお、図8では、上述の第1実施形態(図1、図3参照)と同一のものには同一の符号を付している。
ここで、GaAs下部障壁層3は、上述の第1実施形態の場合と同様に、GaAsからなる下部障壁層(第1障壁層)である。なお、下部障壁層3は、GaAsを含む下部障壁層であれば良い。
サイドバリア層5は、GaAs下部障壁層3上にInAs量子ドット4の側面の一部を覆うように形成されている。
この場合、サイドバリア層5は、サイドバリア層5の材料、ここではBAsの格子定数と下部障壁層3の材料、ここではGaAsの格子定数との差に応じた伸張歪を内在する。具体的には、サイドバリア層5の材料として、格子定数が約4.78ÅであるBAsを用いると、下部障壁層3の材料であるGaAsの格子定数は約5.65Åであるため、GaAs下部障壁層3上に形成されたサイドバリア層5は約15%の伸張歪を受ける。つまり、BAsサイドバリア層5は、GaAs下部障壁層3から約15%の伸張歪を受ける。
これにより、GaAs基板1上に形成されるInAs量子ドット4、即ち、GaAs障壁層3上に形成されるInAs量子ドット4のTM利得とTE利得とを同程度にすることができる。つまり、InAs量子ドット4によって得られる利得を偏波無依存にすることができる。この場合、良好な結晶性も得られる。
また、偏波無依存な利得を得るには、下部障壁層3とサイドバリア層5との間の格子定数の差の絶対値を、下部障壁層3と量子ドット4の格子定数の差の絶対値以上にすれば良い。この場合、GaAs下部障壁層3上に形成されるサイドバリア層5に内在する伸張歪の歪量の絶対値は、GaAs下部障壁層3上に形成される量子ドット4に内在する圧縮歪の歪量の絶対値以上になる。これにより、InAs量子ドット4は、無歪又は伸張歪を内在するものとなる。
GaAs上部障壁層7は、上述の第1実施形態の場合と同様に、GaAsからなる障壁層(第2障壁層)である。なお、GaAs上部障壁層7は、GaAsを含む障壁層であれば良い。
上述のように、本実施形態では、量子ドット4の底面側の部分、即ち、量子ドット4の利得に寄与する部分に、サイドバリア層5に内在する伸張歪を作用させて、量子ドット4に内在する圧縮歪を打ち消すようにしている。一方、量子ドット4の上部、即ち、量子ドット4の利得に寄与しない部分は、体積が小さいので局所的に歪みが残りやすい。このため、この量子ドット4に残る歪みを打ち消すべく、これを覆うGaAs上部障壁層7の厚さを約30nmの厚さにしている。なお、サイドバリア層5には比較的大きな歪みが内在することになるが、厚さが薄いので、結晶性に影響を与えることはない。
次に、本実施形態にかかる光半導体装置の製造方法について説明する。
本光半導体装置の製造方法は、以下のような工程を含む。
まず、GaAsを含む基板1の上方に、GaAsを含む下部障壁層(第1障壁層)3を形成する(図8参照)。
次に、InAsを含む量子ドット4の側面を覆うように、InAsを含む量子ドット4のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し、伸張歪を内在するとともに、Bを含むサイドバリア層5を形成する(図8参照)。
特に、本実施形態では、活性層2を複数の量子ドット層6を積層させた構造にすべく、さらに、量子ドット4を形成する工程と、サイドバリア層5を形成する工程と、GaAs上部障壁層(第2障壁層)を形成する工程とを少なくとも1回繰り返す。ここでは、量子ドット4を形成する工程と、サイドバリア層5を形成する工程と、GaAs上部障壁層を形成する工程とを複数回繰り返している(図8参照)。
なお、各半導体層の成長には、MBE法を用いる。
まず、上述の第1実施形態の場合と同様に、図9(A)に示すように、n−GaAs基板1上に、n−AlGaAs下部クラッド層8を形成する。
つまり、まず、図9(A)に示すように、n−AlGaAs下部クラッド層8上に、GaAs下部障壁層3を形成する。
次に、GaAs下部障壁層3上に、自己形成法によって、例えば面密度4×1010cm−2程度のInAs量子ドット4を形成する。なお、本実施形態では、InAs量子ドット4を自己形成する面には、ウェッティング層4Aと呼ばれる非常に薄いInAs層が形成される。
次いで、図9(B)に示すように、1層目の量子ドット層6、即ち、InAs量子ドット4及びBAsサイドバリア層5を覆うように、これらの上に、GaAs上部障壁層7を形成する。ここでは、GaAs上部障壁層7の厚さは例えば約30nmである。
このようにして、n−AlGaAs下部クラッド層8上に、GaAs下部障壁層と、InAs量子ドット4及びBAsサイドバリア層5を含む量子ドット層6と、GaAs上部障壁層とを繰り返し積層させた構造を有する量子ドット活性層2が形成される。
このようにして結晶成長を行なった後、上述の第1実施形態の場合と同様に、SOAの素子構造に加工する。
つまり、図示していないが、SiO2膜を成膜し、例えばフォトリソグラフ技術を用いてSiO2膜上に、端面に対して例えば約7°傾いたリッジ導波路パターンを形成する。
なお、本実施形態では、利得を増大させるために活性層を複数の量子ドット層を積層させた構造にしているが、これに限られるものではなく、例えば、活性層を単層の量子ドット層を備えるものとして構成しても良い。
[その他]
なお、本発明は、上述した各実施形態及び変形例に記載した具体的な構成や条件等に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
また、上述の各実施形態及び変形例では、量子ドット活性層2として、アンドープの量子ドット活性層を用いているが、これに限られるものではない。例えば、量子ドット活性層を構成する上部障壁層と、ウェッティング層を含む量子ドットと、下部障壁層と、サイドバリア層との少なくとも1つにp型不純物がドープされたp型量子ドット活性層として構成しても良い。上述の第1実施形態及び第3実施形態のように、S−K量子ドットを用いる場合には、例えば、サイドバリア層の一部又は障壁層の一部にp型不純物がドープされたp型層が含まれるようにすれば良い。また、上述の第2実施形態のように、コラムナ型結合量子ドットを用いる場合には、例えば、サイドバリア層にp型不純物をドーピングすれば良い。これにより、高温度特性の改善が期待できる。
例えば、上述の各実施形態及び変形例では、上部クラッド層9及び下部クラッド層8をAlGaAsによって形成しているが、これに限られるものではなく、活性層2よりも屈折率が小さく、かつ、基板に格子整合する材料によって形成されていれば良い。
また、上述の各実施形態及び変形例では、半導体層の成長方法としてMBE法を挙げているが、これに限られるものではなく、例えば有機金属気相成長(MOCVD;Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法であっても良い。また、量子ドットを含む活性層部分のみをMBE法で成長し、その他の部分をMOCVD法で成長するというように、複数の成長法を組み合わせても良い。
また、上述の各実施形態及び変形例では、導波路は端面に対して約7°傾けた斜め導波路としているが、角度はこれに限られるものではなく、必要に応じて端面に垂直な導波路としても良い。
また、上述の各実施形態及び変形例において、導波路の両端にスポットサイズ変換器を配置しても良い。これにより、光ファイバとの光結合効率を向上させることができる。
例えば図10に示すように、光信号中継装置20は、上述の各実施形態及び変形例の光増幅装置21と、光増幅装置21を制御する制御装置22とを備えるものとして構成すれば良い。なお、中継装置を中継器とも言う。このように構成される光信号中継装置20には、入力側及び出力側のそれぞれに光ファイバ伝送路23,24が接続され、光通信システム25が構成される。この場合、入力側の光ファイバ伝送路23から入力された微弱光信号は、光信号中継装置20によって増幅され、出力側の光ファイバ伝送路24へ出力される。特に、光増幅装置21を、偏波無依存型量子ドットSOAを備えるものとして構成することで、入力された光信号の偏波状態に依存せずに、一定の利得を与えて、入力光信号を増幅することができる。
以下、上述の各実施形態及びその変形例に関し、更に、付記を開示する。
(付記1)
基板と、
前記基板の上方に形成された活性層とを備え、
前記活性層は、GaAsを含む第1障壁層と、前記第1障壁層上に形成され、InAsを含む量子ドット及び前記量子ドットの側面の少なくとも一部を覆うサイドバリア層を含む量子ドット層と、前記量子ドット層上に形成された第2障壁層とを含み、
前記サイドバリア層は、伸張歪を内在するとともに、Bを含むことを特徴とする光半導体装置。
前記量子ドットは、無歪又は伸張歪を内在することを特徴とする、付記1に記載の光半導体装置。
(付記3)
前記第1障壁層と前記サイドバリア層との間の格子定数の差の絶対値は、前記第1障壁層と前記量子ドットの格子定数の差の絶対値以上であることを特徴とする、付記1又は2に記載の光半導体装置。
前記サイドバリア層は、V族元素をさらに含むことを特徴とする、付記1〜3のいずれか1項に記載の光半導体装置。
(付記5)
前記サイドバリア層は、BAs,BGaAs,BInAs,BGaInAs,BGaP,BGaAsP,BAsSb,BGaAsSb,BInAsSb,BGaInAsSb,BGaPSb,BGaAsPSbからなる群から選択された一つの材料を含むことを特徴とする、付記1〜4のいずれか1項に記載の光半導体装置。
前記サイドバリア層は、BxGa1−xAs(0.46≦x≦1)を含むサイドバリア層であることを特徴とする、付記1〜5のいずれか1項に記載の光半導体装置。
(付記7)
前記サイドバリア層は、格子定数が5.25Å以下であることを特徴とする、付記1〜6のいずれか1項に記載の光半導体装置。
前記サイドバリア層は、前記量子ドットの高さ以下の厚さを有することを特徴とする、付記1〜7のいずれか1項に記載の光半導体装置。
(付記9)
前記第1障壁層と前記第2障壁層との間に、前記量子ドット層を複数備え、
前記複数の量子ドット層は、前記量子ドットが上下で互いに接するように積層されていることを特徴とする、付記1〜8のいずれか1項に記載の光半導体装置。
前記活性層は、前記第1障壁層と、前記量子ドット層又は前記複数の量子ドット層と、前記第2障壁層とを繰り返し積層した構造になっていることを特徴とする、付記1〜9のいずれか1項に記載の光半導体装置。
(付記11)
前記量子ドット層は、p型にドープされていることを特徴とする、付記1〜10のいずれか1項に記載の光半導体装置。
基板と、
前記基板の上方に形成された活性層とを備え、
前記活性層は、GaAsを含む第1障壁層と、前記第1障壁層上に形成され、InAsを含む量子ドット及び前記量子ドットの側面の少なくとも一部を覆うサイドバリア層を含む量子ドット層と、前記量子ドット層上に形成された第2障壁層とを含み、
前記サイドバリア層は、前記量子ドットのバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し、伸張歪を内在するとともに、Bを含む光半導体装置を備えたことを特徴とする受信装置。
基板と、
前記基板の上方に形成された活性層とを備え、
前記活性層は、GaAsを含む第1障壁層と、前記第1障壁層上に形成され、InAsを含む量子ドット及び前記量子ドットの側面の少なくとも一部を覆うサイドバリア層を含む量子ドット層と、前記量子ドット層上に形成された第2障壁層とを含み、
前記サイドバリア層は、前記量子ドットのバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し、伸張歪を内在するとともに、Bを含む光半導体装置を備えたことを特徴とする中継装置。
基板と、
前記基板の上方に形成された活性層とを備え、
前記活性層は、GaAsを含む第1障壁層と、前記第1障壁層上に形成され、InAsを含む量子ドット及び前記量子ドットの側面の少なくとも一部を覆うサイドバリア層を含む量子ドット層と、前記量子ドット層上に形成された第2障壁層とを含み、
前記サイドバリア層は、前記量子ドットのバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し、伸張歪を内在するとともに、Bを含む光半導体装置を備えたことを特徴とする光通信システム。
基板の上方に、GaAsを含む第1障壁層を形成し、
前記第1障壁層上に圧縮歪を内在する量子ドットを形成し、
前記量子ドットの側面の少なくとも一部を覆うように、前記量子ドットのバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し、伸張歪を内在するとともに、Bを含むサイドバリア層を形成し、
前記量子ドット及び前記サイドバリア層上に第2障壁層を形成することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
前記サイドバリア層に内在する伸張歪の歪量の絶対値は、前記量子ドットに内在する圧縮歪の歪量の絶対値以上であることを特徴とする、付記15に記載の光半導体装置の製造方法。
(付記17)
前記第2障壁層を形成する前に、前記量子ドットを形成する工程と、前記サイドバリア層を形成する工程とを少なくとも1回繰り返して、結合量子ドットを含む量子ドット層を形成することを特徴とする、付記15又は16に記載の光半導体装置の製造方法。
前記第1障壁層を形成する工程と、前記結合量子ドットを含む量子ドット層を形成する工程と、前記第2障壁層を形成する工程とを少なくとも1回繰り返すことを特徴とする、付記17に記載の光半導体装置の製造方法。
(付記19)
前記量子ドットを形成する工程と、前記サイドバリア層を形成する工程と、前記第2障壁層を形成する工程とを少なくとも1回繰り返すことを特徴とする、付記16又は17に記載の光半導体装置の製造方法。
前記サイドバリア層を形成した後に、前記量子ドットの上部を平坦化することを特徴とする、付記15〜19のいずれか1項に記載の光半導体装置の製造方法。
2 活性層
3 GaAs下部障壁層
4 InAs量子ドット
4A ウェッティング層
4X コラムナ型結合量子ドット
5 サイドバリア層
6 量子ドット層
6X 結合量子ドット層
7 GaAs上部障壁層
8 AlGaAs下部クラッド層
9 AlGaAs上部クラッド層
10 GaAsコンタクト層
11 SiO2膜
12 上部電極
13 下部電極
14 GaAs上部障壁層
15,16 GaAs障壁層
20 光信号中継装置
21 光増幅装置
22 制御装置
23,24 光ファイバ伝送路
25 光通信システム
30 光信号受信装置
31 光増幅装置
32 制御装置
33 光/電気変換器
34 光ファイバ伝送路
35 光通信システム
Claims (10)
- 基板と、
前記基板の上方に形成された活性層とを備え、
前記活性層は、GaAsを含む第1障壁層と、前記第1障壁層上に形成され、InAsを含む量子ドット及び前記量子ドットの側面の少なくとも一部を覆うサイドバリア層を含む量子ドット層と、前記量子ドット層上に形成された第2障壁層とを含み、
前記サイドバリア層は、伸張歪を内在するとともに、Bを含むことを特徴とする光半導体装置。 - 前記サイドバリア層は、V族元素をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の光半導体装置。
- 前記サイドバリア層は、BAs,BGaAs,BInAs,BGaInAs,BGaP,BGaAsP,BAsSb,BGaAsSb,BInAsSb,BGaInAsSb,BGaPSb,BGaAsPSbからなる群から選択された一つの材料を含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の光半導体装置。
- 前記サイドバリア層は、BxGa1−xAs(0.46≦x≦1)を含むサイドバリア層であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光半導体装置。
- 前記サイドバリア層は、前記量子ドットの高さ以下の厚さを有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光半導体装置。
- 前記第1障壁層と前記第2障壁層との間に、前記量子ドット層を複数備え、
前記複数の量子ドット層は、前記量子ドットが上下で互いに接するように積層されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の光半導体装置。 - 基板と、
前記基板の上方に形成された活性層とを備え、
前記活性層は、GaAsを含む第1障壁層と、前記第1障壁層上に形成され、InAsを含む量子ドット及び前記量子ドットの側面の少なくとも一部を覆うサイドバリア層を含む量子ドット層と、前記量子ドット層上に形成された第2障壁層とを含み、
前記サイドバリア層は、前記量子ドットのバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し、伸張歪を内在するとともに、Bを含む光半導体装置を備えたことを特徴とする受信装置。 - 基板と、
前記基板の上方に形成された活性層とを備え、
前記活性層は、GaAsを含む第1障壁層と、前記第1障壁層上に形成され、InAsを含む量子ドット及び前記量子ドットの側面の少なくとも一部を覆うサイドバリア層を含む量子ドット層と、前記量子ドット層上に形成された第2障壁層とを含み、
前記サイドバリア層は、前記量子ドットのバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し、伸張歪を内在するとともに、Bを含む光半導体装置を備えたことを特徴とする中継装置。 - 基板と、
前記基板の上方に形成された活性層とを備え、
前記活性層は、GaAsを含む第1障壁層と、前記第1障壁層上に形成され、InAsを含む量子ドット及び前記量子ドットの側面の少なくとも一部を覆うサイドバリア層を含む量子ドット層と、前記量子ドット層上に形成された第2障壁層とを含み、
前記サイドバリア層は、前記量子ドットのバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し、伸張歪を内在するとともに、Bを含む光半導体装置を備えたことを特徴とする光通信システム。 - 基板の上方に、GaAsを含む第1障壁層を形成し、
前記第1障壁層上に圧縮歪を内在する量子ドットを形成し、
前記量子ドットの側面の少なくとも一部を覆うように、前記量子ドットのバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し、伸張歪を内在するとともに、Bを含むサイドバリア層を形成し、
前記量子ドット及び前記サイドバリア層上に第2障壁層を形成することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000114665A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-21 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
JP2004111710A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Fujitsu Ltd | 量子光半導体装置 |
JP2006245373A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
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Family Cites Families (2)
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US5060030A (en) * | 1990-07-18 | 1991-10-22 | Raytheon Company | Pseudomorphic HEMT having strained compensation layer |
JP3866836B2 (ja) * | 1997-08-14 | 2007-01-10 | 富士通株式会社 | 非線形光学装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000114665A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-21 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
JP2004111710A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Fujitsu Ltd | 量子光半導体装置 |
JP2006245373A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2008091420A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Fujitsu Ltd | 量子ドット光半導体素子の製造方法 |
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