JP3244312B2 - ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子 - Google Patents
ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子Info
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- JP3244312B2 JP3244312B2 JP27721292A JP27721292A JP3244312B2 JP 3244312 B2 JP3244312 B2 JP 3244312B2 JP 27721292 A JP27721292 A JP 27721292A JP 27721292 A JP27721292 A JP 27721292A JP 3244312 B2 JP3244312 B2 JP 3244312B2
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- algainp
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＡｌＧａＩｎＰ系可視光
半導体素子に関する。
半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体レーザ素
子は、従来のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体レーザ装置に
比べて発振波長が約１００ｎｍ短いため、光ディスクの
高密度化、レーザプリンターの高速化など光情報処理装
置の高性能化に必要な光源として注目されている。
子は、従来のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体レーザ装置に
比べて発振波長が約１００ｎｍ短いため、光ディスクの
高密度化、レーザプリンターの高速化など光情報処理装
置の高性能化に必要な光源として注目されている。
【０００３】図７（ａ）は従来のＡｌＧａＩｎＰ系可視
光半導体素子の構造図であり、図７（ｂ）〜（ｃ）はそ
の製造工程を示す図である。
光半導体素子の構造図であり、図７（ｂ）〜（ｃ）はそ
の製造工程を示す図である。
【０００４】図７（ａ）中、３１はｎ型ＧａＡｓ基板で
あり、この基板３１の上面にはｎ型ＧａＩｎＰバッファ
層３２が設けられており、該ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層
３２上にはｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３、アンド
ープ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層３４、及びメサストライプ
（メサ型ストライプ状）部１３５を有するｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層３５が順次型成されてダブルヘテロ構
造が作成されている。前記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層３５の前記メサストライプ部１３５上面には、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰコンタクト層３６がこの順に形成されている。
あり、この基板３１の上面にはｎ型ＧａＩｎＰバッファ
層３２が設けられており、該ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層
３２上にはｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３、アンド
ープ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層３４、及びメサストライプ
（メサ型ストライプ状）部１３５を有するｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層３５が順次型成されてダブルヘテロ構
造が作成されている。前記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層３５の前記メサストライプ部１３５上面には、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰコンタクト層３６がこの順に形成されている。
【０００５】前記ｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層３６上面
を除いて、前記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３５上及
びｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層３６側面には、前記メサ
ストライプ部１３５に電流を狭窄するためのｎ型ＧａＡ
ｓ電流ブロック層３７が形成されている。前記コンタク
ト層３６上及びｎ型ＧａＡｓブロック層３７上にはｐ型
ＧａＡｓキャップ層３８が形成されている。
を除いて、前記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３５上及
びｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層３６側面には、前記メサ
ストライプ部１３５に電流を狭窄するためのｎ型ＧａＡ
ｓ電流ブロック層３７が形成されている。前記コンタク
ト層３６上及びｎ型ＧａＡｓブロック層３７上にはｐ型
ＧａＡｓキャップ層３８が形成されている。
【０００６】そして、このｐ型ＧａＡｓキャップ層３８
上面並びにｎ型ＧａＡｓ基板３１下面には、それぞれＡ
ｕ−Ｃｒからなるｐ型側電極３９、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒか
らなるｎ型側電極４０が形成されている。
上面並びにｎ型ＧａＡｓ基板３１下面には、それぞれＡ
ｕ−Ｃｒからなるｐ型側電極３９、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒか
らなるｎ型側電極４０が形成されている。
【０００７】次に、この半導体レーザ素子の製造方法を
説明する。
説明する。
【０００８】まず、図７(ｂ）に示すように、１回目の
結晶成長で、ｎ型ＧａＡｓ基板３１上にｎ型ＧａＩｎＰ
バッファ層３２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３、
アンドープ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層３４、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層３５、ｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層３
６を順次形成する。
結晶成長で、ｎ型ＧａＡｓ基板３１上にｎ型ＧａＩｎＰ
バッファ層３２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３、
アンドープ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層３４、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層３５、ｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層３
６を順次形成する。
【０００９】次に、図７（ｃ)に示すように、上記ｐ型
コンタクト層３６上にストライプ状に形成したＳｉＯ2
膜をマスク層５０とし、エッチングによりｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層３５及びｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層
３６をメサストライプ（リッジストライプ）状に形成す
る。次に、２回目の結晶成長によりｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層３５上及びコンタクト層３６側面にｎ型Ｇａ
Ａｓ電流ブロック層３７を形成する。
コンタクト層３６上にストライプ状に形成したＳｉＯ2
膜をマスク層５０とし、エッチングによりｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層３５及びｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層
３６をメサストライプ（リッジストライプ）状に形成す
る。次に、２回目の結晶成長によりｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層３５上及びコンタクト層３６側面にｎ型Ｇａ
Ａｓ電流ブロック層３７を形成する。
【００１０】次に、図７（ａ）に示すように、前記マス
ク層５０をフッ酸により除去して、前記マスク層５０を
除去した部分にｐ型コンタクト層３６を露出させた後、
３回目の結晶成長によりｐ型コンタクト層３６上及びｎ
型電流ブロック層３７上にｐ型ＧａＡｓキャップ層３８
を形成する。最後に、前記ｐ型キャップ層３８上面、ｎ
型ＧａＡｓ基板３１下面に、それぞれＡｕ−Ｃｒからな
るｐ型側電極３９、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒからなるｎ型側電
極４０を真空蒸着法により形成する。
ク層５０をフッ酸により除去して、前記マスク層５０を
除去した部分にｐ型コンタクト層３６を露出させた後、
３回目の結晶成長によりｐ型コンタクト層３６上及びｎ
型電流ブロック層３７上にｐ型ＧａＡｓキャップ層３８
を形成する。最後に、前記ｐ型キャップ層３８上面、ｎ
型ＧａＡｓ基板３１下面に、それぞれＡｕ−Ｃｒからな
るｐ型側電極３９、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒからなるｎ型側電
極４０を真空蒸着法により形成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７
（ｃ）のメサエッチング工程において、前記ｐ型クラッ
ド層３５はメサストライプ部１３５以外の部分で層厚Ｗ
が所定値、例えば約０．２〜０．３μｍとなるようにエ
ッチング除去する必要がある。従来、この工程はエッチ
ング時間の制御により行われていたが、前記所定値に正
確に制御することは困難であり、半導体レーザ素子の特
性の歩留まりに影響を与えていた。
（ｃ）のメサエッチング工程において、前記ｐ型クラッ
ド層３５はメサストライプ部１３５以外の部分で層厚Ｗ
が所定値、例えば約０．２〜０．３μｍとなるようにエ
ッチング除去する必要がある。従来、この工程はエッチ
ング時間の制御により行われていたが、前記所定値に正
確に制御することは困難であり、半導体レーザ素子の特
性の歩留まりに影響を与えていた。
【００１２】この問題を解決するために、前記ｐ型クラ
ッド層３５内にＧａＡｓ基板１と格子整合可能な、即ち
歪みのないＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ（通常Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
と記す）からなるエッチングストッパー層を形成するこ
とが知られている。しかしこの方法の場合には、図８に
示す前記エッチングストッパー層の層厚とそのフォトル
ミネッセンス（ＰＬ）ピーク波長（即ち、バンドギャッ
プエネルギー）の関係から判るように、半導体レーザ素
子が発振する光の波長が小さくなるに従って、エッチン
グストッパー層に量子効果を持たせ、即ち層厚を小さく
して該光を吸収しないようにする必要があり、例えば発
振波長が６３０ｎｍ程度以下である場合は３０Åより更
に小さな値にする必要がある。このエッチングストッパ
ー層はその層厚が３０Åより更に小さくなると、ストッ
パー層として十分に機能しない惧れがあり、またこのよ
うな薄層の層厚を正確に制御することが困難になる。こ
の結果、短波長発振のレーザ素子では、前記エッチング
ストッパー層を用いることができないといった問題があ
った。
ッド層３５内にＧａＡｓ基板１と格子整合可能な、即ち
歪みのないＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ（通常Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
と記す）からなるエッチングストッパー層を形成するこ
とが知られている。しかしこの方法の場合には、図８に
示す前記エッチングストッパー層の層厚とそのフォトル
ミネッセンス（ＰＬ）ピーク波長（即ち、バンドギャッ
プエネルギー）の関係から判るように、半導体レーザ素
子が発振する光の波長が小さくなるに従って、エッチン
グストッパー層に量子効果を持たせ、即ち層厚を小さく
して該光を吸収しないようにする必要があり、例えば発
振波長が６３０ｎｍ程度以下である場合は３０Åより更
に小さな値にする必要がある。このエッチングストッパ
ー層はその層厚が３０Åより更に小さくなると、ストッ
パー層として十分に機能しない惧れがあり、またこのよ
うな薄層の層厚を正確に制御することが困難になる。こ
の結果、短波長発振のレーザ素子では、前記エッチング
ストッパー層を用いることができないといった問題があ
った。
【００１３】一方、バンドギャップエネルギーが大きい
エッチングストッパー層としては、ＡｌＧａＩｎＰ層が
利用できるが、この場合には前記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層３５とのエッチングレートの差が小さくなり、
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３５を選択的にエッチン
グすることが困難であるといった問題があった。
エッチングストッパー層としては、ＡｌＧａＩｎＰ層が
利用できるが、この場合には前記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層３５とのエッチングレートの差が小さくなり、
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３５を選択的にエッチン
グすることが困難であるといった問題があった。
【００１４】本発明は上述の問題点を鑑み成されたもの
であり、短い発振波長であっても歩留まりの高いＡｌＧ
ａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子を提供することを課
題とする。
であり、短い発振波長であっても歩留まりの高いＡｌＧ
ａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子を提供することを課
題とする。
【００１５】
【００１６】
【課題を解決するための手段】 本発明の ＡｌＧａＩｎＰ
系可視光半導体レーザ素子は、第１導電型のＧａＡｓ基
板と、この基板上に設けられたＡｌＧａＩｎＰからなる
第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、ＡｌＧａＩ
ｎＰからなる第２導電型の第２クラッド層とで構成され
るダブルヘテロ接合部と、前記第２クラッド層上に形成
されたＧａ r Ｉｎ 1-r Ｐ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層と
が交互に積層されてなる多重量子井戸構造であって前記
活性層よりバンドギャップエネルギーが大きいエッチン
グストッパー層と、該エッチングストッパー層上に形成
されたＡｌＧａＩｎＰからなるメサストライプ状の第２
導電型の第３クラッド層とを含む多層構造を有し、前記
Ｇａ r Ｉｎ 1-r Ｐ井戸層の組成比ｒが０．５１＜ｒ≦０．
６５であることを特徴とする。
系可視光半導体レーザ素子は、第１導電型のＧａＡｓ基
板と、この基板上に設けられたＡｌＧａＩｎＰからなる
第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、ＡｌＧａＩ
ｎＰからなる第２導電型の第２クラッド層とで構成され
るダブルヘテロ接合部と、前記第２クラッド層上に形成
されたＧａ r Ｉｎ 1-r Ｐ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層と
が交互に積層されてなる多重量子井戸構造であって前記
活性層よりバンドギャップエネルギーが大きいエッチン
グストッパー層と、該エッチングストッパー層上に形成
されたＡｌＧａＩｎＰからなるメサストライプ状の第２
導電型の第３クラッド層とを含む多層構造を有し、前記
Ｇａ r Ｉｎ 1-r Ｐ井戸層の組成比ｒが０．５１＜ｒ≦０．
６５であることを特徴とする。
【００１７】
【作用】引っ張り歪みをもつＧａＩｎＰからなるエッチ
ングストッパー層は、ＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド
層に対してＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ（歪みなし）層と略同等
のエッチングレート差を有し、且つ同じ厚みのＧａ0.51
Ｉｎ0.49Ｐ層に比べてバンドギャップエネルギーが大き
いため、短い発振波長においてもＧａ0.51Ｉｎ0. 49Ｐ層
に比べて十分な層厚を選択できる。従って、エッチング
ストッパー層を制御良く作製できるので、エッチングス
トッパー層として十分に機能する。
ングストッパー層は、ＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド
層に対してＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ（歪みなし）層と略同等
のエッチングレート差を有し、且つ同じ厚みのＧａ0.51
Ｉｎ0.49Ｐ層に比べてバンドギャップエネルギーが大き
いため、短い発振波長においてもＧａ0.51Ｉｎ0. 49Ｐ層
に比べて十分な層厚を選択できる。従って、エッチング
ストッパー層を制御良く作製できるので、エッチングス
トッパー層として十分に機能する。
【００１８】また、ＧａＩｎＰ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ
障壁層とが交互に積層されてなる多重量子井戸構造のエ
ッチングストッパー層は、エッチングストッパー層とし
て働くＧａＩｎＰ井戸層が複数層ある構成なので、短い
発振波長においても、即ちＧａＩｎＰ井戸層の層厚が小
さくてもエッチングストッパー層として十分に機能する
ことが可能である。
障壁層とが交互に積層されてなる多重量子井戸構造のエ
ッチングストッパー層は、エッチングストッパー層とし
て働くＧａＩｎＰ井戸層が複数層ある構成なので、短い
発振波長においても、即ちＧａＩｎＰ井戸層の層厚が小
さくてもエッチングストッパー層として十分に機能する
ことが可能である。
【００１９】
【実施例】先ず、本発明に係る参考例を図面を参照しつ
つ詳細に説明する。図１（ａ）は本参考例の可視光半導
体レーザ素子を示す断面図、図１（ｂ）及び図１（ｃ）
はこの半導体レーザ素子の製造工程図である。
つ詳細に説明する。図１（ａ）は本参考例の可視光半導
体レーザ素子を示す断面図、図１（ｂ）及び図１（ｃ）
はこの半導体レーザ素子の製造工程図である。
【００２０】図中、１は１５０μｍ厚のｎ型ＧａＡｓ基
板であり、該ｎ型ＧａＡｓ基板１上には、ｎ型Ｇａ0.5
Ｉｎ0.5Ｐバッファー層２が形成されている。
板であり、該ｎ型ＧａＡｓ基板１上には、ｎ型Ｇａ0.5
Ｉｎ0.5Ｐバッファー層２が形成されている。
【００２１】前記ｎ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバッファー層２
上には、活性層よりバンドギャップエネルギーが大きい
ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．４≦ｘ≦１、
望ましくはｘ＝０．７）第１クラッド層３、アンドープ
の（ＡｌqＧａ1-q）0.5Ｉｎ0 .5Ｐ（０≦ｑ≦０．２で選
択でき、ここではｑ＝０．１５）活性層４、該活性層４
よりバンドギャップエネルギーが大きいｐ型（ＡｌyＧ
ａ1-y）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．４≦ｙ≦１、望ましくはｙ
＝０．７）第２クラッド層５が形成されてダブルヘテロ
構造部が作成されている。
上には、活性層よりバンドギャップエネルギーが大きい
ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．４≦ｘ≦１、
望ましくはｘ＝０．７）第１クラッド層３、アンドープ
の（ＡｌqＧａ1-q）0.5Ｉｎ0 .5Ｐ（０≦ｑ≦０．２で選
択でき、ここではｑ＝０．１５）活性層４、該活性層４
よりバンドギャップエネルギーが大きいｐ型（ＡｌyＧ
ａ1-y）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．４≦ｙ≦１、望ましくはｙ
＝０．７）第２クラッド層５が形成されてダブルヘテロ
構造部が作成されている。
【００２２】前記第２クラッド層５上には後述のメサエ
ッチング工程において、エッチングストッパー層として
作用する引っ張り歪みを持ち且つ前記活性層４よりバン
ドギャップエネルギーが大きいｐ型ＧａvＩｎ1-vＰ（ｖ
＞０．５１）エッチングストッパー層６が形成されてい
る。このエッチングストッパー層６は該層６が良好に結
晶成長するために、前記ＧａＡｓ基板１に対する歪み量
Δａ／ａ0（ここで、Δａ＝ＧａＡｓ基板１の格子定数
−エッチングストッパー層６の格子定数、ａ0はＧａＡ
ｓ基板１の格子定数）が−１％以上、即ち組成比ｖが
０．５１＜ｖ≦０．６５が望ましく、本参考例ではｖ＝
０．５５である。又、このエッチングストッパー層６の
層厚は本参考例では３０Åである。
ッチング工程において、エッチングストッパー層として
作用する引っ張り歪みを持ち且つ前記活性層４よりバン
ドギャップエネルギーが大きいｐ型ＧａvＩｎ1-vＰ（ｖ
＞０．５１）エッチングストッパー層６が形成されてい
る。このエッチングストッパー層６は該層６が良好に結
晶成長するために、前記ＧａＡｓ基板１に対する歪み量
Δａ／ａ0（ここで、Δａ＝ＧａＡｓ基板１の格子定数
−エッチングストッパー層６の格子定数、ａ0はＧａＡ
ｓ基板１の格子定数）が−１％以上、即ち組成比ｖが
０．５１＜ｖ≦０．６５が望ましく、本参考例ではｖ＝
０．５５である。又、このエッチングストッパー層６の
層厚は本参考例では３０Åである。
【００２３】前記エッチングストッパー層６上には前記
活性層４よりバンドギャップエネルギーが大きいメサス
トライプ状のｐ型（ＡｌzＧａ1-z）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．
４≦ｚ≦１、望ましくはｚ＝０．７）第３クラッド層７
が形成され、該第３クラッド層７上にはｐ型Ｇａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐコンタクト層８が形成されてメサストライプ部
９が作成されている。前記エッチングストッパー層６の
うちこのメサストライプ部９が形成されていない部分
上、及び該ストライプ部９の側面にはｎ型ＧａＡｓ電流
ブロック層１０が形成されている。
活性層４よりバンドギャップエネルギーが大きいメサス
トライプ状のｐ型（ＡｌzＧａ1-z）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．
４≦ｚ≦１、望ましくはｚ＝０．７）第３クラッド層７
が形成され、該第３クラッド層７上にはｐ型Ｇａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐコンタクト層８が形成されてメサストライプ部
９が作成されている。前記エッチングストッパー層６の
うちこのメサストライプ部９が形成されていない部分
上、及び該ストライプ部９の側面にはｎ型ＧａＡｓ電流
ブロック層１０が形成されている。
【００２４】前記コンタクト層８上及びｎ型ＧａＡｓブ
ロック層１０上には、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１が形
成されている。このｐ型ＧａＡｓキャップ層１１上面、
ｎ型ＧａＡｓ基板１下面には、それぞれＡｕ−Ｃｒから
なるｐ型側オーミック電極１２、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒから
なるｎ型側オーミック電極１３が形成されている。尚、
本参考例の半導体レーザ素子の発振波長は６３２ｎｍで
ある。
ロック層１０上には、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１が形
成されている。このｐ型ＧａＡｓキャップ層１１上面、
ｎ型ＧａＡｓ基板１下面には、それぞれＡｕ−Ｃｒから
なるｐ型側オーミック電極１２、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒから
なるｎ型側オーミック電極１３が形成されている。尚、
本参考例の半導体レーザ素子の発振波長は６３２ｎｍで
ある。
【００２５】次に、図１（ｂ）〜（ｃ）を参照してこの
半導体レーザ装置の製造方法について説明する。
半導体レーザ装置の製造方法について説明する。
【００２６】最初に、図１（ｂ）に示すように、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１を用意する。次に、有機金属気相成長法
（ＭＯＣＶＤ法）により、前記ｎ型ＧａＡｓ基板１上に
約０．３μｍ厚のｎ型ＧａＩｎＰバッファー層２、約
０．８μｍ厚のｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３、
不純物をドープしない約０．０７μｍ厚のアンドープ型
ＡｌＧａＩｎＰ活性層４、約０．２〜０．３μｍ厚のｐ
型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層５、３０Å厚のｐ型Ｇ
ａＩｎＰエッチングストッパー層６、約０．５μｍ厚の
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッド層７、及び０．１μｍ
厚のｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層８を連続成長させる。
次に、化学気相堆積法（ＣＶＤ法）及びエッチング技術
を用いて、前記コンタクト層８上にＳｉＯ2からなる層
厚０．４〜０．６μｍ、幅約４μｍのストライプ状のマ
スク層２０を形成する。
ａＡｓ基板１を用意する。次に、有機金属気相成長法
（ＭＯＣＶＤ法）により、前記ｎ型ＧａＡｓ基板１上に
約０．３μｍ厚のｎ型ＧａＩｎＰバッファー層２、約
０．８μｍ厚のｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３、
不純物をドープしない約０．０７μｍ厚のアンドープ型
ＡｌＧａＩｎＰ活性層４、約０．２〜０．３μｍ厚のｐ
型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層５、３０Å厚のｐ型Ｇ
ａＩｎＰエッチングストッパー層６、約０．５μｍ厚の
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッド層７、及び０．１μｍ
厚のｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層８を連続成長させる。
次に、化学気相堆積法（ＣＶＤ法）及びエッチング技術
を用いて、前記コンタクト層８上にＳｉＯ2からなる層
厚０．４〜０．６μｍ、幅約４μｍのストライプ状のマ
スク層２０を形成する。
【００２７】その後、図１（ｃ）に示すように、前記マ
スク層２０をマスクとして、前記コンタクト層８を臭化
水素（ＨＢｒ）系エッチング液でエッチングした後、前
記第３クラッド層７を塩酸（ＨＣｌ）系エッチング液
（例えば塩酸と水の体積比が１対２である混合液）によ
りエッチングして、該第３クラッド層７及びコンタクト
層８をメサストライプ状（リッジストライプ状）に形成
してメサストライプ部９を作成する。この塩酸系エッチ
ング液は（ＡｌzＧａ1-z）0.5Ｉｎ0.5Ｐをエッチング
し、ＧａvＩｎ1-vＰを殆どエッチングしないので（エッ
チングレート比は約１００対１）、前記メサストライプ
エッチングは前記エッチングストッパー層６で制御良く
停止する。
スク層２０をマスクとして、前記コンタクト層８を臭化
水素（ＨＢｒ）系エッチング液でエッチングした後、前
記第３クラッド層７を塩酸（ＨＣｌ）系エッチング液
（例えば塩酸と水の体積比が１対２である混合液）によ
りエッチングして、該第３クラッド層７及びコンタクト
層８をメサストライプ状（リッジストライプ状）に形成
してメサストライプ部９を作成する。この塩酸系エッチ
ング液は（ＡｌzＧａ1-z）0.5Ｉｎ0.5Ｐをエッチング
し、ＧａvＩｎ1-vＰを殆どエッチングしないので（エッ
チングレート比は約１００対１）、前記メサストライプ
エッチングは前記エッチングストッパー層６で制御良く
停止する。
【００２８】その後、図１（ａ）に示すように、前記マ
スク層２０を介した状態で、ＭＯＣＶＤ法により前記エ
ッチングストッパー層６上及びメサストライプ部９側面
上にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１０を形成した後、前
記マスク層２０をフッ酸により除去して、該除去部にコ
ンタクト層８を露出させる。その後、前記コンタクト層
８及びブロック層１０上にキャップ層１１をＭＯＣＶＤ
法により形成する。次に、前記キャップ層１１上面にそ
れぞれＡｕ−Ｃｒ電極１２を蒸着法等により形成すると
共に前記基板１下面にＡｕ−Ｓｎ−Ｃｒ電極を蒸着法等
により形成する。
スク層２０を介した状態で、ＭＯＣＶＤ法により前記エ
ッチングストッパー層６上及びメサストライプ部９側面
上にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１０を形成した後、前
記マスク層２０をフッ酸により除去して、該除去部にコ
ンタクト層８を露出させる。その後、前記コンタクト層
８及びブロック層１０上にキャップ層１１をＭＯＣＶＤ
法により形成する。次に、前記キャップ層１１上面にそ
れぞれＡｕ−Ｃｒ電極１２を蒸着法等により形成すると
共に前記基板１下面にＡｕ−Ｓｎ−Ｃｒ電極を蒸着法等
により形成する。
【００２９】斯る半導体レーザ素子はエッチングストッ
パー層６にてメサエッチングが制御良く停止するので、
歩留まりが従来に比べて約２倍程度に改善できた。この
理由を以下に説明する。
パー層６にてメサエッチングが制御良く停止するので、
歩留まりが従来に比べて約２倍程度に改善できた。この
理由を以下に説明する。
【００３０】図２にＧａvＩｎ1-vＰエッチングストッパ
ー層６の歪み量（組成比ｖ）とフォトルミネッセンス
（ＰＬ）ピーク波長の関係を実線で示す。ここでは、エ
ッチングストッパー層６の層厚は３０Åの場合である。
尚、エッチングストッパー層６の層厚が３０Åと異なる
場合、屈曲線Ａ（実線）は図８において対応する層厚の
ＰＬピーク波長に等しいＰＬピーク波長を持つ格子整合
点（層厚３０Åの場合点Ｘ）を通るように平行移動す
る。
ー層６の歪み量（組成比ｖ）とフォトルミネッセンス
（ＰＬ）ピーク波長の関係を実線で示す。ここでは、エ
ッチングストッパー層６の層厚は３０Åの場合である。
尚、エッチングストッパー層６の層厚が３０Åと異なる
場合、屈曲線Ａ（実線）は図８において対応する層厚の
ＰＬピーク波長に等しいＰＬピーク波長を持つ格子整合
点（層厚３０Åの場合点Ｘ）を通るように平行移動す
る。
【００３１】この図２から判るように、層厚が同じ場合
に、引っ張り歪みをもつＧａvＩｎ1 -vＰ（ｖ＞０．５
１）は従来のＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐに比べてＰＬピーク波
長が小さくなる。従って、エッチングストッパー層を本
実施例のようにＧａvＩｎ1-vＰ（ｖ＞０．５１）層にし
た場合に該層はＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層と略同じエッチン
グレートをもつので層厚を従来のＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層
に比べて大きくできる。このように、組成比ｖが大きく
なる程（特に図２中の屈曲点Ｑでの組成比より大きい組
成比ｖの場合には顕著に）エッチングストッパー層６の
ＰＬピーク波長が小さく（バンドギャップエネルギーが
大きく）なるので、該組成比ｖを選択して６１０ｎｍ程
度までの発振波長に対して光吸収が起こらないようにで
きる。従って、発振波長が６１０ｎｍ程度の短い波長で
あっても層厚３０Å以上の層厚を選択でき、この結果メ
サエッチングが制御よく停止できるエッチングストッパ
ー層を提供できる。
に、引っ張り歪みをもつＧａvＩｎ1 -vＰ（ｖ＞０．５
１）は従来のＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐに比べてＰＬピーク波
長が小さくなる。従って、エッチングストッパー層を本
実施例のようにＧａvＩｎ1-vＰ（ｖ＞０．５１）層にし
た場合に該層はＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層と略同じエッチン
グレートをもつので層厚を従来のＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層
に比べて大きくできる。このように、組成比ｖが大きく
なる程（特に図２中の屈曲点Ｑでの組成比より大きい組
成比ｖの場合には顕著に）エッチングストッパー層６の
ＰＬピーク波長が小さく（バンドギャップエネルギーが
大きく）なるので、該組成比ｖを選択して６１０ｎｍ程
度までの発振波長に対して光吸収が起こらないようにで
きる。従って、発振波長が６１０ｎｍ程度の短い波長で
あっても層厚３０Å以上の層厚を選択でき、この結果メ
サエッチングが制御よく停止できるエッチングストッパ
ー層を提供できる。
【００３２】次に、本発明の実施例について図を参照し
て説明する。図３は本実施例の半導体レーザ素子の断面
図であり、図４（ａ）は図３中の活性層の拡大図、図４
（ｂ）は図３中のエッチングストッパー層の拡大図であ
る。尚、参考例と異なる点は参考例で用いたＧａvＩｎ
1-vＰ（ｖ＞０．５１）エッチングストッパー層６に代
えてＧａrＩｎ1-rＰ層と（ＡｌuＧａ1-u）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
層とが交互に積層されてなる多重量子井戸構造（ＭＱＷ
構造）のエッチングストッパー層を用いた点と、参考例
で用いた（ＡｌqＧａ1-q）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層に代えて
（Ａｌl Ｇａ1-l）0.5Ｉｎ0.5Ｐ層とＧａmＩｎ1-mＰ層
が交互に積層してなる多重量子井戸構造である。参考例
と同一部分及び対応する部分には同一符号を付す。
て説明する。図３は本実施例の半導体レーザ素子の断面
図であり、図４（ａ）は図３中の活性層の拡大図、図４
（ｂ）は図３中のエッチングストッパー層の拡大図であ
る。尚、参考例と異なる点は参考例で用いたＧａvＩｎ
1-vＰ（ｖ＞０．５１）エッチングストッパー層６に代
えてＧａrＩｎ1-rＰ層と（ＡｌuＧａ1-u）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
層とが交互に積層されてなる多重量子井戸構造（ＭＱＷ
構造）のエッチングストッパー層を用いた点と、参考例
で用いた（ＡｌqＧａ1-q）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層に代えて
（Ａｌl Ｇａ1-l）0.5Ｉｎ0.5Ｐ層とＧａmＩｎ1-mＰ層
が交互に積層してなる多重量子井戸構造である。参考例
と同一部分及び対応する部分には同一符号を付す。
【００３３】図中、１は１５０μｍ厚のｎ型ＧａＡｓ基
板であり、該ｎ型ＧａＡｓ基板１上には、０．３μｍ厚
のｎ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバッファー層２が形成されてい
る。
板であり、該ｎ型ＧａＡｓ基板１上には、０．３μｍ厚
のｎ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバッファー層２が形成されてい
る。
【００３４】前記バッファー層２上には、０．８μｍ厚
のｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．４≦ｘ≦
１、望ましくはｘ＝０．７）第１クラッド層３、５００
Å厚のアンドープの（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ光
ガイド層２４ａと該光ガイド層２４ａ上に設けられた３
０Å厚のアンドープのＧａmＩｎ1-mＰ井戸層２４ｂ（本
実施例ではｍ＝０．５１、全８層）と４０Å厚のアンド
ープの（ＡｌlＧａ1-l） 0.5Ｉｎ0.5Ｐ障壁層２４ｃ（本
実施例ではｌ＝０．５、全７層）とが交互に積層されて
なる多重量子井戸構造部と該構造部上に設けられたけら
れた５００Å厚のアンドープの（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5
Ｉｎ0.5Ｐ光ガイド層２４ｄとからなる活性層２４、
０．２μｍ厚のｐ型（ＡｌyＧａ1-y）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
（０．４≦ｙ≦１、望ましくはｙ＝０．７）第２クラッ
ド層５が形成されてダブルヘテロ構造部が作成され、該
ｐ型クラッド層５上にはメサエッチング工程において、
エッチングストッパー層として作用する３０Å厚のＧａ
rＩｎ1-rＰ井戸層（本実施例ではｒ＝０．５５、全４
層）１６ａと４０Å厚の（ＡｌuＧａ1-u）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
障壁層（本実施例ではｕ＝０．７、全３層）１６ｂとが
交互にこの順序に積層されてなる多重量子井戸構造をも
つ前記活性層４よりバンドギャップエネルギーが大きい
エッチングストッパー層１６が形成されている。
のｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．４≦ｘ≦
１、望ましくはｘ＝０．７）第１クラッド層３、５００
Å厚のアンドープの（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ光
ガイド層２４ａと該光ガイド層２４ａ上に設けられた３
０Å厚のアンドープのＧａmＩｎ1-mＰ井戸層２４ｂ（本
実施例ではｍ＝０．５１、全８層）と４０Å厚のアンド
ープの（ＡｌlＧａ1-l） 0.5Ｉｎ0.5Ｐ障壁層２４ｃ（本
実施例ではｌ＝０．５、全７層）とが交互に積層されて
なる多重量子井戸構造部と該構造部上に設けられたけら
れた５００Å厚のアンドープの（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5
Ｉｎ0.5Ｐ光ガイド層２４ｄとからなる活性層２４、
０．２μｍ厚のｐ型（ＡｌyＧａ1-y）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
（０．４≦ｙ≦１、望ましくはｙ＝０．７）第２クラッ
ド層５が形成されてダブルヘテロ構造部が作成され、該
ｐ型クラッド層５上にはメサエッチング工程において、
エッチングストッパー層として作用する３０Å厚のＧａ
rＩｎ1-rＰ井戸層（本実施例ではｒ＝０．５５、全４
層）１６ａと４０Å厚の（ＡｌuＧａ1-u）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
障壁層（本実施例ではｕ＝０．７、全３層）１６ｂとが
交互にこの順序に積層されてなる多重量子井戸構造をも
つ前記活性層４よりバンドギャップエネルギーが大きい
エッチングストッパー層１６が形成されている。
【００３５】前記エッチングストッパー層１６上にはメ
サストライプ状のｐ型（ＡｌzＧａ1 -z）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
（０．４≦ｚ≦１、望ましくはｚ＝０．７）第３クラッ
ド層７が形成され、該第３クラッド層７上にはｐ型Ｇａ
0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層８が形成されてメサストライ
プ部９が作成されている。前記エッチングストッパー層
１６のうちこのメサストライプ部９が形成されていない
部分上、及び該ストライプ部９の側面にはｎ型ＧａＡｓ
ブロック層１０が形成されている。
サストライプ状のｐ型（ＡｌzＧａ1 -z）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
（０．４≦ｚ≦１、望ましくはｚ＝０．７）第３クラッ
ド層７が形成され、該第３クラッド層７上にはｐ型Ｇａ
0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層８が形成されてメサストライ
プ部９が作成されている。前記エッチングストッパー層
１６のうちこのメサストライプ部９が形成されていない
部分上、及び該ストライプ部９の側面にはｎ型ＧａＡｓ
ブロック層１０が形成されている。
【００３６】前記コンタクト層８上及びｎ型ＧａＡｓブ
ロック層１０上には、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１が形
成されている。このｐ型ＧａＡｓキャップ層１１上面、
ｎ型ＧａＡｓ基板１下面には、それぞれＡｕ−Ｃｒから
なるｐ型側オーミック電極１２、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒから
なるｎ型側オーミック電極１３が形成されている。
ロック層１０上には、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１が形
成されている。このｐ型ＧａＡｓキャップ層１１上面、
ｎ型ＧａＡｓ基板１下面には、それぞれＡｕ−Ｃｒから
なるｐ型側オーミック電極１２、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒから
なるｎ型側オーミック電極１３が形成されている。
【００３７】尚、本実施例の場合発振波長は６３０ｎｍ
である。
である。
【００３８】斯る構造の半導体レーザ素子の製造は、参
考例のエッチングストッパー層６に代えてｐ型ＧａＩｎ
Ｐ井戸層１６ａとｐ型ＡｌＧａＩｎＰ障壁層１６ｂを交
互にをＭＯＣＶＤ法により形成すると共にＡｌＧａＩｎ
Ｐ活性層４に代えて活性層２４も同様にＭＯＣＶＤ法に
より形成する以外は参考例と同様に作成できる。
考例のエッチングストッパー層６に代えてｐ型ＧａＩｎ
Ｐ井戸層１６ａとｐ型ＡｌＧａＩｎＰ障壁層１６ｂを交
互にをＭＯＣＶＤ法により形成すると共にＡｌＧａＩｎ
Ｐ活性層４に代えて活性層２４も同様にＭＯＣＶＤ法に
より形成する以外は参考例と同様に作成できる。
【００３９】本実施例の製造方法で作成した半導体レー
ザ素子２５個とエッチングストッパー層を用いない従来
例の製造方法で作成した半導体レーザ素子の特性を測定
した。本実施例による歩留まりは約８０％であり、従来
の歩留まり約４０％の２倍に改善できた。図５はレーザ
発振閾値電流のバラツキを示し、図６はスロープ効率の
バラツキを示す。
ザ素子２５個とエッチングストッパー層を用いない従来
例の製造方法で作成した半導体レーザ素子の特性を測定
した。本実施例による歩留まりは約８０％であり、従来
の歩留まり約４０％の２倍に改善できた。図５はレーザ
発振閾値電流のバラツキを示し、図６はスロープ効率の
バラツキを示す。
【００４０】これら図から判るように、本実施例の半導
体レーザ素子の特性が均一であることが判る。
体レーザ素子の特性が均一であることが判る。
【００４１】このように歩留まりも良く特性の均一な半
導体レーザ素子が得られたのは、前記エッチングストッ
パー層１６がエッチングストッパー層として十分に機能
し且つエッチングストッパー層１６にて発振波長の光を
吸収しなかったためである。
導体レーザ素子が得られたのは、前記エッチングストッ
パー層１６がエッチングストッパー層として十分に機能
し且つエッチングストッパー層１６にて発振波長の光を
吸収しなかったためである。
【００４２】斯る構造のエッチングストッパー層１６
は、前記井戸層１６ａの組成比ｒを大きく（０．５１＜
ｒ≦０．６５）、該層１６ａの層厚を小さく、障壁層１
６ｂの組成比ｕを１に近づけまたは１に等しくし、又は
全層数を少なく選択することにより、前記エッチングス
トッパー層１６のバンドギャップエネルギーを活性層の
バンドギャップエネルギーより大きくして、発振波長が
５９０ｎｍ程度でも用いることができると共に前記井戸
層１６ａの層厚が小さい場合でもこれら層１６ａが複数
層含まれているので、メサエッチングがエッチングスト
ッパー層１６で制御良く停止できる。
は、前記井戸層１６ａの組成比ｒを大きく（０．５１＜
ｒ≦０．６５）、該層１６ａの層厚を小さく、障壁層１
６ｂの組成比ｕを１に近づけまたは１に等しくし、又は
全層数を少なく選択することにより、前記エッチングス
トッパー層１６のバンドギャップエネルギーを活性層の
バンドギャップエネルギーより大きくして、発振波長が
５９０ｎｍ程度でも用いることができると共に前記井戸
層１６ａの層厚が小さい場合でもこれら層１６ａが複数
層含まれているので、メサエッチングがエッチングスト
ッパー層１６で制御良く停止できる。
【００４３】尚、本実施例では各半導体層をＭＯＣＶＤ
法で形成したが、分子線エピタキシャル成長法で行って
もよい。又、メサエッチングを行うエッチング液は塩酸
系溶液に代えて燐酸系溶液、硫酸系溶液、又は臭化水素
酸系溶液でもよい。
法で形成したが、分子線エピタキシャル成長法で行って
もよい。又、メサエッチングを行うエッチング液は塩酸
系溶液に代えて燐酸系溶液、硫酸系溶液、又は臭化水素
酸系溶液でもよい。
【００４４】更に、本実施例で用いる活性層は上述のよ
うにＡｌＧａＩｎＰ層でもよく、（ＡｌtＧａ1-t）wＩ
ｎ1-wＰ井戸層と（ＡｌsＧａ1-s）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０≦
ｔ＜ｓ≦１、０．３＜ｗ＜０．７）障壁層が交互に積層
されてなる多重量子井戸構造層であってもよく、又Ｇａ
ＩｎＰ層でもよい。
うにＡｌＧａＩｎＰ層でもよく、（ＡｌtＧａ1-t）wＩ
ｎ1-wＰ井戸層と（ＡｌsＧａ1-s）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０≦
ｔ＜ｓ≦１、０．３＜ｗ＜０．７）障壁層が交互に積層
されてなる多重量子井戸構造層であってもよく、又Ｇａ
ＩｎＰ層でもよい。
【００４５】また、ＡｌＧａＩｎＰからなる第２クラッ
ド層には、例えば（ＡｌgＧａ1-g） 0.5Ｉｎ0.5Ｐ井戸層
と（ＡｌhＧａ1-h）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０≦ｇ＜ｈ≦１）障
壁層が交互に積層されてなる多重量子井戸構造（ＭＱＢ
構造）層が含まれていてもよい。
ド層には、例えば（ＡｌgＧａ1-g） 0.5Ｉｎ0.5Ｐ井戸層
と（ＡｌhＧａ1-h）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０≦ｇ＜ｈ≦１）障
壁層が交互に積層されてなる多重量子井戸構造（ＭＱＢ
構造）層が含まれていてもよい。
【００４６】
【００４７】
【発明の効果】 本発明 によれば、エッチングストッパー
層にＧａ r Ｉｎ 1-r Ｐ層（０．５１＜ｒ≦０．６５）とＡ
ｌＧａＩｎＰ層を交互に積層してなる多重量子井戸構造
を用いるので、該エッチングストッパー層のバンドギャ
ップエネルギーを大きくすることが可能であると共にエ
ッチングストッパーとして作用するＧａＩｎＰ層が複数
存在するので、発振波長が短い場合であっても歩留まり
よく特性の良いレーザ素子を提供できる。
層にＧａ r Ｉｎ 1-r Ｐ層（０．５１＜ｒ≦０．６５）とＡ
ｌＧａＩｎＰ層を交互に積層してなる多重量子井戸構造
を用いるので、該エッチングストッパー層のバンドギャ
ップエネルギーを大きくすることが可能であると共にエ
ッチングストッパーとして作用するＧａＩｎＰ層が複数
存在するので、発振波長が短い場合であっても歩留まり
よく特性の良いレーザ素子を提供できる。
【図１】本発明に係る参考例の半導体レーザ素子の断面
図とその製造工程を示す図である。
図とその製造工程を示す図である。
【図２】ＧａvＩｎ1-vＰ層の歪み量とＰＬピー波長の関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図３】本発明に係る実施例の半導体レーザ素子の断面
図である。
図である。
【図４】上記実施例の半導体レーザ素子の要部拡大断面
図である。
図である。
【図５】上記実施例の半導体レーザ素子のレーザ発振閾
値に関するヒストグラム図である。
値に関するヒストグラム図である。
【図６】上記実施例の半導体レーザ素子のスロープ効率
に関するヒストグラム図である。
に関するヒストグラム図である。
【図７】従来例の半導体レーザ素子の断面図である。
【図８】従来のＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐエッチングストッパ
ー層の層厚とバンドギャップエネルギーの関係を示す図
である。
ー層の層厚とバンドギャップエネルギーの関係を示す図
である。
１ ｎ形ＧａＡｓ基板 ３ 第１クラッド層（ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ） ４ 活性層（ＡｌＧａＩｎＰ） ５ 第２クラッド層（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ） ６ エッチングストッパー層（ｐ型ＧａvＩｎ1-v
Ｐ） ７ 第３クラッド層（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ） １６ エッチングストッパー層（多重量子井戸構造） １６ａ ｐ型ＧａＩｎＰ井戸層 １６ｂ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ障壁層 ２４ 活性層
Ｐ） ７ 第３クラッド層（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ） １６ エッチングストッパー層（多重量子井戸構造） １６ａ ｐ型ＧａＩｎＰ井戸層 １６ｂ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ障壁層 ２４ 活性層
Claims (1)
- 【請求項１】 第１導電型のＧａＡｓ基板と、この基板
上に設けられたＡｌＧａＩｎＰからなる第１導電型の第
１クラッド層と、活性層と、ＡｌＧａＩｎＰからなる第
２導電型の第２クラッド層とで構成されるダブルヘテロ
接合部と、前記第２クラッド層上に形成されたＧａ r Ｉ
ｎ 1-r Ｐ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層とが交互に積層
されてなる多重量子井戸構造であって前記活性層よりバ
ンドギャップエネルギーが大きいエッチングストッパー
層と、該エッチングストッパー層上に形成されたＡｌＧ
ａＩｎＰからなるメサストライプ状の第２導電型の第３
クラッド層とを含む多層構造を有し、前記Ｇａ r Ｉｎ 1-r
Ｐ井戸層の組成比ｒが０．５１＜ｒ≦０．６５であるこ
とを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27721292A JP3244312B2 (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27721292A JP3244312B2 (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132603A JPH06132603A (ja) | 1994-05-13 |
| JP3244312B2 true JP3244312B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=17580376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27721292A Expired - Fee Related JP3244312B2 (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3244312B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01206672A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Toshiba Corp | 受光素子 |
| JP3763459B2 (ja) | 2001-06-26 | 2006-04-05 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-10-15 JP JP27721292A patent/JP3244312B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06132603A (ja) | 1994-05-13 |
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